电容dianzu命名规则
电阻电容型号命名规则
电阻电容型号命名规则
电阻和电容的型号命名规则如下:
电阻型号命名规则:
1. 由字母和数字组成,一般以字母R开头,表示电阻。
2. 第一个数字表示有效数字,第二个数字表示数量级,后面的字母表示精度和温度系数等。
3. 精度一般用F表示1%,G表示2%,H表示3%,J表示5%。
4. 温度系数一般用P表示±100ppm/℃,R表示±200ppm/℃,S表示±50ppm/℃,T表示±25ppm/℃。
例如:R100表示100欧姆电阻,1%精度;R10K表示10千欧姆电阻,5%精度;R1M表示1兆欧姆电阻,±100ppm/℃温度系数。
电容型号命名规则:
1. 由字母和数字组成,一般以字母C开头,表示电容。
2. 第一个数字表示有效数字,第二个数字表示数量级,后面的字母表示电压、精度和温度系数等。
3. 电压一般用V表示电压值,例如:C10V表示10伏电容。
4. 精度一般用F表示±1%,G表示±2%,J表示±5%。
5. 温度系数一般用N表示-750ppm/℃,P表示±100ppm/℃,R表示±200ppm/℃,S表示±50ppm/℃,T表示±25ppm/℃。
例如:C100pF表示100皮法电容,±5%精度;C10uF表示10微法电容,±10%精度;C1uF25V表示1微法电容,25伏电压。
国内外常用电子元器件型号命名规则比如:电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外:
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点:
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此,凡型号以两个字母开头,并且第一个字母是A,B,C,D或R的晶体管,大都是欧洲制造的产品,或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料(A表示锗管,B表示硅管),但不表示极性(NPN型或PNP型)。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管,D表示低频大功率管,F表示高频小功率管,L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义,不查手册也可以判断出类别。例如,BL49型,一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品;一个字母加两位数字者为专用品,顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如,AC184为PNP型,而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子,称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数(如hFE或NF)进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性(指NPN或PNP)。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法,即美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表:
电阻电容的分类与特性选择
固定电阻(1) 符号(2) 电阻器型号命名方法电阻器的型号命名方法根据GB2471-81,见表B301。
表B301电阻器型号的命名方法(3) 电阻值的标识例如:按部颁标准规定,电阻值的标称值应为表B302所列数字的10n倍,其中,n为正整数、负整数或零。
精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分:序号第三部分:类别(精密)第二部分:材料(金属膜)第一部分:主称(电阻器)表B302电阻器(电位器、电容器)标称系列及误差表多圈线绕电位器W X D 3序号多圈线绕电位器电阻的阻值和允许偏差的标注方法有直标法、色标法和文字符号法。
①直标法将电阻的阻值和误差直接用数字和字母印在电阻上(无误差标示为允许误差± 20%)。
也有厂家采用习惯标记法,如:3 Ω 3 Ⅰ表示电阻值为3.3 Ω、允许误差为± 5 %1 K 8 表示电阻值为1.8 KΩ、允许误差为± 20 %5 M 1 Ⅱ表示电阻值为5.1 MΩ、允许误差为± 10 %②色标法将不同颜色的色环涂在电阻器(或电容器)上来表示电阻(电容器)的标称值及允许误差,各种颜色所对应的数值见表B303。
固定电阻器色环标志读数识别规则如图T301所示。
表B303电阻器色标符号意义例如:红红棕金表示220 Ω± 5 %黄紫橙银表示47kΩ± 10 %棕紫绿金棕表示17.5 Ω± 1 %③文字符号法例如:3M3K3M3表示3.3MΩ,K表示允许偏差为±10 %。
允许偏差与字母的对应关系见表B304。
(4) 电阻器额定功率的识别电阻器的额定功率指电阻器在直流或交流电路中,长期连续工作所允许消耗的最大功率。
有两种标志方法:2W以上的电阻,直接用数字印在电阻体上;2W以下的电阻,以自身体积大小来表示功率。
在电路图上表示电阻功率时,采用如图T302符号:(5) 电阻(电容)器偏差标志符号表表B304电阻(电容)器偏差标志符号表可变电阻器(1) 符号(2) 功能简介可变式电阻器一般称为电位器,从形状上分有圆柱形、长方体形等多种形状;从结构上分有直滑式、旋转式、带开关式、带紧锁装置式、多连式、多圈式、微调式和无接触式等多种形式;从材料上分有碳膜、合成膜、有机导电体、金属玻璃釉和合金电阻丝等多种电阻体材料。
国内贴片电阻、色环电阻、电容等阻值命名方法
所示,六色环电阻前五色环与五色环电阻表示方法一样,第 六色环表示该电阻的温度系数
电容器容量标示 1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如 1uF 表示 1 微法,有些 电容用“R”表示小数点,如 R56 表示 0.56 微法。 2、文字符号法
为了区分±5%,±1%的电阻,于是±1%的电阻常规多数用 4 位数来 表示 ,
这样前三位是表示有 效数字,第四位表示有多少个零 4531 也就是 4530Ω,也就等于 4.53KΩ
色环电阻
色环电阻
色环电阻,是在电阻封装上(即电阻表面)涂上一定颜色的色环, 来代表这个电阻的阻值。具体读法可参考右图
黑,棕,红,橙,黄,绿,蓝,紫,灰,白
6、低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤 纶电容器。
7、滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、 液体钽电容器。
8、调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚 苯乙烯电容器。
9、低耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、 涤纶电容器、固体钽电容器。
10、小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、 铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电 容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
非极性 薄膜
第三部分为分类,用数字 表示,
也有个别用字母表 示的
第四部 分
为 序号,
用 数字表 示,以 区
别 电容器 的外形 尺寸及 性能指 标。
含义
有机电容
电解电 容
圆形
非密封 非密 封
箔式
管形
非密封 非密 封
箔式
电阻和电容的分类和总结
1电阻的种类很多,通常分为碳膜电阻,金属电阻,线绕电阻等:它又包含固定电阻与可变电阻,光敏电阻,压敏电阻,热敏电阻等。
但不管电阻是什么种类,它都有一个基本的表示字母“R”。
在电子电路中常用的电阻器有固定式电阻器和电位器,按制作材料和工艺不同,固定式电阻器可分为:膜式电阻(碳膜RT、金属膜RJ、合成膜RH 和氧化膜R Y)、实芯电阻(有机RS 和无机RN)、金属线绕电阻(RX)、特殊电阻(MG 型光敏电阻、MF 型热敏电阻)四种。
碳膜电阻,气态碳氢化合物在高温和真空中分解碳沉积在瓷棒或者瓷管上,形成一层结晶碳膜。
改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度,可以得到不同的阻值。
碳膜电阻成本较低,性能一般,精度低一点但是热稳定性好。
其特点:良好的稳定性,负温度系数小,高频特性好,受电压和频率的影响较小,噪声电动势较小,脉冲负荷稳定,阻值范围宽等优点。
金属膜电阻,在真空中加热合金,合金蒸发,使瓷棒表面形成一层导电金属膜。
刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。
这种电阻和碳膜电阻相比,体积小、噪声低、稳定性好,但成本较高,金属膜电阻的精度高耐热性能好,温度系数小噪声电动势很小,可在高频电路中使用。
其特点:稳定性好,温度系数小,耐热耐湿性强,阻值稳定可靠,电压系数比碳膜电阻器更好,工作频率范围大,噪声电动势小,可在高频电路中使用。
缺点:脉冲负荷稳定性差。
碳质电阻,把碳黑、树脂、粘土等混合物压制后经过热处理制成。
在电阻上用色环表示它的阻值。
这种电阻成本低,阻值范围宽,但性能差,很少采用。
线绕电阻,用康铜或者镍铬合金电阻丝,在陶瓷骨架上绕制成。
这种电阻分固定和可变两种。
它的特点是热作稳定好,耐高温,温度系数小,误差范围小,电流噪声小,功率大。
缺点:相对体积较大,分布电感和分布电容也较大。
适用于大功率的场合,额定功率一般在1瓦以上。
碳膜电位器,它的电阻体是在马蹄形的纸胶板上涂上一层碳膜制成。
它的阻值变化和中间触头位置的关系有直线式、对数式和指数式三种。
贴片电容电阻编码规则汇总
104=100000pF Z=+80/-20%
国巨电容 YAGEO CC
0805
尺寸规格 0201 0402 0603 0805 1206 1210
K
误差: B=±0.1pF C=±0.25pF D=±0.5pF F=±1% G=±2% J=±5% K=±10% M=±20% Z=+80/-20%
K
X7R
9
B
N
104
由3位字母数字 表示,前两位为 有效数字,第三 位为有效数字后 “0”的个数 4R7=4.7pf 104=100000pf
包装代码 温度系数: 额定电压: R:纸编带7英 NPO 5=6.3V 寸盘 X7R 6=10V K:塑料编带7 Z5U 7=16V 英寸盘 Y5V 8=25V C=塑料散包装 9=50V
贴片电容电阻编码规则
三星电子SAMSUNG CL 10
产品类型: CL:贴片电容
A
105
K
误差: B=±0.1pF C=±0.25pF D=±0.5pF F=±1% G=±2% J=±5% K=±10% M=±20% Z=+80/-20%
Q
电压: R=4V Q=6.3V P=10V O=16V A=25V L=35V B=50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V I=1000V J=2000V K=3000V
R
R=纸带 K=塑料编带
-
07
包装:
100K
阻值:
L
L表示无铅
07=7寸盘 10=10寸盘 13=13寸盘
厚声电阻 UMIOHM 0402
尺寸规格 0201 0402 0603 0805 1206 1210 2010 2512 4D03
电阻电容命名规则‘
电阻-定义:导体对电流的阻碍作用就叫导体的电阻。
电阻的阻值标法通常有色环法,数字法。
色环法在一般的的电阻上比较常见。
由于手机电路中的电阻一般比较小,很少被标上阻值,即使有,一般也采用数字法,即:101——表示100Ω的电阻;102——表示1KΩ的电阻;103——表示10KΩ的电阻;104——表示100KΩ的电阻;105——表示1MΩ的电阻;106——表示10MΩ的电阻。
如果一个电阻上标为223,则这个电阻为22KΩ。
电阻在手机机板上一般的外观示意图如图5所示,其两端为银白色,中间大部分为黑色。
电容-所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件。
电容容量的数字标注解释1.表面上的标称容量数字以2字结尾的,容量单位为PF。
容量为前两位数字乘100。
例:102=1000PF 642=6400PF。
2.标称容量数字以3字结尾的,容量单位为uF。
容量为零点零几微法,例:103=0.01uF 823=0.082uF。
3.标称容量数字以4字结尾的,容量单位为uF。
容量为零点几微法,例:104=0.1UF 474=0.47uF。
4.标称容量数字以5字结尾的,容量单位为uF。
容量为几微法,例:105=1.0uF 475=4.7uF。
5.标称容量数字以6字结尾的,容量单位为uF。
容量为十几微法,例:106=10uF 。
6.标称容量数字以n字结尾的,容量单位为uF。
容量为零点几到零点零几微法。
例:100n=0.1uF 10n=0.01uF另外电容没有特别标注的,耐压均为63V。
误差没有标明的容量误差为10%。
电阻和电容器的参数标注方法
电阻和电容器的参数标注方法电阻和电容器的参数标注方法2010-12-17 00:05电容器的参数标注方法(一)直标法:将电容器的主要参数(标称容量、额定电压、及允许偏差)直接标注在电容器上,如0.0047μf/275V,0.0047μf是容量,相当于4700Pf,275V应是耐压(不属优选数系列)。
(三)文字符号法:采用数字或字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。
3,数字标注法一般是用3位数字表示电容器的容量。
其中前两位为有效值数字,第三位为倍乘数(即表示有效值后有多少个0)。
如104,表示有效值是10,后面再加4个0,即100000Pf=0.1μf。
4,字母与数字混合标注法用2—4位数字表示有效值,用P、n、M、μ、G、m等字母表示有效数后面的量级。
进口电容器在标注数值时不用小数点,而是将整数部分写在字母之前,将小数部分写在字母后面。
如4P7表示4.7Pf,3m3表示3300μf等。
电容器的容量的允许偏差标注字母及含义:字母含义F ±1%G ±2%J ±5%K ±10%M ±20%N ±30%如104K表示容量100000Pf=0.1μf,容量允许偏差为±10%。
(资料来源《通用电子元器件的选用与检测》)国产电容器标注可查阅《GB/T 2691-1994 电阻器和电容器的标志代码》有些电容器的工作电压是用色环或色点来表示的,颜色—工作电压(V)的关系如下:黑—4、棕—6.3、红—10、橙—16、黄—25、绿—32、蓝—40、紫—50、灰—63。
也有些只用于低压电路的电容器没有耐压标志,可查产品手册。
电阻的阻值辨认:由于电阻阻值的表示法有数字表示法和色环表示法两种,因而电阻阻值的读数也有两种:a 数字表示法:此表示法常用于CHIP组件中。
辨认时数字之前两位为有效数字,而第三位为倍率。
例如:334表示:33×104Ω=330 KΩ 275表示:27×105Ω=2.7 MΩb.色环表示法:第一、二环颜色:黑棕红橙黄绿蓝紫灰白代码: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9第三环:100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 10-1 10-2第四环:金:土5%银:土10%(a).以上为四环电阻的色环及表示相应的数字,其中第一、二环为有效数字,第三环为倍率,第四环为误差。
电容器的型号命名方法
(一)国产电容器的型号命名法国产电容器型号命名由四部分组成,各部分的含义见表11。
第一部分用字母“C”表示主称为电容器。
第二部分用字母表示电容器的介质材料。
第三部分用数字或字母表示电容器的类别。
第四部分用数字表示序号。
表11 国产电容顺型号命名及含义(二)国外电容器的型号命名方法国外电容器的型号命名由六部分组成,各部分的含义见表12。
第一部分用字母表示电容器的类型。
第二部分用数字表示外形结构。
第三部分用字母表示温度特性。
第四部分用字母或数字表示耐压值。
第五部分用数字表示标称容量。
第六部分用字母表示允许偏差。
表12 国外电容器的型号命名及含义表12-1表12-2表12-3表12-4表12-5电容器的主要参数有标称容量(简称容量)、允许偏差、额定电压、漏电流、绝缘电阻、损耗因数、温度系数、频率特性等。
(一)标称容量标称容量是指标注在电容器上的电容量。
电容量的基本单位是法拉(简称法),用字母“F”表示。
比法拉小的单位还在毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF),它们之间的换算关系是:1F=1000mF1mF=1000μF1μF=1000nF1nF=1000pF其中,微法(μF)和皮法(pF)两单位最常用。
在实际应用时,电容量在1万皮法以上电容量,通常用微法作单位,例如:0.047μF、0.1μF、2.2μF、47μF、330μF、4700μF等等。
电容量在1万皮法以下的电容器,通常用皮法作单位,例如:2pF、68 pF、100 pF、680 pF、5600 pF等等。
标称容量的标注方法有直标法、文字符号标注法和色标法等,具体的识别方法将在以后的内容中作详细介绍。
(二)允许偏差允许偏差是指电容器的标称容量与实际容量之间的允许最大偏差范围。
电容器的容量偏差与电容器介质材料及容量大小有关。
电解电容器的容量较大,误差范围大于±10%;而云母电容器、玻璃釉电容器、瓷介电容器及各种无极性高频在机薄膜介质电容器(如涤纶电容器、聚苯乙烯电容器、聚丙烯电容器等)的容量相对较小,误差范围小于±20%。
电容和电阻的规格型号识别
贴片电阻的规格型号识别
• 片式电阻规格型号中主要包含阻值、精度、 外形尺寸以及标称功率等信息。 • 本文主要介绍国内RS系列、日本北陆CR系 列、日本松下ERJ系列、日本罗姆MCR系 列、广东风华RC系列贴片电阻的规格型号。
国内RS系列贴 片电阻
S -表示功率 0402--1/16W 0603--1/10W 0805--1/8W 1206--1/4W 1210--1/3W 1812--1/2W 2010--3/4W 2512--1W 02--0402 03--0603 05--0805 06--1206 1210--1210 1812-1812
耐压值代码 6.3-6.3VDC 10-10VDC 16-16VDC 25-25VDC
P2H-P(N150) R2H-R(N220) S2H-S(N330) T2H-T(N470) U2J-U(N750) SL -SL/GP
43-2-4.5X3.2(1812)
50-50VDC 100-100VDC
荷兰飞利浦公司采用在规格型号中直接标 注片式电容器的外形尺寸、标称容值、耐 压值、温度特性、精度等级等参数的方式。 如: NP0/0805-100pF-±5%-50VDC
标称容值,采用三 位数值表示法,单 位为pf。如:0R5 为0.5pf,102为1nf。
K-容量偏差
产品类型
CC41-1类多层片式电容 CT41-2类多层片式电容
B-±0.1pf(<=10pf) C-±0.25pf (<=10pf) D- ±0.5pf(<=10pf) F- ±1%pf( > 10pf) G- ±2%pf( > 10pf) J- ±5% (>10pf) K- ±10% (>10pf) M - ±20% (>10pf) T-包装方式代码 Z - +80%/-20% (>10pf)
电阻电容基本知识
电阻器的主要电器参数如下:1) 标称阻值和允许误差:2) 额定功率:3) 最高工作电压:4) 噪声电动势:5) 温度系数:电容的主要特性参数:(1)容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。
一般分为3级:I级±5%,II 级±10%,III级±20%。
在有些情况下,还有0级,误差为±20%。
精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。
(2)额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。
对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。
(3)温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。
温度系数越小越好。
(4)绝缘电阻:用来表明漏电大小的。
一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。
电解电容的绝缘电阻一般较小。
相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。
(5)损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。
这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。
通常用损耗角正切值来表示。
(6)频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。
在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。
损耗也随频率的升高而增加。
另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。
所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器,最高使用频率不同。
小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。
国巨电阻电容命名规则
国巨电阻电容命名规则
RC0402JR-07100KL
电阻都是以R开头,C表示普通电阻,如果是RL表示超低阻值电阻,RT表示高精密电阻;
0402表示尺寸;根据具体尺寸0603,0805等等;
J表示误差5%,F表示1%,目前基本就这两种;
R表示封装方式;
07表示盘的封装尺寸;
100K表示阻值,国巨阻值比较明了;
L表示无铅;
应该是国巨电阻吧?电阻才有这个参数。
国巨电容没有这个参数。
国巨电阻的话最低的±10PPM,最高的±200PPM,要看什么系列的电阻,不同系列的电阻T.C.R值也不同。
电阻温度系数代号 T.C.R
如果是热敏电阻,其温度系数有正也有负。
但是这里“±ppm/℃”中的正负很明显不是说的热敏电阻的正温度系数和负温度系数,应该是表示这个电阻的误差范围在多少百分比(ppm)之内。
“+”表示这个电阻的实际阻值会高于其标称值,“-”表示电阻的实际阻值会小于其标称值。
Cadence元件设计及命名规范
例如:
bga780‐100_28X28 28*28 行,间距 1mm,780 个焊点 BGA 封装
3.3、 连接器元件(存放于 CONNECTOR 文件夹)
1
header 类连接器命名:
hs(X)x(Y)_(pitch) _[shield]_[direction]_[n?]_[补充]
hd(X)x(Y)_(pitch)_[shield]_[direction]_[n?]_[补充]
器件分类
实例
Part Reference
IC 类元件
ARM9 处理器
AT91SAM9200‐CU
U?
(IC.OLB)
LDO 低压差稳压电源
LP38693MP‐ADJ
ICP?
电阻元件 (RES.OLB)
普通电阻 8pin,包含 4 个电阻的排阻
可调电阻
RES RN_8P4R
R_ADJ
R? RN? R?
olb普通pnp型普通pnp型普通nmosfet普通pmosfet8pin封装nmosfet发光二极管两颗发光二极管光耦合器件2pin晶体4pin13脚为输出脚晶体4脚为时钟输出的压控振荡器3脚为时钟输出的晶振单排3针插针双排10针插针带保护壳双排10针第7针空缺型号db9pl的串口插座usba型连接器2032型号电池座sim卡连接座pnpnpnmosnmospmosn8pledledx2optocouplerxtal2xtal413vcxo4osc43header1x3header2x10boxheader2x107condb9plconusbaxsbat2032xssimq
ck(长 x 宽 x 高)或(_器件厂家命名)
5
SMD 排阻命名方式:
(类型)_(封装大小)
电脑主板基本元器件的介绍
主板基本元器件的介绍关键词:电阻,电容,电感,二极管,三极管,MOS管第一章:电阻概述:电阻总体可以分做两类:线性电阻和非线性电阻。
该片文章中所提到的电阻均是贴片电阻。
线性电阻部分:1:1:线性电阻部分:1.1:定义:电阻两端的电压与通过它的电流成正比,其伏安特性曲线为直线这类电阻,称为线性电阻1.2:线性电阻(单个电阻)的种类:1.5%精度的命名:RS-05K102JT2.1%精度的命名:RS-05K1002FTR----代表电阻S----代表功率05---代表英寸,05-表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。
K---表示温度系数为100PPM102-5%精度阻值表示法:前两位表示有效数字,第三位表示有多少个零,基本单位是Ω,102=10000Ω=1KΩ。
1002是1%阻值表示法:前三位表示有效数字,第四位表示有多少个零,基本单位是Ω,1002=100000Ω=10KΩ。
J---表示精度为5%、F-表示精度为1%。
T---表示编带包装常见的贴片电阻有(以下是按贴片电阻的大小划分)0402,0603,0805,1206,1210,1812,2010,2512 1.3:线性电阻(排阻)种类:一般有2两种A型排阻的引脚总是奇数的,它的左端有一个公共端(用白色的圆点表示)B型排阻的引脚总是偶数的。
它没有公共端实际在电路中用到的基本上是B型排阻。
RN(resistor network)的测量方法:如下图所示,只要测量pin1and pin2的阻值即可怎么看排阻的大小:前2位是有效数字,后面一位是10的几次幂比如:102=1000ohm,822=8200ohm1.4:线性电阻的作用:线性电阻的总体作用可以概述为:限流与降压具体在电路中的应用有:1.在集成电路应用中有许多输入脚没有用到,需要预置一个电平值,使其稳定工作,值1就用一个电阻接高电平,叫做上拉电阻;值0就用一个电阻接地,叫下拉电阻.上拉电阻:上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉电阻:上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在低电平!电阻同时起限流作用!2.在clock信号中增加电阻的作用:这个电阻的作用是减少信号的震荡,提高噪声裕量,但不用这个电阻一般也能工作.3.普通的分压作用4.普通的限流作用5.0ohm电阻的作用:5.1:跳线使用,美观整洁5.2:数字和模拟混合电路,要求2个地分开,有利于大面积铺铜。
电阻电容二极管和三极管基本常识
电子元件基础知识电阻,英文名resistance,通常缩写为R,它是导体的一种基本性质,与导体的尺寸、材料、温度有关。
欧姆定律说,I=U/R,那么R=U/I,电阻的基本单位是欧姆,用希腊字母“Ω”表示,有这样的定义:导体上加上一伏特电压时,产生一安培电流所对应的阻值。
电阻的主要职能就是阻碍电流流过。
事实上,“电阻”说的是一种性质,而通常在电子产品中所指的电阻,是指电阻器这样一种元件。
师傅对徒弟说:“找一个100欧的电阻来!”,指的就是一个“电阻值”为100欧姆的电阻器,欧姆常简称为欧。
表示电阻阻值的常用单位还有千欧(kΩ),兆欧(MΩ)。
1、电阻器的种类电阻器的种类有很多,通常分为三大类:固定电阻,可变电阻,特种电阻。
在电子产品中,以固定电阻应用最多。
而固定电阻以其制造材料又可分为好多类,但常用、常见的有RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻,还有近年来开始广泛应用的片状电阻。
型号命名很有规律,R代表电阻,T-碳膜,J-金属,X-线绕,是拼音的第一个字母。
在国产老式的电子产品中,常可以看到外表涂覆绿漆的电阻,那就是RT型的。
而红颜色的电阻,是RJ型的。
一般老式电子产品中,以绿色的电阻居多。
为什么呢?这涉及到产品成本的问题,因为金属膜电阻虽然精度高、温度特性好,但制造成本也高,而碳膜电阻特别价廉,而且能满足民用产品要求。
电阻器当然也有功率之分。
常见的是1/8瓦的“色环碳膜电阻”,它是电子产品和电子制作中用的最多的。
当然在一些微型产品中,会用到1/16瓦的电阻,它的个头小多了。
再者就是微型片状电阻,它是贴片元件家族的一员,以前多见于进口微型产品中,现在电子爱好者也可以买到了(做无线窃听器?)2、电阻器的标识这些直接标注的电阻,在新买来的时候,很容易识别规格。
可是在装配电子产品的时候,必须考虑到为以后检修的方便,把标注面朝向易于看到的地方。
所以在弯脚的时候,要特别注意。
在手工装配时,多这一道工序,不是什么大问题,但是自动生产线上的机器没有那么聪明。
电阻电容的命名方式
一、MLCC电容的命名(我以村田的电容为例,其他品牌的大同小异)电容主要由五个主要的参数决定命名尺寸(0201 0402 0603 0805 1206等等)容值(0R5 5R0 100 151 103 104 105 475等等)电压(6.3V 10V 16V 25V 50V 250V 500V 1000V等等)温度特性(C0G X7R X5R Y5V等等)精度(J档5% K档10% Z档20%等等)目前大家对市面上的电容主要仅仅使用尺寸,容值和精度来进行简单的记忆,而其他两个参数一般情况下都是采用最通用的范围(电压一般采用50V,温度特性100pF以内一般为C0G,100pF以上一般为X7R)尺寸容易理解不进行解释了,精度常用的两类(100pF以内一般为J档5% 100pF以上一般为K档10%),主要对容值的命名进行解释:先理解容值的单位:1uF=1000nF(10^3)=1000000pF(10^6)0.5pF的命名==0R5 其中0位置保持不变,R代表小数点,5位置保持不变5pF的命名==5R0 其中5位置保持不变,R代表小数点,0位置不变(因为5可以认为是5.0)10pF的命名==100其中10位置保持不变,最后一个0代表的是10后面的0的个数是0150pF的命名==151 其中15位置保持不变,最后一个1代表的是15后面的0的个数是10.01uF=10nF=10000pF 命名为103 其中10位置保持不变,最后一个3代表的10后面0的个数是30.1uF=100nF=100000pF 命名为104其中10位置保持不变,最后一个4代表的10后面0的个数是41uF=1000nF=1000000pF 命名为105其中10位置保持不变,最后一个5代表的10后面0的个数是54.7uF=4700nF=4700000pF 命名为475 其中47位置保持不变,最后一个5代表47后面0的个数是5乾坤目前使用最多的几种电容C0603-104K就是0603尺寸0.1uF K档精度10%C0603-101J就是0603尺寸100pF J档精度5%当然有的时候也会混在一起比如:C0603-100P 实际上就是0603尺寸100pF J 档精度5%C0603-104Z就是0603尺寸0.1uF Z档精度20%(通常Z档的精度一般对应的温度特性都是Y5V就是F5,后面村田处于成本和策略销售的考虑将会逐渐淘汰Y5V而使用X5R替代,)C0603-102K就是0603尺寸1000pF K档精度10%其他的在实践中慢慢理解就可以了。
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华新(Walsin)LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类:C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ;C=±0.25pf ;D=±0.5pf ;F=±1pf或±1% ;G=±2% ;J=±5% ;K=±10% ;M=±20% ;Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30;5=0.50;8=0.80;A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装; bulk packaging袋式包装;packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注,如下:F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型,注意后缀是公制,比如B型,就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ,村田,太诱,风华,三星,国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
传统的电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的线制成。
为了增加电感量、提高品质因素和减少体积、通常在线圈中加入软磁性材料的磁芯。
电感在电路中可与电容组成振荡电路,也可用于能量转换等。
1H=1000mH=1000×1000μH=1000×1000×1000 n H电感≥0.1μH ,可记 R10 ,即R10=0.1μH ;电感≤0.1μH ,可在原来的数字前补加“0” ,如 033=0.033μH ;若用nH 作为单位,则加入“N ”即可,如 2N2=2.2nh国产华达电子包装与订货标志: HDM 2012 UC R10 K G T 产品代码 规格尺寸 芯片类型 电感量 公差 端头 包装方式电感量:L=μn2V 磁导率μ ,匝数 n ,体积V品质因素:Q=ωL/R ;ω为工作角频率 ,L 为线圈电感,R 为线圈电阻电感数值一般用三位数的数值码表示:前两位数表示电感值的有效数字,第三位数字表示 0 的个数,小数点用 R 表示,单位为μH 。
例如:151=150μH ;2R7=2.7μH ;R36=0.36μH ,若用纳亨nH 作为单位,则加入N 即可,例如:2N2=2.2nH磁珠片式磁珠是一种填充磁芯的电感器,它在高频下阻抗迅速增加: 国产华达电子 CGB 1608 U 050 T 产品代码 规格尺寸 材料代码 阻抗 包装方式感抗:2L X fLπ= 容抗:1/21/C X fC Cπω==≥贴片电容分类多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。
Class 1是温度补偿型,Class 2是温度稳定型和普通应用的。
Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。
它们有可预见的温度系数,通常没有老化特性。
因此它们是可用的最稳定的电容。
最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0 ppm/°C).Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。
Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。
最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R 和Y5V 。
在温度范围 -55°C 到 125°C 之间,X7R 能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容容量。
它最适合应用在温度范围宽,电容量要求稳定的场合。
Y5V 能提供最大的电容容量,常用在环境温度变化不大的地方。
在温度范围-30°C to 85°C 之间,Y5V 电容值的变化是22% to -82%。
所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响:温度变化、操作电压(直流和交流)、频率。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法封装(L) 长度公制(毫米)英制(英寸)(W) 宽度公制(毫米)英制(英寸)(t) 端点公制(毫米)英制(英寸)0201 0.60 ± 0.03(0.024 ± 0.001)0.30 ± 0.03(0.011 ± 0.001)0.15 ± 0.05(0.006 ± 0.002)0402 1.00 ± 0.10(0.040 ± 0.004)0.50 ± 0.10(0.020 ± 0.004)0.25 ± 0.15(0.010 ± 0.006)0603 1.60 ± 0.15(0.063 ± 0.006)0.81 ± 0.15(0.032 ± 0.006)0.35 ± 0.15(0.014 ± 0.006)0805 2.01 ± 0.20(0.079 ± 0.008)1.25 ± 0.20(0.049 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1206 3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)1.60 ± 0.20(0.063 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1210 3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)2.50 ± 0.20(0.098 ± 0.008)0.50 ± 0.25(0.020 ± 0.010)1812 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)3.20 ± 0.20(0.126 ± 0.008)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)1825 4.50 ± 0.30(0.177 ± 0.012)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.61 ± 0.36(0.024 ± 0.014)2225 5.72 ± 0.25(0.225 ± 0.010)6.40 ± 0.40(0.252 ± 0.016)0.64 ± 0.39(0.025 ± 0.015)如何理解电容介质击穿强度介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示。
当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效。
除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。