晶闸管的主要参数
电气自动化技术《100-晶闸管的主要参数及型号》
同学们！今天我们来学习晶闸管的主要参数和型号。
先来学习主要的电压参数。
额定电压U D，指加在管子上的最大允许电压,俗称耐压。
要求大于实际工作峰值电压的2—3倍。
通态平均电压U F，通过正向正弦半波额定电流时，管子两端的平均电压。
一般为0.6—1.2V。
反向击穿电压U BR，指到达反向击穿时所加反向电压。
反向重复峰值电压U RRM，指的是当控制极开路时，允许重复加在管子上的反向峰值电压。
其值为U RRM =U BR—100V 。
现在我们来看电流参数。
额定正向平均电流I F，指允许通过工频正弦半波的电流平均值。
一般取正常平均电流的 1.5—2倍。
维持电流，是维持晶闸管导通的最小阳极电流。
浪涌电流IFSM ，是指晶闸管能承受的最大过载电流的峰值。
控制极触发电压和电流U G、I G：指在室温下，阳极电压为直流6V 时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流。
一般U G为1~5V，I G 为几十到几百毫安。
最后，我们来看晶闸管的型号。
型号的第一个字母K外表这是一个晶闸管，第二个字母可能是P，K，S，其中P代表普通型，K代表快速型，S代表双向型，紧随其后的数字代表额定正向平均电流IF系列，从1—1000A内分14个规格。
接着是一个横岗，横岗后的第一个数字为额定电压等级，在1000V以下，级差为100V，在1000—3000V之间，级差为200V，单位用100V表示。
最后一个字母为通态平均电压组别，共分9级，用A—I表示。
例如，KP100-12G，表示IF=100A，UD=1200V，UF=1V的普通型晶闸管。
目前国际水平已达12KV每千安培，及5KV每千安培，其开关频率为400赫兹。
晶闸管电压、电流级别：额定通态电流〔I TAV〕通用系列为1、5、10、20、30、50、100、200、300、400、500、600、800、1000A 等14种规格。
通态平均电压〔U TAV〕等级一般用A ~ I字母表示：由0.4 ~ 1. 2V每0.1V 为一级。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数
1.额定正向平均电流I F
它是指在规定的环境温度、标准散热和全导通的条件下，阴极和阳极间通过的工频正弦电流的平均值。
I F=0.637I，式中I是该正弦电流的有效值。
2.正向阻断峰值电压（U DRM）
它是指在控制极开路、正向阻断条件下，可以重复加在元器件上的正向电压峰值。
3.反向阻断峰值电压
它是指当控制极开路，结温为额定值时允许重复加在器件上的反向峰值电压，按规定为最高反向测试电压的80%。
4.正向平均压降（U F）
它是指在规定条件下，通过额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5.维持电流（I H）
维持电流是保持晶闸管处于导通状态时所需要的最小正向电流。
控制极和阴极电阻越小，维持电流越大。
6.控制极触发电压（U G）
它是指在规定的环境温度和阳极、阴极间为一定的正向电压条件下，使晶闸管从阻断转变为导通状态时，控制极上所加的最小直流电压。
7.控制极触发电流（I G）
当阳极与阴极之间加一定的直流电压时，使晶闸管完全导通所需要的最小控制极直流电流。
晶闸管的参数说明
晶闸管（thyristor）其派生器件有，快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，V，Vt ，旧标准中用的是SCR，重要参数说明1．断炉重复峰值电压，udrm ,，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A,K 间的电压。
此电压为不重复峰值电压udsm的90%。
2．反向重复峰值电压urrm，在控制极断路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。
此电压约为不重复峰值电压udsm的90%。
udrm ,和urrm在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压，通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的乖宝宝电压应选为正常工作峰值电压的，2-3倍以确保安全。
3．额定正向平均电流if在规定的标准散热条件和环境温度40度下，晶闸管的阳极和阴极间允许连接贯通过的工频正统半波电流的平均值。
称为额定正向平均电流。
由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5-2倍以留有一定的余地。
4．维持电流ih：在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流，当正向电流于ih值时，晶闸管就自行判断，ih值一般为几十至一百多毫安。
5．控制极触发电压VG，触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流6V 时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。
VG一般为1/ 23.5-5V，IG约为几十至几百毫安。
实际应用时，加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。
6．电压上升率DV/DT，晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通，因此对管子的最大正向电压上升率，必须加愉限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。
7．电流上升率DI/DT，晶闸管开通时电流是从靠近门极区的阴极开始然后逐渐2/ 2。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。
在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。
当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。
二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。
晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。
当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。
三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。
触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。
如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。
四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。
保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。
过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。
五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。
常见的封装类型有TO-220、TO-247等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。
六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。
晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。
因此，工作温度范围是一个重要的参数。
七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。
开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。
较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。
八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。
导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。
较低的导通压降可以提高系统的效率。
九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。
关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。
较小的关断电流可以减小系统的功耗。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数为了正确选用晶闸管元件，必需要了解它的主要参数，一般在产品的名目上都给出了参数的平均值或极限值，产品合格证上标有元件的实测数据。
（1）断态重复峰值电压UDRM在掌握极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压称为断态重复峰值电压UDRM，其数值比正向转折电压小10%左右。
（2）反向重复峰值电压URRM在掌握极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压称为反向重复峰值电压URRM，此电压数值规定比反向击穿电压小10%左右。
通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。
由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏，因而在选用元件的时候，额定电压一般应当为正常工作峰值电压的2～3倍作为平安系数。
（3）额定通态平均电流（额定正向平均电流）IT在环境温度不大于40oC和规定的冷却条件下，晶闸管元件在电阻性负载的单相工频半波电路中导通角不小于170°，即全导通的条件下，可以连续通过的电流（在一个周期内）的平均值，称为额定通态平均电流IT，简称额定电流。
即这里需要特殊说明的是，晶闸管允许流过的电流的大小主要取决于元件的结温，而在规定的环境温度和冷却条件下，结温的凹凸仅与发热有关，晶闸管管芯的发热又由流过其电流的有效值打算。
因此，在使用时应根据工作中晶闸管实际流过的电流的有效值与通态平均电流所对应的电流有效值相等的原则来选取晶闸管的额定电流。
（4）维持电流IH在规定的环境温度和掌握极断路的条件下，维持元件连续导通的最小电流称为维持电流IH 。
一般为几十毫安～一百多毫安，其数值与元件的温度成反比，在120℃时维持电流约为25℃时的一半。
当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。
bta41600可控硅参数
bta41600可控硅参数
BTA41600是一种可控硅（也称为晶闸管）型号，具有以下主要参数：
额定电压（VDRM）：额定电压是可控硅能够承受的最大反向电压，通常以VDRM表示。
对于BTA41600来说，额定电压可能为400V，表示可控硅在正常工作条件下能够承受的最大反向电压为400伏特。
平均电流（IT(RMS)）：平均电流是可控硅能够承受的最大平均电流，通常以IT(RMS)表示。
对于BTA41600来说，平均电流可能为16A，表示可控硅在正常工作条件下能够承受的最大平均电流为16安培。
额定门极触发电流（IGT）：额定门极触发电流是可控硅能够触发的最小门极电流，通常以IGT表示。
对于BTA41600来说，额定门极触发电流可能为50mA，表示当门极电流达到50毫安时，可控硅将开始导通。
额定封闭电压（VTM）：额定封闭电压是可控硅在导通状态下的最大压降，通常以VTM表示。
对于BTA41600来说，额定封闭电压可能为1.6V，表示在正常工作条件下，可控硅导通时的压降为1.6伏特。
触发时间（tq）：触发时间是可控硅从开始触发到完全导通所需的时间，通常以tq表示。
对于BTA41600来说，触发时间可能为50微秒，表示从门极电流达到额定门极触发电流开始，到可控硅完全导通所需的时间为50微秒。
封装类型：BTA41600可控硅可能采用不同的封装类型，常见的封装类型包括TO-220、TO-220AB等。
以上是BTA41600可控硅的一些主要参数，具体的参数可能会因
制造商、生产批次等因素而有所不同，请参考数据手册或产品规格表获取准确的参数信息。
晶闸管原理以及参数介绍
晶閘管結構可等效為一個 NPN型和一個PNP型三極管， 根據其連接方式等效電路 可以基本瞭解到晶閘管控 制導通方式
控制極G加正 向脉衝電壓
NPN管導通
PNP管導通
PNP管關閉
Y
N
NPN管關閉
IT>IH?
整個晶閘管關閉
整個晶閘管 導通
晶閘管的分類
基本分類
按关断导通控制 方式 普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸 管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管(LTT)等多种。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整 流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可 以构成可控整流电路。
晶閘管的基本應用
1.单相半波相控整流电路 下图为单相半波相控整流电路（Single-phase half wave
controllable rectifier），整流变压器二次电压有效值用U2表 示，瞬时值用u2表示，负载上输出电压用uo表示。
（2）维持电流IH（Holding current） 指在室温和门极开路时，逐渐减小导通状态下晶闸管的
阳极电流，最后能维持晶闸管持续导通所必须的最小阳极电 流，结温越高，维持电流IH越小，晶闸管越难关断。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
（3）掣住电流IL（Latching current） 指晶闸管触发后，刚从正向阻断状态转入导通状态，在立
（6）通态正向平均电压UF
在规定的环境温度和标准散热条件下，器件正向通过正弦 半波额定电流时，其两端的电压降在一周期内的平均值，又称 管压降，其值在0.6~1.2V之间。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
可参见图5标识。
（一）晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K 之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
浅析晶闸管参数选择
浅析晶闸管参数选择
1. 主要参数：
（1）额定电流（ID）：晶闸管的额定电流是指在正常工作条件下，晶闸管可以承受的最大电流。
在选择晶闸管时，应根据电路中的最大负载电流选择晶闸管的额定电流。
（2）导通压降（VTO）：晶闸管导通时的压降，通常指的是正向电压下的导通压降。
在选择晶闸管时，应根据电路要求和功率损耗来确定导通压降是否满足要求。
（3）关断电流（IH）：晶闸管的关断电流是指晶闸管在关断状态下通过的最小电流。
较小的关断电流可以减小晶闸管的功耗。
2. 参数选择方法：
（2）根据功率损耗确定导通压降：根据电路要求和功率损耗来确定晶闸管的导通压降。
一般来说，导通压降越小，功耗越小。
（4）根据电路控制信号确定触发电压：根据电路控制信号的要求来确定晶闸管的触发电压。
触发电压应满足电路控制信号的幅值和频率要求。
晶闸管参数的选择应综合考虑电路要求、功耗和可靠性等因素。
根据电路中的负载电流、功率损耗、关断电流和触发电压等要求，选择合适的晶闸管参数，以确保电路的性能
和稳定性。
晶闸管的知识
1.晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？负载上电压等于什么？晶闸管的关断条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压且在门极有触发电流时晶闸管才能导通；导通后流过晶闸管的电流由电源和负载决定；负载上电压等于电源电压；当晶闸管承受反向电压或者流过晶闸管的电流为零时，晶闸管关断。
2.晶闸管的主要参数有那些？答：晶闸管的主要参数有：断态重复峰值电压U:在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向DRM峰值电压。
反向重复峰值电压U:在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向RRM峰值电压。
通态（峰值）电压U TM :这是晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。
:稳定结温不超过额定结温时允许流过的最大工频正弦半波电流的平均通态平均电流I T（相）值。
维持电流I :使晶闸管维持导通所必需的最小电流。
H擎住电流I L :晶闸管刚从断态转入通态并移除出发信号后，能维持导通所需的最小电流。
浪涌电流I TSM:指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不可重复性最大正向电流。
还有动态参数：开通时间t t、关断时间t、断态电压临界上升率du / dt和通态电流临界上升率di / dt o3.什么叫全控型器件？答：通过控制信号既可控制其导通，又可控制其关断的电力电子器件称为全控型器件。
4.工作在开关状态的电力电子器件的主要损耗有哪些？如何减小？答：主要有导通时通态损耗、阻断时断态损耗和动态开关损耗，还有基极驱动功率损耗、截止功率损耗。
降低开关频率、降低饱和导通压降、减小开通和关断时间、增加缓冲电路、加散热器冷却，均可减小损耗。
P421.使晶闸管导通的条件是什么？答：参见上面第一题。
2.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极出发信号是否还存在，晶闸管都保持导通，只需保持阳极电流在维持电流以上；但若利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，则晶闸管关断。
晶闸管的主要参数
创作编号：GB8878185555334563BT9125XW创作者：凤呜大王*晶闸管的主要参数(1) 断态不重复峰值电压U DSM门极开路时，施加于晶闸管的阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧转折处所对应的电压值UDSM 。
它是一个不能重复，且每次持续时间不大于10ms的断态最大脉冲电压。
UDSM值应小于转折电压U b0。
(2) 断态重复峰值电压U DRM晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的正向断态最大脉冲电压。
每秒50次每次持续时间不大于10ms，规定U DRM为U DSM的90%。
(3) 反向不重复峰值电压U RSM门极开路，晶闸管承受反向电压时，对应于反向伏安特性曲线急剧转折处的反向峰值电压值U RSM。
它是一个不能重复施加且持续时间不大于10ms的反向脉冲电压。
反向不重复峰值电压U RSM应小于反向击穿电压。
(4) 反向重复峰值电压U RRM晶闸管在门极开路而结温为额定值时，允许重复加于晶闸管上的反向最大脉冲电压。
每秒50次每次持续时间不大于10ms。
规定U RRM 为U RSM 的90%。
(5) 额定电压UR断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 两者中较小的一个电压值规定为额定电压U R 。
在选用晶闸管时，应该使其额定电压为正常工作电压峰值U M 的2~3倍，以作为安全裕量。
(6)通态峰值电压U TM规定为额定电流时的管子导通的管压降峰值。
一般为1.5~2.5V ，且随阳极电流的增加而略为增加。
额定电流时的通态平均电压降一般为1V 左右。
(7) 通态平均电流I T (AV ）在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的最大电流平均值。
——允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
选用一个晶闸管时，要根据所通过的具体电流波形来计算出容许使用的电流有效值，该值要小于晶闸管额定电流对应的有效值。
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法1.1 晶闸管晶闸管（Thyristor）是硅晶体闸流管的简称，也称为可控硅SCR（Semiconductor Control Rectifier）。
晶闸管作为大功率的半导体器件，只要用几十至几百毫安的电流就可以控制几百至几千安的大电流，实现了弱电对强电的控制。
1.1.1 晶闸管的结构晶闸管是四层（P1N1P2N2）三端（阳极A、阴极K、门极G）器件，其内部结构和等效电路如图1-1所示。
图1-1 晶闸管的内部结构和等效电路晶闸管的符号及外形如图1-2所示，图1-2（a）为晶闸管的符号，图1-2（b）为晶闸管的外形。
晶闸管的类型大致有4种：塑封型、螺栓型、平板型和模块型。
塑封型晶闸管多用于额定电流5A以下；螺栓型晶闸管额定电流一般为5～200A；平板型晶闸管用于额定电流200A以上；模块型晶闸管额定电流可达数百安培。
晶闸管由于体积小、安装方便，常用于紧凑型设备中。
晶闸管工作时，由于器件损耗会产生热量，需要通过散热器降低管芯温度，器件外形是为便于安装散热器而设计的。
图1-2 晶闸管的符号及外形晶闸管的散热器如图1-3所示。
图1-3 晶闸管的散热器1.1.2 晶闸管的工作原理以图1-4所示的晶闸管的导通实验电路来说明晶闸管的工作原理。
在该电路中，由电源EA、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路，由电源EG、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路（触发电路）。
图1-4 晶闸管的导通实验电路实验步骤及结果说明如下。
（1）将晶闸管的阳极接电源EA的正极，阴极经白炽灯接电源的负极，此时晶闸管承受正向电压。
当控制电路中的开关S断开时，灯不亮，说明晶闸管不导通。
（2）当晶闸管的阳极和阴极承受正向电压，控制电路中开关S闭合，使控制极也加正向电压（控制极相对阴极）时，灯亮说明晶闸管导通。
（3）当晶闸管导通时，将控制极上的电压去掉（即将开关S断开），灯依然亮，说明一旦晶闸管导通，控制极就失去了控制作用。
晶闸管参数
晶闸管参数晶闸管是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
本文将介绍晶闸管的几个重要参数，并对其进行详细解析。
1. 电压参数晶闸管的电压参数包括最大可承受电压和触发电压。
最大可承受电压是指晶闸管能够承受的最大电压，超过该电压会导致晶闸管失效。
触发电压是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电压值。
2. 电流参数晶闸管的电流参数包括最大可承受电流和触发电流。
最大可承受电流是指晶闸管能够承受的最大电流值，超过该电流会导致晶闸管损坏。
触发电流是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电流值。
3. 功率参数晶闸管的功率参数包括最大可承受功率和触发功率。
最大可承受功率是指晶闸管能够承受的最大功率值，超过该功率会导致晶闸管损坏。
触发功率是指使晶闸管进入导通状态所需的最小功率值。
4. 开关特性晶闸管的开关特性包括导通电压降和关断电压降。
导通电压降是指晶闸管在导通状态下的电压降，关断电压降是指晶闸管在关断状态下的电压降。
这两个参数会影响晶闸管的能效和发热情况。
5. 响应时间晶闸管的响应时间是指从触发信号到晶闸管完全进入导通状态所需的时间。
响应时间越短，晶闸管的响应速度就越快，适用于高频开关电路。
6. 温度特性晶闸管的温度特性包括温度系数和工作温度范围。
温度系数是指晶闸管参数随温度变化的程度，工作温度范围是指晶闸管正常工作的温度范围。
了解晶闸管的温度特性有助于正确选择和使用晶闸管。
7. 封装形式晶闸管的封装形式包括直插式封装、表面贴装封装等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，需要根据实际需求选择合适的封装形式。
晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
通过了解晶闸管的电压参数、电流参数、功率参数、开关特性、响应时间、温度特性和封装形式等参数，可以更好地应用晶闸管于各种电路中，提高电路的稳定性和可靠性。
在实际应用中，还需注意晶闸管的工作条件，避免超过其最大可承受电压、电流和功率，以免损坏晶闸管。
电力电子晶闸管参数选择
电力电子晶闸管参数选择电力电子晶闸管是一种可以控制电流的半导体器件，是电力电子技术中必不可少的核心组件之一。
在使用电力电子晶闸管时，正确的参数选择是至关重要的。
本文将介绍电力电子晶闸管的常用参数及其选择方法。
一、电力电子晶闸管常用参数1.承受电压：晶闸管所能承受的最大电压。
2.承受电流（额定电流）：晶闸管所能承受的最大电流。
3.阈值电流：晶闸管开启所需的最小触发电流。
4.保持电流：晶闸管开启后，在门控电压为零时，需要在其下流经保持电流的条件下才能保持通态。
5.反向电流：晶闸管关闭时的反向电流。
6.延迟角：晶闸管在被触发后到通电的时间。
7.触发电压：晶闸管开启所需的门控电压。
二、选择电力电子晶闸管的参数1.根据负载电流选择：在选择晶闸管时，需要考虑所需控制的负载电流。
根据负载电流来选择承受电压和承受电流（额定电流）。
2.根据负载特性选择：在选择晶闸管时，需要考虑负载的性质，比如负载的耐压及电阻等。
如果负载是低电阻的，应选择容量更大的晶闸管。
3.根据负载工况选择：在选择晶闸管时，需要考虑负载的实际工作情况，比如初始电流、升压和降压等。
4.根据触发器电压选择：在选择晶闸管时，需要考虑所用触发电路的电压。
选择门控电压相对低的晶闸管，可以更容易地触发。
5.根据环境温度选择：在选择晶闸管时，需要考虑环境温度对其特性参数的影响。
通常情况下，晶闸管的性能参数都会随着环境温度的升高而发生改变。
三、注意事项1.正确选择晶闸管的参数：不同的应用要求不同的晶闸管参数。
只有正确地选择晶闸管的参数，才能实现最佳电路性能。
2.检查电路：在实际的应用中，应当检查电路是否符合设计要求，以确保晶闸管的安全使用和可靠性。
3.合理布局散热器：晶闸管在使用过程中会发热，如果散热不好，则会损坏晶闸管。
因此，在使用过程中需要合理安装散热器，保持晶闸管的正常工作温度。
4.应根据需求选择适合的触发电路：根据不同需求和应用场景选择适当的触发电路具有重要意义。
晶闸管的特性分析及主要参数
晶闸管的特性分析及主要参数晶闸管的动态特性主要有开通特性、通态电流临界上升率、反向恢复特性、关断特性、断态电压临界上升率等五个方面，其中开通和关断特性是其最重要的动态特性指标。
晶闸管的动态特性如图3-2所示：1.开通特性开通时间&是延迟时间G和上升时间~之和，&是将门极触发脉冲加到未开通的晶闸管上，到阳极电流达到其额定电流值的90%所需的时间，开通时间会随工作电压、阳极电流、门极电流和结温而变化。
开通损耗取决于开通期间负载电流的上升时间。
2.通态电流临界上升率晶闸管开通期间，其导电面积是由门极向四周逐渐展开的，过快的开通会使电流集中于门极区，导致器件局部过热损坏。
因此，在设计时考虑到晶闸管的电流上升率di/dt应低于器件允许的通态电流临界上升率。
强触发可以提高器件承受di/dt的能力。
3.关断特性当给处于正向导通状态的晶闸管外加反向电压时，阳极电流逐步衰减到零，并反向流动达到最大值/心，然后衰减到零，晶闸管经过时间I后恢复其反向阻断能力。
由于载流子复合过程较慢，晶闸管要再经过正向阻断恢复时间L之后才能安全的承受正向阻断电压。
普通晶闸管的关断时间约为几百微妙。
关断时间取决于结温、阳极电流、阳极电流上升率di/dt,反向电压和阳极电压，阳压上升率du/dt。
4.断态电压临界上升率du/dt当在阻断的晶闸管阳极一阴极间施加的电压具有正向的上升率，则由于结电容C的存在，会产生位移电流i = Cdu/dt而引起晶闸管的误触发导通。
因此，在设计时采用吸收电路的措施，使加于晶闸管上的断态电压临界上升率应该小于器件允许的断态电压临界上升率值。
门极正向伏安特性如图3-3所示，可以分为可靠触发区、不可靠触发区和不触发区等三个区域，门极特性中的最大和最小两条曲线反映该器件在整个工作范围内可能出现的最大阻抗和最小阻抗，门极阻抗随门极电流上升率的增大而增大。
利用门极特性曲线设计晶闸管触发器时，使其两个稳定输出状态落入不可靠触发区和可靠触发区内，触发器输出负载线与特性曲线的交点(A, B, C, D, E, J, K、I点)确定了在晶闸管开通延迟时间内流入门极所需的最小电流(E，J 点)和在运行中触发器可能输出的最大电流(1、K点）。
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晶闸管的主要参数
作者：jesse 文章来源：本站原创点击数：273 更新时间：2007-12-6 ★★★【字体：小大】
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压V DRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
（一）正向转折电压VBO
晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）断态重复峰值电压VDRM
断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）通态平均电流IT
通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR
反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）反向重复峰值电压VRRM
反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此
电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）正向平均电压降VF
正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）门极触发电压VGT
门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
(八)门极触发电流IGT
门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
（九）门极反向电压
门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。
（十）维持电流IH
维持电流IH是指维持晶闸管导通的最小电流。
当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。
（十一）断态重复峰值电流IDR
断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向最大平均漏电电流值，一般小于100μA
（十二）反向重复峰值电流IRRM
反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向最大漏电电流值，一般小于100μA。