半导体物理 第二章
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
间隙式杂质
替位式杂质
5
举例Si中掺 三、施主杂质、施主能级(举例 中掺 ，Si:P) 施主杂质、施主能级 举例 中掺P，
6
电离结果：导带中的电子数增加了， 电离结果：导带中的电子数增加了， 这也是掺施主的意义 掺施主的意义所在 这也是掺施主的意义所在
主要依靠导带电子导电的半 导体称为电子型或n型半导体 导体称为电子型或 型半导体
(2)复合体 复合体 (3)反结构缺陷 反结构缺陷 在化合物半导体中，存在着一种点缺陷，称为替位原 替位原 子。例如二元化合物AB中： 替位原子可以有两种，A取代B的称为AB，B取代A的称为 BA，如下图所示；
41
一般认为，AB是受主，因为B的价电子比A的多， A 取代B 后，有接受电子的倾向；BA是施主， B 取代A后，有把多 余的价电子施放给导带的趋势； 这类缺陷(替代原子)在离子性强的化合物中存在的概率很 小，因为库仑力的排斥作用 库仑力的排斥作用，使引入AB或BA所需能量很 库仑力的排斥作用 离子晶体中常可忽略它们的作用。称这种缺陷 大，所以在离子晶体 离子晶体 为反结构缺陷 反结构缺陷。 反结构缺陷
38
缺陷、 2.3 缺陷、位错能级
一、点缺陷
1. 点缺陷的种类 (1)空位和间隙原子 空位和间隙原子 在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运 动，而且有一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对 它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子 间隙原子，原来的 间隙原子 位置便成为空位 空位： 空位 这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷 弗仑克耳缺陷； 弗仑克耳缺陷 若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷 肖特基缺陷； 肖特基缺陷 间隙原子和空位不断地产生和复合，最后确立一平衡浓度 值；
42
2. Si、Ge中的点缺陷 、 中的点缺陷 以空位(施主和受主 、间隙和复合体缺陷为主。 以空位 施主和受主)、间隙和复合体缺陷为主。 施主和受主 3. GaAs中的点缺陷 中的点缺陷 以空位、间隙和反结构缺陷 特征 出现在化合物中)为主 特征： 为主。 以空位、间隙和反结构缺陷(特征：出现在化合物中 为主。
电子的平均 速度或波包 中心的速度
32
四、两性杂质
在化合物半导体中，某种杂质在其中既可以作施主，又 可以作受主，这种杂质称为两性杂质 两性杂质。该杂质的这种性质称 两性杂质 为双性行为。
33
34
五、等电子杂质、等电子陷阱、束缚激子 等电子杂质、等电子陷阱、
所谓等电子杂质 等电子杂质是与基质(本征)晶体原子具有同数量价电子 等电子杂质 同数量价电子 的杂质原子；它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是 电中性的。 电中性 由于原子序数不同，等电子杂质与基质原子的共价半径和电 负性有差别， 因而它们能俘 获某种载流子 而成为带电中 心，这个带电 中心就称为等 等 电子陷阱。 电子陷阱
主要依靠价带空穴导电的半 导体称为空穴型或p型半导体 导体称为空穴型或 型半导体
11
空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离 受主电离。受主杂质未电 受主电离 离时是中性的称为束缚态或中性态 束缚态或中性态；电离后成为负电中心， 束缚态或中性态 称为受主离化态 受主离化态。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所 受主离化态 需要的能量称为受主电离能 受主电离能。 受主电离能
3
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
一、杂质与杂质能级
杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。杂质 杂质 出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场 遭到破坏。单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度 杂质浓度。 杂质浓度 杂质能级：位于禁带中。
4
二、替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质、
杂质原子进入半导体后，有两种方式存在： 一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种 杂质为间隙式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格 原子小； 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称 这种杂质为替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的 大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价 电子壳层结构也比较接近。
施主
16
(1) 氢原子基态电子的电离能 氢原子中电子的能量为：
m0 q 4 En = − 2 2 2 8ε 0 h n
(n = 1,2,3L)
氢原子的基态能量为(n=1)：
m0 q E1 = − 2 2 8ε 0 h
氢原子电离态能量为(n=∞)：
4
E∞ = 0
氢原子基态电子的电离能：
m0 q E0 = E∞ − E1 = 2 2 = 13.6eV 8ε 0 h
36
等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一带电中心由于 库仑作用又能俘获另一种相反符号的载流子，形成束缚激 束缚激 子。这种束缚激子在由间接带隙半导体材料制造的发光器件 中起主要作用。
37
六、用类氢原子模型估算GaAs浅能级杂质的电离能 用类氢原子模型估算 浅能级杂质的电离能
例如，浅施主杂质电离能的估算结果与实验测量值基本 符合，为： ∆ED=0.008eV
35
只有当掺入原子与基质晶体原子在电负性、共价半径方面具 有较大差别 较大差别时，才能形成等电子陷阱(一般来说，同族元 较大差别 素原子序数越小，电负性越大，共价半径越小)； 等电子杂质电负性大于基质晶体原子的电负性时，取代后， 它便能俘获电子成为负电中 心； 反之，它能俘获空穴成为正 电中心。
即等电子络合物， 即等电子络合物 ， 如 GaP中产生 中产生 Zn Ga 和OP后， 当二者处于相邻晶 格点时，形成电中性的Zn-O复合 格点时，形成电中性的 复合 体，其仍能俘获电子而带负电 电子有 效质量
把被施主杂质束缚的电子的能量状态称为 施主能级。施主能级靠近导电底部。 施主能级。施主能级靠近导电底部。
7
施主杂质释放电子的过程称为施主电离 施主电离。施主杂质未电离时 施主电离 是中性的称为束缚态或中性态 束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为 束缚态或中性态 施主离化态。使电子挣脱施主杂质束缚成为导带电子所需要 施主离化态 的能量称为施主电离能 施主电离能。 施主电离能 8
例1：Au(Ⅰ族)在Ge中
24
25
26
27
半导体
绝缘体 导体
28
例2：Au(Ⅰ族)在Si中
29
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
以GaAs为代表，杂质原子进入半导体后，也以两种方 式存在，形成两种杂质：间隙式杂质和替位式杂质。
30
一、施主杂质
二、受主杂质
31
三、中性杂质
某种杂质掺入化合物半导体 化合物半导体后，在其中既不是施主，又 化合物半导体 不是受主，而是电中性的杂质，在禁带中不引入能级，称这 种杂质为中性杂质 中性杂质。 中性杂质
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 族化合物中的杂质 杂质能 2.3 缺陷、位错能级 缺陷、
1
本章重点： 本章重点：
掌握Si、 、 族化合物的杂质能级 掌握 、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物的杂质能级 理解缺陷、 理解缺陷、位错能级
2
根据杂质能级在禁带中的位置将杂质分为两种： 根据杂质能级在禁带中的位置将杂质分为两种： 浅能级杂质：能级接近导电底Ec或价带顶Ev； 深能级杂质：能级远离导带底Ec或价带顶Ev； 缺陷可分为三类： 缺陷可分为三类： 点缺陷，如空位、间隙原子； 线缺陷，如位错； 面缺陷，如层错、多晶体中的晶粒间界等
39
这种由温度决定的点缺陷又称为热缺陷 热缺陷，它们总是同时存在 热缺陷 的； 由于原子须具有较大的能量才能挤入间隙位置，以及它迁移 时激活能很小，所以晶体中空位比间隙原子多得多，故空位 空位 是常见的点缺陷； 是常见的点缺陷 在化合物 化合物中，除了热振动因素形成空位和间隙原子外，由于 化合物 成分偏离正常的化学比 偏离正常的化学比，也会形成点缺陷。例如在砷化镓中， 偏离正常的化学比 由于热振动可以使镓原子离开晶格点形成镓空位和镓间隙原 子 ； 也 可 以 使 砷 原 子 离 开 晶 格 点 形 成砷 空 位 和 砷 间 隙 原 子。另外由于砷化镓中镓偏 多或砷偏多，也能形成砷空 位或镓空位，如右图所示。 这些缺陷是起施主还是受主 作用，目前仍无法定论，需 由实验决定。 40
43
二、位错
主要指线缺陷，如Si中的60°位错。
44
19
七、杂质的补偿作用
半导体中同时存在施主和受主杂质，二者之间有相互抵 消的作用。
其中， 函数是与晶格同周期的周期函数 函数是与晶格同周期的周期函数。 其中，u函数是与晶格同周期的周期函数。
20
21
杂质高度补偿的材料中， 杂质高度补偿的材料中， 杂质虽多， 杂质虽多，但不能向导带 和价带提供电子和空穴。 和价带提供电子和空穴。 该材料容易被误认为高纯 半导体， 半导体，实际上含杂质很 性能很差， 多，性能很差，一般不能 用来制造半导体器件。 用来制造半导体器件。
15
2. 浅能级杂质电离能的简单估算 浅能级杂质的电离能很低，电子或空穴受到正电中心或 束缚很微弱，故可利用类氢模型来估算杂质的电 负电中心的束缚很微弱 束缚很微弱 离能(如下图施主杂质情况所示，晶体中有如附加了一个“氢 氢 原 ) 子”) 。 这种估算没有反映杂质原子的影响， 这种估算没有反映杂质原子的影响 ， 而只是实际情况的 一种近似。 一种近似。
12
p型杂质 型杂质
13
五、n型半导体和 型半导体 型半导体和p型半导体 型半导体和
14
六、浅能级、浅能级杂质及其电离能的简单估算 浅能级、
1. 定义 将很接近于价带顶的受主能级和很接近于导带底的施主 浅能级。将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质 浅能级杂质，其 能级称为浅能级 浅能级 浅能级杂质 特点为：
22
八、深能级杂质
施主杂质能级距离导带底， 施主杂质能级距离导带底，或受主杂质能 级距离价带顶都较远时，称该能级为深能 级距离价带顶都较远时，称该能级为深能 相应的杂质称为深能级杂质 级，相应的杂质称为深能级杂质
23
深能级杂质能够产生多次电离 多次电离，每一次电离相应地有一个 多次电离 能级。因此，该杂质在禁带中往往引入若干个能级。而 且，有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级； 原因：杂质能级与杂质原子的电子壳层结构、杂质原子的 大小、杂质在半导体晶格中的位置等因素有关。目前还没 有完善的理论加以说明。 举例： 举例
4
17
(2) 用类氢原子模型估算浅能级的电离能 考虑两方面的因素对上式进行修正： 正、负电荷是处于某种介质中； 由于电子是在晶格周期性势场中运动，要用其有效质量代替 惯性质量。
18
修正后的电离能可表示为：
估算结果与实际测量值有相同的数量级： Si：∆ED=0.025eV Ge：∆ED=0.0064eV
n型杂质 型杂质
9
举例Si中掺 四、受主杂质、受主能级(举例 中掺 ，Si:B) 受主杂质、受主能级 举例 中掺B，
10
Leabharlann Baidu
把被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为 受主能级。受主能级靠近价带顶部。 受主能级。受主能级靠近价带顶部。
电离结果：价带中的空穴数增加了， 电离结果：价带中的空穴数增加了， 这也是掺受主的意义 掺受主的意义所在 这也是掺受主的意义所在
替位式杂质
5
举例Si中掺 三、施主杂质、施主能级(举例 中掺 ，Si:P) 施主杂质、施主能级 举例 中掺P，
6
电离结果：导带中的电子数增加了， 电离结果：导带中的电子数增加了， 这也是掺施主的意义 掺施主的意义所在 这也是掺施主的意义所在
主要依靠导带电子导电的半 导体称为电子型或n型半导体 导体称为电子型或 型半导体
(2)复合体 复合体 (3)反结构缺陷 反结构缺陷 在化合物半导体中，存在着一种点缺陷，称为替位原 替位原 子。例如二元化合物AB中： 替位原子可以有两种，A取代B的称为AB，B取代A的称为 BA，如下图所示；
41
一般认为，AB是受主，因为B的价电子比A的多， A 取代B 后，有接受电子的倾向；BA是施主， B 取代A后，有把多 余的价电子施放给导带的趋势； 这类缺陷(替代原子)在离子性强的化合物中存在的概率很 小，因为库仑力的排斥作用 库仑力的排斥作用，使引入AB或BA所需能量很 库仑力的排斥作用 离子晶体中常可忽略它们的作用。称这种缺陷 大，所以在离子晶体 离子晶体 为反结构缺陷 反结构缺陷。 反结构缺陷
38
缺陷、 2.3 缺陷、位错能级
一、点缺陷
1. 点缺陷的种类 (1)空位和间隙原子 空位和间隙原子 在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运 动，而且有一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对 它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子 间隙原子，原来的 间隙原子 位置便成为空位 空位： 空位 这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷 弗仑克耳缺陷； 弗仑克耳缺陷 若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷 肖特基缺陷； 肖特基缺陷 间隙原子和空位不断地产生和复合，最后确立一平衡浓度 值；
42
2. Si、Ge中的点缺陷 、 中的点缺陷 以空位(施主和受主 、间隙和复合体缺陷为主。 以空位 施主和受主)、间隙和复合体缺陷为主。 施主和受主 3. GaAs中的点缺陷 中的点缺陷 以空位、间隙和反结构缺陷 特征 出现在化合物中)为主 特征： 为主。 以空位、间隙和反结构缺陷(特征：出现在化合物中 为主。
电子的平均 速度或波包 中心的速度
32
四、两性杂质
在化合物半导体中，某种杂质在其中既可以作施主，又 可以作受主，这种杂质称为两性杂质 两性杂质。该杂质的这种性质称 两性杂质 为双性行为。
33
34
五、等电子杂质、等电子陷阱、束缚激子 等电子杂质、等电子陷阱、
所谓等电子杂质 等电子杂质是与基质(本征)晶体原子具有同数量价电子 等电子杂质 同数量价电子 的杂质原子；它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是 电中性的。 电中性 由于原子序数不同，等电子杂质与基质原子的共价半径和电 负性有差别， 因而它们能俘 获某种载流子 而成为带电中 心，这个带电 中心就称为等 等 电子陷阱。 电子陷阱
主要依靠价带空穴导电的半 导体称为空穴型或p型半导体 导体称为空穴型或 型半导体
11
空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离 受主电离。受主杂质未电 受主电离 离时是中性的称为束缚态或中性态 束缚态或中性态；电离后成为负电中心， 束缚态或中性态 称为受主离化态 受主离化态。使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所 受主离化态 需要的能量称为受主电离能 受主电离能。 受主电离能
3
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
一、杂质与杂质能级
杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。杂质 杂质 出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场 遭到破坏。单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度 杂质浓度。 杂质浓度 杂质能级：位于禁带中。
4
二、替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质、
杂质原子进入半导体后，有两种方式存在： 一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种 杂质为间隙式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格 原子小； 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称 这种杂质为替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的 大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价 电子壳层结构也比较接近。
施主
16
(1) 氢原子基态电子的电离能 氢原子中电子的能量为：
m0 q 4 En = − 2 2 2 8ε 0 h n
(n = 1,2,3L)
氢原子的基态能量为(n=1)：
m0 q E1 = − 2 2 8ε 0 h
氢原子电离态能量为(n=∞)：
4
E∞ = 0
氢原子基态电子的电离能：
m0 q E0 = E∞ − E1 = 2 2 = 13.6eV 8ε 0 h
36
等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一带电中心由于 库仑作用又能俘获另一种相反符号的载流子，形成束缚激 束缚激 子。这种束缚激子在由间接带隙半导体材料制造的发光器件 中起主要作用。
37
六、用类氢原子模型估算GaAs浅能级杂质的电离能 用类氢原子模型估算 浅能级杂质的电离能
例如，浅施主杂质电离能的估算结果与实验测量值基本 符合，为： ∆ED=0.008eV
35
只有当掺入原子与基质晶体原子在电负性、共价半径方面具 有较大差别 较大差别时，才能形成等电子陷阱(一般来说，同族元 较大差别 素原子序数越小，电负性越大，共价半径越小)； 等电子杂质电负性大于基质晶体原子的电负性时，取代后， 它便能俘获电子成为负电中 心； 反之，它能俘获空穴成为正 电中心。
即等电子络合物， 即等电子络合物 ， 如 GaP中产生 中产生 Zn Ga 和OP后， 当二者处于相邻晶 格点时，形成电中性的Zn-O复合 格点时，形成电中性的 复合 体，其仍能俘获电子而带负电 电子有 效质量
把被施主杂质束缚的电子的能量状态称为 施主能级。施主能级靠近导电底部。 施主能级。施主能级靠近导电底部。
7
施主杂质释放电子的过程称为施主电离 施主电离。施主杂质未电离时 施主电离 是中性的称为束缚态或中性态 束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为 束缚态或中性态 施主离化态。使电子挣脱施主杂质束缚成为导带电子所需要 施主离化态 的能量称为施主电离能 施主电离能。 施主电离能 8
例1：Au(Ⅰ族)在Ge中
24
25
26
27
半导体
绝缘体 导体
28
例2：Au(Ⅰ族)在Si中
29
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
以GaAs为代表，杂质原子进入半导体后，也以两种方 式存在，形成两种杂质：间隙式杂质和替位式杂质。
30
一、施主杂质
二、受主杂质
31
三、中性杂质
某种杂质掺入化合物半导体 化合物半导体后，在其中既不是施主，又 化合物半导体 不是受主，而是电中性的杂质，在禁带中不引入能级，称这 种杂质为中性杂质 中性杂质。 中性杂质
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 族化合物中的杂质 杂质能 2.3 缺陷、位错能级 缺陷、
1
本章重点： 本章重点：
掌握Si、 、 族化合物的杂质能级 掌握 、Ge、Ⅲ-Ⅴ族化合物的杂质能级 理解缺陷、 理解缺陷、位错能级
2
根据杂质能级在禁带中的位置将杂质分为两种： 根据杂质能级在禁带中的位置将杂质分为两种： 浅能级杂质：能级接近导电底Ec或价带顶Ev； 深能级杂质：能级远离导带底Ec或价带顶Ev； 缺陷可分为三类： 缺陷可分为三类： 点缺陷，如空位、间隙原子； 线缺陷，如位错； 面缺陷，如层错、多晶体中的晶粒间界等
39
这种由温度决定的点缺陷又称为热缺陷 热缺陷，它们总是同时存在 热缺陷 的； 由于原子须具有较大的能量才能挤入间隙位置，以及它迁移 时激活能很小，所以晶体中空位比间隙原子多得多，故空位 空位 是常见的点缺陷； 是常见的点缺陷 在化合物 化合物中，除了热振动因素形成空位和间隙原子外，由于 化合物 成分偏离正常的化学比 偏离正常的化学比，也会形成点缺陷。例如在砷化镓中， 偏离正常的化学比 由于热振动可以使镓原子离开晶格点形成镓空位和镓间隙原 子 ； 也 可 以 使 砷 原 子 离 开 晶 格 点 形 成砷 空 位 和 砷 间 隙 原 子。另外由于砷化镓中镓偏 多或砷偏多，也能形成砷空 位或镓空位，如右图所示。 这些缺陷是起施主还是受主 作用，目前仍无法定论，需 由实验决定。 40
43
二、位错
主要指线缺陷，如Si中的60°位错。
44
19
七、杂质的补偿作用
半导体中同时存在施主和受主杂质，二者之间有相互抵 消的作用。
其中， 函数是与晶格同周期的周期函数 函数是与晶格同周期的周期函数。 其中，u函数是与晶格同周期的周期函数。
20
21
杂质高度补偿的材料中， 杂质高度补偿的材料中， 杂质虽多， 杂质虽多，但不能向导带 和价带提供电子和空穴。 和价带提供电子和空穴。 该材料容易被误认为高纯 半导体， 半导体，实际上含杂质很 性能很差， 多，性能很差，一般不能 用来制造半导体器件。 用来制造半导体器件。
15
2. 浅能级杂质电离能的简单估算 浅能级杂质的电离能很低，电子或空穴受到正电中心或 束缚很微弱，故可利用类氢模型来估算杂质的电 负电中心的束缚很微弱 束缚很微弱 离能(如下图施主杂质情况所示，晶体中有如附加了一个“氢 氢 原 ) 子”) 。 这种估算没有反映杂质原子的影响， 这种估算没有反映杂质原子的影响 ， 而只是实际情况的 一种近似。 一种近似。
12
p型杂质 型杂质
13
五、n型半导体和 型半导体 型半导体和p型半导体 型半导体和
14
六、浅能级、浅能级杂质及其电离能的简单估算 浅能级、
1. 定义 将很接近于价带顶的受主能级和很接近于导带底的施主 浅能级。将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质 浅能级杂质，其 能级称为浅能级 浅能级 浅能级杂质 特点为：
22
八、深能级杂质
施主杂质能级距离导带底， 施主杂质能级距离导带底，或受主杂质能 级距离价带顶都较远时，称该能级为深能 级距离价带顶都较远时，称该能级为深能 相应的杂质称为深能级杂质 级，相应的杂质称为深能级杂质
23
深能级杂质能够产生多次电离 多次电离，每一次电离相应地有一个 多次电离 能级。因此，该杂质在禁带中往往引入若干个能级。而 且，有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级； 原因：杂质能级与杂质原子的电子壳层结构、杂质原子的 大小、杂质在半导体晶格中的位置等因素有关。目前还没 有完善的理论加以说明。 举例： 举例
4
17
(2) 用类氢原子模型估算浅能级的电离能 考虑两方面的因素对上式进行修正： 正、负电荷是处于某种介质中； 由于电子是在晶格周期性势场中运动，要用其有效质量代替 惯性质量。
18
修正后的电离能可表示为：
估算结果与实际测量值有相同的数量级： Si：∆ED=0.025eV Ge：∆ED=0.0064eV
n型杂质 型杂质
9
举例Si中掺 四、受主杂质、受主能级(举例 中掺 ，Si:B) 受主杂质、受主能级 举例 中掺B，
10
Leabharlann Baidu
把被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为 受主能级。受主能级靠近价带顶部。 受主能级。受主能级靠近价带顶部。
电离结果：价带中的空穴数增加了， 电离结果：价带中的空穴数增加了， 这也是掺受主的意义 掺受主的意义所在 这也是掺受主的意义所在