半导体参数分析仪技术参数
使用是德科技 B1500A 半导体器件分析仪 MFCMU 和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量
图 1. 机械手连接的基本电缆配置
延长 电缆
剩余电感是一个 固定值
延长 电缆
3T 配置
不同的电缆布设 会产生不同的剩余 电感。
即使您把电 缆移到被 测器件处，剩余电感
也 不会改 变，仍能 提 供 稳定和 精确的测量
ir
结果。
面积
屏蔽 2T 配置的剩余电感是固定的，因为保 护屏蔽中流过的感应电流与中心导体中流过 的电流大小相同而方向相反。这一感应电流 有助于屏蔽测量电流产生的磁通量，使剩余 电 缆电 感 保 持 一 个 较小的固定值。反 之，3 T 配置中没有形成返回电流路径。这种配置中 的剩余电感取决于电缆的随机布设状态。由 于电缆的布设不受控制，因此难以保持剩余 电感为稳定的固定量值。测试环境的振动也 会改变测量电缆的剩余电感，造成其不稳定 的量值。人们很难补偿 3T 配置中测量电缆 的剩余电感。这有时也被称作“返回路径问 题”，如果 3T 配置中电缆末端的保护屏蔽 不能 短 路 在一起，就 会产 生 这一问题。您可 按照图 2 所示的方法连接保护屏蔽来解决 这一问题。
SMU 1 SMU 2 电路公共端
三轴电缆
机械手 施压 保护端
三轴 连接器
机械手 施压
保护端
三轴 外部屏蔽
图 5 是一个与精确 CV 测量略有不同的测量 装置。使用 4TP-屏蔽 2T 转换之后的电缆路 径看起来类似于 IV 测量装置，但有两个重要 区别。第一，IV 测量装置中使用的是三轴电 缆，而 CV 测量装置中则使用同轴电缆。第 二，测量电缆与 CV 测量装置中的机械手探 针之间有一条保护连接线，而在 IV 测量装置 中没有这条保护连接线。
使用 Keysight B1500A MFCMU
和 SCUU 进行 IV 和 CV 测量
热载流子注入 测试标准
热载流子注入测试标准
热载流子注入（Hot Carrier Injection，HCI）测试通常用于半导体器件的可靠性评估，特别是针对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等器件。
其主要目的是评估电子注入对器件性能和寿命的影响。
测试标准如下：
1. 初始特性测试：在未加应力条件下，使用半导体参数分析仪的I/V扫描测量功能，测试并记录器件的初始电学参数。
测试内容包括阈值电压Vr、线性区跨导峰值$g_{m（max）}$、线性区漏极电流ID（tin）、饱和区漏极电流ID（sat）等。
这些数据将作为基准，与施加应力之后的测试数据进行对比，判断器件发生性能退化的程度以及是否失效。
2. 施加电学应力：将半导体参数分析仪设置为I/V-t采样测量模式，通过采样测量向MOSFET施加电学应力。
由于器件的退化与时间遵循指数关系，进行测试的应力周期节点通常以10倍关系增长，并且要求每个十倍应力周期内应该有一个处于两者之间的应力周期。
3. 记录关键数据：在测试过程中，记录关键数据，如电流、电压、温度和测试时间。
这些数据将用于分析和评估器件的性能和可靠性。
4. 分析数据：在测试结束后，分析收集到的数据以评估器件的可靠性。
重点关注参数如漏电流增加、阈值电压偏移等来判断HCI对器件的影响。
5. 撰写报告：最后，撰写测试报告，总结实验结果和观察到的现象。
报告应包括实验条件、数据分析、结论以及可能的改进建议。
在测试结束后，分析收集到的数据以评估器件的可靠性。
安全起见，最好在专门的实验室条件下进行，严格遵循安全和操作规程。
半导体参数分析仪安全操作及保养规程
半导体参数分析仪安全操作及保养规程前言半导体参数分析仪是半导体制造过程中一种常用的检测仪器，可用于分析半导体器件的电学特性参数。
因此，在使用半导体参数分析仪时，必须严格遵循安全操作规程，以确保人身安全和设备正常运行。
本文档将介绍半导体参数分析仪的安全操作及保养规程。
1. 安全操作规程1.1 操作前准备在使用半导体参数分析仪前，请确保已经做好如下操作准备：•仔细阅读设备说明书，了解设备的使用规程和安全操作要求；•检查设备的电源、接线、仪器等部分是否连接牢固，插头是否干净、无松动，电源开关是否处于关闭状态；•预热设备，预热时间一般为30分钟。
1.2 操作过程在使用半导体参数分析仪时，请遵循如下操作流程：•操作前，请确认仪器的供电电压并确保安装正确；•先打开设备的外部控制器，设置需要测试的参数，并将控制器上对应的参数设置为合适的值；•打开电源，启动程序；•接通测试器件与仪器的连接线，注意不要插反了连接线；•开始测试并检查设备的数据是否正常，以及测试是否完成；•测试完毕后，关闭电源和所有连接线，关闭程序。
1.3 操作时需注意的事项在操作半导体参数分析仪时，请务必遵守以下注意事项：•切勿强制连接异常电路或测试不支持的器件；•切勿强制删除、修改测试系统的程序或文件；•切勿将设备放置在湿度较高或有腐蚀性气体的场所；•切勿使用未授权或非原厂的配件。
2. 保养规程半导体参数分析仪的保养对于保持设备的正常运行以及延长使用寿命非常重要。
下面是该设备的保养规程：2.1 清洁保养在断开电源及所有连接线后，使用软布或棉布擦拭设备表面以保持设备表面清洁。
同时，请注意不要撕毁设备经过特殊处理的标签或贴纸，也不要使用化学清洁剂来清洁设备表面。
2.2 存储保养在设备暂时不使用时，请将其存放在干燥、通风的地方，避免长时间暴露在高温、潮湿、磁场或尘埃较多的环境中，以保护设备的存储器和电子元件。
2.3 定期保养为确保设备的正常运行，周期性进行维护工作非常重要。
半导体基本测试原理
半导体基本测试原理半导体是一种具有特殊电学特性的材料，在电子、光电子和光电子技术等领域具有广泛的应用。
半导体器件的基本测试主要包括单个器件的电学测试、晶体管的参数测试以及集成电路的功能测试等。
本文将从半导体基本测试的原理、测试方法和测试仪器等方面进行详细介绍。
1.电学测试原理：半导体器件的电学测试主要是通过电压和电流的测量，来判断器件的电学性能。
常见的电学测试有阻抗测量、电流-电压特性测试等。
阻抗测量通常使用交流信号来测试器件的电阻、电感和电容等参数，可以通过测试不同频率下的阻抗来分析器件的频率响应特性。
2.晶体管参数测试原理：晶体管是半导体器件中最常见的器件之一，其参数测试主要包括DC参数测试和AC(交流)参数测试。
DC参数测试主要通过测试器件的电流增益、静态工作点等参数来分析和评估器件的直流工作性能。
AC参数测试主要通过测试器件在射频信号下的增益、带宽等参数来分析和评估其射频性能。
3.功能测试原理：集成电路是半导体器件的一种，其测试主要从功能方面进行。
功能测试主要分为逻辑测试和模拟测试两种。
逻辑测试主要测试器件的逻辑功能是否正常，比如输入输出的逻辑电平是否正确，数据传输是否正确等。
模拟测试主要测试器件的模拟电路部分，比如电压、电流、频率等参数是否在规定范围内。
二、半导体基本测试方法1.电学测试方法：常用的电学测试方法包括直流测试和交流测试。
直流测试主要通过对器件的电流和电压进行测量来分析器件的基本电学性能，如电流增益、电压饱和等。
交流测试主要通过在不同频率下测试器件的阻抗来分析器件的频率响应特性，一般使用网络分析仪等仪器进行测试。
2.参数测试方法：晶体管参数测试主要使用数字万用表等测试仪器来测量器件的电流和电压，并通过计算得到相关参数。
AC参数测试一般使用高频测试仪器，如频谱分析仪、示波器等来测试器件在射频信号下的特性。
3.功能测试方法：功能测试一般通过编写测试程序，控制测试仪器进行测试。
逻辑测试的方法主要是通过输入特定的信号序列，对输出结果进行判断，是否与预期的结果相符。
迈瑞BC-5180CRP技术参数
7.进样模式自动进样和封闭进样
8.试剂种类6种
9.样本条码可选配内置条码扫描仪或手持条码扫描仪
10.参考值5个已定组别，5个自定义组别
11.结果储存标配计算机，无限扩存，包括患者中文信息及散点图、直方图等
12.质控方式包括L-J质控和X-B浮动均值法质控等多种质控方式，具备末梢血和静脉血两套校准模式
5.CRP检测原理运用乳胶增强免疫比浊法
二.技术参数
1.报告参数WBC、Neu%、Lym%、Mon%、Eos%、Bas%、Neu#、Lym#、Mon#、Eos#、Bas#、RBC、HGB、HCT、MCV、MCH、MCHC、RDW-CV、RDW-SD、PLT、MPV、PDW、P-LCR、P-LCC、PCT、FR-CRP
技术参数一览表
货物名称
五分类全自动血液细胞分析仪
规格型号
BC-5180CRP
产地及制造商
中国深圳/深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司
技术参数
一.工作原理
1.半导体激光、流式细胞技术结合恒温细胞化学染色实现白细胞五分类计数
2.白细胞双通道检测技术
3.双向后漩流阻抗法测定红细胞、血小板
4.使用环保型无氰试剂测定血红蛋白
CRP（mg/L）：0.2-320
17.携带污染WBC≤0.5%、RBC≤0.5%、HGB≤0.6%、PLT≤1.0%
18.操作语言全中文操作软件
19.打印输出多种报告单打印格式，并支持自定义设置
20.联网功能支持HL7协议(双向数据传输)
21.LIS联机免费提供LIS系统接口
22.标准配置分析仪主机、计算机(含液晶显示器)、打印机
半导体器件分析仪 (B1500A)
技术概述B1500A 半导体器件分析仪加快基本的电流-电压（IV ）和电容-电压（CV ）测量 以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量（IV ）和电容-电压（CV ）表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。
此外，B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块，适应不断变化的测量需求。
综合解决方案满足您的 所有器件表征需求B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中，可精确快速地进行器件表征。
它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。
它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件，可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行，支持高效和可重复的器件表征。
B1500A 拥有几百种即时可用的测量（应用测试），为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。
它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和 测试。
关键特性优势精密电压和电流测量（0.5 µV 和 0.1 fA 分辨率）–低电压和小电流的精确表征。
用于多频率（1 kHz 至 5 MHz ）电容测量（CV 、C-f 和 C-t ）与电流/电压（IV ）测量 切换的高精度和低成本解决方案。
–无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率（使用 SCUU 时最小为 1 fA ，使用 ASU 时最小为 0.1 fA ）– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量，100 ns 脉冲和 5 ns 采样率–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式–交互式地开发测试，并即时查看器件特征–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证（MCSMU 提供示波器视图）功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理–自动分析测量数据，无需使用外部 PC– 自动存储测量数据和测试条件，日后快速调用此信息让所有人都变成器件表征专家EasyEXPERT group+ 使器件 表征变得像 1、2、3 计算一样简单B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试，您只需简单的 3 步便可进行测量。
主要失效分析仪器和主要参数讲解
常规电参数测试设备
9
LCR参数分析仪
特点和性能： 工作频率：1～10MHz；可以 设定的直流偏压：0～200V （外置）；交流电压0～1Vrms； 电阻、电容和电感测试精度 0.05％；损耗精度为0.0005。 用途：主要用于测试阻、容和 感的容量、损耗、阻抗、电感、 电阻、品质因素和导纳等。
元器件失效分析
失效分析用主要设备 的作用和参数
相关参数用什么仪器、设备来测试 仪器、设备的极限能力
? 形貌（显微形貌）观察设备
电参数测试设备
（包括一些电参数测试的辅助性设备） 化学成分和组成分析设备 其它专项检测设备 其它辅助性设备
2
分类
仪器名称 光学显微镜（体视显微镜、金相显微镜）、扫描电子显微镜、 X射线透视系统、扫描声学显微镜。
10
漏电流测试仪
特点：施加一定的电压， 测试（或监测）样品的 漏电流状态。 性能：电压范围：0～ 650V；电流范围1uA～ 30mA；可以调整的时间 1～99s。
用途：用于测试电容器 （如电解电容器）的漏 电流。
11
耐压测试仪
特点和性能：电压范围：0～ 10KV；可设定限流模式。可 设定时间范围0～99s；漏电 流最大设定值100mA。 用途：主要用于对样品（电 容器、塑料）介质层耐压强
封、去钝化层、环 各种环境试验箱。
3
光学显微镜
体视显微镜（反射式和透射式）
特点：放大倍数较低；景深大，立体感强。
用途：器件的外观及失效部位的表面形状、尺 寸、组织、结构和缺陷等观察；有时候用于 微探针的测试。
放大倍数（目镜＋物镜）：6.3~80倍
金相显微镜
特点：放大倍数较高；景深小，空间分辨率 低，微米以下观察困难；放大倍数不连续。 用途：器件外观局部位置显微检查（体视显微 镜基础上）；器件失效点（形貌）的放大检 查。放大倍数（目镜＋物镜） ：50～2000倍
设备名称半导体参数分析仪(一)、主要用途
设备名称：半导体参数分析仪（一）、主要用途：1、该电学测试分析系统用于完成各种半导体器件和材料的电学综合性能测试IV和CV，提供测试数据报告，图形和分析功能。
2、可随时随地根据用户要求对系统进行升级。
3、不小于15.6英寸的高清触摸显示屏，让交互测试更加简便。
4、树形结构项目设计允许用户无需编程即可跳着修改测试程序。
5、可容纳最多9个中等功率或高功率SMU，和可选的远程前段放大器；6、最多可支持6个双通道PMU模块；7、标配端口包括USB,以太网，VGA，串口，显示器端口,HDMI及音频插孔等；8、内置音频扬声器9、内置测量帮助视频来提供测试和调试指引。
10、内置固态硬盘，可方便快速开机及存储传送数据。
11、可安装机架也可安装在工作台上。
12、包含标配软件，随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，且可以通过两种方式来提取参数。
13、可配置连接相关GPIB仪器、开关矩阵和探针台等。
（二）、性能和技术指标1、直流IV测试单元：1.1.中功率源测量单元:1.1.1.电流源输出电流/分辨率测试范围/分辨率/偏置电流最小:100nA/5pA100nA(量程)/100fA/30pA最大:100mA/5μA100mA(量程)/100nA/3μA1.1.2.电压源输出电压/分辨率测试范围/分辨率/偏置电压*最小:200mV/5μV200mV(量程)/0.2μV/80μV*最大:210V/5mV200V(量程)/200μV/3mV1.1.3.数量：2个1.2.前置放大单元(直流源测量单元)1.2.1.电流源输出电流/分辨率测试范围/分辨率/偏置电流*最小:1pA/1.5fA1pA(量程)/0.01fA/10fA1.2.2.前置放大单元为源测量单元的附件,电压参数与其所在模块相同1.2.3.数量：2个2、CV测试单元*2.1.不同频率下的C-V测试，频率范围：1K-10MHz；2.2.可测量Cp-G,Cp-D,Cs-D,R-jX,Z-theta等参数；2.3.测试信号电平10mV rms–100mV rms，分辨率1mV；2.4.直流偏置电压范围:±30V；差分模式可达最大60V2.5.数量：1个3、主机具备计算机配置：3.1.可触屏操作。
LGA-4100半导体激光气体分析仪用户手册
FOCUSED PHOTONICS INC阅读说明用户须知非常感谢您选择使用本公司的LGA-4100半导体激光在线气体分析产品（以下简称：LGA-4100激光气体分析仪）。
在使用本产品前，请仔细阅读本用户手册。
本手册涵盖产品使用的各项重要信息及数据，用户必须严格遵守其规定，方可保证LGA-4100激光气体分析仪的正常运行。
同时，相关信息可帮助用户正确使用该产品，并获得准确的分析结果，节省由咨询等服务产生的额外成本。
概况本手册所介绍的产品在离厂前均经过严格的检验，以确保产品具有一流品质。
同时为了保证其安全、优质的运行，获得正确的分析结果，用户必须严格按照制造商所述使用方法进行系统操作。
另外，恰当的运输、仓储和安装及合理的操作和维护都有助于系统的安全和正常运行。
本手册详细介绍了正确使用LGA-4100激光气体分析仪的所有信息。
它为受过专门培训或具有仪器操作控制相关知识（例如自动化技术）的技术人员提供了准确的使用参考。
了解本手册所涉及的安全信息和警告信息，以及如何从技术上对错误进行修正，是对所述产品顺利进行“零危险”安装、试运转和安全运行、维护的先决条件。
只有合格的、具有专业知识的操作人员才能正确理解本手册所提到的安全信息和警告信息，并将他们运用到实际操作当中去。
由于各种原因，该手册不可能对每一产品型号都进行细节性的描述，若用户需要进一步了解相关信息，或解决本手册涉及尚浅的问题，请与当地代理商联系并要求帮助解决。
注意和警示信息本手册介绍了LGA-4100激光气体分析仪的具体应用，以及如何启动、操作和维护，可以指导用户正确地安装和操作LGA-4100激光气体分析仪，并对LGA-4100激光气体分析仪进行预防性的维护工作，以保障该系统的连续可靠运行。
需特别指出的是，本手册中的注意和警示信息至关重要（在接下来的各个章节中被强调显示，并加有适当的图标），能有效地避免不恰当的操作。
本手册所述产品的开发、制造、测试都把适当的安全标准放在首位。
mos测试参数
mos测试参数MOS测试参数随着科技的不断发展，电子产品的性能也越来越强大。
为了确保这些产品的稳定性和可靠性，需要进行一系列的测试。
其中之一就是MOS测试，MOS是Metal-Oxide-Semiconductor（金属氧化物半导体）的简称，MOS测试就是对金属氧化物半导体进行测试和评估。
MOS测试参数是指在MOS测试中所需要关注和调整的各项参数。
在MOS测试中，主要有以下几个参数需要考虑：1. 电流参数：电流是MOS测试中最重要的参数之一。
MOS器件的电流特性可以通过测试来评估，包括漏极电流、饱和电流、亚饱和电流等。
这些电流参数能够反映出MOS器件的性能和工作状态。
2. 电压参数：电压是MOS测试中另一个重要的参数。
MOS器件的电压特性可以通过测试来评估，包括阈值电压、漏极电压、源漏电压等。
这些电压参数能够反映出MOS器件的工作范围和稳定性。
3. 频率参数：频率是MOS测试中需要考虑的另一个重要参数。
MOS器件的频率特性可以通过测试来评估，包括截止频率、增益带宽积等。
这些频率参数能够反映出MOS器件的工作速度和响应能力。
4. 温度参数：温度是MOS测试中需要重点关注的一个参数。
MOS 器件的温度特性可以通过测试来评估，包括温度漂移、热稳定性等。
这些温度参数能够反映出MOS器件在不同温度下的工作情况。
5. 噪声参数：噪声是MOS测试中需要考虑的另一个重要参数。
MOS器件的噪声特性可以通过测试来评估，包括噪声系数、等效噪声电阻等。
这些噪声参数能够反映出MOS器件的信号处理能力和抗干扰性能。
在进行MOS测试时，需要根据具体的应用需求和要求来选择适当的测试参数。
不同的应用领域和产品类型对MOS器件的性能有不同的要求，因此需要根据实际情况来确定测试参数。
为了确保MOS测试的准确性和可靠性，需要使用专业的测试设备和仪器。
常用的MOS测试设备包括参数分析仪、示波器、信号发生器等。
这些设备能够对MOS器件进行全面的测试和评估，帮助工程师们更好地理解和分析MOS器件的性能。
半导体行业对外测试设备介绍
半导体行业对外测试设备介绍半导体行业是指从事半导体材料、半导体器件制造、集成电路设计和制造等相关领域的产业链。
在半导体制造过程中，对外测试设备起到了至关重要的作用，能够对半导体产品进行全面、稳定的测试和评估。
本文将对半导体行业中常用的对外测试设备进行介绍。
1.IC测试设备IC测试设备主要用于对集成电路芯片的功能、可靠性等进行测试。
这些设备通常由测试主机、探针卡/测试卡以及相关软件组成。
测试主机负责与芯片的输入输出接口进行连接，并通过控制信号和数据进行测试。
探针卡/测试卡则用于实现对芯片引脚的电气连接和信号采集。
相关软件用于设置测试参数、记录测试结果并进行数据分析。
常见的IC测试设备包括：逻辑分析仪、信号发生器、频谱分析仪等。
2.半导体分析仪半导体分析仪用于对半导体材料、晶片进行结构表征和性能测试。
主要功能包括电学特性测试、光学特性测试、热学特性测试、显微镜观察等。
常见的半导体分析仪有扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱仪、X射线衍射仪等。
3.封装测试设备封装测试设备主要用于对已封装好的芯片进行功能测试和可靠性评估。
封装测试设备通常包括测试针床、测试插座、电路板、探针接头以及相关软件。
测试针床和测试插座用于与芯片的引脚进行连接，电路板负责控制信号和数据的输入输出。
探针接头则用于将测试信号传输到芯片引脚上。
常见的封装测试设备包括：引导测试设备、无线通信测试设备、高速串行测试设备等。
4.温度测试设备温度测试设备主要用于对半导体产品在不同温度下的性能进行测试。
温度测试设备通常由温度控制器、温度传感器、测试夹具等组成。
温度控制器用于控制测试环境的温度，温度传感器用于实时检测温度变化，测试夹具则用于固定和连接被测试器件。
常见的温度测试设备包括：快速热冷温度循环测试仪、高低温试验箱等。
5.故障分析设备故障分析设备主要用于对半导体产品出现的故障进行定位和分析。
故障分析设备通常由故障分析仪、探针仪、电子显微镜等组成。
半导体参数分析仪-苏州大学纳米材料与技术试验教学中心
厂商
参考单价
（万元）
数量
总价
（万元）
4200-SCS
Keithley
24
1
24
主要技术指标（含仪器设备的详细配置）
一、系统配置清单：
1、半导体参数分析仪（4200-SCS/F）主机（1台）
（1）含两个高分辨率中功率SMU（源测量单元）
（2）内置12英寸液晶显示器
（3）主机含以太网（LAN）,GPIB, 3个USB接口，RS-232接口，并行接口，250G大容量硬盘，可刻录DVD光驱
10、提供纳米技术工具包；
11、软件终身免费升级。
经费来源
专项经费
用途
教学□科研■其它□
安装（放）地点
功能纳米与软物质（材料）实验室
管理人
唐建新
注：“经费来源”指教学设备经费、示范中心建设经费、中央与地方共建经费、重点学科建设经费、科研项目经费、211工程建设费、专项经费等。
二、安装使用的环境及设施条件
功能纳米与软物质（材料）实验室已被省科技厅批准为“江苏省碳基功能材料与器件重点实验室”。按照重点实验室建设规划，实验室将重点研发高效率、长寿命有机光电器件，特别是致力于有机发光显示(OLED)和有机薄膜晶体管（OTFT）的前沿性基础和应用研发，近期主要面向单色显示、小尺寸的全彩PM-OLED显示原型机，白光固体照明及软屏点阵技术的攻关。
苏州大学申购大型精密仪器设备
可行性论证报告
(10万元～40万元)
仪器名称吉时利4200-SCS型半导体特性分析系统ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
申请单位功能纳米与软物质（材料）实验室
负责人李述汤
填表时间2009年11月23日
一、申购仪器设备概况
keithley(吉时利)4200A-SCS中文技术手册
I-V 扫描测量。
4200A-SCS 参数分析仪可以配置最多 9 个 SMU。有两种 SMU 型号：中等功率 SMU，范围高达 210 V/100 mA；高功 率 SMU，范围高达 210 V/1 A。每个 4200-SMU 中等功率 SMU 或 4210-SMU 高功率 SMU 占用主机的一个插槽，在 4200A-SCS 系统中可以一起使用。
±210V
4200A-CVIV I-V/C-V 多开关模块 DC I-V 和 C-V 自动切换
-
-
4225-PMU
超快速脉冲测量单元
- 脉冲式 I-V - SegmentARBR® 多电平 脉冲 - 瞬态波形捕获
±40 V (80 V p-p), ±800 mA 200 MSa/s 同时测量电流和电压 2048 个唯一段 20 ns 脉宽仅输出时 60 ns 脉宽输出同时测流时
脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU) ●● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道 ●● 200 MSa/s，5 ns 采样率 ●● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA ●● 瞬态波形捕获模式 ●● 任意波形发生器 Segment ARB® 模式，支持多电平脉冲 波形，10 ns 可编程分辨率
4
4200A-SCS 参数分析仪
1. Clarius Software
全新 Clarius Software 用户界面，您可以把对科研的理解提 升到全新水平。4200A-SCS 包括 Clarius+ 软件包，可以执 行几乎任何类型的 I-V、C-V 和脉冲式 I-V 特性分析测试。 Clarius Software 用户界面提供了触滑或点击控制功能，为现 代半导体、材料和工艺特性分析提供高级测试定义、参数分析、 图表绘制和自动化功能。
A4000技术参数1
A4000可以选择各种不同的分析范围，各 种不同的样品，电导率，pH和温度。
先进的诊断系统能指示样品或载气流动和 整个系统操作的任何变化。
A4000有CE认可，ETL的UL和CSA标记，符 合EPA，ASTM，EN和DIN测量方法。
载气:
干净, 无CO2空气或氮气, 压力为2.8-6.2
bar (40-90psig)
美国哈希公司中国联系地址：
授权代理商联系地址：
中文网址：；
北京办事处 北京市建国门外大街 22 号赛特大厦 2308 室 邮编：100004 电话：010-65150290 65150282 65150283 传真：010-65150399 广州办事处
广州市体育西路 109 号高盛大厦 15 楼 B1 邮编：510620 电话： 020-38791592 38792297 传真：020-38791137 西安联络处
西安市二环南路 100 号金叶现代之窗 1010 室 邮编：710065 电话： 029-88376921 传真：029-88376921
信号漂移（60天）:
25℃时，<2%
环境温度:
5-40℃
注: 性能指标建立在0-5000µg/l量程组态
基础上, 并在有测量值时确定
重量:
54公斤
用户接口:
5个功能组态的报警继电器
3A@250VAC/0.5A@30VDC
2个以组态4-20mA模拟输出
1个(可选)RS232/RS485串行口
样品:
单流路, 快速回路入口(可选: 双流路)
B1505A 功率器件分析仪 - 精确和高效地表征 (是德科技))
应用指南精确和高效地表征3000 V/20 A 功率器件B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪引言提高能效和降低碳排放量是半导体行业目前面临的两大要求，因此对功率器件进行精确表征变得越来越重要。
工程师们在不断改进半导体器件结构和制造工艺的同时，为了支持更高的电压并实现更低的导通电阻，还围绕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga2O3）等新型宽带隙（WBG）半导体材料展开了大量研究。
为此，他们需要一种能够同时处理高电压和大电流的测量仪器。
过去，工程师们通常使用曲线追踪仪来表征功率器件，但是这种仪器的电压和电流测量精度比较低，在进行小电流测量时分辨率也无法令人满意。
像 Keysight B1500A 这样的参数分析仪虽然具有非常好的电压和电流测量精度，但其电压和电流量程却不适合用于评测功率器件。
为了解决这些问题，是德科技推出了 B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪。
它具有出色的电压和电流测量精度以及小电流测量分辨率，支持高电压和大电流测量，是一款简单易用的综合解决方案。
B1505A 配有新型 HVSMU（高电压源表模块）和 HCSMU（大电流源表模块），两者可分别输出最高 3000 V 电压和最高 20 A 电流。
B1505A 还支持 MFCMU（多频率电容测量单元），可以在 1 kHz 至 5 MHz 频率范围内进行电容测量。
此外，B1505A 还支持偏置 T 型接头，该接头与 HVSMU 配合使用，可以在最高 3000 V 的直流偏置下进行电容测量。
B1500A 和 B1505A 均自带 Keysight EasyEXPERT 软件，使您能够通过图形用户界面（GUI）便捷地控制所有这些测量资源。
EasyEXPERT 具有十分出色的自动分析、图形显示和数据处理能力，是这个功率器件表征和分析综合解决方案的重要组成部分。
使用 EasyEXPERT，您再也无需自行开发控制软件，也无需在定制的机架和堆叠系统中配备多台仪器。
全面的 CMOS 可靠性测试解决方案-是德科技 B1500A
应用指南CMOS可靠性测试全面解决方案Keysight B1500A 半导体器件分析仪引言随着CMOS 器件的尺寸不断缩小，电场强度和电流密度也相应增加，导致器件的使用寿命受到很大影响。
因此，为了保证集成电路(IC)的使用寿命，测试CMOS 器件的可靠性问题变得至关重要，这些问题包括栅极和层间电介质性能的下降、热载流子效应、偏压温度不稳定以及互连开路和短路等。
Keysight B1500A 半导体器件分析仪是新一代半导体参数分析仪，具有评测先进CMOS LSI （大规模集成）电路可靠性所需要的测量能力。
此外，B1500A 中的EasyEXPERT 控制软件标配了即用型测量程序库，涵盖了所有常见的CMOS 可靠性测试。
本应用指南概括介绍了B1500A 的关键测量功能，并解释了B1500A 何以成为验证CMOS工艺可靠性的全面解决方案。
全面的先进测量功能B1500A 配备10个模块插槽，可选用多种源表模块(SMU)以及其他先进的模块，因此能够满足CMOS 工艺可靠性测试的绝大多数测量要求。
下图汇总了可用的B1500A 模块。
图 1.测量模块的灵活配置10 插槽主机多频电容测量单元(MFCMU)中等功率SMU (MPSMU)高分辨率 SMU (HRSMU)大功率SMU (HPSMU)波形发生器 快速测量单元 (WGFMU)高电压半导体脉冲发生器单元(HV-SPGU)接地单元(GNDU)中等功率 SMU (MPSMU)MPSMU是一款通用型SMU，拥有中等的电压和电流输出能力以及适中的测量分辨率。
MPSMU的最大输出电压为±100 V，最大输出电流为±100 mA。
MPSMU的最小电流测量分辨率为10 fA，最小电压测量分辨率为0.5 μV。
高分辨率 SMU (HRSMU)HRSMU是为需要极其精密的测量而设计的，例如栅极泄漏、断态泄漏和亚阈值电流测量。
HRSMU的最小电流测量分辨率为1 fA（MPSMU 为 10 fA）。
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半导体参数分析仪技术参数
一、设备名称：半导体参数分析仪
二、采购数量：1台
三、技术参数及配置要求：
1. 半导体参数分析仪主机具有可扩展能力，可用插槽数目：不小于8个；
2. 具有4路SMU模块，可测量IV特性；其中2路中功率SMU模块输出能力：10mA@100V, 10mA@50V, 10mA@30V, 100mA@10V，其中2路高功率SMU模块输出能力：50mA@200V, 100mA@100V, 100mA@40V, 1A@20V, 1A@2V，SMU模块最小测量分辨率为：电流 50fA，电压 0.5uV；
3. 具有1路电容测量模块，电容测试模块测试频率范围：1kHz至5MHz，电容测试精度（1pF,1MHz）±1.2%；电容测量扫描方式：C-V（直流偏置），C-f(测试频率)；
4. 提供用于TO，DIP封装器件的测试夹具；
5. 仪表内置Window7操作系统，带触摸式显示屏
6. 提供专用的测试软件对仪表进行控制和提取测试数据，具有曲线追踪功能，便于观察器件击穿和饱和情况；
四、安装、售后及培训：
1、交货期：合同正式生效后45天内到货。
2、质保期：自验收之日起，仪器设备至少免费保修三年。
保修期内维修上门取货送货；
3、包含该设备运输，上楼搬运。
仪器安装、验收：专业工程师提供免费的安装调试，并按照出厂指标验收。
4、培训：免费提供该仪器设备培训；提供本设备全套操作教学视频。
五、注意事项：
招标现场提供相关证据，证明能达到的功能和参数。
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