现代内存颗粒编码细则
现代内存编号
现代内存编号一.能看懂HYSDRAM芯片编号的含义 :“GM”表示LGS公司，“HY”表示现代公司。
注:原先的7J、7K和75的现代内存粒颗是由LGS公司生产的，后来LGS和现代公司合并，从此对外都称为现代内存（HYUNDAI）;芯片格式：HY 5x x xxx xx x x xx x -xx1 2 3 4 5 6 7 8 9 10例如： HY 57 V 28 8 2 0 HG T -H1:HY-->现代公司(Hyundai)2:57-->SDRAM,"5D"为DDR3:V-->电压为3.3V,U——2.5v，空白为5v4:28--> 表示内存的大小为128M,(“16”为32Mbit、4K刷新;“28”为128Mbit、 K刷新;“64”为64Mbit、8K刷新“66”为64Mbit、4K刷新;“56”为256Mbit、 8K刷新) 5:8-->内存条芯片结构为8颗芯片（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6:2-->内存bank（储蓄位）为2,（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7:0-->此处为内存I／O接口，“0”=LVTTL，“1”=SSTL-3;8:HC-->内存的内核代号；9:T-->封装形式，“T”=TSOP，(“Q”=TQFP，“I”=BLP，“L”=CSP);10:H-->内存的频率为133MHZ,CL=35--200MHz55--183MHz6--166MHz7-->143MHz7.5--133MHZ注意:H-->PC133MHZ,CL=3;K-->PC133MHZ,CL=2频率都是7.5ns8--125MHz10P--100MHz（CL为2）10S--100MHz（CL为3）10--100MHz（PC66规格）K-->PC133,CL=2H-->PC133,CL=3P-->PC100,CL=2S-->PC100,CL=3二.购买注意事项:①购买时首先要能识别以上2,3,4,5,10重要的五个芯片编号参数;②检查芯片封装破损：只要小心观察芯片就能发现 ;③电路板造工粗糙：只要小心观察电路板就能发现，有毛刺和裂痕的绝不要买;④假冒或坏SPD：SPD芯片是一个非常重要的芯片,包含内存所有的重要信息,必须开机测试才能发现，在BIOS中把“SDRAM Control By”设成“BY SPD” ;⑤打磨：多粒芯片有刮痕且方向一致，字迹非常清晰的多数是把低级内存打磨成高级内存，真内存的标识字符通常较暗;⑥检查内存颗粒芯片周围的孔的大小是否一样,假的一般大小一致,有的甚至没有孔;⑦检查内存颗粒芯片的右下角凹下去的小圆部分,须将内存条倾斜这样便能观测出小圆孔是否反光、明亮,假的色泽暗淡,且很粗糙;⑧用软件检测内存条:自我感觉 CPUZ 1.31 绿色汉化版（/view_soft/1/2/CPUZ%201.31%20lvsehanhuaban.html）这个软件就是一个测试内存条标准的一个非常不错的软件,相信许多人都用个这种软件.⑨测量温度:这就要利用你的特殊软件--脸来感受一下了!在你的计算机上运行数小时后,将内存条拔下,放在你的敏感脸上(其他任何敏感部位都行),感受一下,到底是你脸的温度高呢?还是内存条的温度高?(当然前提你必须是一个健康的人,至少没有发高烧)如果测试结果是后者的话,那你的内存条,一定是一根劣质的内存条(此实验只适合在家测试).⑩选择单双面:我杂志上了解一些专业人士的意见,他们觉得单双面没有什么太大的区别;而有的人认为单面好,因为他的兼容性更好;我对这些看法都不干苟同.如果要区分那种更好的话,有两个办法能够判断,一个就是通过用户自己实践,自我感觉双面要好一些,还有一种方法就是问现代公司到底是先生产双面的还是单面的,具一般推理,较后生产的要好,因为一个公司的发展与进步,不可能在技术上没有提高.(⑨⑩纯属个人意见,竟供参考)通过对上面的阅读我相信大家对HYSDRAM应该有一定的了解了吧!还有一条在选择比较重要的就是在选择内存条是不要听那些奸商的花言巧语,让你去买那种所谓"新"的内存条(现代的SD内存条早就停产了,那些新的都是通过旧的翻新打磨的,其质量可以想象),现在我终于明白了一位经理所说的这样一句恐怖的话,现代新的内存条90%是假的!但我要说现代的所谓"新"的全是假的!(我感觉这句话并不恐怖,因为是我自己说的).。
内存颗粒编号识别方法
内存颗粒编号识别方法推荐文章win7系统64位怎么识别不了8G内存热度：内存条真假识别方法热度：电脑系统可以识别2GB内存为什么只有1GB可用热度：怎么识别DDR内存条热度： Win7识别不出8g内存怎么办热度：你们知道内存颗粒编号怎么识别吗?不知道的话跟着店铺一起来学习了解内存颗粒编号怎么识别。
内存颗粒编号怎么识别一现代颗粒具体含义解释：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM);3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A二三星颗粒例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
主流ddr4内存颗粒编码规则
主流ddr4内存颗粒编码规则
主流DDR4内存颗粒编码规则是一种用于存储和传输数据的内存技术。
DDR4内存是第四代双倍数据速率（Double Data Rate）动态随机存取内存（DDR SDRAM）。
每个DDR4内存芯片由许多内存颗粒组成，每个内存颗粒都有自己的编码规则。
DDR4内存颗粒编码规则通常遵循JEDEC标准（联合电子工程师会议）。
JEDEC标准定义了存储和提取数据所需的编码格式。
DDR4内存颗粒使用64位编码规则，这意味着每个颗粒可以同时传输或存储64位（8字节）的数据。
DDR4内存颗粒编码规则根据JEDEC标准将数据分为不同的组，每组由8位编码表示。
这些编码通常以16进制形式表示，使用0-9和A-F表示16个可能的值。
每个组的编码规则是固定的，这样计算机系统就可以准确地存储和提取数据。
除了数据之外，DDR4内存颗粒编码规则还包括一些附加的控制信号和错误检测纠正（ECC）码。
控制信号用于同步内存操作，并指示内存的读取和写入操作。
ECC码用于检测和纠正内存中的数据错误。
这些额外的编码规则确保数据的安全存储和传输。
总结来说，主流DDR4内存颗粒编码规则使用JEDEC标准定义了存储和传输数据所需的编码格式。
这些规则包括64位编码、16进制表示、控制信号和ECC
码等。
这些规则确保内存的正常操作，并保证数据的准确性和可靠性。
从芯片上看内存大小
Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；
-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；
AMIR是内部标识号.
红色金条是PC133内存；
金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；
绿色金条是PC100内存；
蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；
蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；
银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.
金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立.
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
教大家识别内存颗粒上的编号
教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。
2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
如何通过颗粒编号,识别当今现代（HYNIX）内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。
但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。
而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。
现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。
从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
内存命名规则
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。
看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPDIBM：BM NPNX：NN一.日本产系列：主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI［日立］。
1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。
它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。
市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。
空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：75：7.5ns［133MHz］80：8ns［125MHz］A60：10ns［PC-100 CL2或3］B60：10ns［PC-100 CL3］例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
现代SD内存颗粒编号含义
现代SD内存颗粒编号含义以现代为例，SDRAM芯片上的标识为以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM 。
第2个X代表工作电压，空白为5V，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：16： 16Mbits，4K Ref。
64： 64Mbits，8K Ref。
65： 64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。
是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为\"L\"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：JC ： 400mil SOJTC ： 400mil TSOP-ⅡTD ： 13mm TSOP-ⅡTG ： 16mm TSOP-Ⅱ最后几位为速度：7： 7ns (143MHz)8： 8ns (125MHz)10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)10s： 10ns (PC-100CL 3)10 ： 10ns (100MHz)12 ： 12ns (83MHz)15 ： 15ns (66MHz)注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4Krefresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
内存颗粒识别大全
很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普
通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列 7、一般Biblioteka T 8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
学会识别内存的颗粒编号
学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。
1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。
二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。
1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
ddr5内存颗粒编码规则方面的材料
在撰写这篇文章前，让我们先来对DDR5内存颗粒编码规则进行全面评估。
DDR5内存是当前电脑系统中使用的一种内存类型，它具有更高的带宽和更快的速度，被广泛应用于数据中心和高性能计算领域。
其中，颗粒编码规则是DDR5内存能够高效运行的重要基础之一。
1. DDR5内存概述DDR5内存采用了新的架构和技术，相比之前的DDR4内存，它具有更高的频率和带宽，可以提供更快的数据传输速度。
在现代计算机系统中，内存的性能对整体系统的表现有着至关重要的影响。
而DDR5内存颗粒编码规则则是其性能能够得到充分发挥的关键因素。
2. DDR5内存颗粒编码规则对于DDR5内存模块，内部的颗粒编码规则是非常重要的。
颗粒编码规则是指在内存模块中存储和读取数据时所采用的编码方式，它直接影响着内存的稳定性、可靠性和传输效率。
DDR5内存颗粒编码规则需要充分考虑数据的传输速度、信号干扰抑制、噪声容忍度等因素，以确保内存模块能够在高速运行时依然保持稳定和可靠。
3. DDR5内存颗粒编码规则的特点在DDR5内存颗粒编码规则中，常常会涉及到调制编码、差分信号传输、时钟同步等技术。
通过这些技术手段，DDR5内存可以实现更高的频率和更快的数据传输速度，从而满足当前高性能应用对内存带宽的需求。
DDR5内存颗粒编码规则还包括了一系列的纠错码和信号处理机制，以保证在高速传输时数据的准确性和稳定性。
4. 个人观点和理解在我看来，DDR5内存颗粒编码规则的设计是一项非常复杂而且具有挑战性的工作。
在高速数据传输的情况下，要求内存模块能够在不断提高的频率下保持稳定和可靠，这需要颗粒编码规则设计者在电路设计、信号处理和纠错码等方面做出卓越的工作。
随着数据中心和高性能计算领域的不断发展，DDR5内存颗粒编码规则的设计也在不断演进和完善，以满足新的需求和挑战。
总结回顾DDR5内存颗粒编码规则是DDR5内存能够实现高性能的重要基础之一。
它涉及了众多的技术手段和设计考量，以确保内存模块在高速运行时能够保持稳定和可靠。
DDR内存常用品牌颗粒识别
DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)标签：SDRAM 内存芯片的新编号A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。
空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。
内存编号
内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
内存条颗粒编码规则(旧)
内存条颗粒编码规则当你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。
虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
v第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
现代(Hynix)内存编号示含义
(2010-01-21 17:04:43)
转载▼
标签：
分类：电脑知识
电脑
ddr400
hynix
ddr内存
it
HY5DU56822AT-H
现代内存编号示意图
A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二
所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写
第1部分代表该颗粒的生产企业。
“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。
对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。
其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新
第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。
分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit
第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。
有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank
第7部分代表接口类型，由一个数字组成。
分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18
第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。
购买内存的时候版本越说明新电器性能越好
第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗
第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。
由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装
第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。
空白代表普通；S代表
Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC)
第12部分代表封装材料，由一个字母组成。
空白表示普通，“P”代表铅，“H”代表卤素，“R”代表铅和卤素。
总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。
<br>总的来说购买采用现代颗粒的DDR400内存条，最好购买编号是“HYXXXXXXXDX”，对于DDR400内存来说编号的尾数最好是“D43”，因为“D”代表的是最新版的现代DDR内存颗粒，在超频方面其表现非常出色的表现。
而“D43”所代表的是216MHz的工作频率，将其运用在DDR400内存中，实际上是将“D43”降频为“D4”使用，具有很强的超频能力。
对于目前内存市场的发展和其优惠价格来说，512MB/DDR400和DDR2/533内存是现在最值得购买的内存，无论是其价格还是在用料上都是非常优惠和出色的，最后提醒大家的是购买内存时要注意售后服务.。