立方氮化硼的合成
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化物等作触媒。 • 其中,IA、IIA族元素,和Sn、Pb、Sb以及它们的氮化物作触媒所合
成的CBN呈黑色,而金属硼氮化物触媒所合成的CBN为琥珀色、浅黄 色甚至无色。
12
触媒作用机理
• 关于触媒促使BN相变机制,温托夫(Wentorf )推 测这机制包含以下变化:一部分BN形成触媒金属 的氮化物,其余的溶解于生成的触媒氮化物中, 然后从中析出而形成立方结构。就是说,以六方 结构熔融,以立方结构结晶出来。 例如BN-Li3N系统,发现在合成过程中形成了一 种弱结合复合物,其组成接近于Li3N·3BN。认为 这种复合物起着溶剂的作用溶解了剩下的六方氮 化硼。由于合成压力温度处于CBN稳定条件下, 所以溶解了HBN以CBN的形式析出。
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又例如Mg-BN系,无论初始材料用Mg还是 Mg3N2为触媒,但在最后合成CBN过程中 总能找到Mg3B2N4相存在于合成产物中。可 以设想,CBN的生长是通过在BNMg3B2N4共晶液中的溶解及析出过程来完成 的。过量的HBN溶解并以CBN形式析出, 成为Mg-BN系中CBN形成的机制。
14
16
图 BN的P-T相平衡图。在相应的区域,wBN和cBN自发地从hBN中形成
17
p、T也要适当匹配,提高工作压力将导致晶粒 细化;采取“提前升温”和“缓慢升压”措施, 对增大晶粒尺寸和改善质量同样是有效的。
在合成条件下,通常是维持2~5min或更长一些 时间。在稳定的压力温度条件下,CBN晶体随时 间的延长而长大,这也与金刚石生长规律一样。
静压触媒法合成CBN,应选择结晶程度低、晶粒度细小、 杂质含量低的BN原料,以利于生长优质CBN。实践表明, 选用乱层结构的BN作原料,有利于获得粒度较粗,质量 较好CBN。所谓乱层结构,是指HBN的各层间不完全对准, 即晶体C轴方向的对应性较差。BN原料纯度要高,若含有 百分之几的氧化物(如B2O3)和水分等杂质,触媒有效性将 显著下降。
液
压
操
பைடு நூலகம்系 统
作 台
高压腔示意 图
3
• 该设备包括主机、电控系统、液压系统、 加热系统和操作台五个部分。
• 能够提供合成立方氮化硼所需要的温度和 压力,以及我们要维持温度和压力所要的 时间。
4
• 除该设备以外,还需要原材料处理设备,如真空 净化设备,以保障原材料的去湿、脱氧和去除其 他低熔点杂质。处理的目的是充分保证材料的化 学反应活性。
11
触媒材料
• 能够合成CBN的触媒材料是多种多样的,这与合成金刚石通常采用周 期表中过渡金属及其合金作触媒的情况有所不同。最初,人们也期望 用金刚石触媒合成CBN,发现不行,转而寻求其他材料。
• 合成CBN的触媒金属或合金元素遍及周期表中的各个区域,包括s区、 d区、ds区和p区,甚至发现某些非金属化合物也能成功地使HBN转化 成为CBN。
此外、还要求较大的密度。这是因为BN和触媒通常是以 粉状混合,如果密度较大,则可减少生长室在受高压挤压 时出现的严重变形。
目前国内实际采用的BN原料大多为乱层结构BN,BN含 量高于95%,密度大于1.9g/cm3。
10
• 这里要注意的是结晶程度! 结晶程度高的六方石墨化度高,经我们实
验,结晶程度高的六方氮化硼有以利于生 长优质CBN,为什么与上面书本上讲的不 一样呢???大家请课后思考。
• (1)碱金属、碱土金属及其氮化物,如Li、Mg、Ca、Mg3N2等。 • (2)碱金属、碱土金属的硼氮化物,如Mg3B2N4、Ca3B2N4等。 • (3)铝基合金触媒,如 Al-Si、A1-Ni、Al-Cr、Al-Mn、Al-Co等。 • (4)尿素及某些铵化物触媒,如硝酸铵、硼酸铵等。 • (5)水作触媒,其特点是生成的CBN很细。 • (6)周期表中IVB、VB、VIB、VIIB族过渡金属的硼化物、氮化物、硅
• 立方氮化硼合成工艺流程
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• 两个关键工序: • 高温高压合成
合成的温度、压力与所用的触媒原材料有 关。合成压力温度高低以及升温升压程序 对结晶状况的影响,虽不像合成金刚石那 样敏感,但规律性是一致的。主要表现在 以下几方面:工作点的p、T愈接近平衡线, 所获得的尺寸愈大;下图为CBN 相图
• 混料设备,混料设备的作用是将六方氮化硼和其 他原料充分混合均匀。
• 压料设备,压料设备的目的是将粉体形状的原材 料压制成生产上所需要尺寸的棒料,同时保障棒 料的密度,以利于传压。
• 后处理设备,后处理设备是将立方氮化硼从合成 后的棒料提纯出来。
5
• 主要原材料:六方氮化硼和触媒
氮硼化合物
6
六方氮化硼
立方氮化硼的合成
1
内容
立方氮化硼合成所需的设备 立方氮化硼合成所需的原材料以及对单晶合
成的影响 合成的工艺流程以及后处理工艺 重点讲解:原材料以及对单晶合成的影响
2
• 立方氮化硼合成所需的设备
我们知道,人造金刚石合成需要六面顶超高压设备,同 样,立方氮化硼的合成也需要这种超高压设备
主 机
主机
电控 系统
7
• 式中:G. I—类石墨结构的BN样品的结晶 化程度—三维有序程度。S—X射线衍射图 上各个特征反射峰(100)、(101)、(102)的 面积。
8
• 图14-9为以硼砂和尿素为原料等离子技术 制备BN的X射线衍射图;表14-3中晶粒度 Lc表示六方平面层沿c轴方向的堆积厚度。
9
六方氮化硼对合成的影响
• 六方氮化硼也是人工合成的产物,一般有三种制 备方法: (1).以尿素和硼砂为原料生产hBN(以河南地区厂 家为主); (2).以氯化铵和硼砂为原料生产hBN(以山东、东 北厂家为主); (3).以三聚氰胺和硼砂为原料生产hBN(以东北厂家 为主)。
由于制备工艺的不同,氮化硼的结晶程度可在二维至三 维有序结构(包括中间结构)的很宽的范围内变化。为了表 征氮化硼的三维有序化程度,通常采用Thomas等人定义 的描写三维有序化的石墨化指数G.I表示。定量计算可用 式(14-2)计算。
一般压力为4.5~6.0GPa,温度为 1400~1900℃,合成时间约在2~10 min。
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• 提纯工序:包括碱处理、酸处理与水洗等。
为了得到纯净的立方氮化硼晶体,对合成的试样必须经过提纯处理。因 为在合成过程中除了一部分六方氮化硼转化为立方氮化硼以外,还有残余的 未转化的六方氮化硼混在立方氮化硼中,另外在合成过程中还有触媒、混杂 的石墨、叶腊石等,这些必须除掉后才能得到纯净的立方氮化硼晶体。
成的CBN呈黑色,而金属硼氮化物触媒所合成的CBN为琥珀色、浅黄 色甚至无色。
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触媒作用机理
• 关于触媒促使BN相变机制,温托夫(Wentorf )推 测这机制包含以下变化:一部分BN形成触媒金属 的氮化物,其余的溶解于生成的触媒氮化物中, 然后从中析出而形成立方结构。就是说,以六方 结构熔融,以立方结构结晶出来。 例如BN-Li3N系统,发现在合成过程中形成了一 种弱结合复合物,其组成接近于Li3N·3BN。认为 这种复合物起着溶剂的作用溶解了剩下的六方氮 化硼。由于合成压力温度处于CBN稳定条件下, 所以溶解了HBN以CBN的形式析出。
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又例如Mg-BN系,无论初始材料用Mg还是 Mg3N2为触媒,但在最后合成CBN过程中 总能找到Mg3B2N4相存在于合成产物中。可 以设想,CBN的生长是通过在BNMg3B2N4共晶液中的溶解及析出过程来完成 的。过量的HBN溶解并以CBN形式析出, 成为Mg-BN系中CBN形成的机制。
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图 BN的P-T相平衡图。在相应的区域,wBN和cBN自发地从hBN中形成
17
p、T也要适当匹配,提高工作压力将导致晶粒 细化;采取“提前升温”和“缓慢升压”措施, 对增大晶粒尺寸和改善质量同样是有效的。
在合成条件下,通常是维持2~5min或更长一些 时间。在稳定的压力温度条件下,CBN晶体随时 间的延长而长大,这也与金刚石生长规律一样。
静压触媒法合成CBN,应选择结晶程度低、晶粒度细小、 杂质含量低的BN原料,以利于生长优质CBN。实践表明, 选用乱层结构的BN作原料,有利于获得粒度较粗,质量 较好CBN。所谓乱层结构,是指HBN的各层间不完全对准, 即晶体C轴方向的对应性较差。BN原料纯度要高,若含有 百分之几的氧化物(如B2O3)和水分等杂质,触媒有效性将 显著下降。
液
压
操
பைடு நூலகம்系 统
作 台
高压腔示意 图
3
• 该设备包括主机、电控系统、液压系统、 加热系统和操作台五个部分。
• 能够提供合成立方氮化硼所需要的温度和 压力,以及我们要维持温度和压力所要的 时间。
4
• 除该设备以外,还需要原材料处理设备,如真空 净化设备,以保障原材料的去湿、脱氧和去除其 他低熔点杂质。处理的目的是充分保证材料的化 学反应活性。
11
触媒材料
• 能够合成CBN的触媒材料是多种多样的,这与合成金刚石通常采用周 期表中过渡金属及其合金作触媒的情况有所不同。最初,人们也期望 用金刚石触媒合成CBN,发现不行,转而寻求其他材料。
• 合成CBN的触媒金属或合金元素遍及周期表中的各个区域,包括s区、 d区、ds区和p区,甚至发现某些非金属化合物也能成功地使HBN转化 成为CBN。
此外、还要求较大的密度。这是因为BN和触媒通常是以 粉状混合,如果密度较大,则可减少生长室在受高压挤压 时出现的严重变形。
目前国内实际采用的BN原料大多为乱层结构BN,BN含 量高于95%,密度大于1.9g/cm3。
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• 这里要注意的是结晶程度! 结晶程度高的六方石墨化度高,经我们实
验,结晶程度高的六方氮化硼有以利于生 长优质CBN,为什么与上面书本上讲的不 一样呢???大家请课后思考。
• (1)碱金属、碱土金属及其氮化物,如Li、Mg、Ca、Mg3N2等。 • (2)碱金属、碱土金属的硼氮化物,如Mg3B2N4、Ca3B2N4等。 • (3)铝基合金触媒,如 Al-Si、A1-Ni、Al-Cr、Al-Mn、Al-Co等。 • (4)尿素及某些铵化物触媒,如硝酸铵、硼酸铵等。 • (5)水作触媒,其特点是生成的CBN很细。 • (6)周期表中IVB、VB、VIB、VIIB族过渡金属的硼化物、氮化物、硅
• 立方氮化硼合成工艺流程
15
• 两个关键工序: • 高温高压合成
合成的温度、压力与所用的触媒原材料有 关。合成压力温度高低以及升温升压程序 对结晶状况的影响,虽不像合成金刚石那 样敏感,但规律性是一致的。主要表现在 以下几方面:工作点的p、T愈接近平衡线, 所获得的尺寸愈大;下图为CBN 相图
• 混料设备,混料设备的作用是将六方氮化硼和其 他原料充分混合均匀。
• 压料设备,压料设备的目的是将粉体形状的原材 料压制成生产上所需要尺寸的棒料,同时保障棒 料的密度,以利于传压。
• 后处理设备,后处理设备是将立方氮化硼从合成 后的棒料提纯出来。
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• 主要原材料:六方氮化硼和触媒
氮硼化合物
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六方氮化硼
立方氮化硼的合成
1
内容
立方氮化硼合成所需的设备 立方氮化硼合成所需的原材料以及对单晶合
成的影响 合成的工艺流程以及后处理工艺 重点讲解:原材料以及对单晶合成的影响
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• 立方氮化硼合成所需的设备
我们知道,人造金刚石合成需要六面顶超高压设备,同 样,立方氮化硼的合成也需要这种超高压设备
主 机
主机
电控 系统
7
• 式中:G. I—类石墨结构的BN样品的结晶 化程度—三维有序程度。S—X射线衍射图 上各个特征反射峰(100)、(101)、(102)的 面积。
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• 图14-9为以硼砂和尿素为原料等离子技术 制备BN的X射线衍射图;表14-3中晶粒度 Lc表示六方平面层沿c轴方向的堆积厚度。
9
六方氮化硼对合成的影响
• 六方氮化硼也是人工合成的产物,一般有三种制 备方法: (1).以尿素和硼砂为原料生产hBN(以河南地区厂 家为主); (2).以氯化铵和硼砂为原料生产hBN(以山东、东 北厂家为主); (3).以三聚氰胺和硼砂为原料生产hBN(以东北厂家 为主)。
由于制备工艺的不同,氮化硼的结晶程度可在二维至三 维有序结构(包括中间结构)的很宽的范围内变化。为了表 征氮化硼的三维有序化程度,通常采用Thomas等人定义 的描写三维有序化的石墨化指数G.I表示。定量计算可用 式(14-2)计算。
一般压力为4.5~6.0GPa,温度为 1400~1900℃,合成时间约在2~10 min。
18
• 提纯工序:包括碱处理、酸处理与水洗等。
为了得到纯净的立方氮化硼晶体,对合成的试样必须经过提纯处理。因 为在合成过程中除了一部分六方氮化硼转化为立方氮化硼以外,还有残余的 未转化的六方氮化硼混在立方氮化硼中,另外在合成过程中还有触媒、混杂 的石墨、叶腊石等,这些必须除掉后才能得到纯净的立方氮化硼晶体。