二极管,三极管部分习题集

合集下载

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是:A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时,其特性是:A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应:A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是:A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中,基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时,______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时,电流会迅速增大。

()2. 三极管工作在饱和状态时,基极电压高于发射极电压。

()3. 二极管具有单向导电性,可以用来实现整流功能。

()4. 三极管放大电路中,集电极电流与基极电流成反比关系。

()四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V,正向电流为10mA,求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中,基极电流为1mA,集电极电流为10mA,求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中,输入信号电压为1V,输出信号电压为10V,求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用,并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系,并解释为什么三极管能够实现信号放大。

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+参考答案一.填空题:(共59题)1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器,两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器,两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中,如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下,三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。

(完整版)二极管习题

(完整版)二极管习题

二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中,U A0 电压为( ) (a )12V (b )-9V (c )-3V2 在题 1.2 图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 D1、D2、D3 的工作状 态为( ) 。

(a )D1 导通,D2、D3 截止 (b )D1、D2 截止,D3 导通 (c )D1、D3 截止,D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 D1、D2 的工作状态为 ( ) 。

(a )D1 导通,D2、截止 (b )D1、D2 均导通 (c )D1、截止,D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中,D1、D2 为理想元件,则电压 U0 为( ) (a )3V (b )5V (c )2V5 电路如题 1.5 图(a )所示,二极管 D 为理想元件,输入信号 ui 为图(b )所 示的三角波,则输出电压 u0 的最大值为( ) 。

(a )5V (b )17V (c )7V6 在题 1.6 图所示电路中,二极管为理想元件,uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). (a )3V (b )2sinωtV (c )3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中,二极管为理想元件,则输出电压 U0 为( ) (a )3V (b )0V (c )-12V8 在题 1.8 图(1)所示电路中,二极管 D 为理想元件,设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ,正向压降不计,则输出电压 u0 的波形为图(2)中的 波形( )12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中,稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V,DZ2 的稳定电压为12V,则输出电压U0 等于()。

(a)12V (b)6V (c)18V10 在题1.10 图所示电路中,稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V,正向电压降都是0.7V。

第一章 二极管试题打印

第一章 二极管试题打印

一.选择题(60分)1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。

若把电源电压调到V1=10V ,则电流的大小将是___。

A 、I=2mAB 、I<2mAC 、I>2mA2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C 时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时, 则Vd 的大小将是___。

A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A 、B 、C 白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。

A 、B B 、C C 、A6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。

当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时,用黑表笔(带正电)接A 点,红表笔(带负电接B 点),则万用表的指示值为___.A 、18欧姆B 、6欧姆C 、3欧姆D 、2欧姆7.在同一测试电路中,分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好?A 、AB 、BC 、C10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。

A 、Vo=13VB 、Vo=1.4VC 、Vo=5VD 、Vo=0.7V1.场效应管属于__ 控制型器件。

2.在图1.1.9所示电路中,已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性,求输出电压Vo=__。

3.在图1.1.10所示电路中,已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性,求输出电压Vo=__。

4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。

5.如图1.1.8所示。

试估算A 点的电位为__。

第一章二极管及其应用(1)第一章二极管及其应用(2)1、填空:(每空1分40分)(1)、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。

电子技术习题册

电子技术习题册

电子技术习题册一、判断题(正确的在括号内打“√”,错误的打“X”)1. 半导体随温度的升高,电阻会增大。

()2.PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。

()二、选择题1.PN结的最大特点是具有()。

A. 导电性B.绝缘性C.单向导电性 2.半导体受光照,导电性能()。

A. 增强B.减弱C.不变 3.最常用的半导体材料是()。

A. 铜B.硅C.铝D. 锗一、判断题1. 二极管是线性元件。

()2. 一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。

()3. 不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V。

() 4. 二极管具有单向导电性。

()5. 二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。

()6.当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压时,其反向电流迅速增加。

() 7. 二极管加正向电压时一定导通。

() 8. 二极管加反向电压时一定截止。

() 9.有两个电极的元件都叫二极管。

()10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。

()11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

() 12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。

() 13. 发光二极管可以接收可见光线。

()14. 若增大变容二极管两端的的反向电压,其接电容减小。

()二、选择题1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时,硅二极管()。

A:立即导通B:到0.3V才开始导通C:超过死区电压时才开始导通 D:不导通 2.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管()。

A:基本正常 B:将被击穿C:将被烧坏 D:电流为03.当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。

A:很小的电阻 B:很大的电阻 C:短路 D:电阻4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压(). A:约等于150V B:略大于150V C:等于75VD:等于300V5.当环境温度升高时,二极管的反向电流将()。

完整版二极管习题

完整版二极管习题

二极管电路习题一、选择题1、在题1.1图所示电路中,U AO 电压为( (a ) 12V(b ) -9V(c ) -3V2在题1.2图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则(a ) D1导通,D2、D3截止(c ) D1、D3截止,D2导通题1.1图D1、D2为理想元件,则电压 U0为( )(c ) 2V5电路如题 1.5图(a )所示,二极管 D 为理想元件,输入信号 ui 为图(b )所示的三角波,则输出电压uO 的最大值为()。

D1、D2、D3的工作状态为() (b )D1、D2截止,D3导通 ,V R6在题1.6图所示电路中,二极管为理想元件, (a ) 3V (b ) 2sin 3 tV (c ) 3+2sin 3 tVuA=3v,uB=2sin 3 ,R=4K Q ,则 uF 等于().士 12V9V3在题1.3图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 (a ) D1导通,D2、截止 (b ) D1、D2均导通(c ) D1、截止,D2导通D1、D2的工作状态为 ()。

ia 1.7D2-7在题1.7图所示电路中,二极管为理想元件,则输出电压 (a ) 3V (b ) 0V (c )— 12V 8在题1.8图(1)所示电路中,二极管 定电压为6V ,正向压降不计,则输出电压U0 为()D 为理想元件,设 u0的波形为图( u 仁2sin 3 t 稳压二极管 DZ 的稳 2)中的波形()甌1.3闾4在题1.4图所示电路中, (a ) 3V (b ) 5V(a) 5V ( b) 17V ( c) 7V9亦膻14图祈示堪時屮.憩压二機管Dzm的稳疋电压为&V,贬的稳定电压为I2V,则输出电压5智十t )t(d) 12V (IO 6V (c) 18VR—---------- ------ >UQ/V⑴(rl) 3V(b) 15V(c) -3V-l jDEJ10吝通图所示电路中,稳压二(ft曽騷和Ito的稳定电压分别为磧抑站、疋向电圧降祁是0・丹刚电乐W苇! '■( >9在题1.9图所示电路中,稳压二极管出电压U0等于()。

《电工与电子技术基础》电子部分习题

《电工与电子技术基础》电子部分习题

第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管(第一课时)一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是()A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为()A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。

2、PN结具有的性能,即:加电压时PN结导通;加的电压时PN结截止。

三、解答题1、图所示的电路中,哪些灯泡能发亮?第一节晶体二极管(第二课时)一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该二极管处于()A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于()A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应该把欧姆挡拨到()A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压,则晶体二极管相当于()A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时,该二极管相当于()A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为V,锗二极管的正向压降为V。

2、晶体二极管因所加电压过大而。

并出现的现象,称为热击穿。

3、下面每小题后面的括号内,提供几种答案,选择正确的填在相应的横线上。

(1)简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结?(能;不能;不一定)(2)二极管导通时,则二极管两端所加的是电压。

(正向偏置;反向偏置;无偏置)(3)当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时,二极管才能导通。

(击穿;饱和;门槛)(4)二极管两端的反向偏置电压增高时,在达到电压以前,通过的电流很小。

(击穿;最大;短路)第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中,试分析输入端a、b间输入交流电压υ时,通过R1、R2两电阻上的是交流电,还是直流电?2、若将单相桥式电路接成如图的形式,将会出现什么结果,应如何改正?3、如图所示两个电路中,设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零,反向截止时其反向电阻无穷大的二极管),试判断两图中的二极管是截止的还是导通的,A、B两端的电压V AB=?C、D端的电压V CD=?4、画出半波整流电路图。

电子线路单元测试题(三极管部分)

电子线路单元测试题(三极管部分)

电子线路单元测试题(三极管部分)根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一判断题:(每题2分,共46分)1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。

()2.晶体三极管工作在放大状态的条件是:集电结反偏,发射结正偏。

()3.三极管按半导体材料分为NPN型和PNP型。

()4.晶体三极管工作在放大状态时,如同开关闭合。

()5.三极管相当于两个反接的二极管,所以任何一极断开后还可以作为二极管使用。

()6晶体三极管具有两个PN结,二极管具有一个PN结,因此可以把两个二极管反向连接起来当作一只三极管使用()7.放大状态,饱和状态,截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。

()8. NPN型三极管是由硅材料制成的。

()9. NPN型三极管工作在放大状态,三个极的电位必须符合不等式UC >UB>UE()10.三极管具有三个极,分别为:基极 (B),集电极(C),发射极(E)。

()11.β称为交流电流放大系数,它表示三极管放大交流电流的能力()12三极管的电流放大作用指的是在一定条件下流过集电极电流IC 是基极电流IB的若干倍.()13.有人用直流电压表测量某放大状态的晶体管的UBE=0.3V,则判断为硅型三极管。

()14. 三极管的β值,在电路中一般取30到80为宜。

()15.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。

()16.三极管中电流分配关系是:IE =IC+IB()17.三极管构成的放大电路有:放大、饱和、截止三种连接形式。

()18. 三极管极间正向饱和电流随温度而改变。

()19.场效应管具有热稳定性好、输入电阻高、易集成、成本低等优点。

()20.三极管极间反向饱和电流随温度而改变。

()21.β称为直流电流放大系数,它表示三极管放大直流电流的能力()22. 三极管构成的放大电路有三种组态为:共发射极组态、共集电极组态和共基极组态. ()23. 三极管中电流分配关系是:发射极电压等于基极电压和集电极电压之和. ()二选择题:(每题2分,共54分)1.实现晶体三极管放大的条件是()A. 发射极,集电结均反偏B. 发射结正偏,集电结反偏C. 发射结,集电结均正偏D. 发射结反偏,集电结正偏2.满足△IC=β△IB的关系时,三极管一定工作在()A.截止区B.放大区C.饱和区D.以上都可以3.测得三极管ib=30μA时ic=2.4mA而ib=40μA时ic=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()A. 60B. .75 C 80 D.1004.有a ,b两只三极管,a管β=120 、ICEO=200mA, b管β=50 、ICEO=5mA,其它参数相同,应选用()管比较合适A.aB.b C.a 、b同样适合D. a 、b都不适合5.测得工作在放大状态的某三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为:()A.0.03mA 流进三极管 c、e、bB.0.03mA 流出三极管 c、e、bC.0.03mA 流进三极管 e、c、bD.0.03mA 流出三极管 e、c、b6.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态D.截止状态7.测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图,该晶体管工作在()A. 倒置状态B. 饱和状态C. 放大状态D.截止状态8.NPN型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。

晶体二极管三极管测试题

晶体二极管三极管测试题

晶体二极管、三极管测试题中国计量学院2021 ~ 2021学年第二学期《模拟电子线路》单元考试试卷开课系部:信息工程学院 _ ,考试时间:年____月____日时考试形式:闭卷□√、开卷□,允许带笔、尺子、计算器等文具入场考生姓名:学号:专业:班级:题序得分评卷人一二三四五六七总分一、选择题(共22分,1-6,8各2分,第七题1分) 1、稳压二极管是工作在伏安特性的()区。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.放大区 2、某三极管工作于放大状态,则其发射结和集电结的偏置为( )。

装 A. 正偏,正偏B. 正偏,反偏 C. 反偏,正偏 D. 反偏,反偏 3、下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是 ( )。

++ RLRLVi Vi 定 --AB++ 线ViViC--D4、共集电极放大电路的特点是( )。

A.输入电阻很小,输出电阻很大 B. 输入电阻很大,输出电阻很小 C.电压放大倍数很高 D. 可用作振荡器5、下列各组态放大电路中,既有电压放大作用,又有电流放大作用是()A.共射组态 B. 共基组态 C. 共集组态6、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100 7、现有直接耦合基本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路2021-2021(二)中国计量学院《模拟电子线路》单元考试试卷共 6 页第 1 页选择正确答案填入空内,只需填A、B、……(1)输入电阻最小的电路是,最大的是;(2)输出电阻最小的电路是;(3)有电压放大作用的电路是;(4)有电流放大作用的电路是;(5)高频特性最好的电路是;(6)输入电压与输出电压同相的电路是;反相的电路是。

8、某电路中晶体三极管的符号如图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在()A. 放大状态B. 饱和状态5VC. 截止状态1.7VD. 状态不能确定1V二、 1、(6分)如图所示电路中,D为硅二极管,导通电压为0.7V,求Vo和I。

二极管三极管练习题(学生用)

二极管三极管练习题(学生用)

一、填空题1.纯净的具有晶体结构的半导体称为,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2.本征半导体的主要特性有、、。

3.杂质半导体中有和两种载流子参与导电,其中带正电,而带负电。

4.N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素,其多数载流子是_ ___,少数载流子是__ _。

5.P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素,其多数载流子是____ _,少数载流子是__ __ _。

6.已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示,请指出各为何种类型的杂质半导体:(a)为;(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7.PN结正向偏置时,内、外电场方向;PN结反向偏置时,内、外电场方向。

8.PN结具有性,______偏置时导通,______偏置时截止。

9.PN结的电击穿包括和两类。

10.按材料不同,二极管可分为和两类。

11.按制造工艺及结构不同,二极管可分为、两类。

12.二极管P区接(高,低)电位端,N区接(高,低)电位端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有性。

13.U T为温度的电压当量,当温度为室温时,U T≈mV。

14.三极管属控制型器件。

15.在构建放大电路时,双极型三极管应工作于区,即发射结应为偏置,集电结应为偏置。

16.根据器件的符号填上器件的名称:7.某三极管,当测得A I B μ30=时,mA I C 2.1=,则发射极电流=E I mA18.根据图0014填空(设晶体管处于放大状态)。

图001419.某处于放大状态的三极管,测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ,U 2=-6V ,U 3=-6.2V ,则三极管为 型管。

单项选择题1.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2.当环境温度降低时,二极管的反向电流( )A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3.用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1k Ω,说明该二极管( )。

(完整word版)常用半导体元件习题及答案

(完整word版)常用半导体元件习题及答案

第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题:1.半导体材料的导电能力介于和之间,二极管是将封装起来,并分别引出和两个极。

2.二极管按半导体材料可分为和,按内部结构可分为_和,按用途分类有、、四种。

3.二极管有、、、四种状态,PN 结具有性,即。

4.用万用表(R×1K档)测量二极管正向电阻时,指针偏转角度,测量反向电阻时,指针偏转角度。

5.使用二极管时,主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。

6.二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。

7.硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为 V;硅二极管的死区电压约为 V,锗二极管的死区电压约为 V。

8.当加到二极管上反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象。

9.利用万用表测量二极管PN结的电阻值,可以大致判别二极管的、和PN结的材料。

二、选择题:1. 硅管和锗管正常工作时,两端的电压几乎恒定,分别分为( )。

A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。

2.判断右面两图中,UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时,应将万用表欧姆档拨到()Ω档。

A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大,说明 ( ) 。

A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时,该二极管相当于( ) 。

A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6.二极管的正极电位是-20V,负极电位是-10V,则该二极管处于()。

A.反偏 B.正偏 C.不变D. 断路7.当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A.增大 B.减小 C.不变D. 不确定8.PN结的P区接电源负极,N区接电源正极,称为()偏置接法。

电子技术基础(含答案)

电子技术基础(含答案)
82.电路如图所示,晶体管的=80, =100Ω。分别计算RL=∞时的Q点、 、Ri和Ro。
83.已知图所示电路中晶体管的=100,rbe=1kΩ。
(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,估算Rb约为多少千欧;
(2)若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻RL为多少千欧?
84.放大电路如图所示,已知图中Rb1=10kΩ, Rb2=2.5kΩ,Rc=2kΩ,Re=750Ω,RL=1.5kΩ,Rs=10kΩ,Vcc=15V,β=150。设Cl,C2,C3都可视为交流短路,试用小信号分析法计算电路的电压增益AV,源电压放大倍数AVS,输入电阻Ri,输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏,则三极管处于的状态是( )
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( )失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是( )
A.电压放大倍数无穷大,输出电阻高,输入电阻低
B.电压放大倍数接近1,输出电阻低,输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中,可用作电压跟随器的是( )。
A.差分放大电路B.共基放大电路C.共射放大电路D.共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是( )。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路,所谓开环是指( )。
A.无信号源 B.无反馈通路 C.无电源 D.无负载
41.整流的目的是( )。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件?A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少?A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能?A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应?A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是:A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下,基极电流与集电极电流的关系是:A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路?A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中,输入信号与输出信号相位关系为:A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。

10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。

11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。

12. 二极管正向导通时,其正向电阻________,反向截止时,其反向电阻________。

13. 三极管在放大状态时,基极电流________,集电极电流________。

14. 三极管放大电路中,输入信号与输出信号的相位关系为________。

三、判断题15. 二极管具有单向导电性。

()16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。

()17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。

()18. 三极管放大电路中,输入信号与输出信号相位相同。

()19. 二极管和三极管都是半导体器件。

1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放

1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放

半导体基本知识和半导体器件(二极管、三极管、场效应管、集成运放)一、选择题:1、PN结外加正向电压时,其空间电荷区()。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时,其空间电荷区()。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I s将增大,是因为此时PN结内部的()A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时,其内电场被()。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度(0K)和没有外界激发时,本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以()。

A.减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中,()器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时,()。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏,集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏,集电结正偏9、稳压二极管稳压时,其工作在( ),A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用()电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A.输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管,已知V1的β1 = 30,V2的β2 =50,则复合后的β约为()。

A.1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时,工作在( )。

二极管、三极管练习题

二极管、三极管练习题

二极管、三极管习题一、填空题1、晶体三极管通过改变来控制。

2、对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三管处于_______ 状态。

3、一个三极管有两个PN结,分别称为结和结。

4、PN结具有性,即加正向电压时,PN结,加反向电压时,PN结5、半导体二极管按其所使用的材料可分为管和管两类。

6、硅管的死区电压约为V,锗管的死区电压约为V。

7、半导体三极管的结构分为三个区,分别是区、区、区。

8、三极管按其内部结构分为和两种类型9、三极管三个电极的电流存在关系。

10、三极管有三个工作状态,即、和状态,状态具有放大作用。

11、、三极管工作在截止状态时,相当于开关;工作在饱和状态时,相当于开关。

二、选择题1、晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为()。

(a) 发射结反偏,集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏,集电结反偏2、半导体二极管的主要特点是具有()。

(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用3、稳压管起稳压作用,是利用它的()。

A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性4、二极管两端加上正向电压时()A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在()。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

(完整版)电子技术基础(含答案)

(完整版)电子技术基础(含答案)

《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为08001)共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是()。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中()。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是()。

(完整版)二极管习题

(完整版)二极管习题

二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中,U A0 电压为( ) (a )12V (b )-9V (c )-3V2 在题 1.2 图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 D1、D2、D3 的工作状 态为( ) 。

(a )D1 导通,D2、D3 截止 (b )D1、D2 截止,D3 导通 (c )D1、D3 截止,D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中,所有二极管均为理想元件,则 D1、D2 的工作状态为 ( ) 。

(a )D1 导通,D2、截止 (b )D1、D2 均导通 (c )D1、截止,D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中,D1、D2 为理想元件,则电压 U0 为( ) (a )3V (b )5V (c )2V5 电路如题 1.5 图(a )所示,二极管 D 为理想元件,输入信号 ui 为图(b )所 示的三角波,则输出电压 u0 的最大值为( ) 。

(a )5V (b )17V (c )7V6 在题 1.6 图所示电路中,二极管为理想元件,uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). (a )3V (b )2sinωtV (c )3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中,二极管为理想元件,则输出电压 U0 为( ) (a )3V (b )0V (c )-12V8 在题 1.8 图(1)所示电路中,二极管 D 为理想元件,设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ,正向压降不计,则输出电压 u0 的波形为图(2)中的 波形( )12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中,稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V,DZ2 的稳定电压为12V,则输出电压U0 等于()。

(a)12V (b)6V (c)18V10 在题1.10 图所示电路中,稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V,正向电压降都是0.7V。

二极管、三极管放大电路练习题

二极管、三极管放大电路练习题

R
Ui
D
VD+ = Ui = 5V
+
U0
_
VD- =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD+ - VD- =5V
例1:设二极管为理想二极管,试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+-UD-≥UF,二极管导通,等效为UF恒压源; UD+-UD-<UF,二极管截止,等效为断路。 • 折线模型
UD+-UD-≥Uth,二极管导通,等效为Uth恒压源串联电阻; UD+-UD-<Uth,二极管截止,等效为断路。
例1:设二极管为理想二极管,试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法:
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开,然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压,则说明该二极管导通, 两端的实际电压为二极管的导通电压;如果该电压小于导 通电压,则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见,二极管接入后,反向偏置,VD处于截止状态。电 路中电流为0,电阻上压降为0,所以
Vo=VB=VC=-5V
3:设二极管为理想二极管,试判断各个二极管 的工作状态,求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开,设0电位点
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

模拟电子技术部分习题及答案——直流稳压电源项目一、二极管与三极管的基础知识二极管习题一、熟悉概念与规律1.半导体2.P型半导体3.N型半导体4.PN结5.单向导电性6.整流二极管7.稳压二极管8.发光二极管9.开关特性10.三极管11.三极管的饱合特性12.三极管的截止特性13.三极管的放大特性二、理解与计算题1.当温度升高时,二极管的正向压降_ 变小,反向击穿电压变小。

2.硅稳压二极管并联型稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串联,此限流电阻的作用是(C——调压限流)。

A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用3. 有两个2CW15 稳压管,一个稳压值是8V,另一个稳压值是7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是(B——7.5V)。

8V;B、7.5V;C、15.5V4.稳压管DW稳压值为5.3V,二极管VD正向压降0.7V,当VI 为12V时,DW和VD 是否导通,V0 为多少?R电阻的作用。

答:DW和VD 不导通,V0 为5.3V,R电阻的作用是分压限流。

5.下图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?()6.在图所示的电路中,当电源V=5V 时,测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将_____。

A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA7.图所示电路,设Ui=sinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。

8.图所示的电路中,Dz1 和Dz2 为稳压二极管,其稳定工作电压分别为6V 和7V,且具有理想的特性。

由此可知输出电压Uo 为_______。

9.二极管最主要的特性是____________,它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。

10.图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路,试指出图中有哪些错误,并在图上加以改正。

11.电路如图所示。

已知v2 有效值足够大,合理连线,构成5V 的直流电源。

12.桥式整流滤波电路,以知v21=20×1.414Sinωt(V)。

在下列情况时,说明Vo 端对应的直流电压平均值Vo(av)应为多少。

(1)电容C 因虚焊未接上。

(2)有电容但RL 开路。

(3)整流桥中有一个二极管因虚焊断路,有电容C,RL=∞。

13.设二极管正向电阻为零,反向电阻无穷大,判断如图所示电路的输出端电压:()A、—3V;B、—8V;C、5V;D、8V。

14.如果电阻R 的阻值为1 千欧,问:二极管的电流正向电流为()。

(填空)15.PN 结具有,偏置时导通,偏置时截止。

16.直流稳压电源的作用就是将转换为。

小功率直流稳压电源一般由、、和四部分组成。

17.常温下,硅二极管的死区电压约为______V,导通后两端电压基本保持约______V 不变;锗二极管的死区电压约______V,导通后两端电压基本保持约______V 不变。

18.二极管2AP7 是类型,2CZ56 是类型,2CW56 是类型,2CK70是类型,2CC122 是类型,1N4007 是类型,1N4148 是类型,1N5401 是类型。

正常情况下稳压管工作在区,具有稳压作用。

19.硅二极管两端加上正向电压时立即导通。

()20.当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时,二极管才能导通。

()21.二极管的反向击穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿电压增大。

()22.用万用表欧姆挡粗测2AP9 时用RX10 档。

()23.在输出电压相同的情况下,桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相同。

()24.同硅管相比,锗管的参数更易受温度的影响。

( )25.半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。

()26.稳压二极管正常工作时必须反偏,且反偏电流必须大于稳定电流Z I 。

()27.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。

()28.用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时,测试方法和判别依据完全一样。

()29.2CZ 型二极管,以下说法正确的是()A.适用于小信号检波B.适用于整流C.适用于开关电路30.对于晶体二极管,下列说法正确的是()A.正向偏置导通,反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小D. 反向击穿后立即烧毁31.题图1.5.1 所示电路,二极管为理想二极管,以下说法正确的是()A.VD 导通,UAO=6VB.VD 导通,UAO=-6VC.VD 截止,UAO=9VD. VD 导通,UAO=-9V32.硅二极管正偏时,正偏电压0.7V 和正偏电压0.5V 时,二极管呈现的电阻值()A.相同B 不相同C 无法判断33.用模拟万用表RX1K 档测二极管,若红笔接阳极,黑笔接阴极,读数为50K,表笔对换测得电阻一样大,则该二极管()A.内部已断,不能使能B.内部已短路,不能使用C.没有坏,但性能不好D.性能良好34.如题图1.5.2 所示电路:1)该电路正常工作时,输出电压o u 为多少?2)若要电路正常工作,变压器次级电压2 u 的最小值是多少?最大值是多少?3)如果变压器次级电压2 u 的有效值为15V,则整流、滤波后电压3 u 的数值大略为多少?若测得3 u 为13.5V 左右,分析故障原因与部位,并列出检修的步骤。

36.硅稳压管稳压电路如题图1.5. 3 所示。

已知硅稳压管VD 的稳定电压Uz=10V、动态电阻和反向饱和电流均可以忽略,限流电阻R=RL=1kΩ,未经稳压的直流输入电压Ui=24V。

(1)试求Uo、Io、I 及Iz;(2)若负载电阻RL 的阻值减小为0.5K,再求Uo、Io、I 及Iz。

三极管习题一、熟悉概念与规律1.三极管2.三极管的饱合特性3.三极管的截止特性4.三极管的放大特性二、理解与计算题1.三极管具有、和特性。

2.三极管的IE、IB、IC 之间的关系是。

β= 。

3.各三极管电极的实测对地电压数据如下:图A 是管,工作在状态;图B 是管,工作在状态。

4.放大电路要不失真地放大交流信号必须使放大器设置,以保证三极管放大信号时,始终工作在区。

5.()晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体N 型或P 型构成的所以e 极和c 极可以互换使用。

6.三极管多级放大电路中,已知ÀV1=20、ÀV2=-10、ÀV3=1、总的电压增益ÀV= - ;ÀV1 是放大器;ÀV2 是放大器;ÀV3 是放大器。

7.三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管所处的状态是()。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态8.测得某NPN 管得VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判定它工作在_______区。

9.用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,试判断这些晶体管分别处于那种工作状态(饱和、截止、放大、倒置或已损坏)。

10.某晶体管的iB 从20μA 变到40μA 时,对应的iC 从1.55mA 变化到3.05mA,则该管的β 为()。

A、β=75B、β=50C、β=100D、β=77.511.测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示,其中硅材料的NPN 管是()。

二、基本放大电路基础知识习题作业1.按要求填写下表。

电路名称连接方式(e 、c 、b ) 性能比较(大、中、小)公共极 输入极 输出极uAiAR i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路2.分别改正图2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

图23.画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。

设所有电容对交流信号均可视为短路。

图34.电路如图4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V。

利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。

图 4 5.电路如图5所示,已知晶体管 =50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设VCC=12V,晶体管饱和管压降UCES=0.5V。

(1)正常情况(2)Rb1短路(3)Rb1开路(4)Rb2开路 (5)RC 短路图 56.电路如图6所示,晶体管的 =80,'bb r =100Ω。

分别计算RL =∞和RL =3k Ω时的Q 点、uA 、Ri 和Ro 。

图67.在图6所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图7(a )、(b )、(c )所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。

图 78.若由PNP 型管组成的共射电路中,输出电压波形如图P3.7(a )、(b )、(c )所示,则分别产生了什么失真?9.已知图9所示电路中晶体管的β =100,rbe=1k Ω。

(1)现已测得静态管压降UCEQ =6V ,估算Rb 约为多少千欧;(2)若测得i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻RL 为多少千欧?图910. 电路如图10所示,晶体管的β=100,'bb r =100Ω。

(1)求电路的Q 点、uA 、Ri 和Ro ;(2)若电容Ce 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?图1011.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。

试问:图11(1)1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2U /i U ≈?(2)画出输入电压和输出电压ui 、uo1、uo2 的波形;12.电路如图12所示,晶体管的β=80,rbe=1k Ω。

(1)求出Q 点;(2)分别求出RL =∞和RL =3k Ω时电路的u A 和Ri ;(3)求出Ro 。

图 1213.电路如图13所示,晶体管的β=60,'bb r =100Ω。

(1)求解Q 点、u A 、Ri 和Ro ; (2)设s U =10mV (有效值),问i U =?o U =?若C3开路,则i U =?o U =?图1314. 图14所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'bb r =100Ω,UBEQ ≈0.7。

试计算RW 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ ,以及动态参数Ad 和Ri 。

图1415.如图15所示的差动放大电路中,设晶体管β1=β2=80,r`bb=200Ω,其他参数标在图上,试求:(10分)(1)画出直流通路,求静态时的ICQ1、ICQ2和UO(2)画出差模输入时的微变等效电路,并求接入负载RL=24K Ω时的差模电压放大倍数Avd ,差模输入电阻rid 和输出电阻rod图1517.电路如图15所示,已知场效应管的低频跨导为gm ,试写出u A 、Ri 和Ro 的表达式。

相关文档
最新文档