3904 3906三极管说明
3904三极管参数
3904三极管参数1. 引言三极管是一种常用的电子元件，具有放大信号、开关和稳压等功能。
在电子电路设计中，了解三极管的参数是非常重要的。
本文将重点介绍3904型三极管的常见参数。
2. 3904三极管简介3904是一种双极型NPN晶体管，用于低功率放大和开关电路。
它广泛应用于电子设备，如音频放大器、功率放大器和信号放大器等。
3. 3904三极管参数3.1 最大额定值•封装形式：TO-92、SOT-23•最大集电极电流（ICmax）：200 mA•最大集电极-基极电压（VCEOmax）：40V•最大集电极-发射极电压（VCBOmax）：40V•最大晶体管功耗（PDmax）：625 mW•最大结温（TJmax）：150°C3.2 尺寸和引脚配置3904三极管一般有两种封装形式：TO-92和SOT-23。
以下是它们的引脚配置和尺寸：TO-92：E||B | | C-----SOT-23：E||B | | C-----3.3 电流增益（hFE）•直流当前放大倍数（hFE）：通常在100到300之间电流增益表示一个三极管能够放大输入电流的倍数。
对于3904三极管，通常的电流增益在100到300之间。
3.4 饱和电压（VCEsat）•集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：通常在0.2V左右饱和电压是指当三极管处于开关状态时，集电极-发射极之间的电压。
对于3904三极管，通常的饱和电压在0.2V左右。
3.5 输出电容（Cob）•集电极-基极电容（Cob）：通常在4 pF到8 pF之间输出电容表示三极管在高频情况下的电容。
对于3904三极管，通常的输出电容在4 pF到8 pF之间。
4. 3904三极管应用3904三极管常用于以下应用：•低功率放大器：由于它的小封装和低功耗特性，适合用于低功率放大电路中。
•信号处理：用于信号放大器、调制解调器和滤波器等电路中。
•开关电路：由于其饱和电压较低，可用于开关电路的设计。
常用三极管型号参数大全
常用三极管型号参数大全三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子设备中，如放大器、开关等。
在实际应用中，我们常用到的三极管型号有很多，每个型号的参数也不尽相同。
下面是一些常用的三极管型号及其参数介绍：1.2N3904这是一款常用的NPN型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是200mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是50mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为60V。
2.2N3906这是一款常用的PNP型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是200mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是50mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
3.BC547这是一款NPN型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是100mA，最大集电极电压为45V，最大发射极电流是5mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为45V。
4.BC557这是一款PNP型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是100mA，最大集电极电压为45V，最大发射极电流是5mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为45V。
5.2N2222这是一款NPN型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是800mA，最大集电极电压为30V，最大发射极电流是800mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为60V。
6.2N2907这是一款PNP型三极管，它的最大功率是600mW，最大集电流是600mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是600mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
7.MPSA42这是一款NPN型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是500mA，最大集电极电压为300V，最大发射极电流是500mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为300V。
8.MPSA92这是一款PNP型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是500mA，最大集电极电压为300V，最大发射极电流是500mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为300V。
多图详解三极管基本知识及电子电路图
多图详解三极管基本知识及电子电路图广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称：三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！NPN型三极管结构示意图硅NPN型三极管的制造流程管芯结构切面图工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理示意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：IE = IB + ICIC = β * IB如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE 的关系曲线。
UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；UBE<uber时，三极管高绝缘，ube>UBER时，三极管才会启动；</uber时，三极管高绝缘，ube>UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。
SST3904中文资料
元器件交易网
Transistors
!Electrical characteristic curves
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
10 40 Ta=25°C 35
8 30
6
25
20
4
15
10 2
5.0
IB=0µA
0
0
10
20
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.1 Grounded emitter output characteristics
COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904
Ta=25°C IC / IB=10
0.3
0.2
0.1
0
0.1
1.0
10
100
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage vs. collector current
500 Ta=25°C
VCE=1V 3V 5V 10V 100
DC CURRENT GAIN : hFE
BASE EMITTER SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (V)
AC CURRENT GAIN : hFE
500 100
10 5 0.01
Ta=25°C VCE=5V f=1kHz
0.1
1.0
10
100
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
三极管说明
"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件"小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例：NPN型三极管结构示意图管芯结构切面图工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低；集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理示意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：I E= I B + I CI C= β * I B如果I B= 0, 那么I E= I C= 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压U C E为某特定值时，基极电流I B与基-射电压U B E的关系曲线。
U B E R是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；U B E<U B E R时，三极管高绝缘，U B E>U B E R时，三极管才会启动；U C E增大，特性曲线右移，但当U C E>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。
输出特性曲线基极电流I B一定时，集极I C与集-射电压U C E之间的关系曲线，是一组曲线。
当I B=0时, I C→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开；当I B>0时, I B轻微的变化,会在I C上以几十甚至百多倍放大表现出来；当I B很大时，I C变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。
双三极管3904
Device Package Shipping ORDERING INFORMATIONMBT3904DW1T1SOT–363SOT–363/SC–88CASE 419B STYLE 13000 Units/Reel MBT3906DW1T1SOT–3633000 Units/Reel MBT3946DW1T1SOT–3633000 Units/ReelQ 1(1)(2)(3)(4)(5)(6)Q 2123654Q 1(1)(2)(3)(4)(5)(6)Q 2Q 1(1)(2)(3)(4)(5)(6)Q 2MBT3946DW1T1*MBT3906DW1T1MBT3904DW1T1*Q1 same as MBT3906DW1T1Q2 same as MBT3904DW1T1PACKAGE DIMENSIONSSOT–363/SC–88CASE 419B–01ISSUE GSTYLE 1:PIN 1.EMITTER 2 2.BASE 23.COLLECTOR 14.EMITTER 15.BASE 16.COLLECTOR 2NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.DIM A MIN MAX MIN MAX MILLIMETERS 1.80 2.200.0710.087INCHES B 1.15 1.350.0450.053C 0.80 1.100.0310.043D 0.100.300.0040.012G 0.65 BSC 0.026 BSC H –––0.10–––0.004J 0.100.250.0040.010K 0.100.300.0040.012N 0.20 REF 0.008 REF S 2.00 2.200.0790.087V0.300.400.0120.016ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.PUBLICATION ORDERING INFORMATIONASIA/PACIFIC : LDC for ON Semiconductor – Asia SupportPhone :303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)Toll Free from Hong Kong 800–4422–3781Email : ONlit–asia@JAPAN : ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–8549Phone : 81–3–5487–8345Email : r14153@Fax Response Line :303–675–2167Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.。
本章讲解：三极管基础知识、常用小功率三极管参数表及检测的方法
本章讲解：三极管基础知识、常用小功率三极管参数表及检测的方法一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC 。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流IC= β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G 电压VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流IDS 流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。
当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
史上最详细图解三极管
史上最详细图解三极管"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件"在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！NPN型三极管结构示意图硅NPN型三极管的制造流程管芯结构切面图工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理示意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：IE = IB + ICIC = β * IB如果IB = 0, 那么IE = IC = 0三极管特性曲线输入特性曲线集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。
三极管的丝印及功能参数.
三极管的丝印及功能参数.三极管的丝印及功能参数各种型号丝印如下:规格封装 MARKING9012 SOT-23 2T19013 SOT-23 J39014 SOT-23 J69015 SOT-23 M69018 SOT-23 J88050 SOT-23 J3Y8550 SOT-23 2TY8050D SOT-23 Y18550D SOT-23 Y23904 SOT-23 1AM3906 SOT-23 2A2SC1815 SOT-23 HF2SC1015 SOT-23 BA2SA812 SOT-23 M6/M7 2SC1623 SOT-23 L6/L7 2SC4672 SOT-89 DKQ KTC3875 SOT-23 ALG SD103AW SOD-323 S4 SD103AW SOD-123 S4 5551 SOT-23 G15401 SOT-23 2L2N7002 SOT-23 7022N7002 SOT-23 7021SS181 SOT-23 A31SS184 SOT-23 B31SS187 SOT-23 D31SS190 SOT-23 E31SS193 SOT-23 F31SS226 SOT-23 C31SS355 SOD-323 A1SS400 SOD-523 AM28S SOT-23A42 SOT-23A92 SOT-233904 SOT-23 W043906 SOT-23 W06BA V70 SOT-23 A4BA V99 SOT-23 A72222 SOT-23 1P2SC1623 SOT-23 L62SA812 SOT-23 M62SC2712-LY SOT-23 LYNK2301A SOT-23NK2302A SOT-232SK3018 SOT-23 KNMMBTH10 SOT-23 3EM1N4148WS SOD-323 T41N4148W SOD-123 T41N4148 SOD-523 T4RB491D SOT-23-3L D2E以下是各种功能三极管参数名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ29552N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N66092N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 90132N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 90133DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0. 1W 150MHZ3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZMPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 90123DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W3522V 稳压管5VA634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10WA708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8WA715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZA733 21 PNP 通用50V 0.1A 180MHZA741 4 PNP 开关20V 0.1A 70／120NSA781 39B PNP 开关20V 0.2A 80／160NSA928 ECB PNP 通用20V 1A 0.25WA933 21 PNP 通用50V 0.1A 140MHZA940 28 PNP 音频功放开关150V 1.5A 25W 4MHZ C2073A966 21 PNP 音频激励输出30V 1.5A 0.9W 100MHZ C2236 A950 21 PNP 通用30V 0.8A 0.6WA968 28 PNP 音频功放开关160V 1.5A 25W 100MHZ C2238 A1009 BCE PNP 功放开关350V 2A 15WA1220P 29 PNP 音频功放开关120V 1.5A 20W 150MHZA1013 21 PNP 视频放大160V 1A 0.9W C2383A1015 21 PNP 通用60V 0.1A 0.4W 8MHZ C18152N6050 12 PNP 音频功放开关60V 12A 150W2N6051 12 PNP 音频功放开关80V 12A 150WA1175 PNP 通用60V 0.10A 0.25W 180MHZA1213 贴片PNP 超高频50V 0.15A 80MHZA719 ECB PNP 通用30V 0.50A 0.625W 200MHZB12 G－PNP 音频30V 0.05A 0.05WB1114 ECB PNP 通用贴片20V 2A 180MHZB205 锗管PNP 音频功放开关80V 20A 80WB1215 BCE PNP 功放开关贴片120V 3A 20W 130MHZC294 6 NPN 栾生对管25V 0.05A 200MHZC1044 6 NPN 视放45V 0.3A 2.2GHZC1216 6 NPN 高速开关40V 0.2A T，20ｎSC1344 ECB NPN 通用低噪30V 0.10 230MHZC1733 6 NPN 栾生对管30V 0.05A 2GHZC1317 21ECB NPN 通用30V 0.5A 0.625W 200MHZC546 21ECB NPN 高放30V 0.03A 0.15W 600MHZC680 11 NPN 音频功放开关200V 2A 30W 20MHZC665 12 NPN 音频功放开关125V 5A 50W 15MHZC4581 BCE NPN 电源开关600V 10A 65W 20MHZC4584 BCE NPN 电源开关1200V 6A 65W 20MHZC4897 BCE NPN 行管1500V 20A 150WC4928 BCE NPN 行管1500V 15A 150WC5411 BCE NPN 彩显行管17” 1500V 14A 60WHQ1F3P 贴片NPN 功放开关20V 2A 2WTIP132 28 NPN 音频功放开关100V 8A 70W TIP137A1020 21 PNP 音频开关50V 2A 0.9WA1123 21 PNP 低噪放大150V 0.05A 0.75WA1162 21D PNP 通用贴片50V 0.15A 0.15WA1216 BCE PNP 功放开关180V 17A 200W 20MHZ C2922 A1265 BCE PNP 功放开关140V 10A 100W 30MHZ C3182 A1295 BCE PNP 功放开关230V 17A 200W 30MHZ C3264 A1301 BCE PNP 功放开关160V 12A 120W 30MHZ C3280 C3280 BCE NPN 功放开关160V 12A 120W 30MHZ A1301 A1302 BCE PNP 功放开关200V 15A 120W 30MHZ C3281 C3281 BCE NPN 功放开关200V 15A 120W 30MHZ A1302 A1358 BCE PNP 120V 1A 10W 120MHZ A1444 BCE PNP 高速电源开关100V 15A 30W 80MHZA1494 BCE PNP 功放开关200V 17A 200W 20MHZ C3858 A1516 BCE PNP 功放开关180V 12A 130W 25MHZA1668 BCE PNP 电源开关200V 2A 25W 20MHZA1785 BCE PNP 驱动120V 1A 1W 140MHZA1941 BCE PNP 音频功放形状140V 10A 100W C5198C5198 BCE NPN 音频功放形状140V 10A 100W A1941A1943 BCE PNP 功放开关230V 15AA 150W C5200C5200 BCE NPN 功放开关230V 15A 150W A1943A1988 BCE PNP 功放开关B449 锗管12 PNP 功放开关50V 3.5A 22.5WB647 21 PNP 通用120V 1A 0.9W 140MHZ D667D667 21 NPN 通用120V 1A 0.9W 140MHZ B649B1375 BCE PNP 音频功放60V 3A 2W 9MHZD40C BCE NPN对讲机用40V 0.5A 40W 75MHB688 BCE PNP 音频功放开关120V 8A 80W D718B734 39B PNP 通用60V 1A 1W D774B649 29 PNP 视放180V 1.5A 20W D669D669 29 NPN 视频放大180V 1.5A 20W 140MHZ B649B669 28 PNP 达林顿功放70V 4A 40WB675 28 PNP 达林顿功放60V 7A 40WB673 28 PNP 达林顿功放100V 7A 40WB631K 29 PNP 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ D600K D600K 29 NPN 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ B631K C3783 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 100WB1400 28B PNP 达林顿功放120V 6A 25W D1590B744 29 PNP 音频功放开关70V 3A 10WB1020 28 PNP 功放开关100V 7A 40WB1240 39B PNP 功放开关40V 2A 1W 100MHZB1185 28B PNP 功放开关60V 3A 25W 70MHZ D1762B1079 30 PNP 达林顿功放100V 20A 100W D1559B772 29 PNP 音频功放开关40V 3A 10W D882B774 21 PNP 通用30V 0.1A 0.25WB817 30 PNP 音频功放形状160V 12A 100W D1047B834 28 PNP 功放开关60V 3A 30WB1316 54B PNP 达林顿功放100V 2A 10WB1317 BCE PNP 音频功放180V 15A 150W D1975B1494 BCE PNP 达林顿功放120V 20A 120W D2256B1429 BCE PNP 功放开关180V 15A 150WC380 21 NPN 高频放大35V 0.03A 250MHZC458 21 NPN 通用30V 0.1A 230MHZC536 21 NPN 通用40V 0.1A 180MHZ2N6609 12 PNP 音频功放开关160V 15A 150W ＞2MHZ 2N3773 C3795 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 40WC2458 21ECB NPN 通用低噪50V 0.15A 0.2WC3030 BCE NPN 开关管900V 7A 80W. 达林顿C3807 BCE NPN 低噪放大30V 2A 1.2W 260MHZC3858 BCE NPN 功放开关200V 17A 200W 20MHZ A1494D985 29 NPN 达林顿功放150V ±1.5A 10WC2036 29 NPN 高放低噪80V 1A 1－4WC2068 28E NPN 视频放大300V 0.05A 1.5W 80MHZC2073 28 NPN 功率放大150V 1.5A 25W 4MHZ A940C3039 28 NPN 电源开关500V 7A 50WC3058 12 NPN 开关管600V 30A 200WC3148 28 NPN 电源开关900V 3A 40WC3150 28 NPN 电源开关900V 3A 50WC3153 30 NPN 电源开关900V 6A 100WC3182 30 NPN 功放开关140V 10A 100W A1265C3198 21 NPN 高频放大60V 0.15A 0.4W 130MHZ3DK4B 7 NPN 开关40V 0.8A 0.8W3DK7C 7 NPN 开关25V 0.05A 0.3W3D15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50WC2078 28 NPN 音频功放开关80V 3A 10W 150MHZC2120 21 NPN 通用30V 0.8A 0.6WC2228 21 NPN 视频放大160V 0.05A 0.75WC2230 21 NPN 视频放大200V 0.1A 0.8WC2233 28 NPN 音频功放开关200V 4A 40WC2236 21 NPN 通用30V 1.5A 0.9W A966C1733 小铁NPN 孪生对管30V 2GHZC1317 21EBC NPN 通用30V 0.5A 0.625W 200MHZC2238 28 NPN 音频功放开关160V 1.5A 25W 100MHZ A968 C752 21 NPN 通用30V 0.1A 300MHZC815 21 NPN 通用60V 0.2A 0.25WC828 21 NPN 通用45V 0.05A 0.25WC945 21 NPN 通用50V 0.1A 0.5W 250MHZC1008 21 NPN 通用80V 0.7A 0.8W 50MHZC1162 21 NPN 音频功放35V 1.5A 10WC1213 39B NPN 监视器专用30V 0.5A 0.4WC1222 21 NPN 低噪放大60V 0.1A 100MHZC1494 40A NPN 发射36V 6A PQ=40W 175MHZC1507 28 NPN 视放300V 0.2A 15WC1674 21 NPN HF/ZF 30V 0.02A 600MHZC1815 21 NPN 通用60V 0.15A 0.4W 8MHZ A1015C1855 21F NPN HF/ZF 20V 0.02A 550MHZC1875 12 NPN 彩行1500V 3.5A 50WC1906 21 NPN 高频放大30V 0.05A 1000MHZC1942 12 NPN 彩行1500V 3A 50WC1959 21 NPN 通用30V 0.4A 0.5W 300MHZC1970 28 NPN 手机发射40V 0.6A PQ=1.3W 175MHZ C1971 28A NPN 手机发射35V 2A PQ-7.0W 175MHZ C1972 28A NPN 手机发射35V 3.5A PQ=15W 175MHZ C2320 21 NPN 通用50V 0.2A 0.3W 200MHZC2012 21 NPN 高放30V 0.03A 200MHZC2027 12 NPN 行管1500V 5A 50WD814 BCE NPN 低噪放大贴片150V 0.05A 150MHZC5142 BCE NPN 彩行1500V 20A 200WD998 BCE NPN 音频功放开关120V 10A 80W <1/3US D2253 BCE NPN 彩显行管1700V 6A 50WD110 12 NPN 音频功放开关130V 10A 100W 1MHZC2335 28 NPN 视频功放500V 7A 40WC2373 28 NPN 功放200V 7.5A 40WC2383 21 NPN 视频开关160V 1A 0.9W A1013C3300 30 NPN 音频功放开关100V 15A 100WC3310 28C NPN 电源开关500V 5A 40WC3320 28C NPN 电源开头500V 15A 80WC3355 21F NPN 高频放大20V 0.1A 6500MHZC3358 40B NPN 高频放大20V 0.1A 7000MHZC3457 BCE NPN 电源开关1100V 3A 50WC3460 BCE NPN 电源开关1100V 6A 100WC3466 BCE NPN 电源开关1200V 8A 120WC3505 28B NPN 电源开关900V 6A 80WC3527 BCE NPN 电源开关500V 15A 100WC3528 BCE NPN 电源开关500V 20A 150WC3866 BCE NPN 高压高速开关900V 3A 40WC2443 大铁NPN 功放开关600V 50A 400WC2481 29 NPN 音频功放开关150V 1.5A 20WC2482 21 NPN 视频放大300V 0.1A 0.9WC2594 29 NPN 音频功放开关40V 5A 10WC2611 29 NPN 视频放大300V 0.1A 1.25WC2625 30 NPN 音频功放开关450V 10A 80WC2682 29 NPN NF/Vid 180V 0.1A 8WC2688 29 NPN 视放管300V 0.2A 10W 80MHZC2690 29 NPN 音频功放开关120V 1.2A 20W 150MHZ A1220P C2751 BCE NPN 电源开关500V 15A 120WC2837 30 NPN 音频功放开关150V 10A 100WC3873 BCE NPN 高压高速开关500V 12A 75W 30MHZC3886 BCE NPN 开关行管1400V 8A 50W 8MHZC3893 28B NPN 行管1400V 8A 50W 8MHZC3907 28B NPN 功放开关180V 12A 130W 30MHZC3595 29 NPN 射频30V 0.5A 1.2WC4059 BCE NPN 高速开关600V 15V 130W 0.5/2.2USC4106 BCE NPN 电源开关500V 7A 50W 20MHZ?C4111 BCE NPN 开关行管1500V 10A 150WC3679 BCE NPN 电源开关900V 5A 100W 6MHZC2898 28 NPN 音频功放开关500V 8A 50WC2922 43 NPN 音频功放开关180V 17A 200W 50MHZ A1216 C3026 12 NPN 开关管1700V 5A 50WD986 29 NPN 达林顿功放150-80V ±1.5A 10WC3262 BCE NPN 功放800V 10A 100WC3264 BCE NPN ＰＡ功放开关230V 17A 200WB=170 A1295 C3280 30 NPN 音频功放开关160V 12A 120WB=100C3281 30 NPN 音频功放开关200V 15A 150W 30MHZC3680 BCE NPN 电源开关900V 7A 120W 6MHZC3688 BCE NPN 彩行1500V 10A 150WC3720 12 NPN 彩行1200V 10A 200WC3953 29 NPN 视放120V 0.2A 1.3W 400MHZC3987 28 NPN 达林顿50V 3A 20WC3995 BCE NPN 行管1500V 12A 180WD1025 28 NPN 达林顿功放200V 8A 50WC3997 BCE NPN 行管1500V 15A 250WC3998 BCE NPN 行管1500V 25A 250WC4024 BCE NPN 功放开关100V 10A 35W 24MHZC4038 BCE NPN 门电路50V 0.1A 0.3W 180MHZD1037 BCE NPN 音频功放开关150V 30A 180WD1047 30 NPN 音频功放开关160V 12A 100W B817C4119 BCE NPN 微波炉开关1500V 15A 250WC4231 50C NPN 音频功放800V 2A 30WC4237 BCE NPN 高压高速开关1000V 8A 120W 30MHZC4242 BCE NPN 高压高速开关450V 7A 40WC4297 BCE NPN 电源开关500V 12A 75W 10MHZC4429 BCE NPN 电源开关1100V 8A 60WC4517 BCE NPN 音频功放550V 3A 30W 6MHZC4532 BCE NPN 大屏行管1700V 10A 200WC4582 BCE NPN 电源开关600V 15A 75W 20MHZON4673 BCE NPNON4873 BCE NPNC5244 BCE NPN 彩行1700V 15A 200WC5249 BCE NPN 功放开关600V 3A 35W 6MHZC5250 BCE NPN 开关1000V 7A 100WC5251 BCE NPN 彩行1500V 12A 50WD1071 28 NPN 达林顿功放300V 6A 40WC4706 BCE NPN 电源开关900V 14A 130W 6MHZC4382 BCE NPN 功放开关200V 2A 25W 20MHZ A1668 C4742 46 NPN 彩行1500V 6A 50WC4745 46 NPN 彩行1500V 6A 50WC4747 46 NPN 彩行1500V 10A 50WC4769 BCE NPN 微机行管1500V 7A 60WC4913 BCE NPN 大屏视放管2000V 0.02A 35WC4924 BCE NPN 音频功放800V 10A 70WC4927 BCE NPN 行管1500V 8A 50WC4927 BCE NPN SONY29行管1500V 8A 50WC4941 BCE NPN 行管1500V 6A 65W 500/380NSC4953 BCE NPN 功放开关500V 2A 25W t=300nSC5020 BCE NPN 彩行1000V 7A 100WC5068 BCE NPN 彩行1500V 10A 50WC5086 BCE NPN 彩行1500V 10A 50WC5088 BCE NPN 彩行1500V 10A 50WC5129 BCE NPN 彩显行管1500V 8A 50WD1163A 28 NPN 行偏转用350V 7A 40W 60MHZD1175 12 NPN 行偏转用1500V 5A 100WC5132 BCE NPN 彩行1500V 16A 50WC5144 BCE NPN 大屏彩行1700V 20A 200WC5148 BCE NPN 大屏彩行1500V 8A 50WC5149 BCE NPN 高速高频行管1500V 8A 50WC5198 BCE NPN 功放开关140V 10A 100WC5200 BCE NPN 功放开关230V 15A 150W A1943D1273 28 NPN 音频功放80V 3A 40W 50MHZC5207 BCE NPN 彩行1500V 10A 50WC5243 BCE NPN 彩行1700V 15A 200WC5252 BCE NPN 彩行1500V 15A 100WC5294 BCE NPN 彩行1500V 20A ｔ＝200MSC5296 BCE NPN 开关管带阻1500V 8A 80WC5297 BCE NPN 开关管1500V 16A 60WC5331 BCE NPN 大屏彩显行管1500V 15A 180WD385 11 NPN 达林顿功放100V 7A 30WD400 21 NPN 通用25V 1A 0.75WD1302 21 NPN 音频25V 0.5A 0.5W 200MHZD1397 BCE NPN 开关1500V 3.5A 50W 3MHZD1398 BCE NPN 开关1500V 5A 50W 3MHZD1403 BCE NPN 彩行1500V 6A 120WD401 28 NPN 音频功放开关200V 2A 20WD415 29 NPN 音频功放开关120V 0.8A 5WD438 21 NPN 通用500V 1A 0.75W 100MHZD560 BCE NPN 达林顿功放150V 5A 30WD637 39E NPN 通用60V 0.1A 150MHZD667 21 NPN 视频放大120V 1A 0.9W 140MHZ B647 D1403 BCE NPN 彩行1500V 6A 120WD1415 BCE NPN 功放电源开关100V 7A 40W 达林顿D718 30 NPN 音频功放开关120V 8A 80W B668D774 39B NPN 通用100V 1A 1W B734D789 21 NPN 音频输出100V 1A 0.90D820 12 NPN 彩行1500V 5A 50WD870 12 NPN 彩行1500V 5A 50WD880 28 NPN 音频功放开关60V 3A 10WD882 29 NPN 音频功放开关40V 3A 30W B772D884 28 NPN 音频功放开关330V 7A 40WD898 12 NPN 彩行1500V 3A 50WD951 12 NPN 彩行1500V 3A 65WD965 21 NPN 音频40V 5A 0.75WD966 21 NPN 音频40V 5A 1WD633拆28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W达林顿D1431 28B NPN 彩行1500V 5A 80WD1433 28B NPN 彩行1500V 7A 80WD1980 61B NPN 达林顿100V 2A 10WD1981 EBC NPN 达林顿100V 2A 1WD1993 45B NPN 音频低噪55V 0.1A 0.4WD1416 BCE NPN 功放电源开关80V 7A 40W 达林顿D1427 BCE NPN 彩行1500V 5A 80W 带阻尼BU2525AF 30 NPN 开关功放1500V 12A 150W 350NS D1428 28B NPN 彩行1500V 6A 80W 带阻尼BU2525AX 30 NPN 开关功放1500V 12A 150W 350NS D1439 BCE NPN 彩行1500V 3A 80WD1541 28B NPN 彩行1500V 3A 80WD1545 28B NPN 彩行1500V 5A 50WD1547 BCE NPN 彩行1500V 7A 80WBU2527AF 30 NPN 开关功放1500V 15A 150WD1554 BCE NPN 彩行1500V 3.5A 80WD1556 BCE NPN 彩行1500V 6A 80WD1559 BCE NPN 达林顿功放100V 20A 100W B1079D1590 28 NPN 达林顿功放150V 8A 25WD1623 28B NPN 彩行1500V 4A 70WD1640 29 NPN 达林顿功放120V 2A 1.2WD1651 SP NPN 彩行1500V 5A 60W 3MHZD1710 BCE NPN 彩行1500V 5A 50WD1718 28C NPN 音频功放180V 15A 150W 20MHZD1762 BCE NPN 音频功放开关60V 3A 25W 90MHZ B1185 D1843 BCE NPN 低噪放大50V 1A 1WD1849 50A NPN 彩行1500V 7A 120WD1850 50A NPN 彩行1500V 7A 120WD1859 50A NPN 音频80V 0.7A 1W 120MHZD1863 50A NPN 音频120V 1A 1W 100MHZBD237 29 NPN 音频功放100V 2A 25W BD238BD238 29 PNP 音频功放100V 2A 25W BD237BU2520AF 30 NPN 开关功放1500V 10A 150W 1/500NS BU2520DF 30 NPN 开关功放1500V 10A 150W 1/500NS BU2520DX 30 NPN 开关功放1500V 10A 50W 600NS BUH515 BCE NPN 行管1500V 10A 80WBUH515D BCE NPN 行管1500V 10A 80WBUS13A 12 NPN 开关功放1000V 15A 175WD1997 45B NPN 激励管40V 3A 1.5W 100MHZD2008 EBC NPN 音频功放80V 1A 1.2WD2012 BCE NPN 音频功放60V 3A 2W 3MHZD2136 EBC NPN 功放80V 1A 1.2WD2155 53A NPN 音频功放180V 15A 150WD2256 46 NPN 达林顿功放120V 25A 125W B1494D2334 28B NPN 彩行1500V 5A 80WD2335 BCE NPN 彩行1500V 7A 100W 带阻尼D2349 BCE NPN 大屏彩显行管1500V ±10A 50WD1959 BCE NPN 彩行1400V 10A 50WD2374 BCE NPN 功放开关60V 3A 25W 30MHZD2375 BCE NPN 高放大倍数80V 3A 25W 50MHZD2388 EBC NPN 达林顿90V 3A 1.2WD2445 BCE NPN 彩行1500V 12.5A 120WD2498 BCE NPN 彩行1500V 6A 50WD2588 BCE NPN 点火器用DK55 BCE NPN 开关400V 4A 60WBC307 21a PNP 通用50V 0.2A 0.3WBC327 CBE PNP 低噪音频50V 0.8A 0.625W BC337BC337 21a NPN 音频激励低噪50V 0.8A 0.625W BC327 BC338 21a NPN 通用激励50V 0.8A 0.6WBC546 21a NPN 通用80V 0.2A 0.5WBC547 CBE NPN 通用50V 0.2A 0.5W 300MHZBD135 29 NPN 音频功放45V 1.5A 12.5WBD136 29 PNP 音频功放45V 1.5A 12.5W BD137BD137 29 NPN 音频功放60V 1.5A 12.5W BD136BD138 29 PNP 音频功放60V 1.5A 12.5W BD139BD139 29 PNP 音频功放80V 1.5A 12.5W BD138BUS14A 12 NPN 开关功放1000V 30A 250WBUT11A 28 NPN 开关功放1000V 5A 100WBD243 28 NPN 音频功放45V 6A 65W BD244BD244 28 PNP 音频功放45V 6A 65W BD243BD681 29 NPN 达林顿功放100V 4A 40W BD682BD682 29 PNP 达林顿功放100V 4A 40W BD681BF458 29 NPN 视放250V 0.1A 10WBU208A 12 NPN 彩行1500V 5A 12.5WBU208D 12 NPN 彩行1500V 5A 12.5WBU323 28 NPN 达林顿功放450V 10A 125WBU406 28 NPN 行管400V 7A 60WBU508A 28 NPN 行管1500V 7.5A 75WBU508A 28 NPN 行管1500V 7.5A 75WBU508D 28 NPN 行管1500V 7.5A 75WBU806 28 NPN 功放400V 8A 60WBU932R 12 NPN 功放500V 15A 150WBUT12A 28 NPN 开关功放450V 10A 125WBU941 12 NPN 功放开关500V 15A 175W 达林顿BU1508DX 28 NPN 开关功放1500V 8A 35WBU2506DX 30 NPN 开关功放1500V 7A 50W 600NSBU2508AF 30 NPN 开关功放1500V 8A 125W 600NSBU2508AX 30 NPN 开关功放1500V 8A 125W 600NSBU2508DF 30 NPN 开关功放1500V 8A 125W 600NSBU2508DX 30 NPN 开关功放1500V 8A 50W 600NSBUV26 28 NPN 音频功放开关90V 14A 65W 250NSBU2522AF 30 NPN 开关功放1500V 11A 150W 350NSMJ15024 12 NPN 音频功放开关400V 16A 250W 4MHZ MJ15025 MJ15025 12 PNP 音频功放开关400V 16A 250W 4MHZ MJ15024品名极性管脚功能参数MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=452N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=2002N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-4002N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-4002N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N37732N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W3522V 5.2V稳压管录像机用A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10WA708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8WA715C PNP 29 音频功放开关35V2.5A10W160MHZA733 PNP 21 通用50V0.1A180MHZA741 PNP 4 S 20V0.1A <70/120nSA781 PNP 39B 开关20V0.2A <80/160NSA928 PNP ECB 通用20V1A0.25WA933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHzA940 PNP 28 音频功放开关150V1.5A25W4MHZ /C2073A950 PNP 21 通用30V0.8A0.6WA966 PNP 21 音频激励输出30V1.5A0.9W COP:C2236A968 PNP 28 音频功放开关160V1.5A25W100MHZ /C2238 A1009 PNP BCE 功放开关350V2A15WA1012 PNP 28 音频功率放60V5A25WA1013 PNP 21 视频放大160V1A0.9WA1015 PNP 21 通用60V0.15A0.4W8MHZA1020 PNP 21 音频开关50V2A0.9WA1123 PNP 21 低噪放大150V0.05A0.75WA1162 PNP 21d 通用贴片50V0.15A0.15WA1216 PNP BCE 功放开关180V17A200W20MHZ /2922 A1220 PNP 29 音频功放开关120V1.5A20W150MHZ/C2690 A1265 PNP BCE 功放开关140V10A100W30MHZ /C3182 A1295 PNP BCE 功放开关230V17A200W30MHZ /C3264 A1301 PNP BCE 功放开关160V10A100W30MHZ /C3280 A1302 PNP BCE 功放开关200V15A150W30MHZ /C3281 A1358 ? PNP 高频120V1A10W120MHZA1444 PNP BCE 高速电源开关100V15A30W80MHZA1494 PNP BCE 功放开关200V17A200W20MHZ /C3858 A1516 PNP BCE 功放开关180V12A130W25MHZA1668 PNP 28B 电源开关200V2A25W20MHZA1785 PNP BCE 驱动400V1A1W/120V1A0.9W140MHA1941 PNP BCE 功放开关140V10A100WCOP:5198A1943 PNP BCE 功放开关230V15A150W /C5200 原A1988 PNP 30 功放开关B449 PNP 12 功放开关50V3.5A22.5W 锗管B631K PNP 29 音频功放开关120V1A8W130MHZ /D600K B647 PNP 21 通用120V1A0.9W140MHZ /D667B649 PNP 29 视放180V1.5A1W /D669B669 PNP 28 达林顿功放70V4A40WB673 PNP 28 达林顿功放100V7A40WB675 PNP 28 达林顿功放60V7A40WB688 PNP BCE 音频功放开关120V8A80W /D718B734 PNP 39B 通用60V1A1W /D774B744 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB772 PNP 29 音频功放开关40V3A10WB774 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB817 PNP 30 功放开关160V12A100W /D1047B834 PNP 28 功放开关60V3A30WB937A PNP 功放开关60V2A35 DRALB1020 PNP 28 功放开关达林顿100V7A40Wβ=6000B1079 PNP 30 达林顿功放100V20A100Wβ=5000/D1559B1185 PNP 28B 功放开关60V3A25W 70MHZ /D1762B1238 PNP ECB 功放开关80V0.7A1W 100MHZB1240 PNP 39B 功放开关40V2A1W100HZB1243 PNP 39B 功放开关40V3A1W70HZB1316 PNP 54B 驱动功放达林顿100V2A10Wβ=15000B1317 PNP BCE 音频功放180V15A150W COP:D1975B1335 PNP 28 音频功放低噪80V4A30W 12MHZB1375 PNP BCE 音频功放60V3A2W9MHZB1400 PNP 28B 达林顿功放120V6A25W β=1000-20000B1429 PNP BCE 功放开关180V15A150WB1494 PNP BCE 达林顿功放120V25A120Wβ=2000-20000C106 NPN EBC 音频功放开关60V1.5A15WC380 NPN 21 高频放大35V0.03A250MHZC458 NPN 21 通用30V0.1A230MHzC536 NPN 21 通用40V0.1A180MHZC752 NPN 21 通用30V0.1A300MHzC815 NPN 21 通用60V0.2A0.25WC828 NPN 21 通用45V0.05A0.25WC900 NPN 21 低噪放大30V0.03A100MHZC943 NPN 4A 通用60V0.2A200MHZC945 NPN 21 通用50V0.1A0.5W250MHZC1008 NPN 6 通用80V0.7A0.8W50MHZC1162 NPN 29 音频功放开关35V1.5A10WC1213 NPN 39B 监视器专用35V0.5A0.4WC1222 NPN 21 低噪放大60V0.1A100MHZ3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管3CG 为PNP型高频小功率管3DG 为NPN型高频小功率管3AD 为PNP型低频大功率管3DD 为NPN型低频大功率管3CA 为PNP型高频大功率管3DA 为NPN型高频大功率管。
MMBT3904DW1T1G开关三极管规格书
The MMBT3904DW1T1G device is a spin–off of our popular MMBT3904DW1T1GDual General Purpose TransistorsSOT–23/SOT–323 three–leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT–363six–leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package , this device is ideal for low–power surface mount applications where board space is at a premium.●FEATURES1)Low VCE(sat), ≤ 0.4 V 2)Simplifies Circuit Design3)Reduces Board Space4)Reduces Component Count5)Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel 6)hFE, 100–3007)We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.8) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.MMBT3904DW1T1G●ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25℃)2. Pulse Test: Pulse Width <300 μs, Duty Cycle <2.0%.●ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25℃)(CONTINUED)Figure 1. Delay and Rise TimeEquivalent Test Circuit Figure 2. Storage and Fall TimeEquivalent Test Circuit-ā0010 < t 1 < 500 m * T otal shunt capacitance of test jig and connectorsMMBT3904DW1T1GELRCTRICAL CHARACTERISTICS CURVESFIG.3 Capacitance FIG.4 Current GainFIG.6 Collector Saturation RegionFIG.5 DC Current GainMMBT3904DW1T1G ELRCTRICAL CHARACTERISTICS CURVESFIG.9 VBE(on) vs. ICFIG.7 VCE(sat) vs. IC FIG.8 VBE(sat) vs. IC0.20.40.60.811.21.40.00010.0010.010.11V B E s a t , B a s e -E m i t t e r S a t u r a t i o n V o l t a g e (V )IC, Collector Current(A) 25℃150℃-55℃MMBT3904DW1T1GSC-88NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.INCHES MILLIMETERSDIMMIN MAXMIN MAX A 0.0710.087 1.80 2.20B 0.0450.053 1.15 1.35C 0.0310.0430.80 1.10D 0.0040.0120.100.30G 0.026 BSC 0.65 BSC H ---0.004---0.10J 0.0040.0100.100.25K 0.0040.0120.100.30N 0.008 REF 0.20 REF S 0.0790.0872.00 2.20PIN 1. EMITTER 22. BASE 23. COLLECTOR 14.EMITTER 15. BASE 16.COLLECTOR 2MMBT3904DW1T1G。
三极管参数详解
三极管的参数解释△λ---光谱半宽度△VF---正向压降差△Vz---稳压范围电压增量av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）Cn---中和电容（外电路参数）Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容（外电路参数）Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP---集电极最大允许脉冲电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
PZT3906贴片三极管 SOT-223三极管封装PZT3906参数
Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Collector cut-off current
SOT-223
FEATURES Low Voltage and Low Current Complementary to PZT3904 General Purpose Amplifier and Switch Application
1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER
3.300
3.700
6.830
7.070
2.300(BSC)
4.500
4.700
0.900
1.150
0°
10°
Dimensions In Inches
Min
Max
0.060
0.071
0.000
0.004
0.059
0.067
0.026
0.032
0.010
0.014
0.244
0.252
0.114
0.122
60 80 100 60
-0.65
250
300
-0.25 -0.4 -0.85 -0.95
4.5 10 35 35 225 75
V V V V MHz pF pF
ns
ns
*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.
MCCSEMI DMMT3906 三极管说明书
V(BR)EBO IBL ICEX
hFE(1) hFE(2) hFE(3) hFE(4) hFE(5)
-5
60 80 100 60 30
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
Compliant. See Ordering Information)
DMMT3906
PNP Plastic Encapsulate
Transistors
Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified
• Operating Junction Temperature Range: -65℃ to +150℃ • Storage Temperature Range: -65℃ to +150℃ • Typical Thermal Resistance: 625℃/W Junction to Ambient
Common Emitter
-500μA
TA=25°C
-450μA
-400μA
-350μA -300μA
-250μA
-200μA -150μA
-100μA
IB=-50μA
-4
-8
-12
-16
-20
Collector-Emitter Voltage (V)
Fig. 3 - Collector-Emitter Saturation Voltage Characteristics
L
NOTE TYP.
0.65
贴片三极管引脚 三极管的识别分类及测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
ROHM UMT3906 SST3906 MMST3906 说明书
TransistorsRev.B 1/4PNP General Purpose TransistorUMT3906 / SST3906 / MMST3906z Features1) BV CEO > −40V (I C = −1mA)2) Complements the T3904/SST3904/MMST3909. 3) Low capacitance.z Package, marking, and packaging specificationsz Absolute maximum ratings (T a=25°C)z Electrical characteristics (T a=25°C)ParameterSymbol BV CBO BV CEO BV EBO Min.Max.Typ.−40−40−5−50−50−0.25−0.85−0.95−0.4−−−−0.65Unit ConditionsCollector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Emitter cutoff currentI CES I EBO −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−Collector cutoff current Emitter input capacitance Delay time Rise time Storage tiem Fall timeCollector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltageV CE(sat)V BE(sat)−DC current transfer ratio Transition frequency Collector output capacitance h FE Cob Cib f T 606030250 4.51035352257580100300td tr tstg tfV V V V VnA nA MHz pF pF ns ns ns nsI C = −10µA I C = −1mA I E = −10µA V CB = −30V V EB = −3VV CE = −1V, I C = −0.1mA V CE = −1V, I C = −1mAV CE = −1V, I C = −10mA V CE = −1V, I C = −50mA V CE = −1V, I C = −100mAV CE = −20V, I E =10mA, f=100MHz V CB = −10V, f=100kHz, I E =0A V CB = −0.5V, f=100kHz, I C =0AV CC = −3V, V BE(OFF)= −0.5V,I C = −10mA, I B1= −1mA V CC = −3V, V BE(OFF)= −0.5V,I C = −10mA, I B1= −1mA V CC = −3V, I C = −10mA, I B1= −I B2= −1mA V CC = −3V, I C = −10mA, I B1= −I B2= −1mAI C /I B = −10mA/ −1mA I C /I B = −10mA/ −1mA I C /I B = −50mA/ −5mA I C /I B = −50mA/ −5mAType UMT3906UMT3R2A T1063000SST3906SST3R2A T1163000MMST3906SMT3R2A T1463000Packaging type Marking Code Basic ordering unit (pieces)Parameter Symbol V CBO V CEO V EBO PdTj Tstg Limits −40−40−56.20.35SST3906,MMST3906SST3906,MMST3906UMT3906150−55 to +150Unit V V V °C°CCollector-base voltageCollector-emitter voltage Emitter-base voltageI O −0.2Collector current Collector Power dissipation Junction temperature Storage temperature A ∗W W ∗ When mounted on a 7 5 0.6mm ceramic board.++TransistorsRev.B 2/4z Electrical characteristics curvesI C -C O L L E C T O R C U R R E N T (m A )V CE -COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)Fig.1 Grounded emitter output characteristicsV C E (s a t )C O L L E C T O R E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )I C EMITTER COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.2 Collector-emitter saturationvoltage vs. collector currenth F E -D C C U R R E N T G A I NI C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.3 DC current gain vs.collector current ( Ι )h F E -D C C U R R E N T G A I NI C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.4 DC current gain vs. collector current ( ΙΙ )TransistorsRev.B 3/4h F E -A C C U R R E N T G A I NI C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.5 AC current gain vs. collector currentV B E (S A T )B A S E E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.6 Base-emitter saturation voltage vs. collector currentV B E (O N )-B A S E E M I T T E R O N V O L T A G E (V )I C-COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.7 Grounded emitter propagationcharacteristics t o n -TU R N O N T I M E (n s )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.8 Turn-on time vs. collectorcurrent t r -R I S E T I M E (n s )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.9 Rise time vs. collectorcurrentt S -S T O R A G ET I M E (n s )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.10 Storage time vs. collectorcurrent t f -F A L LT I M E (n s )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.11 Fall time vs. collectorcurrent C A P A C I T A N C E (p F )REVERSE BIAS VOLTAGE (V)Fig.12 Input / output capacitance vs. voltageTransistorsRev.B 4/4V C E C O L L E C T O R -E M I T T E R V O L T A G E (V )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.13 Gain bandwidth productf T -C O R R E N T G A I N -B A N D W I D T H P R O D U C T (M H z )I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.14 Gain bandwidth productvs. collector currenth -P A R A M E T E RN O R M A L I Z E D T O 1m AI C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.15 h parameter vs. collector currentN F -N O I S E F I G U R E (d B )f-FREQUENCY (Hz)Fig.16 Noise vs. collector current101I C B O -C O L L E C T O R C U T O F F C U R R E N T (A )T A -AMBIENT TEMPERATURE (°C)Fig.17 Noise characteristics ( Ι )R S -S O U R C E R E S I S T A N C E (Ω)I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.18 Noise characteristics ( ΙΙ )R S -S O U R C E R E S I S T A N C E (Ω)I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.19 Noise characteristics (ΙΙΙ)R S -S O U R C E R E S I S T A N C E (Ω)I C -COLLECTOR CURRENT (mA)Fig.20 Noise characteristics ( )ΙΛAppendix1-Rev2.0Thank you for your accessing to ROHM product informations.More detail product informations and catalogs are available, please contact your nearest sales office.ROHM Customer Support SystemTHE AMERICAS / EUPOPE / ASIA / JAPANContact us : webmaster@rohm.co.jpAppendix。
3904 3906三极管说明
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-563 Plastic-Encapsulate TransistorsNST3946 General purpose transistors (dual transistors)DESCRIPTIONIt is designed for general purpose amplifier applications . By putting two mount applications where board space is at a premium.z Low V CE(sat)zSimplifies Circuit Design z Reduces Board Spacez Reduces Component CountMarking: 46Equivalent circuit1CBO V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBOEmitter-Base Voltage-5VI C Collector Current -200 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R θJAThermal Resistance from Junction to Ambient833℃/W T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) ParameterSymbolTest conditions MinTypMaxUnitCollector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10μA, I E =0 -40V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10μA, I C =0 -5V Collector cut-off current I CBO V CB =-30V, I E =0 -0.05 μA Emitter cut-off currentI EBOV EB =-5V, I C =0 -0.05μA V CE =-1V, I C =-0.1mA 60 V CE =-1V, I C =-1mA80 V CE =-1V, I C =-10mA 100 300 V CE =-1V, I C =-50mA 60 DC current gain h FE V CE =-1V, I C =-100mA30I C =-10mA, I B =-1mA -0.25VCollector-emitter saturation voltageV CE(sat)I C =-50mA, I B =-5mA -0.4 VI C =-10mA, I B =-1mA -0.65 -0.85 VBase-emitter saturation voltageV BE(sat)I C =-50mA, I B =-5mA -0.95VTransition frequency f T V CE =-20V, I C =-10mA, f=100MHz 250 MHz Output capacitanceC obV CB =-5V, I E =0, f=1MHz4.5pFCBO V CEO Collector-Emitter Voltage 40 V V EBOEmitter-Base Voltage5VI C Collector Current 200 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R θJAThermal Resistance from Junction to Ambient833℃/W T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) ParameterSymbolTest conditions MinTypMaxUnitCollector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =10μA, I E =0 60 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO I C =1mA, I B =0 40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =10μA, I C =0 5V Collector cut-off current I CBOV CB =30V, I E =0 0.05 μA Emitter cut-off currentI EBOV EB =5V, I C =0 0.05 μA V CE =1V, I C =0.1mA 40 V CE =1V, I C =1mA70 V CE =1V, I C =10mA 100 300 V CE =-1V, I C =50mA 60 DC current gain h FE V CE =-1V, I C =100mA30I C =10mA, I B =1mA 0.2 VCollector-emitter saturation voltageV CE(sat)I C =50mA, I B =5mA 0.3 VI C =10mA, I B =1mA 0.65 0.85 VBase-emitter saturation voltageV BE(sat)I C =50mA, I B =5mA 0.95 VTransition frequency f T V CE =20V, I C =20mA, f=100MHz 300 MHz Output capacitanceC obV CB =5V, I E =0, f=1MHz4pF。
SCI 双极性通用小型电子器件 MBT3906DW1T1 产品说明书
MBT3906DW1T1Dual General Purpose TransistorThe MBT3906DW1T1 device is a spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.Features•h FE , 100−300•Low V CE(sat), ≤ 0.4 V •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space•Reduces Component Count•Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel •Pb−Free Package is AvailableMAXIMUM RATINGSMaximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.THERMAL CHARACTERISTICSrecommended footprint.Device Package Shipping †ORDERING INFORMATIONMBT3906DW1T1SOT−3633000 Units/Reel MBT3906DW1T1GSOT−363(Pb−Free)3000 Units/Reel†For information on tape and reel specifications,including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)OFF CHARACTERISTICSON CHARACTERISTICS (Note 2)SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICSELECTRICAL CHARACTERISTICS (T= 25°C unless otherwise noted) (Continued)SWITCHING CHARACTERISTICSFigure 1. Delay and Rise TimeEquivalent Test Circuit Figure 2. Storage and Fall TimeEquivalent Test Circuit10 < t 1 < 500 * T otal shunt capacitance of test jig and connectorsTYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICSFigure 3. CapacitanceREVERSE BIAS (VOLTS)2.03.05.07.0101.00.1Figure 4. Charge DataI C , COLLECTOR CURRENT (mA)1.02.03.05.07.01020305070100200C A P A C I T A N C E (p F )1.02.03.0 5.07.010200.20.30.50.7T J = 25°C T J = 125°CFigure 5. Turn−On Time I C , COLLECTOR CURRENT (mA)7010020030050050T I M E (n s )1.02.03.01020705100Figure 6. Fall TimeI C , COLLECTOR CURRENT (mA)5.07.0305020010307201.02.03.010*******5.07.03050200TYPICAL AUDIO SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICSNOISE FIGURE VARIATIONS(V CE = −5.0 Vdc, T A = 25°C, Bandwidth = 1.0 Hz)Figure 7. f, FREQUENCY (kHz)2.03.04.05.01.00.1Figure 8.R g , SOURCE RESISTANCE (k OHMS)N F , N O I S E F I G U R E (d B )1.02.0 4.01020400.20.401000.1 1.0 2.0 4.01020400.20.4100h PARAMETERS(V CE = −10 Vdc, f = 1.0 kHz, T A = 25°C)Figure 9. Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)7010020030050Figure 10. Output AdmittanceI C , COLLECTOR CURRENT (mA)h , D C C U R R E N T G A I Nh , O U T P U T A D M I T T A N C E ( m h o s )Figure 11. Input Impedance I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 12. Voltage Feedback RatioI C , COLLECTOR CURRENT (mA)301005010202.03.05.07.0101.00.10.21.02.0 5.00.5100.30.5 3.00.72.05.010201.00.20.5o e h , I N P U T I M P E D A N C E (k O H M S )i e 0.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.00.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.0750.10.21.02.0 5.0100.30.5 3.0f e m 70300.77.00.77.07.03.00.70.30.77.00.77.0h , V O L T A G E F E E D B A C K R A T I O (x 10 )r e −4TYPICAL STATIC CHARACTERISTICSFigure 13. DC Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.30.50.71.02.00.20.1h , D C C U R R E N T G A I N (N O R M A L I Z E D )0.5 2.0 3.01050700.20.30.11001.00.720030205.07.0F EFigure 14. Collector Saturation RegionI B , BASE CURRENT (mA)0.40.60.81.00.20.1V , C O L L E C T O R E M I T T E R V O L T A G E (V O L T S )0.5 2.0 3.0100.20.301.00.7 5.07.0CE0.070.050.030.020.01Figure 15. “ON” Voltages I C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.40.60.81.00.2Figure 16. Temperature CoefficientsI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V , V O L T A G E (V O L T S )− 0.500.51.0− 1.0− 1.5− 2.0, T E M P E R A T U R E C O E F F I C I E N T S (m V / C )°V qPACKAGE DIMENSIONSSOT−363/SC−88CASE 419B−02ISSUE UNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.419B−01 OBSOLETE, NEW STANDARD 419B−02.DIMA MIN MAX MIN MAX MILLIMETERS 1.80 2.200.0710.087INCHESB 1.15 1.350.0450.053C 0.80 1.100.0310.043D 0.100.300.0040.012G 0.65 BSC 0.026 BSC H −−−0.10−−−0.004J 0.100.250.0040.010K 0.100.300.0040.012N 0.20 REF 0.008 REF S2.00 2.200.0790.087STYLE 1:PIN 1.EMITTER 22.BASE 23.COLLECTOR 14.EMITTER 15.BASE 16.COLLECTOR 2*For additional information on our Pb−Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. 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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors
NST3946 General purpose transistors (dual transistors)
DESCRIPTION
It is designed for general purpose amplifier applications . By putting two mount applications where board space is at a premium.
z Low V CE(sat)
z
Simplifies Circuit Design z Reduces Board Space
z Reduces Component Count
Marking: 46
Equivalent circuit
1
CBO V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO
Emitter-Base Voltage
-5
V
I C Collector Current -200 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R θJA
Thermal Resistance from Junction to Ambient
833
℃/W T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature
-55~+150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter
Symbol
Test conditions Min
Typ
Max
Unit
Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10μA, I E =
0 -40
V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40
V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10μA, I C =
0 -5
V Collector cut-off current I CBO V CB =-30V, I E =
0 -0.05 μA Emitter cut-off current
I EBO
V EB =-5V, I C =0 -0.05μA V CE =-1V, I C =
-0.1mA 60 V CE =-1V, I C =
-1mA
80 V CE =-1V, I C =
-10mA 100 300 V CE =-1V, I C =
-50mA 60 DC current gain h FE V CE =-1V, I C =
-100mA
30
I C =-10mA, I B =-1mA -0.25V
Collector-emitter saturation voltage
V CE(sat)
I C =-50mA, I B =-5mA -0.4 V
I C =-10mA, I B =-1mA -0.65 -0.85 V
Base-emitter saturation voltage
V BE(sat)
I C =-50mA, I B =-5mA -0.95V
Transition frequency f T V CE =-20V, I C =-10mA, f=100MHz 250 MHz Output capacitance
C ob
V CB =-5V, I E =0, f=1MHz
4.5
pF
CBO V CEO Collector-Emitter Voltage 40 V V EBO
Emitter-Base Voltage
5
V
I C Collector Current 200 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R θJA
Thermal Resistance from Junction to Ambient
833
℃/W T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature
-55~+150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter
Symbol
Test conditions Min
Typ
Max
Unit
Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =10μA, I E =
0 60 V Collector-emitter breakdown voltage
V (BR)CEO I C =1mA, I B =0 40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =10μA, I C =0 5
V Collector cut-off current I CBO
V CB =30V, I E =
0 0.05 μA Emitter cut-off current
I EBO
V EB =5V, I C =
0 0.05 μA V CE =1V, I C =
0.1mA 40 V CE =1V, I C =
1mA
70 V CE =1V, I C =
10mA 100 300 V CE =-1V, I C =
50mA 60 DC current gain h FE V CE =-1V, I C =
100mA
30
I C =10mA, I B =1mA 0.2 V
Collector-emitter saturation voltage
V CE(sat)
I C =50mA, I B =5mA 0.3 V
I C =10mA, I B =1mA 0.65 0.85 V
Base-emitter saturation voltage
V BE(sat)
I C =50mA, I B =5mA 0.95 V
Transition frequency f T V CE =20V, I C =20mA, f=100MHz 300 MHz Output capacitance
C ob
V CB =5V, I E =0, f=1MHz
4
pF。