模电判断题

模电判断题 1 是正确,2 是错误

1、PN结是构成一切半导体器件的基础，它具有单向导电性。（1）

2、单向导电指正偏时有较大正向电阻，反偏时有较小反向电阻。（

3、三极管按其材料分可以分为NPN和PNP（2）

4、P型半导体是在本征半导体中掺入3价元素制成的。（1）

5、N型半导体中电子参与导电（1）

6、空穴带负电。（2）

7、导体中存在空穴和自由电子。（2）

8、三极管可以由两个特殊构造的二极管制成。（2）

9、二极管可以由一个PN结制成。（1）

10、PN结具有单向导电性，正向是由P到No（1）

11、硅二极管的导通电压是0.5v，死区电压是0.3v o （2）

12、锗二极管的导通电压比硅二极管导通电压大。（2）

13、放大电路的两种状态是指未输入信号时的静态（直流状态）和

输入信号时的动态。（1）

14、对放大器的定量分析，一是确定静态工作点；二是求出动态时

的性能指标。（1）

15、静态工作点由1 B, I C, U BE, U BC组成。（2）

16 、

二极管和三极管都是线性器

件。

( 2)

2)

代表电压放大倍数。

17 、在半导体三极管的参数中,

（2）

放大电路空载和带载放大倍数相同。 （ 2） 电子电路需要交流电源供电。 （ 2） 三极管放大时 Ie=Ic+Ib 。（1） 三极管分别有放大区，饱和区两个工作区。 （2） 发射结正偏，集电结反偏三极管工作在放大状态。 （ 1） 三极管的饱和区是发射结正偏，集电结反偏。 （2） 导体的导电能力不及半导体。 （ 2） 硅三极管发射结正偏是指 Ub-Ue=0.7V 。（1） 放大电路中Ec 可以同时使三极管发射结正偏，集电结反偏。（1） 三极管放大作用需要的外部条件是集电结反偏和发射结正偏。 1） 二极管的反向击穿是指给 N 加正P 加负。（2） 二极管反向击穿两端

电压为零。 （2）

理想二极管反向截止是指反向电阻无穷大。 （1） 确定一个硅三极管发射结的依据是两端电压为 0.7v 。（1） r be 的单位是K Q 。（2） 某放大电路 Ec=12V Uce=0.5V 。（2） Rb//r be ~ r be （1） Rb+&e 〜Rb （1） 稳压二极管是利用PN 结的反向击穿特性工作的。（1）

18、

19、

20、

21、

22、

23、

24、

25、

26、

27、 28、

29、

30、

31、

32、

33、

34、

35、

36、

现实中的二极管导通后两端电压为 0。（ 2） 三极管是电流控制元件。 （1）

用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V 、6V 、 2.7V ，则 2v 是发射极。（ 1）

上题是NPN 型三极管。（1）

用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V 、 1 .3V 、-5V ，则 2v 是发射极。（1）

上题是NPN 型三极管。（2）

某NPN 型三极管，Ub=4.3V,Ue=4V,Uc=9V,此三极管工作在放大状 态（ 1）。

上题此三极管是硅三极管。 （ 2）

某NPN 型三极管，Ub=-7v,Ue=-6v,Uc=9V,此三极管工作在截止状 态（ 1）。 某饱和状态硅三极管，Ue=5v, Uc=1V Ub 一定等于5.7V 。（1） 37

、

38、 39

、 40

、

41、 42

、 43、

44

、