电磁学_05_电介质中的静电场
《电磁学》教案
电磁学笔记物理081 李庆波 08103118第一章 真空中的静电场1.物质结构理论 原子由带正电的原子核和绕核运动的带负电的电子组成 物体带电的过程 摩擦起电 ; 感应起电电量 带电体所带电荷的多少,用Q 或q 表示,单位:库仑(用C 表示)电子和质子各带电量 e =1.6×1910-库仑, 1库仑的电量相当于6.25×1810个电子或质子所带的电量电荷是量子化的 一个物体所带电荷的多少只能是电子电量eq =ne (n =0,±1,±2)“夸克”被认为带的电荷是e 的分数倍 2.电荷守恒定律大量实验表明:电荷既不能被创造,也不能被消灭,它们只能从一个物体转移到另一个物体,或从物体的一部分转移到另一部分,在任何物理过程中电荷的代数和总是守恒的,这个结论叫电荷守恒定律。
它不仅在一切宏观过程中成立,而且在一切微观过程中也是成立的,它是物理学中的普适守恒定律之一。
3.库仑定律1875年英国物理学家库仑从实验上总结出两个点电荷之间相互作用力的规律,后人称之为库仑定律,它表明真空中带电量为q 1和q 2的两个点电荷之间作用力的大小与它们所带电量q 1和q 2的乘积成正比,与它们之间的距离r 的平方成反比;作用力的方向沿着F= k rq q 221式中q 1和q 2分别表示两个点电荷的电量,r 为两个点电荷之间的距离,k 是比例系数。
在真空中k =8.99×109C mN22-,为了使表达式既能表示力的大小又能表示力的方(1)通常令 k =1/4πε。
则ε。
=1/4πk=8.85⨯1012-C 2N 1-m 2-,ε。
称之为真空的介电常数(或称为电容率)这样库仑定律的数学表达式可称F =4πε1rq q 221该式称为库仑定律的有理化形式。
F =4πε1rq q 221r 。
式中r 。
表示施力电荷指向受力电荷方向的单位矢量第二节 电场强度1. 电场电荷之间的相互作用是通过一种特殊的物质来作用的,这种特殊的物质就叫电场。
第十章静电场中的导体和电介质
第⼗章静电场中的导体和电介质第⼗章静电场中的导体和电介质在上⼀章中,我们讨论了真空中的静电场。
实际上,在静电场中总有导体或电介质存在,⽽且在静电的应⽤中也都要涉及导体和电介质的影响,因此,本章主要讨论静电场中的导体和电介质。
本章所讨论的问题,不仅在理论上有重⼤意义,使我们对静电场的认识更加深⼊,⽽且在应⽤上也有重⼤作⽤。
§10-1 静电场中的导体⼀、静电平衡条件1、导体与电介质的区别:(1)宏观上,它们的电导率数量级相差很⼤(相差10多个数量级,⽽不同导体间电导率数量级最多就相差⼏个数量级)。
(2)微观上导体内部存在⼤量的⾃由电⼦,在外电场下会发⽣定向移动,产⽣宏观上的电流⽽电介质内部的电⼦处于束缚状态,在外场下不会发⽣定向移动(电介质被击穿除外)。
2、导体的静电平衡条件(1)导体内部任何⼀点处的电场强度为零;(2)导体表⾯处的电场强度的⽅向,都与导体表⾯垂直.导体处于静电平衡状态的必要条件:0=i E(当导体处于静电平衡状态时,导体内部不再有⾃由电⼦定向移动,导体内电荷宏观分布不再随时间变化,⾃然其内部电场(指外场与感应电荷产⽣的电场相叠加的总电场)必为0。
⼆、静电平衡时导体上的电荷分布1、导体内部没有净电荷,电荷(包括感应电荷和导体本⾝带的电荷)只分布在导体表⾯。
这个可以由⾼斯定理推得:ii sq E ds ε?=,S 是导体内“紧贴”表⾯的⾼斯⾯,所以0i q =。
2、导体是等势体,导体表⾯是等势⾯。
显然()()0b a b i a V V E dl -=?=?,a,b 为导体内或导体表⾯的任意两点,只需将积分路径取在导体内部即可。
3、导体表⾯以处附近空间的场强为:0E n δε=,δ为邻近场点的导体表⾯⾯元处的电荷密度,?n 为该⾯元的处法向。
简单的证明下:以导体表⾯⾯元为中截⾯作⼀穿过导体的⾼斯柱⾯,柱⾯的处底⾯过场点,下底⾯处于导体内部。
由⾼斯定理可得:12i s s dsE ds E ds δε?+?=,1s ,2s 分别为⾼斯柱⾯的上、下底⾯。
静电场理论解析
静电场理论解析静电场是一种特殊的电磁场,只涉及电荷的静止状态和空间分布,没有时间变化。
静电场的理论解析是研究静电场分布和电势分布的过程,它是电磁学中的重要分支之一。
本文将从静电场的定义、静电场的特征、静电场的产生、静电场的性质、静电场的数学描述等方面进行阐述。
一、静电场的定义静电场是指由静止电荷或电场分布引起的电场。
它是一种无源场,没有任何外部物质或电流参与。
二、静电场的特征1. 不可入侵性:静电场的电场线总是从正电荷指向负电荷,并且不会相交。
2. 趋于无穷远:静电场的电场线在趋于无穷远时,会趋于与半径为零的点电荷的场相同。
3. 高度可定性:在给定电场内,任一点的电势差唯一确定。
三、静电场的产生静电场的产生通常有以下几种方式:1. 点电荷:静电场最简单和典型的产生方式是由一个点电荷产生。
2. 均匀带电体:当一个均匀带电体存在时,它产生的静电场也是均匀的。
3. 距离不变带电体:当两个带电体的距离保持不变时,它们之间的静电场仍然存在。
4. 电容器:在两个导体板之间存在电荷时,它们之间会形成电场。
四、静电场的性质1. 叠加原理:静电场满足叠加原理,即如果在某一区域内有多个电荷或体积电荷分布,则这些电荷或体积电荷的电场效应可叠加。
2. 独立性:静电场和磁场是两个相互独立的物理现象,它们之间没有直接关系。
3. 耗散性:静电场不具有能量传递性,它的能量被限制在电荷与电场之间。
五、静电场的数学描述静电场的数学描述主要通过电场的分布函数和电势函数来实现。
1. 电场的分布函数:通过在给定空间内每个点处的电场强度矢量来描述静电场的分布。
2. 电势函数:通过在给定空间内每个点处的电势值来描述静电场的分布。
根据高斯定律和库仑定律,可以利用数学工具对电场和电势进行计算和分析。
六、应用与研究进展静电场的理论解析不仅在基础电磁学和物理学中具有重要地位,还在众多应用领域中得到广泛应用。
1. 静电除尘:利用静电场可以将空气中的尘埃和颗粒物带电,并通过电场力使其沉降,实现空气净化和除尘效果。
大学物理电磁学典型习题
部分习题解答第一章 静止电荷的电场1、10 解:(一定要有必要的文字说明)在圆环上与角度θ相应的点的附近取一长度dl ,其上电量 dq =λdl =0λsinθdl ,该电荷在O 点产生的场强的大小为==204RdqdE πε2004sin R dl πεθλθπελsin 400R =θd dE 的方向与θ有关,图中与电荷 dq 对O 点的径矢方向相反。
其沿两坐标轴方向的分量分别为 θθθπελθd RdE dE x cos sin 4cos 00-=-=θθπελθd RdE dE y 200sin 4sin -=-=整个圆环上电荷在圆心处产生的场强的两个分量分别为==⎰x x dE E R004πελ-⎰=πθθθ200cos sin d==⎰Y y dE E R004πελ-⎰-=πελθθ200024sin Rd 所以圆心处场强为 E = E y j = R004ελ-j 1、11 解:先将带电系统看成一个完整的均匀带电圆环计算场强,然后扣除空隙处电荷产生的场强;空隙的宽度与圆半径相比很小,可以把空隙处的电荷看成点电荷。
空隙宽度m d 2102-⨯=,圆半径m r 5.0=,塑料杆长m d r l 12.32=-=π 杆上线电荷密度m C lq/1019-⨯==λ 一个均匀带电圆环,由于电荷分布关于圆心对称,环上对称的二电荷元在圆心处产生的场强互相抵消,因而整个圆环在圆心处的场强E 1= 0 空隙处点电荷设为q /,则q / =d λ,他在圆心处产生的场强m V rdr q E /72.0442020/2===πελπε 方向由空隙指向圆心。
空隙处的电荷实际上不存在,因此圆心处场强等于均匀带电圆环在该点产生的场强与空隙处电荷在该点产生的场强之差,故m V E E E /72.021-=-= 负号表示场强方向从圆心指向空隙。
1、12 解:设想半圆形线CAD 与半圆形线ABC 构成一个圆形如图,且圆上线电荷密度均为λ。
电磁学总结
5
理学院 物理系 陈强
(4) 等势面 由电势相等的点组成的面叫等势面 (5)电场强度与电势的关系
势 能 零点
Ua E dl a
b
E dl Ua Ub
a
E
dU
n
U
dn 6
理学院 物理系 陈强
3.两条基本定理 (1) 静电场的高斯定理 在真空中的静电场内,通过任一闭合面的电通量
i
或
E
Q
4 0r 2
rˆ
E
in i1
qi
4 0
ri2
rˆi
E
dE
Q
dq
Q4 0r
2
rˆ
3
(2) 电势
理学院 物理系 陈强
Ua
Wa q
电场中某点的电势,其数值等于单 位正电荷在该点所具有的电势能。
点电荷场电势公式
势 能零点
Ua E dl a
Q U
4 0r
电势叠加原理
U
(6) 安培力(安培定律)
df Idl B
一根通电导线所受的磁场力——安培力:
f df Idl B
L
L20(7) Fra bibliotek耳效应放在磁场中的导体块,当通 有与磁场方向垂直的电流时 ,则在与磁场和电流均垂直 U1 的方向上出现横向电势差— —霍耳电势差。这种现象就 U2 是霍耳效应。
12
理学院 物理系 陈强
(7) 电容器的储(静电)能
W 1 Q 2 1 QU 1 C ( U )2
2C 2
2
(8)电场的能量 场能密度:单位体积内的电能 各向同性线性介质
大学物理电磁学总结
大学物理电磁学总结电磁学部分总结静电场部分第一部分:静电场的基本性质和规律电场是物质的一种存在形态,它同实物一样也具有能量、动量、质量等属性。
静电场的物质特性的外在表现是:(1)电场对位于其中的任何带电体都有电场力的作用(2)带电体在电场中运动, 电场力要作功——电场具有能量1、描述静电场性质的基本物理量是场强和电势,掌握定义及二者间的关系。
电场强度 E =q 0∞ W a 电势 U a ==E ⋅d rq 0a2、反映静电场基本性质的两条定理是高斯定理和环路定理Φe =E ⋅d S =ε0∑qL E ⋅d r =0要掌握各个定理的内容,所揭示的静电场的性质,明确定理中各个物理量的含义及影响各个量的因素。
重点是高斯定理的理解和应用。
3、应用(1)、电场强度的计算1q E =r 02a) 、由点电荷场强公式 4πεr 及场强叠加原理 E = ∑ E 计i 0算场强一、离散分布的点电荷系的场强1q i E =∑E i =∑r 2i 0i i 4πεr 0i二、连续分布带电体的场强 d q E =⎰d E =⎰r 204πε0r其中,重点掌握电荷呈线分布的带电体问题b) 、由静电场中的高斯定理计算场源分布具有高度对称性的带电体的场强分布一般诸如球对称分布、轴对称分布和面对称分布,步骤及例题详见课堂笔记。
还有可能结合电势的计算一起进行。
c) 、由场强和电势梯度之间的关系来计算场强(适用于电势容易计算或电势分布已知的情形),掌握作业及课堂练习的类型即可。
(2)、电通量的计算a) 、均匀电场中S 与电场强度方向垂直b) 、均匀电场,S 法线方向与电场强度方向成θ角E =-gradU =-∇U∂U ∂U ∂U =-(i +j +k )∂x ∂y ∂zc) 、由高斯定理求某些电通量(3)、电势的计算a) 、场强积分法(定义法)——计算U P =⎰E ⋅d rb) 、电势叠加法——q i ⎰电势叠加原理计算⎰∑U i =∑4πεr⎰0iU =⎰dq ⎰dU =⎰⎰⎰4πε0r ⎰第二部分:静电场中的导体和电介质一、导体的静电平衡状态和条件导体内部和表面都没有电荷作宏观定向运动的状态称为静电平衡状态。
有电介质的静电场边值问题
有电介质的静电场边值问题姓名:***院校系别班级摘要:我们知道,静电场在一种均匀电介质中是不会发生跃变的。
但在两种均匀电介质边界上是否发生突变?如果发生跃变,那么这个过程是怎样的呢?根据前面的知识,本文我们采用柏松公式和拉普拉斯定理对有电介质的静电场边值问题进行证明!关键词:静电场 电介质 突变 边值问题 唯一性引言:由于在外场作用下,两均匀电介质分界面上一般会出现一层束缚电荷和电流分布,这些电荷、电流的存在又使得界面两侧场量发生跃变,这种场量跃变是面电荷、面电流激发附加的电场产生的,描述在电介质分界面上。
若带电体的形状、尺寸和位置均已固定,则满足边界条件的柏松方程和拉普拉斯方程的解是否唯一?一、讨论两不同电介质交界面两侧场量跃变情况我们先探讨在外电场存在的作用下两种电介质交界面两侧场量跃变情况。
通过对电磁学的学习,我们知道麦克斯韦方程组的微分形式是0BE t ∂∇⨯+=∂ (1)000EB t με∂∇⨯-=∂ (2)0E ∇⋅= (3)0B ∇⋅= (4)微分方程中所涉及的量都必须是良态的。
所谓良态,即函数在其观察点及其领域内连续并有连续的导数,则称该函数是良态的。
所以微分形式的麦克斯韦方程组只能描述一种介质内电磁场的变化规律,然而实际中常常遇到有不同介质交界面的情况。
在分界面上,介质的性质有一突变,电磁常量一般也要发生突变,所以,在分界面上的各点,麦克斯韦方程组的微分形式已失去意义。
由于麦克斯韦方程组的积分形式不要求各个量都是良态,所以它适用于包括介质分界面在内的区域。
因此研究边值关系的基础是积分形式的麦克斯韦方程组。
即:0l s E dl B ds t ∂⋅+⋅=∂⎰⎰ (5)0l S H dl D ds t ∂⋅-⋅=∂⎰⎰ (6)s D ds Q ⋅=⎰⎰ (7)0s B ds ⋅=⎰ (8)式中:环线l 为面s 的闭合边界,其正向与面元d s 法向遵从右手螺旋法则。
环面s 为包围体积v 的闭合面,面元d s 指向为s 面的外法向。
电磁学第二章习题答案
习题五(第二章 静电场中的导体和电介质)1、在带电量为Q 的金属球壳内部,放入一个带电量为q 的带电体,则金属球壳内表面所带的电量为q ,外表面所带电量为 q +Q 。
2、带电量Q 的导体A 置于外半径为R 的导体 球壳B 内,则球壳外离球心r 处的电场强度大小204/r Q E πε=,球壳的电势R Q V 04/πε=。
3、导体静电平衡的必要条件是导体内部场强为零。
4、两个带电不等的金属球,直径相等,但一个是空心,一个是实心的。
现使它们互相接触,则这两个金属球上的电荷( B )。
(A)不变化 (B)平均分配 (C)空心球电量多 (D)实心球电量多5、半径分别R 和r 的两个球导体(R >r)相距很远,今用细导线把它们连接起来,使两导体带电,电势为U 0,则两球表面的电荷面密度之比σR /σr 为 ( B )(A) R/r (B) r/R (C) R 2/r 2 (D) 16、有一电荷q 及金属导体A ,且A 处在静电平衡状态,则( C )(A)导体内E=0,q 不在导体内产生场强;、(B)导体内E ≠0,q 在导体内产生场强; (C)导体内E=0,q 在导体内产生场强; (D)导体内E ≠0,q 不在导体内产生场强。
7、如图所示,一内半径为a ,外半径为b 的金属球壳,带有电量Q , 在球壳空腔内距离球心为r 处有一点电荷q ,设无限远 处为电势零点。
试求:、(1)球壳外表面上的电荷;(2)球心O 点处由球壳内表面上电荷产生的电势; (3)球心O 点处的总电势。
解: (1) 设球壳内、外表面电荷分别为q 1 , q 2,以O 为球心作一半径为R (a <R <b )的rARQ)O· Q ·b·Oarq B高斯球面S,由高斯定理01εqq dS E S +=⋅⎰⎰ ,根据导体静电平衡条件,当a <R <b 时,0=E。
则0=⋅⎰⎰SdS E ,即01=+q q ,得q q -=1根据电荷守恒定律,金属球壳上的电量为21q q Q +=(qQ q Q q +=-=∴12(2)在内表面上任取一面元,其电量为dq ,在O 点产生的电势adq dV o πε411=q 1在O 点产生的电势aq aq adq dV V o o o πεπεπε4441111-====⎰⎰内内(3) 同理,外球面上的电荷q 2在O 点产生的电势bqQ bq V o o πεπε4422+== 点电荷q 在O 点产生的电势rq V o q πε4=∴ O 点的总点势o q V V V V πε41210=++=(bq Q a q r q ++-) 8、点电荷Q 放在导体球壳的中心,球的内、外半径分别为a 和b ,求场强和电势分布。
静电场的基本概念与性质
静电场的基本概念与性质物质中存在着电荷,电荷相互作用产生的力和电场是电磁学的基本概念。
电场指的是电荷在除自身以外的地方产生的某种场,是将空间中任一点引入一个试验电荷时,该电荷所受到的电力作用,与所引入的位置无关。
本文将介绍静电场的基本概念、性质及其重要应用。
一、静电场的基本概念静电场是指在不随时间变化的情况下,带电粒子或体系给周围带来的电场。
它遵循库仑定律,即两个电荷之间的相互作用力与它们间的距离成反比,与电荷之间的数值成正比。
静电场的基本概念可以从以下几个方面来理解。
1. 电荷:电荷是物质的基本属性,描述物质所带的电性质。
电荷分为正电荷和负电荷,它们之间的相互作用形成电场。
2. 电场强度:电场强度是指电场对单位正电荷的作用力。
即在某一点上,单位正电荷所受到的电力大小。
用E表示电场强度,单位为N/C。
3. 电势:电势是电场对单位正电荷所作的功,也可以看作电场能单位正电荷所具有的能量。
用V表示电势,单位为V(伏特)。
4. 电势差:电势差是指在电场中,单位正电荷由一个点移动到另一个点时,电势的变化量。
电势差的单位为V。
二、静电场的性质静电场具有以下一些基本的性质。
1. 叠加性原理:当在某一空间中存在多个电荷时,它们的电场强度与电势在同一空间中满足叠加原理。
即各电荷产生的电势和电场矢量可简单相加。
2. 电场线:电场线是用来描绘电场的图形,是连接空间中各点的电场强度方向的曲线。
电场线可以从正电荷出发,经过电场区域再回到负电荷,电场强度的大小则通过电场线的稀密程度来表示。
3. 高斯定律:高斯定律是描述电场性质的一个重要定律,它指出通过任意闭合曲面的电通量等于该曲面所包围的电荷代数和的1/ε0(ε0为电介质常数)。
即Φ=E*S=E*S*cosθ=Q/ε0,其中Φ表示电通量,E表示电场强度,S表示曲面面积,θ表示电场线与法向量的夹角,Q表示该曲面内的电荷代数和。
4. 电场的能量:静电场具有能量,这种能量可由电场中的电荷具有。
静电场中的电介质
有介质时的静电场基本方程:
r
rr
引入电位移矢量:D 0 E P
rr
Ò D dS q0
Sr r
3
Ñ l E dl 0
对各向同性线性电介质 D E
电场的能量
§3.7 电场的能量
一. 电场是能量的携带者
➢ 对平行板电容器
We
1 CU 2 2
1
(
S )( Ed )2
2d
1
2
E 2V
E2
静电能由电场携带,存在于电场中.
b uur r
Aab q E d l q(Ua Ub ) qUab (E pb E pa )
a
10
3. 电势叠加原理
(1)点电荷的电势分布:
(2)点电荷系的电势分布:
(3)任意带电体的电势分布:
电势的计算
11
叠加法 定义法
Ui dU
UP E dl P
静电场中的导体和电介质
一.静电场中的导体 1.导体静电平衡条件:
4 r R d 2
q '內
( r 1)q r
q '外
( r 1)q r
r R
空间的电势分布是三个带电球面的电势叠加:
r
r R:
Ur
q
4 0 R
q '內
4 0 R
q '外
40 R d
q ( r 1)q ( r 1)q q ( 1 r 1 ) 4 0 R 4 0 r R 4 0 r ( R d ) 4 0 r R R d
B
A
5.静电屏蔽问题:
E
空腔导体屏蔽外电场
13
接地导体壳有效的屏蔽了内电场
大学物理电磁学知识点
大学物理电磁学知识点静电场中的知识点:静电场是指电荷分布不变的电场。
其中,XXX是指单位正电荷所受到的力,其公式为E=F/q。
场强叠加原理指在同一点上受到多个电荷的作用时,场强等于各个电荷场强的矢量和。
点电荷的场强公式为E=q/(4πεr^2)。
用叠加法求电荷系的电场强度的公式为E=∑Ei,其中Ei是每个电荷的场强。
高斯定理是指电场线密度与电荷量成正比,与距离成反比。
公式为E=∫dq/4πεr^2.电势是指单位电荷所具有的势能,其公式为V=∫E·dl。
对于有限大小的带电体,取无穷远处为零势点。
电势差的公式为Vb-a=∫E·dl,电势叠加原理是指电势可以标量叠加。
点电荷的电势公式为V=q/(4πεr),而电荷连续分布的带电体的电势可以通过电荷密度积分得到。
电荷q在外电场中的电势能的公式为V=q/(4πεr)。
移动电荷时电场力的功公式为w=q(Va-Vb)。
场强与电势的关系为E=-∇V。
导体的静电平衡条件包括内部电场为零和表面法向电场为零。
静电平衡导体上的电荷分布是指电荷只能分布在导体的表面上。
电容的定义为C=q/V,其中平行板电的电容公式为C=εS/d。
电的并联的公式为C=∑Ci,而串联的公式为1/C=∑1/Ci。
电的能量公式为We=CV^2/2,电场能量密度公式为εE^2/2.电动势的定义是指单位电荷通过电源时所获得的能量。
静电场中的电介质知识点包括电介质中的高斯定理、介质中的静电场和电位移矢量。
真空中的稳恒磁场知识点包括毕奥-萨伐定律和磁场叠加原理。
毕奥-萨伐定律是指电流元产生的磁场与电流元、场点的位置和方向有关。
磁场叠加原理是指在同一点上受到多个电流元的作用时,磁场等于各个电流元磁场的矢量和。
在若干个电流(或电流元)产生的磁场中,某点的磁感应强度等于每个电流(或电流元)单独存在时在该点所产生的磁感强度的矢量和,即mathbf{B}=\sum \mathbf{B}_i$$以下是要记住的几种典型电流的磁场分布:1)有限长细直线电流mathbf{B}=\frac{\mu I(\cos \theta_1-\cos \theta_2)}{4\pi a}$$其中,$a$为场点到载流直线的垂直距离,$\theta_1$、$\theta_2$为电流入、出端电流元矢量与它们到场点的矢径间的夹角。
电磁学 第3章静电场中的电介质
∫∫ ρ′ = −
v v P ds
∆V
注意: 注意:均匀极化时电介质内部的极化电荷体密度为零
20
4.电介质表面(外)极化电荷面密度 电介质表面( 电介质表面 内
r dS
θ
dS
r r v ˆ dq ′ = P ⋅ d s = P ⋅ dsn = Pnds 面外
dq ′ v ˆ σ′= = P ⋅ n = Pn dS
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约定: 约定:
q ', ρ ',σ q0, ρ
0
'
,λ ,λ
'
,σ
0
0
表示极化电荷; 表示极化电荷; 表示自由电荷
二、极化强度与极化电荷的关系 在已极化的介质内任意作一闭合面S 在已极化的介质内任意作一闭合面 基本认识: 基本认识: 1)S 把位于S 附近的电介质分子分为两部分 ) 把位于 附近的电介质分子分为两部分 一部分在 S 内 一部分在 S 外 2)只有电偶极矩穿过 的分子对 )只有电偶极矩穿过S 电偶极矩穿过 S内外的极化电荷才有贡献 内外的极化电荷 内外的极化电荷才
S
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1.小面元 附近分子对面 内极化电荷的贡献 小面元dS附近分子对面 小面元 附近分子对面S内极化电荷的贡献 在dS附近薄层内认为介质均匀极化 附近薄层内认为介质均匀极化 薄层: 为底、 的圆柱。 薄层:以dS为底、长为 的圆柱。 为底 长为l的圆柱 只有中心落在薄层内的分子 才对面S内电荷有贡献 内电荷有贡献。 才对面 内电荷有贡献。 所以, 所以,
∫L
s
E ⋅dL = 0
v v
v
v
∫∫ s E ⋅ d s =
q ε0
媒质中{
导体感应电荷, 导体感应电荷,感应电场又反过来影响原 电场,静电平衡。 电场,静电平衡 电介质:即绝缘体,不导电物体, 电介质:即绝缘体,不导电物体,在电场 中怎样? 中怎样?
第三章静电场中的电介质
1 E ds ( q0 q)
s
0
s内
s内
q P ds
s内 s
1 1 E dS q0 q q0 P dS 0 0 S S
0 E P dS q0
四、 有介质时的高斯定理应用
令D 0 E P
S
引入辅助物理量:电位移矢量(electric displacement)
D 0E P
介质存在时高斯定理:
D ds q0
s s内
电位移矢量对任意闭合曲面的通量等于该曲面内所有自由 电荷的代数和。 二、电位移矢量D 1、定义:
(S )
_
E0
内
ds
l
P dS q
( S内)
V
S
外
V 内的极化电荷总量 q P ds s P d s 该点的极化电荷体密度 ' s V
'
P ds / V
' s
* 此式为各点极化电荷体密度和该点极化强度的关系。
q' , ' , ' 分别表示极化电荷、体密度、面密度 • q0 , 0 , 0 分别表示自由电荷、体密度、面密度
•
二、极化电荷体密度与极化强度的关系:
1、以位移极化为例 极化分子电矩
p分子
ql
S
E0
ds
单位体积有 n 个分子 极化强度矢量
l
0
P np分子 nql
D E
05电磁学考试大纲
05 《电磁学》考试大纲课程编号:02110103 开课院系:物理与电子信息学院课程性质:专业必修课考核方式:闭卷考试适用专业:物理教育(师范类专科)执笔人:许磊开设学期:第三学期审核人:柳仕飞一、课程的目的与任务本课程的教学目的是使学生掌握电磁学的基本概念、基本定律和基本定理,并具有熟练掌握和应用基本定律和定理解决电磁学问题的能力和技能。
本课程的任务是使学生全面地、系统地掌握电磁运动的基本现象、基本概念和基本规律,具有一定的分析和解决电磁学问题的能力,具有分析和处理与讲授高中课程中电磁学部分的能力,了解电磁学发展史上某些重大发现和发明过程中的物理思想和实验方法,了解电磁学的发展与其他学科及工农业生产的联系等。
二、教材及教学参考书1.教材:梁灿彬、秦光戎、梁竹健著,《电磁学》(第三版),北京:高等教育出版社,2012年12月。
2.参考书:(1)赵凯华、陈熙谋编,《电磁学》(第三版),北京:高等教育出版社,2011年7月。
(2)贾起民、郑永令、陈暨耀著,《电磁学》(第三版),北京:高等教育出版社,2010年5月。
三、考核内容与考核要求第一章静电场的基本规律(一)知识点1.电荷守恒定律;2.点电荷,库仑定律;3.电场强度矢量;4.电力线;5.点电荷的场强公式,电场的迭加原理;6.电通量,高斯定理;7.静电场的环路定理;8.电势,电势差,电势能;9.电势与场强的关系。
1.理解电荷守恒定律;2.熟练掌握库仑定律;3.熟练掌握电场强度矢量的计算;4.理解电力线的二条性质;5.熟练掌握点电荷的场强公式和电场的迭加原理;6.理解电通量和高斯定理并能熟练运用高斯定理求场强;7.了解静电场的环路定理;8.理解电势、电势差、电势能等概念并熟练掌握电势的计算;9.掌握电势与场强的微分关系。
第二章有导体时的静电场(一)知识点1.导体的静电平衡条件及静电平衡时导体的性质;2.孤立导体的形状对电荷分布的影响;3.静电平衡时导体问题的唯象处理。
第三章 静电场中的电介质
E≠ 0时 p≠ 0
-
+
有极分子 —— 取向极化 向一致, ( | ∑ p | ∝ |E |,E 使 p 取向一致,热运动使杂乱 ) ,
E=0时 ∑p=0
E≠ 0时 ∑p中有个 m 个电偶极子
∑p = 0
i=1 i
m
极化
∑p ≠ 0
i=1 i
m
极化强度矢量 P:(表示极化的程度) : 表示极化的程度)
= −(P ⋅ ∆S1 + P ⋅ ∆S2) 1 2
ˆ1 2 ˆ = −(P ⋅ n + P ⋅ n2)∆S 1
S
ˆ1 n
∆S
ˆ n2
ˆ = (P − P )⋅ n∆S 2 1
∆q' ˆ ∴ σ' = = (P − P ) ⋅ n 2 1 ∆S
ˆ ˆ1 ( 取 n = n : →1) 2
讨论
ˆ n 2是介质,1是真空: σ' = P ⋅ n = P 是介质, 是真空 是真空: 是介质 2 ( P1 = 0 ) 2是介质,1是导体: σ' = P ⋅ n = P 是介质, 是导体 是导体: 是介质 ˆ n 2 1、2都是介质: 都是介质: 、 都是介质 σ' = Pn − Pn 1 2 3 2 1 - + + 平行板电容器中插入电介质板 + • 右侧:P 与 n 同向, σ’ = P2 右侧: 同向, + - + + • 左侧:P 与 n 反向, -σ’ 左侧: 反向, - + + + σ’ 和 -σ’ 对 1,3 区 E 无影响 , + - + 2 区附加 E’ 与 E0 反向 + σ0 -σ’ σ’ -σ0 E1 = E3 = E0 1 ∴ U0 <U <U0 E2 = E0 + E’ < E0 2
电磁学-静电场中的导体和电介质a
❖ 表面突出尖锐部分曲率大, 电荷面密度大;
导体
❖ 表面比较平坦部分曲率小, 电荷面密度小;
❖ 表面凹进部分曲率为负, 电荷面密度最小。
证明: 设有两个相距很远的带电导体球,如图: 用很长的细导线连接两导体球,
忽略两球间的静电感应,导体球上的电荷仍均匀分布。
整个导体系统是等势体。
A
球:VA
1 4 0
例1: 无限大均匀带电平面的电场中平行放一无限大金属平板,
已知:带电平面的电荷面密度为 0 。
求:金属板两面的感应电荷面密度 。
解: 设金属板两面感应电荷面密度分别为 1 和 2 ,
假定均大于零 。
由电荷守恒: 1 2 0
(1)
0 1 2
导体内场强由三个带电平面产生并且 = 0 :
外表面接地,腔外电场消失。
导体空腔内电场不受外界的影响,或利用导体空腔接地 而使腔内带电体与外界隔绝的现象。
封闭导体壳(不 论接地与否)内部的 电场不受外电场的影 响;
接地封闭导体壳 (或金属丝网)外部 的场不受壳内电荷的 影响。
⑵ 应用:均压服
E
E
0+ +++
注意:腔内无带电体时,空腔导体外的电场由空腔导体外表面的 电荷分布和其它带电体的电荷分布共同决定。
腔内有带电体时,腔体外表面
所带的电量由电荷守恒定律决 定,腔外导体和电场不影响腔
内电场。
四.有导体存在时静电场
E,
V
的计算
电荷守恒定律
静电平衡条件
电荷分布
EV
高中物理 静电场
高中物理静电场静电场是高中物理课程中重要的内容之一,它描述了电荷之间的相互作用以及在空间中的分布情况。
静电场的概念最早由法国物理学家库仑提出,并在后来的实验和理论研究中得到了进一步的发展。
下面将从静电场的基本概念、性质和应用几个方面进行介绍。
静电场的基本概念静电场是由带有电荷的物体在周围空间中产生的一种场。
当物体带有正电荷时,它周围就形成了一个向外的静电场;而带有负电荷的物体则形成一个向内的静电场。
这种电场可以通过电场线来描述,电场线的方向与电场的方向一致,密度表示电场强度的大小。
在电场中,物体上的电荷会受到电场力的作用,产生电场势能和电势差,从而引发电荷之间的相互作用。
静电场的性质静电场具有以下几个重要的性质:1. 电荷守恒:静电场中电荷的总量是守恒的,电荷可以通过导体的导电作用移动,但不能被创造或消灭。
2. 趋肤性:静电场内部的电荷会聚集在导体表面,使得电场在导体内部为零,这一性质称为趋肤性。
3. 趋中性性质:当两个物体带有不同电荷时,它们之间会发生静电力的作用,趋向中性状态,减小电荷之间的差异。
4. 电场强度:电场的强度取决于电荷量和距离的关系,可以通过高斯定律或库伦定律进行计算。
静电场的应用静电场在现代科技和生活中有着广泛的应用,其中一些典型的案例包括:1. 静电吸附:利用静电场可以实现对微小颗粒和粉尘的吸附和分离,例如在空气净化装置中的应用。
2. 静电除尘:通过静电场可以去除工业生产中产生的灰尘和污染物,保持环境清洁。
3. 静电喷涂:在涂装行业中,静电场可用于改善喷涂效果,提高涂层的附着力和均匀性。
4. 静电除湿:静电场还可以被用来除去潮湿空气中的水汽,减少空气湿度,保护电子设备和文物。
总结静电场是电磁学中的基础概念之一,它描述了电荷分布在空间中形成的场。
通过学习静电场的基本概念、性质和应用,我们可以更好地理解电荷之间的相互作用和电场的形成规律,进一步应用在工程技术和生活实践中。
静电场的研究不仅拓展了我们对自然界的认识,也为人类社会的可持续发展提供了许多有益的技术手段和解决方案。
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第五讲 电介质中的静电场
一些介质在外加电场的作用下出现极化现象,产生附加的极化电场,这些物质称为电介质。
构成介质的分子,由于正负电中心不重合,形成电偶极子。
在外电场作用下,大量的偶极子在外场的方向排列有序,其结果是在介质内部产生附加的宏观电场。
01 电介质的极化
无极分子(422,,CH H N ):分子的正负电荷中心重合,对外呈现中性;如图XCH003_084所示。
有极分子(2H O ):分子中正负电荷中心不重合,从而形成电偶极子,取向无规则的电偶极子对外呈现中性。
如图XCH003_084_01所示。
无极分子的位移极化:在外电场的作用下,无极分子的正负电荷中心发生相对位移,形成电偶极子,电偶极矩的排列沿外场的方向,如图XCH003_085所示。
有极分子的取向极化:在外电场的作用下,有极分子的电偶极矩发生取向极化,即电偶极矩的排列转向外场的方向,如图XCH003_086所示。
02 电极化强度
在介质内选取无限小体积元V ∆,体积元内分子电偶极矩矢量和:i p ∑ 定义极化强度:i p P V
=∆∑ ——用来描述电介质极化的程度 实验证明,对于各项同性的电介质:0e P E χε= —— E 是介质内部的场强,是空间所有电荷共同
产生的, e χ是电极化率,取决于介质的种类和状态
还可以表示为:0(1)r P E εε=- —— r ε为介质的相对介电常数
03 束缚电荷
一般电介质的极化,可能会在介质内部局部区域出现净余的极化电荷,此时介质内部各点的场强可能不同,极化强度也就不同。
对于均匀电介质和均匀极化,介质内部任意一个有限大小的体积元内没有净余的极化电荷,在介质表面上出现净余的电荷,这些电荷既不能在介质中自由移动,也不能离开介质表面 —— 束缚电荷。
介质内部的场强就是束缚电荷和其它电荷共同产生的。
介质均匀极化 —— 极化电荷(束缚电荷)只分布在介质的表面上。
介质内的极化强度P 和极化面电荷密度σ'的关系
虽然介质均匀极化,但在介质内任选取一个面积元dS —— 法线法线n ,该面积元上有极化电
荷。
以dS 为底面积构成一个长度为L 的斜圆柱体,如图XCH003_226所示。
斜圆柱体的体积:cos V LdS θ∆=
—— 宏观看来无限小,微观来看体积内仍然包含数量很大的极化电偶极子。
cos p
p
P V LdS θ==∆∑∑
p ∑ 可以等效表示为:
()p q L dS L σ''==∑
&q σ''分别是dS 上的极化电荷和极化电荷面密度
()cos dS L P LdS σθ
'= cos n P P σθ'==
n P σ'=⋅
在介质的表面上,束缚电荷面密度等于电极化强度沿表面的外法线方向的分量,如图XCH003_226_01所示。
04 电介质中静电场
介质中的电场强度:0E E E '=+
0E —— 原来外电场;E ' —— 电介质束缚电荷产生的电场
一对带电平行板,板间充满电介质,如图XCH003_087所示,束缚电荷均匀分布在上下两个与极板接触的介质面上,束缚电荷面密度σ'。
介质中的电场:000
E σσεε'=- 自由电荷产生的电场:000E σε=
束缚电荷产生的电场:0
E σε''= 将0e P E χε=和P σ'=带入上式得到:01e E E χ=
+ 相对介电常数:01r e E E
εχ=+= ——r ε与电介质的种类和状态有关 0
r E E ε=−−→ 介质面上极化电荷面密度:01(1)r σσε'=- —— 小于极板上自由电荷
05 介质中的高斯定理和电位移矢量D
如图XCH003_087所示的两个带电极板,其间充满相对介电常数为r ε的电介质 介质中的电场强度:0
r E E ε= —— 000r E E εεε=
对任意闭合曲面的积分,如图XCH003_087_01所示
00000r S S S
dS dS d E E S E εεεε⋅⋅=⋅=⎰⎰⎰ 000,int 0
1r S dS E q εεεε=⋅⋅⎰ 00,int S
r q dS E εε=⋅⎰ 电位移矢量:0r D E εε= —— D E ε=
0,int S
D dS q ⋅=⎰ —— 通过任意闭合曲面的电位移通量等于该闭合曲面包围的自由电荷的代数和, 称作介质中的高斯定理
电位移矢量的意义
与描述电场强度一样,也可以引入电位移线来描述空间电位移的分布,电位移矢量本身没有明确的物理意义。
从0,int S
dS D q ⋅=⎰ 可以得出电位移线起于自由正电荷,终止于自由负电荷,与束缚电荷无关! 06 D ,E 和P 之间的关系
0r D E εε= —— 01e r e
P E χεεχ⎧=⎨=+⎩ 000(1)e e D E E E εχεχε=+=+
0D E P ε=+
一般情况下的结论
设想在介质中任意选取闭合曲面S ,该曲面内既有自由电荷,也有极化电荷。
根据高斯定理,通过闭合曲面S 的电通量:
0,int 0
1()S dS E q q ε'⋅=+⎰ —— 0,int &q q '分别为闭合曲面S 包围的自由电荷和极化电荷 V
q dV ρ''=⎰ —— ρ'是极化电荷体密度 在S 闭合曲面上,极化电荷面密度:n P σ'=⋅
S 面上的极化电荷与面内的极化电荷异号等量,因此:()S S
q n P dS P dS '=-⋅=-⋅⎰⎰ 代入前式得到:0,int 01()S S
E dS q P dS ε=-⋅⋅⎰⎰ 00,int ()S
P q d E S ε+⋅=⎰ —— 令:0D E P ε=+ 0,int S
D dS q ⋅=⎰ 将0e P
E χε= 代入0D E P ε=+ 得到:
00e E D E εχε=+ 0r D E E
εεε==
应用介质中的高斯定理,计算介质中的电场
如图XCH003_088所示,带电为q 的金属球浸入各向同性的均匀介质油中,计算空间电场分布 金属球面上的电荷q 和介质面的束缚电荷分布具有球对称性,选取半径为r 的球面为高斯面,根据介质中高斯定理:
0,int S
dS D q ⋅=⎰ 24D r q π⋅= —— 24D q r
π= 金属球外任一点的电位移矢量大小:2ˆ4q D r r π=
应用0r D E εε= 电场强度:2
0ˆ4r q
E r r πεε= 两条平行的“无限长”直导线,A B ,相距为d ,放在介电常数为ε的无限大均匀电介质中,计算空间电场分布。
假设直导线,A B 上单位长度分别带电and λλ+-,导线表面的电荷可以看作是均匀分布。
直导线的电场分布具有轴对称性,选取圆柱面为高斯面来计算一个导线在空间的电场分布。
应用介质中的高斯定理:0,int S
dS D q ⋅=⎰ 2D rl l πλ⋅= −−→ 2D r
λπ= 选取如图XCH003_075_02所示的坐标,P 的电位移矢量大小:
12D D D =+ —— 1222()D x D d x λπλπ⎧=⎪⎪⎨⎪=-⎪⎩ 22()
D x d x λλππ=+- 电场强度:D
E ε=
11()2E x d x
λπε=+- —— 0r εεε=。