晶硅太阳能电池组件—背板材料 产品技术 原材料 测试方法及质量问题
晶硅太阳能电池的制造与检验流程
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晶体硅光伏组件EL测试的缺陷分析
![晶体硅光伏组件EL测试的缺陷分析](https://img.taocdn.com/s3/m/12df958da0c7aa00b52acfc789eb172ded6399b2.png)
晶体硅光伏组件EL测试的缺陷分析随着光伏技术的发展,晶体硅光伏组件已成为主流的光伏发电设备之一、在光伏组件生产过程中,常常会进行电致发光(EL)测试,通过对组件的EL图像进行分析,可以有效地检测出组件的缺陷。
本文将结合实际情况,介绍晶体硅光伏组件EL测试的缺陷分析。
首先,晶体硅光伏组件EL测试是一种非破坏性测试方法,通过在组件背面施加电压,使组件辐射出可见光,然后使用相机拍摄组件的照片。
通过分析照片中出现的亮点、暗点等特征,可以判断出组件是否存在缺陷。
在EL测试中,常见的缺陷包括细小裂纹、污染、气泡、焊点问题等。
细小裂纹是由于光伏组件在生产过程中产生的温度应力和机械应力引起的。
在EL图像中,细小裂纹会呈现为条状或弧状的亮线,通常与电池片之间的连接有关。
污染是指组件表面存在的杂质,如灰尘、油渍等。
在EL图像中,污染会呈现为不规则的暗斑点,通常分布在整个组件表面。
气泡是由于生产工艺不当或材料质量问题导致的。
在EL图像中,气泡通常呈现为圆形或半圆形的亮斑点。
焊点问题主要包括焊接不良、焊点开路等。
在EL图像中,焊接不良的区域会显示为不规则形状的亮斑,而焊点开路则没有亮斑。
针对这些常见的缺陷,可以采取一些措施进行分析和修复。
对于细小裂纹,可以通过改善工艺和材料选择来减轻温度和机械应力,同时加强的胶水的粘合度。
对于污染问题,可以通过增加清洗步骤或改进清洗工艺来减少。
对于气泡问题,可以通过改进生产工艺和选择更好的材料来避免气泡形成。
对于焊接问题,可以通过调整焊接参数、提高焊接工艺的稳定性来改善。
需要注意的是,EL测试虽然能够有效地检测出组件的缺陷,但并不能判断缺陷对组件性能的具体影响。
因此,在EL测试结果出现异常时,需要进一步进行其他测试来评估组件的性能和质量。
总之,晶体硅光伏组件EL测试是一种重要的缺陷分析方法,通过对EL图像的分析,可以有效地检测出组件的缺陷,为组件生产和质量控制提供有力的支持。
通过对常见的缺陷进行分析和修复措施的探讨,可以进一步提高光伏组件的质量和性能。
晶体硅太阳能电池i-v测试方法和注意事项
![晶体硅太阳能电池i-v测试方法和注意事项](https://img.taocdn.com/s3/m/01f5db65590216fc700abb68a98271fe910eaf85.png)
晶体硅太阳能电池i-v测试方法和注意事项以下是关于《 晶体硅太阳能电池i-v 测试方法和注意事项》的相关内容:哎呀呀,朋友们!晶体硅太阳能电池的i-v 测试那可是至关重要的哟!就如同给这神奇的电池做一次全面而精准的体检。
首先来说说测试方法吧。
那可得准备一套专业又靠谱的测试设备呀,这可不能随便凑合!在测试环境方面,要确保温度、光照强度等条件稳定且符合标准。
然后,将电池正确连接到测试设备上,这一步一定要小心谨慎,不能出错!就像给珍贵的宝物安置一个恰当的位置。
测试开始时,要逐步调整电流和电压的参数,仔细观察并记录数据。
这过程就好似在探索一个神秘的宝藏,每一个数据都是珍贵的线索。
比如说,从低电流逐步增加到高电流,同时记录下对应的电压值。
这可不能马虎哟,一旦数据有误,那整个测试就失去意义啦!接下来讲讲注意事项。
在测试前,一定要对电池进行外观检查,看看有没有损伤或者污渍。
要是有这些问题,那测试结果可就不准啦!另外,测试设备也得定期校准,就跟钟表要按时校对一样。
不然,测试数据能可靠吗?测试过程中,要避免外界干扰,像电磁干扰之类的,这会让测试结果出现偏差。
还有呀,操作人员必须熟悉测试流程和设备操作,不能瞎搞一通!这就好比开车,得有熟练的技术才能保证安全到达目的地。
测试完成后,要及时对数据进行整理和分析。
看看数据有没有异常,有没有不符合预期的地方。
要是发现问题,得赶紧找出原因。
这就好像医生诊断病情,得仔细分析各种症状才能找到病根。
总之呀,晶体硅太阳能电池的i-v 测试是一项严谨又重要的工作,每一个环节都要用心对待,才能得出准确可靠的结果,为太阳能电池的研发和应用提供有力的支持呀!。
太阳能光伏电池材料性能测试及其分析
![太阳能光伏电池材料性能测试及其分析](https://img.taocdn.com/s3/m/e9772d5a974bcf84b9d528ea81c758f5f61f292c.png)
太阳能光伏电池材料性能测试及其分析随着能源需求的不断增长和环境保护意识的逐渐提高,太阳能光伏发电成为未来重要的能源发展方向。
然而,在太阳能光伏领域中,光伏电池是最为核心的材料,光伏电池的材料性能测试和分析是太阳能光伏发展的重要环节。
本文将介绍太阳能光伏电池材料性能测试及其分析。
一、太阳能光伏电池的类型太阳能光伏电池根据材料种类可以分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池等几类。
每种类型的太阳能电池有其自身的特点和优缺点。
二、太阳能光伏电池材料性能测试太阳能光伏电池的性能受到电极、光吸收层、电荷选择层等材料的影响,其中光吸收层是光伏电池的核心材料。
太阳能光伏电池材料性能测试主要包括光电转换效率、电流-电压特性、光吸收率和光电子谱等测试。
1.光电转换效率光电转换效率是太阳能光伏电池的重要性能指标,表示单位时间内光能转换为电能的能力。
光电转换效率的测试需要在标准光照条件下测量光照强度和电流密度,根据公式计算得出。
目前国际标准光照条件是1000瓦每平方米的光照强度和25℃的温度。
2.电流-电压特性电流-电压特性是评价太阳能光伏电池性能的基本方法,是太阳能光伏电池性能的重要检测指标。
电流-电压特性曲线的形状可以反映出太阳能光伏电池的响应速度和E-K关系。
通过对太阳能光伏电池在不同电压下的电流和功率进行测试,可以得到太阳能光伏电池的电流-电压特性曲线。
3.光吸收率光吸收率是光伏电池光吸收层对光的吸收能力的量化参数。
太阳能光伏电池材料的吸收率越高,则光子被吸收的概率就越大,从而提高了太阳能光伏电池的光电转换效率。
光吸收率的测试可以通过分光光度计和场发射扫描电镜等测试仪器进行。
4.光电子谱光电子谱是研究材料电子能带结构的重要工具,通过测量材料的光电子能谱来研究材料的电子能带结构、能级分布、带隙大小等结构性质。
太阳能光伏电池的光电子谱信息可以帮助科学家更好地理解光伏材料的结构特点和性能。
光伏组件背板检测
![光伏组件背板检测](https://img.taocdn.com/s3/m/70f5fb487f21af45b307e87101f69e314332fa82.png)
7cm*7cm的面积长条皱纹不允 许,小于7cm*7cm面积的每平 方米允许8个;不允许有明显 手感的皱纹-见样标,手指感觉 不出来可以允许
大于1mm*1mm面积不允许,小于 1mm*1mm面积允许每平方米2个, 备注在30-50cm目视观察情况下
4.2 几何尺寸
4.2.1 背板的幅宽应满足设计文件的要求, 4.2.2 背板的厚度误差应当不大于+/-10%
检验:对照样品及图纸,使用游标卡尺测量
4.3 外观
No.
Item
1
线迹
2
水滴状图案
3
褶皱
4
针孔
Photo
Criteria/标准
大于或等于7cm*7cm的不允许,小 于7cm*7cm面积的每平方米允许8 个,不允许有明显手感的皱纹-见样 标,手指感觉不出来可以允许
4.1.2背板各复合层中,其主要组成部分的单膜材料和 胶连剂的UL阻燃等级应好于HB
4.1.3背板各复合层中,主要组成部分的单膜材料和交 联剂的UL RTI(相对耐热指数)值应当高于105℃
4.1.4背板材料应符合我国和销往国家有关有害元素控 制的法规要求
4.1.5所以认证必须提供有效的认证证书
No.
Item
5 白色印记
6 异物
7 红线 8 起泡、脱层
Photo
Criteria/标准
大于1mm*1mm面积的印记不 允许,小于1mm*1mm面积的 印记允许每平方米2个,备注 在30-50cm目视观察情况下
大于1mm*1mm面积的杂物不 允许,小于1mm*1mm面积的 杂物允许每平方米2个,备注 在30-50cm目视观察情况下
集团晶硅太阳电池组件质量检验标准修订稿-新版
![集团晶硅太阳电池组件质量检验标准修订稿-新版](https://img.taocdn.com/s3/m/ae83e521b4daa58da0114aab.png)
晶体硅太阳电池组件质量检验标准(修订稿)二零一三年九月十六日《晶体硅太阳电池组件质量检验标准》编写委员会主任:张晓鲁副主任:胡建东吴金华杨存龙委员:李启钊王怀志孙玉军庞秀兰桑振海李贵信主编:吴金华杨存龙副主编:李启钊庞秀兰编写人员:张治卢刚崇锋王雪松董鹏评审人员:李建勋汪毅徐永邦唐超莫玄超桑振海付励张雄刘蕾韩晓冉曹继福严海燕张效乾刘立峰陈文凯雷力靳旭东徐振兴前言为加强中国电力投资集团公司光伏发电站晶体硅太阳电池组件质量检验管理工作,规范光伏发电站晶体硅太阳电池组件质量监造、验收程序,确保光伏发电站建设与生产运营质量,特制订本标准。
本标准编制的主要依据是:现行国家有关工程质量的法律、法规、管理标准、技术标准、GB/T 1.1-2009 标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写等有关标准和相关行业标准。
本标准由中国电力投资集团水电与新能源部提出、归口管理并负责解释。
晶体硅太阳电池组件质量检验标准(修订稿)目录1总则 (1)2规范性引用文件 (1)3工厂检验 (2)4出厂检验 (12)5电站现场检验 (13)6组件送实验室质量检验 (15)附录 GB/T 2828.1-2003 抽样方法 (16)1总则1.1本标准适用于中国电力投资集团公司(以下简称集团公司)及其全资、控股公司所属或管理的新建和改扩建的光伏发电站工程用晶体硅太阳电池组件质量监造、检验、验收。
1.2本标准适用于中国国内的各地区光伏发电站用晶体硅太阳电池组件(以下简称组件)的质量检验验收。
本标准中的晶体硅太阳电池组件包括单晶硅太阳电池组件、多晶硅太阳电池组件和准单晶太阳电池组件。
1.3本标准所列的检验内容主要包括三种检验,即工厂检验、产品出厂检验和电站现场检验。
1.4本标准依据国家、行业现行有关工程质量的法律、法规、技术标准编制。
1.5本标准未涉及的范围,执行国家现行标准的相关规定。
2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
太阳能光伏组件原材料检验
![太阳能光伏组件原材料检验](https://img.taocdn.com/s3/m/e5cacf770a4c2e3f5727a5e9856a561253d32147.png)
太阳能光伏组件原材料检验太阳能光伏组件原材料的检验是确保组件质量和性能的关键步骤。
光伏组件的原材料主要包括硅材料、电池片和封装材料,它们的质量和性能直接影响光伏组件的发电效率和寿命。
本文将重点介绍太阳能光伏组件原材料的检验方法及其意义。
首先,硅材料是太阳能光伏组件的关键原材料之一、硅材料分为多晶硅和单晶硅,其中单晶硅的光伏转换效率较高。
硅材料的检验主要包括外观检验、尺寸检验、纯度检验和电阻率检验。
外观检验通过目视观察硅材料的表面,检查是否有裂纹、气泡和杂质等缺陷。
尺寸检验主要是测量硅材料的长度、宽度和厚度,确保其符合产品设计要求。
纯度检验通过化学分析的方法,检测硅材料中杂质的含量,以确保其纯度达到光伏组件制造的要求。
电阻率检验是通过电阻率仪器测量硅材料的电阻率,以评估其导电性能和精度。
其次,电池片是光伏组件的核心部件,其质量直接影响光伏组件的发电效率。
电池片的检验主要包括外观检验、电性能检验和电镜检验。
外观检验与硅材料的外观检验类似,主要检查电池片的表面是否有裂纹、气泡和杂质等缺陷。
电性能检验通过电池片测试系统测量电池片的光电转换效率和开路电压等参数,以评估其性能是否符合标准要求。
电镜检验是通过电子显微镜观察电池片的微观结构,检查是否有晶粒边界、晶界缺陷和封装料等问题。
最后,封装材料是保护和固定电池片的重要材料,也需要进行严格的检验。
封装材料的检验主要包括外观检验、热稳定性检验和粘接强度检验。
外观检验与前述材料的外观检验类似,主要检查封装材料的表面是否平整、无气泡和裂纹等缺陷。
热稳定性检验通过加热封装材料,并检查其变形和颜色变化等,以评估其耐高温性能。
粘接强度检验通过拉伸试验或剪切试验,测试封装材料与其他材料之间的粘接强度,以确保其封装效果和稳定性。
太阳能光伏组件原材料的检验具有重要意义。
首先,检验可以确保光伏组件原材料的质量,减少次品率和质量问题。
其次,检验可以判断原材料的性能是否符合标准要求,从而保证光伏组件的发电效率和寿命。
太阳能光伏组件原材料检验
![太阳能光伏组件原材料检验](https://img.taocdn.com/s3/m/50844e4ccf84b9d528ea7aa1.png)
太阳能光伏组件原材料检验1.太阳能电池片检验:(1) 包装检验:目测检验包装完好,生产厂商名称、电池片名称、型号、功率范围、转换效率、生产日期和批号等符合要求。
(2)外观检验:①眼睛与电池片表面成35o角,在日常光照情况下观察电池片表面颜色,应呈“褐”或“紫”或“蓝”三色,目视颜色均匀,无明显色差、水痕、手印。
②正面电极图形清晰、完整、无断线。
背面电极完整,无明显凸起的“银铝浆珠”。
③电池片受光面不规则缺损处面积小于1mm2,数量不超过2个。
④电池片边缘缺角面积不超过1mm2,数量不超过2个。
⑤电池片上不允许出现肉眼可见的裂纹。
(3)外形尺寸检验:用游标卡尺测量,结果与厂家提供的尺寸的差异应在±0.5mm范围内。
(4)电性能检验:用单片测试仪测试,结果应在厂家提供单片功率的±3%范围以内。
(5)可焊性检验:用320~350℃的温度正常焊接,焊接后主栅线留有均匀的焊锡层为合格(要保证检验用的涂锡带和助焊剂可焊性良好)。
(6)栅线印刷质量检验:用橡皮在同一位置反复来回擦20次,不脱落为合格。
(7)主栅线抗拉力强度检验:将涂锡带焊接成△状,然后用拉力计测试,结果大于2.5n为合格。
(8)切割后电性能均匀度检验:用激光划片机将电池片划成若干等份,测试每片的电性,能保持误差在±0.15w以内为合格。
太阳能电池片厚度测试仪太阳能电池片隐裂无损检测太阳能电池片隐裂无损检测2. 面板玻璃检验:面板钢化玻璃的检验项目、规则及工具设备(1)检验项目:包装,外观,规格尺寸及厚度,钢化强度。
(2)检验规则:来料按百分之一抽检,外观在生产过程中跟踪全检。
检验项目有一项不符合检验要求则重检。
如重检后仍有不符合检验方法中(2)、(3)、(4)项检验内容要求的,则判定该批钢化玻璃为不合格产品。
(3)检验工具:卷尺,卡尺,1040g钢球。
3.EVA胶膜检验:(1)包装检验:目视检验包装良好,确认生产厂家、规格型号以及保质期,eva胶膜的保质期一般为6个月。
太阳能组件原材料检验标准
![太阳能组件原材料检验标准](https://img.taocdn.com/s3/m/fb031ab6844769eae109ed8e.png)
辅助材料检验标准(太阳电池组件)太阳电池组件玻璃检验标准1. 适用范围本规范适用于各种规格型号太阳能组件专用玻璃的进厂质量检验。
2. 引用标准GB/T9963-1998钢化玻璃国家检验标准GB2828-1987周期检查计数抽样程序及抽样标准3. 检验项目外观检验,几何尺寸检验和性能检验。
3.2.1 长度,宽度符合订货协议要求,允许偏差为±1.0mm。
3.2.2 厚度尺寸公差为±0.2mm。
3.2.3 直角度误差小于其所在边长的±2‰。
钢板尺或钢卷尺、游标卡尺或千分尺、钢球。
5. 检验方法5.1 外观检验在较好的自然光或自然散射光下,距玻璃表面600mm用肉眼进行观察,必要时使用放大镜进行检查。
5.2 尺寸检验依据订货协议技术要求用钢板尺或钢卷尺进行多点长宽尺寸测量,取其平均值;用精度为0.01mm的千分尺测量玻璃各边中心的厚度,取其平均值。
5.3 弯曲度检验以平面钢化玻璃制品为试样。
试样垂直立放,水平放置直尺贴紧试样表面进行测量。
弓形时以弧的高度与弦的长度之比的百分率表示。
波形时,用波谷到波峰的高与波峰到波峰或波谷到波谷的距离之比的百分率表示。
5.4 机械强度检验5.4.1 将试样放置在高50mm宽15mm与试样外形尺寸大小一致的木框上。
5.4.2 将重1024g的钢球自1.0m高度自由落下,冲击点应距试样中心25mm范围内。
每块试样中心只限一次。
(备注:试样玻璃单独放置,不可流入生产线使用)5.4.3 试样完好无损。
5.5 其它各项性能检验以采购部从厂家索取的性能检验报告为准,性能检验报告完全符合3.3标准条款时方可认为性能合格,否则认为性能指标不合格。
(针对不同厂家、不同项目定期进行委托检验).6.检查规则6.1 在检验前要求采购部提供相关材质证明及检验报告。
在确定性能指标完全符合3.4标准条款时,再根据GB2828标准要求进行抽检。
抽检采用一般检查水平II,合格质量水平AQL =4.0(见附表)。
晶体硅太阳电池及组件EL测试介绍
![晶体硅太阳电池及组件EL测试介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/edf41e097cd184254b3535ef.png)
晶体硅太阳电池及组件EL测试介绍【摘要】本文基于电致发光(electroluminescence,el)的理论,介绍了利用近红外检测的方法,检测出了晶体硅太阳电池及组件中常见的隐性缺陷。
这些缺陷包括:硅材料缺陷、扩散缺陷、印刷缺陷、烧结缺陷以及组件封装过程中的裂纹等,并简要分析了造成这些缺陷的原因。
【关键词】太阳电池;电致发光;电池缺陷近年来随着光伏行业的迅猛发展,光伏组件质量控制环节中测试手段的不断增强,原来的外观和电性能测试已经远远不能满足行业的需求。
目前一种可以测试晶体硅太阳电池及组件潜在缺陷的方法为行业内广泛采用,即el测试。
el是英文electroluminescence 的简称,译为电致发光或场致发光。
目前el测试技术已经被很多晶体硅太阳电池及组件生产厂家应用,用于晶体硅太阳电池及组件的成品检验或在线产品质量控制。
1.el测试的原理在太阳电池中,少子的扩散长度远远大于势垒宽度,因此电子和空穴通过势垒区时因复合而消失的几率很小,继续向扩散区扩散。
在正向偏置电压下,p-n结势垒区和扩散区注入了少数载流子,这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光,这就是太阳电池电致发光的基本原理[1]。
发光成像有效地利用了太阳电池间带中激发电子载流子的辐射复合效应。
在太阳能电池两端加入正向偏压, 其发出的光子可以被灵敏的ccd 相机获得, 即得到太阳电池的辐射复合分布图像。
但是电致发光强度非常低, 而且波长在近红外区域,要求相机必须在900-1100nm 具有很高的灵敏度和非常小的噪声。
el测试的过程即晶体硅太阳电池外加正向偏置电压,直流电源向晶体硅太阳电池注入大量非平衡载流子,太阳电池依靠从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光,放出光子,也就是光伏效应的逆过程;再利用ccd相机捕捉到这些光子,通过计算机进行处理后以图像的形式显示出来,整个过程都在暗室中进行。
el测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)和电流密度成正比,太阳电池中有缺陷的地方,少子扩散长度较低,从而显示出来的图像亮度较暗。
太阳能光伏电池组件质量检测标准
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组件质量检测标准……………………………………… EVA EVA检验标准晶体硅太阳电池囊封材料是EVA,它乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物,化学式结构如下(CH2—CH2)—(CH—CH2) | O | O — O — CH2EVA是一种热融胶粘剂,常温下无粘性而具抗粘性,以便操作,经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化,并变的完全透明,长期的实践证明:它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。
固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性,它将晶体硅片组“上盖下垫”,将硅晶片组包封,并和上层保护材料玻璃,下层保护材料TPT(聚氟乙烯复合膜),利用真空层压技术粘合为一体。
另一方面,它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率,起着增透的作用,并对太阳电池组件的输出有增益作用。
EVA厚度在0.4mm~0.6mm之间,表面平整,厚度均匀,内含交联剂,能在150℃固化温度下交联,采用挤压成型工艺形成稳定胶层。
EVA主要有两种:①快速固化②常规固化,不同的EVA层压过程有所不同采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.4mm的EVA膜层作为太阳电池的密封剂,使它和玻璃、TPT 之间密封粘接。
用于封装硅太阳能电池组件的EVA,主要根据透光性能和耐侯性能进行选择。
1. 原理EVA具有优良的柔韧性,耐冲击性,弹性,光学透明性,低温绕曲性,黏着性,耐环境应力开裂性,耐侯性,耐化学药品性,热密封性。
EVA的性能主要取决于分子量(用熔融指数MI表示)和醋酸乙烯脂(以VA表示)的含量。
当MI一定时,VA的弹性,柔软性,粘结性,相溶性和透明性提高,VA的含量降低,则接近聚乙烯的性能。
当VA含量一定时,MI降低则软化点下降,而加工性和表面光泽改善,但是强度降低,分子量增大,可提高耐冲击性和应力开裂性。
不同的温度对EVA的胶联度有比较大的影响, EVA的胶联度直接影响到组件的性能以及使用寿命。
太阳能电池光伏组件原材料检验标准
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太阳能电池光伏组件原材料检验标准太阳能电池组件原材料检验项目及方法一.太阳能电池片1.检验内容及方式:1)电池片厂家,包装(内包装及外包装),外观,尺寸,电性能,可焊性,珊线印刷,主珊线抗拉力,切割后电性能均匀度。
(电池片在未拆封前保质期为一年)2)抽检(按来料的千分之二),电性能和外观以及可焊性在生产过程全检。
2.检验工具设备:单片测试仪,游标卡尺,电烙铁,橡皮,刀片,拉力计,激光划片机。
3.所需材料:涂锡带,助焊剂。
4.检验方法:1)包装:良好,目检。
2)外观:符合购买合同要求。
3)尺寸:用游标卡尺测量,结果符合厂家提供的尺寸的±0.5mm4)电性能:用单体测试仪测试,结果±3%。
5)可焊性:用320-350℃的温度正常焊接,焊接后主珊线留有均匀的焊锡层为合格。
(要保证实验用的涂锡带和助焊剂具有可焊性)6)珊线印刷:用橡皮在同一位置反复来回擦20次,不脱落为合格。
7)主珊线抗拉力:将互链条焊接成△状,然后用拉力计测试,结果大于2.5N。
8)切割后电性能均匀度:用激光划片机将电池片化成若干份,测试每片的电性能保持误差在±0.15w。
5.检验规则:以上内容全检,若有一项不符合检验要求则对该批进行千分之五的检验。
如仍不符合4).5).7) 8)项内容,则判定该批来料为不合格。
二.涂锡带1.检验内容及方式:1)厂家,规格,包装,保质期(六个月),外观,厚度均匀性,可焊性,折断率,蛇形弯度及抗拉强度。
2)每次来料全检(盘装),外观生产过程全检。
2.检验所需工具:钢尺,游标卡尺,烙铁,老虎钳,拉力计。
3.所需材料:电池片,助焊剂。
4.检验方法:1)外包装目视良好,保质期限,规格型号及厂家。
2)外观:目视涂锡带表面是否存在黑点,锡层不均匀,扭曲等不良现象。
3)厚度及规格:根据供方提供的几何尺寸检查,宽度±0.12mm,厚度±0.02mm 视为合格。
4)可焊性:同电池片检验方法5)折断率:取来料规格长度相同的涂锡带10根,向一个方向弯折180°,折断次数不得低于7次。
晶硅组件检测与分析
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光伏电站晶硅组件如何检测与分析?光伏电站的质量问题由来已久,几年前,一家权威认证机构对国内已经在运行的多座大型晶硅 组件光伏电站进行了质量检测,调查发现光伏组件普遍存在各种质量问题,如热斑、隐裂和功率衰 减等,对电站的发电量、KPI 指标、电站收益及日常运行维护带来严重影响。
电站建成后,随着时间的推移,组件本身首年光致衰减及逐年衰减率和其他衰减因素都客观存 在、不可避免,因此实际的装机容量会逐年减少,那么基于原始装机容量进行理论发电量或理论功 率输岀计算的发电性能指标如 PR 、CPR 和EPI 等,其中包含的光伏电池板自身损耗部分会逐年增 加,而且实际装机容量的不确定性将对次年各个电站的计划发电量的制定带来一定影响。
因此文中基于现实存在的客观情况,着重探讨已并网电站的户外组件电性能测试及功率修正方 法、组件热斑现象和原因分析以及晶硅组件PID 功率衰减的快速甄别方法,由于篇幅有限,其他质量问题的检测将另起他文探讨。
通过相关的测试和分析手段,可对自有电站的实际情况有清楚的了 解,如组件的衰减情况、热斑组件的分布比例及是否存在PID 组件等等。
一、组件(方阵)I-V 测试及功率修正方法笔者曾在某西部多家地面电站进行考察,发现在某一随机时段各个逆变器的发电量存在较大差 异。
如图1所示,通过对电站逐级逐段分析,排除了逆变器本身及对应方阵故障、设备停机等因 素,发现电量差异的主要来源为各个组串工作电流的波动性,整体离散率较高,有的甚至超过 20%。
逆变器发电量的差异和组件的功率输岀情况有密切关联,因此有必要从汇流箱侧去查找低功率 的组串或组件,一般的,户外组件或方阵组串的电性能测试使用便携式I-V 测试仪,本部分首先介绍便携I-V 测试仪的原理、配套辐照度计量仪的类型和特点,接着介绍现场组件功率测试的一次修 正和二次修正方法。
菜站各邂爲发电宦比BUM (和工上祐图1某地面电站某一时段各个逆变器的发电对比40000 3S000豹00025QQQ 20000 15000 toooo50001A 2A 3A 4A SA 7A SA 9A IDA 11A BA HA l 涉 ISA 17A 18A 19A ZOA据调研目前市场上常用的便携式I-V测试仪主要有可变电子负载式和动态电容式两种,如图2和图3所示,可变电子负载式是仪器自身内置了电子负载,当电阻从0变到无穷大的时候,仪器通过采集上百个负载点所对应的工作电流和工作电压值来构成整条I-V曲线,并通过算法寻找到最大功率点。
太阳能电池组件原材料成本与质量控制
![太阳能电池组件原材料成本与质量控制](https://img.taocdn.com/s3/m/d462147001f69e3143329462.png)
焊带 3.3 焊带的主要厂家及性能参数
焊带的厂家国外的如Ulbrich,国内的焊带厂家很多,如Sveck、宇邦 等。 下边是对Ulbrich与Sveck焊带的性能比较
项目 铜基带尺寸 镀锡层成份 单面镀锡层厚度 铜基材电阻率 抗拉强度 延伸率 0.03-0.05mm 1.5*0.15mm Ulbrich 1.8*0.18mm 0.02-0.0275 mm 1.5*0.15mm 0.025~0.04mm 62%Sn36%Pb2%Ag 0.025~0.04mm ≤1.80*10-6 .cm Extra Soft 220-276 N/mm² Ultra Soft 220-269 N/mm² Extra Soft 25% Ultra soft 28% ≤1.80*10-6 .cm >150N/mm2 15% Sveck 1.8*0.18mm
EVA 2.5 常见的EVA失效方式
发黄:EVA发黄由两个因素导致(主要是添加剂体系相互反应发黄;其次 发黄 EVA自身分子在氧气、光照条件下,EVA分子自身脱乙酰反应导致发黄), 所以EVA的配方决定其抗黄变性能的好坏。 气泡:气泡包括两种,层压时出现气泡和层压后使用过程中出现气泡。 气泡 层压时出现气泡(EVA的添加剂体系,其它材料与EVA的匹配性,层压工艺 均有关系);层压后出现气泡(这个导致的因素众多,一般是由材料间匹配 性差导致)。 脱层:与背板脱层(交联度不合格,与背板粘结强度差);与玻璃脱层 脱层 (硅烷偶联剂缺陷,玻璃脏污,硅胶封装性能差,交联度不合格)。
注:限于版面限制,背板型号和部分参数未示出; 一代Tedlar采用挤出吹塑法,二代采用流延法。
背板 1.3 背板的评价指标及检验方法
评价指标
外观 力学性能 电学性能 收缩率 透水率 粘结性能 可靠性验证
光伏组件中背板的检验标准
![光伏组件中背板的检验标准](https://img.taocdn.com/s3/m/0779dc672e60ddccda38376baf1ffc4ffe47e23c.png)
光伏组件中背板的检验标准主要包括以下几个方面:
1. 外观检查:检查背板表面是否有损伤、变形、气泡等缺陷。
2. 尺寸检查:检查背板的尺寸是否符合要求,包括长度、宽度、厚度等。
. 厚度测量:使用厚度测量仪检测背板的厚度是否符合要求。
4. 材质检查:检查背板的材质是否符合要求,包括硅片、聚酯膜等。
5. 耐候性测试:将背板暴露在室外环境中,观察其是否发生老化、变色等现象。
6. 防水性能测试:将背板浸泡在防水剂中,观察其是否发生起泡、脱落等现象。
7. 抗拉强度测试:使用拉伸试验机对背板进行抗拉强度测试,以判断其承载能力是否满足要求。
总之,光伏组件中背板的检验标准需要综合考虑外观、尺寸、材质、耐候性、防水性能以及抗拉强度等多个方面,以确保背板的质量符合要求,为光伏组件的正常运行提供保障。
太阳能电池和光伏组件检测及标准
![太阳能电池和光伏组件检测及标准](https://img.taocdn.com/s3/m/aabe5d92ac51f01dc281e53a580216fc710a5372.png)
太阳能电池和光伏组件检测及标准太阳能电池和光伏组件是目前被广泛应用于能源领域的一种重要技术,其具有环保、高效能、可再生等优势,受到了业界和社会的普遍关注。
然而,随着太阳能产业的快速发展和技术创新,太阳能电池和光伏组件的质量问题也逐渐凸显出来。
为了确保太阳能电池和光伏组件的安全性和稳定性,必须对其进行严格的检测和标准化管理。
一、太阳能电池和光伏组件的检测方法1. 外观检测:外观检测是对太阳能电池和光伏组件外观进行检查,主要包括表面平整度、表面无裂纹、无烧伤痕迹、边角是否完整等方面。
只有外观合格的太阳能电池和光伏组件才能进行下一步的性能检测。
2. 电性能检测:电性能检测是对太阳能电池和光伏组件的电压、电流、功率等性能进行测试,以确保其满足设计要求。
电性能检测是太阳能电池和光伏组件检测中最重要的一环,直接关系到其发电效率和可靠性。
3. 光电性能检测:光电性能检测是指对太阳能电池和光伏组件在不同光照条件下的发电性能进行测试,包括光伏转换效率、响应时间、光谱响应等指标。
光电性能检测可以评估太阳能电池和光伏组件在实际工作环境下的发电性能,为其性能改进提供参考。
4. 环境适应性检测:环境适应性检测是对太阳能电池和光伏组件在恶劣环境条件下的性能进行评估,包括高温、低温、潮湿、盐雾等环境因素。
太阳能电池和光伏组件通常需要在户外长期工作,其环境适应性直接关系到其使用寿命和稳定性。
二、太阳能电池和光伏组件的标准化管理1. 国际标准:国际上对太阳能电池和光伏组件的检测和标准化管理制定了一系列国际标准,如IEC标准、ISO标准等。
这些国际标准是太阳能电池和光伏组件质量认证的基础,有助于促进太阳能产业的健康发展和技术交流。
2. 行业标准:除了国际标准外,各国太阳能产业还制定了各自的行业标准,以适应本地市场需求和监管要求。
行业标准通常包括产品规范、检测方法、质量控制等内容,对太阳能电池和光伏组件的生产和销售提供了具体指导。
3. 企业标准:太阳能电池和光伏组件生产企业也会根据自身的需求和特点,制定相应的企业标准。
晶体硅太阳电池组件用绝缘前板、背板和修补背板-最新国标
![晶体硅太阳电池组件用绝缘前板、背板和修补背板-最新国标](https://img.taocdn.com/s3/m/0d2e89efb04e852458fb770bf78a6529657d3569.png)
晶体硅太阳电池组件用绝缘背板1 范围本文件规定了晶体硅太阳电池组件用绝缘背板的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于晶体硅太阳电池组件用绝缘背板(以下简称"背板")。
2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 1408.1-2016 绝缘材料电气强度试验方法第1部分:工频下试验GB/T 2410 透明塑料透光率和雾度的测定GB/T 2423.3-2016 环境试验第2部分:试验方法试验Cab:恒定湿热试验GB/T 2423.17-2008 电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Ka:盐雾GB/T 2790-1995 胶粘剂180°剥离强度试验方法挠性材料对刚性材料GB/T 2900.5 电工术语绝缘固体、液体和气体GB/T 3979-2008 物体色的测量方法GB/T 4207 固体绝缘材料耐电痕化指数和相比电痕化指数的测定方法GB/T 5591.2-2017 电气绝缘用柔软复合材料第2部分:试验方法GB/T 7921-2008 均匀色空间和色差公式GB/T 8808-1988 软质复合塑料材料剥离试验方法GB/T 9286-2021 色漆和清漆划格试验GB/T 11026 (所有部分)电气绝缘材料耐热性GB/T 13542.2-2021 电气绝缘用薄膜第2部分:试验方法GB/T 16935.1-2008 低压系统内设备的绝缘配合第1部分:原理、要求和试验GB/T 21529-2008 塑料薄膜和薄片水蒸气透过率的测定电解传感器法GB/T 22472-2008 仪表和设备部件用塑料的燃烧性测定GB/T 23988-2009 涂料耐磨性测定落砂法GB/T 23989-2009 涂料耐溶剂擦拭性测定法GB/T 26253-2010 塑料薄膜和薄片水蒸气透过率的测定红外检测器法GB/T 31838.2-2019 固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分:电阻特性(DC方法) 体积电阻和体积电阻率3IEC 61215-2:2016 地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型第2部分:测试程序IEC61730-1:2016光伏(PV)组件的安全认证第1部分:结构要求ASTM E424-71 簿板材料的太阳能传播和反射的试验方法术语和定义GB/T 2900.5界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
太阳能电池板质量检验加工
![太阳能电池板质量检验加工](https://img.taocdn.com/s3/m/43324a3930b765ce0508763231126edb6f1a7632.png)
太阳能电池板质量检验加工太阳能电池板作为一种新型环保能源,已经逐渐进入人们的生活中,广泛用于太阳能供电系统、太阳能热水器等方面。
在太阳能电池板的应用过程中,有时候会遇到质量问题,这就说明太阳能电池板在生产加工过程中需要进行质量检验。
太阳能电池板的质量检验一般包括外观检查和电性能检测两个方面。
外观检查主要是通过目视检查、X光检查、电气显微镜等手段来对太阳能电池板进行检测。
电性能检测主要是通过检查太阳能电池板的电气参数来确保太阳能电池板的质量。
对于太阳能电池板来说,最关键的就是它的电气性能。
因此在太阳能电池板加工生产过程中,首先要保证晶圆的质量,这能够有效地影响整个太阳能电池板的性能。
目前,国内太阳能电池板生产厂家大多采用晶圆生产工艺,即先将单晶硅或多晶硅材料加工成圆盘形晶片,然后通过烘烤、磨边、打孔、清洗等一系列工艺加工成太阳能电池。
为了保证太阳能电池板的质量,需要采取一系列的质量控制措施。
首先,对生产原材料进行严格的检测,包括单晶硅或多晶硅材料的检测、电极材料的检测等。
其次,在加工整个太阳能电池板的过程中,要对每个工序进行严格的监控和检测,以确保产品的质量。
最后,对太阳能电池板进行全面的电性能测试,以确保其达到设计参数。
从太阳能电池板的质量检验到加工生产,需要许多专用的设备。
其中,光谱仪是太阳能电池板加工生产中必备的设备之一。
其主要功能是测量太阳能电池板的光吸收率和光反射率等光学特性,以确定电池板的质量。
另外,根据太阳能电池板加工生产的需要,还需要有高性能的切割机、单晶硅、多晶硅等晶圆切割装置、深加工设备等。
这些设备的使用需要经过专业的培训,掌握正确操作方法,以确保生产的太阳能电池板质量良好。
在太阳能电池板的生产和质量检验过程中,还需要注意一些细节问题。
比如,每批太阳能电池板都需要进行批次管理,以便追踪太阳能电池板的质量来源。
此外,还需要对设备进行定期维护和保养,以保证设备的运行稳定,发现并及时处理设备故障。
晶硅组件检测与分析
![晶硅组件检测与分析](https://img.taocdn.com/s3/m/f3eccd375ef7ba0d4b733b52.png)
晶硅组件检测与分析(总8页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面,使用请直接删除光伏电站晶硅组件如何检测与分析?光伏电站的质量问题由来已久,几年前,一家权威认证机构对国内已经在运行的多座大型晶硅组件光伏电站进行了质量检测,调查发现光伏组件普遍存在各种质量问题,如热斑、隐裂和功率衰减等,对电站的发电量、KPI指标、电站收益及日常运行维护带来严重影响。
电站建成后,随着时间的推移,组件本身首年光致衰减及逐年衰减率和其他衰减因素都客观存在、不可避免,因此实际的装机容量会逐年减少,那么基于原始装机容量进行理论发电量或理论功率输出计算的发电性能指标如PR、CPR和EPI等,其中包含的光伏电池板自身损耗部分会逐年增加,而且实际装机容量的不确定性将对次年各个电站的计划发电量的制定带来一定影响。
因此文中基于现实存在的客观情况,着重探讨已并网电站的户外组件电性能测试及功率修正方法、组件热斑现象和原因分析以及晶硅组件PID功率衰减的快速甄别方法,由于篇幅有限,其他质量问题的检测将另起他文探讨。
通过相关的测试和分析手段,可对自有电站的实际情况有清楚的了解,如组件的衰减情况、热斑组件的分布比例及是否存在PID组件等等。
一、组件(方阵)I-V测试及功率修正方法笔者曾在某西部多家地面电站进行考察,发现在某一随机时段各个逆变器的发电量存在较大差异。
如图1所示,通过对电站逐级逐段分析,排除了逆变器本身及对应方阵故障、设备停机等因素,发现电量差异的主要来源为各个组串工作电流的波动性,整体离散率较高,有的甚至超过20%。
逆变器发电量的差异和组件的功率输出情况有密切关联,因此有必要从汇流箱侧去查找低功率的组串或组件,一般的,户外组件或方阵组串的电性能测试使用便携式I-V测试仪,本部分首先介绍便携I-V测试仪的原理、配套辐照度计量仪的类型和特点,接着介绍现场组件功率测试的一次修正和二次修正方法。
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Chemical treatment of crystalline silicon solar cells as a method of recovering pure silicon from photovoltaic modulesRenewable EnergyPhotovoltaic technology is used worldwide to provide reliable and cost-effective electricity for industrial, commercial, residential and community applications. The average lifetime of PV modules can be expected to be more than 25 years. The disposal of PV systems will become a problem in view of the continually increasing production of PV modules. These can be recycled for about the same cost as their disposal.Photovoltaic modules in crystalline silicon solar cells are made from the following elements, in order of mass: glass, aluminium frame, EVA copolymer transparent hermetising layer, photovoltaic cells, installation box, Tedlar® protective foil and assembly bolts. From an economic point of view, taking into account the price and supply level, pure silicon, which can be recycled from PV cells, is the most valuable construction material used.Recovering pure silicon from damaged or end-of-life PV modules can lead to economic and environmental benefits. Because of the high quality requirement for the recovered silicon, chemical processing is the most important stage of the recycling process. The chemical treatment conditions need to be precisely adjusted in order to achieve the required purity level of the recovered silicon. For PV systems based on crystalline silicon, a series of etching processes was carried out as follows: etching of electric connectors, anti-reflective coating and n-p junction. The chemistry of etching solutions was individually adjusted for the different silicon cell types. Efforts were made to formulate a universal composition for the etching solution. The principal task at this point was to optimise the etching temperature, time and alkali concentration in such a way that only as much silicon was removed as necessary.Engineering, institutions, and the public interest: Evaluating product quality in theKenyan solar photovoltaics industryEnergy PolicySolar sales in Kenya are among the highest per capita among developing countries. While this commercial success makes the Kenya market a global leader, product quality problems have been a persistent concern. In this paper, we report performance test results from 2004 to 2005 for five brands of amorphous silicon (a-Si) photovoltaic (PV) modules sold in the Kenya market. Three of the five brands performed well, but two performed well below their advertised levels. These results support previous work indicating that high-quality a-Si PV modules are a good economic value. The presence of the low performing brands, however, confirms a need for market institutions that ensure the quality of all products sold in the market. Prior work from 1999 indicated a similar quality pattern among brands. This confirms the persistent nature of the problem, and the need for vigilant, long-term approaches to quality assurance for solar markets in Kenya and elsewhere. Following the release of our 2004/2005 test results in Kenya, the Kenya Bureau of Standards moved to implement and enforce performance standards for both amorphous and crystalline silicon PV modules. This appears to represent a positive step towards the institutionalization of quality assurance for products in the Kenya solar market.Electrical performance results from physical stress testing of commercial PV modules to the IEC 61215 test sequenceSolar Energy Materials and Solar CellsThis paper presents statistical analysis of the behaviour of the electrical performance of commercial crystalline silicon photovoltaic (PV) modules tested in the Solar Test Installation of the European Commission's Joint Research Centre from 1990 up to 2006 to the IEC Standard 61215 and its direct predecessor CEC Specification 503. A strong correlation between different test results was not observed, indicating that the standard is a set of different, generally independent stress factors. The results confirm the appropriateness of the testing scheme to reveal different module design problems related rather to the production quality control than material weakness in commercial PV modules.Efficiency model for photovoltaic modules and demonstration of its application to energy yield estimationA new method has been proposed [W. Durisch, K.H. Lam, J. Close, Behaviour of a copper indium gallium diselenide module under real operating conditions, in: Proceedings of the World Renewable Energy Congress VII, Pergamon Press, Oxford, Elsevier, Amsterdam, 2002, ISBN 0-08-044079-7] for the calculation of the annual yield of photovoltaic (PV) modules at selected sites, using site-specific meteorological data. These yields are indispensable for calculating the expected cost of electricity generation for different modules, thus allowing the type of module to be selected with the highest yield-to-cost ratio for a specific installation site. The efficiency model developed and used for calculating the yields takes three independent variables into account: cell temperature, solar irradiance and relative air mass. Open parameters of the model for a selected module are obtained from current/voltage (I/V) characteristics, measured outdoors at Paul Scherrer Institute's test facility under real operating conditions.From the model, cell and module efficiencies can be calculated under all relevant operating conditions. Yield calculations were performed for five commercial modules (BP Solar BP 585 F, Kyocera LA361K54S, Uni-Solar UPM-US-30, Siemens CIS ST40 and Wuerth WS11003) for a sunny site in Jordan (Al Qawairah) for which reliable measured meteorological data are available. These represent mono-crystalline, poly-crystalline and amorphous silicon as well as with copper–indium-diselenide, CuInSe2 PV modules. The annual yield for these modules will be presented and discussed.Experimental validation of crystalline silicon solar cells recycling by thermal and chemical methodsIn recent years, photovoltaic power generation systems have been gaining unprecedented attention as an environmentally beneficial method for solving the energy problem. From the economic point of view pure silicon, which can be recovered from spent cells, is the most important material owing to its cost and limited supply.The article presents a chemical method for recycling spent or damaged modules and cells, and the results of its experimental validation.The recycling of PV cells consists of two main steps: the separation of cells and their refinement. Cells are first separated thermally or chemically; the separated cells are then refined. During this process the antireflection, metal coating and p–n junction layers are removed in order to recover the silicon base, ready for its next use. This refinement step was performed using an optimised chemical method. Silicon wafers were examined with an environmental scanning electron microscope (ESEM) coupled to an EDX spectrometer.The silicon wafers were used for producing new silicon solar cells, which were then examined and characterized with internal spectral response and current–voltage characteristics. The new cells, despite the fact that they have no SiN x antireflective coating, have a very good efficiency of 13–15%.The impact of silicon feedstock on the PV module costThe impact of the use of new (solar grade) silicon feedstock materials on the manufacturing cost of wafer-based crystalline silicon photovoltaic modules is analyzed considering effects of material cost, efficiency of utilisation, and quality. Calculations based on data provided by European industry partners are presented for a baseline manufacturing technology and for four advanced wafer silicon technologies which may be ready for industrial implementation in the near future. Iso-cost curves show the technologyparameter combinations that yield a constant total module cost for varying feedstock cost, silicon utilisation, and cell efficiency. A large variation of feedstock cost for different production processes, from near semiconductor grade Si (30 €/kg) to upgraded metallurgical grade Si (10€/kg), changes the cost of crystalline silicon modules by 11% for present module technologies or by 7% for advanced technologies, if the cell efficiency can be maintained. However, this cost advantage is completely lost if cell efficiency is reduced, due to quality degradation, by an absolute 1.7% for present module technology or by an absolute 1.3% for advanced technologies.Thin-film monocrystalline-silicon solar cells made by a seed layer approach on glass-ceramic substratesSolar modules made from thin-film crystalline-silicon layers of high quality on glass substrates could lower the price of photovoltaic electricity substantially. One way to create crystalline-silicon thin films on non-silicon substrates is to use the so-called “seed layer approach”, in which a thin crystalline-silicon seed layer is first created, followed by epitaxial thickening of this seed layer.In this paper, we present the first solar cell results obtained on 10-μm-thick monocrystalline-silicon (mono-Si) layers obtained by a seed layer approach on transparent glass-ceramic substrates. The seed layers were made using implant-induced separation and anodic bonding. These layers were then epitaxially thickened by thermal CVD. Simple solar cell structures without integrated light trapping features showed efficiencies of up to 7.5%. Compared to polycrystalline-silicon layers made by aluminum-induced crystallization of amorphous silicon and thermal CVD, the mono-Si layers have a much higher bulk diffusion lifetime.Waved glass: Towards optimal light distribution on solar cell surfaces for high efficient modulesA method to improve the module efficiency of solar cells by modifying the surface of the glass cover of the solar cells module is proposed. A model is built to show that a better efficiency can be achieved by optimizing the light distribution on the cell, which reduces the shadow losses and thereby allows the finger spacing to be decreased, which in turn decreases the (resistive) ohmic losses.This method is illustrated by considering industrial crystalline silicon solar cells as an example, however, it applies to all solar cells that are characterized by a metallization pattern on the surface of the solar cell. It is estimated that this method can improve the relative module efficiency by about 5% and halve the front side losses.Analysis of series resistance of crystalline silicon solar cell with two-layer front metallization based on light-induced platingImproving the front metallization quality of silicon solar cells should be a key to enhance cell performance. In this work, we investigated a two-layer metallization scheme involving light-induced plating (LIP) and tried to quantify its impact on the series resistance of the front grid metals and FFs on finished cells. To estimate the effect of LIP processing on a printed and fired seed layer, individual components of series resistance were measured before and after LIP processing. Among them, grid resistance and contact resistance were closely observed because of their large contribution to series resistance. To optimize the plating on the seed metal grid, the grid resistance of the two-layer metal grid structure was calculated as a function of cross section area of the plated layer. Contact resistivity of the grid before and after LIP processing was analyzed to understand the contact resistance reduction, as well. As a result, the efficiency of solar cells with 80 μm seed metal grid width increased by 0.3% absolute compared with conventional solar cells of 120 μm metal grid width. The total area of electrodes in conventional cells was 1800 mm2 and electrodes area of LIP processed solar cells was 1400 mm2. The efficiency gain was due to reduction of shadowing loss from 7.7% to 6.0% without the increase of resistance due to two-layer front metallization.Simulation of hetero-junction silicon solar cells with AMPS-1DMono- and poly-crystalline silicon solar cell modules currently represent between 80% and 90% of the PV world market. The reasons are the stability, robustness and reliability of this kind of solar cells as compared to those of emerging technologies. Then, in the mid-term, silicon solar cells will continue playing an important role for their massive terrestrial application. One important approach is the development of silicon solar cells processed at low temperatures (less than 300 °C) by depositing amorphous silicon layers with the purpose of passivating the silicon surface, and avoiding the degradation suffered by silicon when processed at temperatures above 800 °C. This kind of solar cells is known as HIT cells (hetero-junction with an intrinsic thin amorphous layer) and are already produced commercially (Sanyo Ltd.), reaching efficiencies above 20%. In this work, HIT solar cells are simulated by means of AMPS-1D, which is a program developed at Pennsylvania State University. We shall discuss the modifications required by AMPS-1D for simulating this kind of structures since this program explicitly does not take into account interfaces with high interfacial density of states as occurs at amorphous-crystalline silicon hetero-junctions.太阳能硅电池的软件仿真设计与制造Mapping the performance of PV modules, effects of module type and data averaging统计实验与数据收集处理:太阳能发电电池背板组件模块的效用与背板材料开发方向选取Solar EnergyA method is presented for estimating the energy yield of photovoltaic (PV) modules at arbitrary locations in a large geographical area. The method applies a mathematical model for the energy performance of PV modules as a function of in-plane irradiance and module temperature and combines this with solar irradiation estimates from satellite data and ambient temperature values from ground station measurements. The method is applied to three different PV technologies: crystalline silicon, CuInSe2 and CdTe based thin-film technology in order to map their performance in fixed installations across most of Europe and to identify and quantify regional performance factors. It is found that there is a clear technology dependence of the geographical variation in PV performance. It is also shown that using long-term average values of irradiance and temperature leads to a systematic positive bias in the results of up to 3%. It is suggested to use joint probability density functions of temperature and irradiance to overcome this bias.Outdoor performance evaluation of photovoltaic modules using contour plots户外太阳能电池背板发电效果/转化率评估评价Current Applied PhysicsThe impact of environmental parameters on different types of Si-based photovoltaic (PV) modules (single crystalline Si (sc-Si), amorphous Si (a-Si) and a-Si/ microcrystalline Si (μc-Si)) which have different spectral responses were characterized using contour plots. The contour plots of PV performance as a function of module temperature and spectral irradiance distribution were created to separate the impact of the two environmental parameters. The performance of the sc-Si PV module was dominated by the module temperature while those of a-Si and a-Si/μc-Si ones were mainly influenced by the spectral irradiance distribution. Furthermore, the frequency of outdoor conditions and the reliability of the contour plots of the PV performance were discussed for the evaluation of PV modules by means of energy production.最新应用物理学学报Solar photovoltaic charging of lithium-ion batteries太阳能——锂电池充电器Power SourcesSolar photovoltaic (PV) charging of batteries was tested by using high efficiency crystalline and amorphous silicon PV modules to recharge lithium-ion battery modules. This testing was performed as a proof of concept for solar PV charging of batteries for electrically powered vehicles. The iron phosphate type lithium-ion batteries were safely charged to their maximum capacity and the thermal hazards associated with overcharging were avoided by the self-regulating design of the solar charging system. The solar energy to battery charge conversion efficiency reached 14.5%, including a PV systemefficiency of nearly 15%, and a battery charging efficiency of approximately 100%. This high system efficiency was achieved by directly charging the battery from the PV system with no intervening electronics, and matching the PV maximum power point voltage to the battery charging voltage at the desired maximum state of charge for the battery. It is envisioned that individual homeowners could charge electric and extended-range electric vehicles from residential, roof-mounted solar arrays, and thus power their daily commuting with clean, renewable solar energy.Selective ablation with UV lasers of a-Si:H thin film solar cells in direct scribing configuration材料配比方案与实验选择配置方法Applied Surface Science 应用表面材料科学学报Monolithical series connection of silicon thin-film solar cells modules performed by laser scribing plays a very important role in the entire production of these devices. In the current laser process interconnection the two last steps are developed for a configuration of modules where the glass is essential as transparent substrate. In addition, the change of wavelength in the employed laser sources is sometimes enforced due to the nature of the different materials of the multilayer structure which make up the device. The aim of this work is to characterize the laser patterning involved in the monolithic interconnection process in a different configuration of processing than the usually performed with visible laser sources. To carry out this study, we use nanosecond and picosecond laser sources working at 355 nm of wavelength in order to achieve the selective ablation of the material from the film side. To assess this selective removal of material has been used EDX (Energy Dispersive Using X-Ray) analysis, electrical measurements and confocal profiles. In order to evaluate the damage in the silicon layer, Raman spectroscopy has been used for the last laser process step. Raman spectra gives information about the heat affected zone in the amorphous silicon structure through the crystalline fraction calculation. The use of ultrafast sources, such as picoseconds lasers, coupled with UV wavelength gives the possibility to consider materials and substrates different than currently used, making the process more efficient and easy to implement in production lines. This approach with UV laser sources working from the film side offers no restriction in the choice of materials which make up the devices and the possibility to opt for opaque substrates. Keywords: laser scribing; selective ablation; a-Si:H.Use of digital image correlation technique to determine thermomechanical deformations in photovoltaic laminates: Measurements and accuracy数字化图像匹配技术在太阳能材料评估实验中的应用:决策准确性的提高Solar Energy Materials and Solar Cells 太阳能材料与电磁学报An experimental technique to measure the deformation of solar cells in transparent PV modules is presented. This method uses the digital image correlation technique with a stereo camera system. Deformations resulting from thermal loading, where rather small deformations occur compared to tensile or bending experiments, are measured by viewing through the window of a climate chamber. We applythis method to measure the thermomechanical deformation of the gap between two crystalline silicon solar cells by viewing through the transparent back sheet of the laminate. Two PV laminates are prepared, each with three crystalline silicon solar cells that are embedded in transparent polymer sheets on a glass substrate. The first laminate (A) contains non-interconnected cells while the second laminate consists of a standard-interconnected cell string (B). We find the gap between two solar cells to deform 66.3±2 μm between 79.6 and −17.3 °C (laminate A) and 66.4±2 μm (laminate B) between 84.4 and −39.1 °C. We determine an accuracy of 1 μm in displacement for the gap experiment by measuring free expansion of a copper strip and averaging displacement values over regions with homogeneous deformation. Furthermore, the relative error contribution in strain due to the optical influence of the layers on top of the object surface is less than 1×10−6 for one camera. This is proven by a geometrical consideration.Nanostructure, electrical and optical properties of p-type hydrogenated nanocrystalline silicon films太阳能发电产氢系统应用中,硅薄膜/贴膜的特性、形态及其性能优化VacuumIn this paper, p-type hydrogenated nanocrystalline (nc-Si:H) films were prepared on corning 7059 glass by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. The films were deposited with radio frequency (RF) (13.56 MHz) power and direct current (DC) biases stimulation conditions. Borane (B2H6) was a doping agent, and the flow ratio ηof B2H6component to silane (SiH4) was varied in the experimental. Films’ surface morphology was investigated with atomic force microscopy (AFM); Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) was performed to study the crystalline volume fraction Xc and crystalline size d in films. The electrical and optical properties were gained by Keithly 617 programmable electrometer and ultraviolet-visible (UV-VIS) transmission spectra, respectively. It was found that: there are on the film surface many faulty grains, which formed spike-like clusters; increasing the flow ratio η, crystalline volume fraction Xc decreased from 40.4 % to 32.0 % and crystalline size d decreased from 4.7 to 2.7nm; the optical band gap E g opt increased from 2.16 to 2.4eV. The electrical properties of p-type nc-Si:H films are affected by annealing treatment and the reaction pressure.。