共发射极放大电路

三 BJT静态特性曲线
• BJT静态特性曲线：是在伏安平面上作出的 反映晶体管各极直流电流电压关系的曲线。
• BJT静态特性曲线用途：
•
１、晶体三极管的组态
• 将晶体三极管视为双端口器件，分析其三种典型接法， 称为组态。
共基极接法（CB）
共射接法（CE）
共接接法（CC）
２、共射输入特性曲线
• 2) 画出直流通路：标出IBQ，ICQ，UBEQ，UCEQ • 3) 利用输入特性曲线来确定IBEQ和UBEQ • 应基的极I偏BQ，置U线B：EQUBE=EC-IB*RB 与输入特性曲线的交点对 • 4) 利用输出特性曲线来确定ICQ和UCEQ • 的直交流点负确载定线IC：Q、UUCEC=EQEC-IC*RC 与输出特性曲线中IBQ线
• 共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量，输入口 基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线：
• 共射输入特性曲线的特点：
• ３、共射输出特性曲线
• 共射输出特性曲线是在集电极电流IB一定的情况下，的 输出回路中集电极与发射极之间的电压VCE与集电极电流 IC之间的关系曲线。
工作区域划分： (1) 放大区(线性区) 条件：发射结正偏，集电结反偏
２、放大偏置时的电流分配与放大关 系：
(1) IE=IC+IB (2) IC和IE 》IE
基极电流的少量变化△IB可引起集电极电流△IC 的较大变化
(3) 当IB=0时，IC=ICEO
解释：BJT内部载流子的传输过程 ⑴ 发射区向基区注入电子
⑵ 电子在基区中的扩散与复合 ⑶ 集电区收集扩散过来的电子
对NPN管：VC>VB>VE 特性：IC=ßIB (2) 截止区
条件：发射结反偏
对NPN管：VB<VE
特性：IC=ICEO (3) 饱和区 条件：发射结、集电结皆正偏
对NPN管：VCE>VBE 特性：IB增加，IC却不再增加，即 IC≠ßIB ;而
且VCE很小。
四、BJT的主要参数
• 1 电流放大系数 • 共发射极直流电流、交流电流放大系数 • 例：书图3.1.7(b)为3DG6晶体三极管输出特性
• *** 只给出输出特性曲线来确定UCEQ和ICQ
• 1) 估算IBQ及UBEQ
• 2) 利用输出特性曲线来确定ICQ，UCEQ
• 由估算的IBQ所对应的输出特性曲线 与直流负 载线的交点Q 对应ICQ，UCEQ
2. 动态工作情况分析
• （１）、利用输入特性画出iB，uBE波形 • 设输入为Ui=UmSINwt（mv）
Ap=Po/PI
2. 最大输出幅度：U0MAX,U0,U0PP（以正弦 为例子）
3.输入电阻: Ri 4.输出电阻：Ro 5. 通频带BW（Bf）
四、放大电路的基本分析方法
• １、分析方法：1）图解法：在特性曲线上用作图来进 行分析
•
2）微变等效电路法：在一定条件下等效为线性
电路进行分析
•
3) 计算机仿真
第三章 晶体三极管(BJT)及 放大电路基础
• §3.1 半导体BJT • 一 BJT结构与电路符号 • 二 晶体管电流的分配与放大作用 • 演示实验 • 结论：１、晶体管起放大作用的条件： • 发射结正偏，集电结反偏，称为BJT的放大偏置。 • 即满足下列电压关系：
NPN管：VCB﹥0，VBE﹥0或VC＞VB ＞VE PNP管： VCB﹤0，VBE﹤0或 VC＜VB＜VE
• 一、直流通路，交流通路
• 电路分析的两种基本电路：1）直流通路：静 态2）工交作流点电分路：析动（态U分BEQ析（,UACEVQ，,ri，IBrQ0）, ICQ ）
• 1． 直流通路：直流信号通过的电路 • 原则：遇C——视为开路 • 遇L——视为短路
• 1． 交流通路：交流信号通过的电路 • 原则：遇C——（充分大）——近似视
合理设置静态工作点Q
三. 放大电路的性能指标 １、 放大倍数：输入信号若为正弦波
a. 电压放大倍数：AV=U0/UI
UO——输出电压（有效值）UI——输入电压（有效值）
电压增益： AV(db)=20lgAV 分贝 DB b．电流放大倍数 AI=IO/II
电流增益： AI (db)=20lgAI (分贝) c．功率放大倍数：功率增益 20lgAp 分贝
曲线，求它的共发射极直流电流、交流电流放 大系数 • 2 极间反向电流 (1) ICBO (2) ICEO • 3 极限参数
§3.2 共发射极放大电路
• 一、共发射极基本放大电路 教材图3.2.1 • T：NPN型晶体管,放大的核心部件
• VCC： 集电极回路直流电源提供集电结反偏 • RC： 集电极负载电阻,作用:将iC 转换成U0，反应在
输出端 • VBB,Rb:提供发射结正偏和合适的基极偏流 • C1,C2： 隔直流通交流
二. 组成原则
(1) 发射结正偏 集电极反偏 使T管处于放大状 态 (2) 输入回路：Ui——产生ib 控制ic (3) 输出回路：使iC尽可能多流到RL上（减少其 他支路的分流） (4) 保证放大电路工作正常，T 处于放大状态，
为短路
• 遇L——（充分大）——近似视为开路 • 直流电源（内阻小）：近似为短路。
§3.3 图解分析法
• 一、静态分析 • １静态工作点估算： • （从硅输管入：特0.性6-中0.8知V；：锗晶管体：管0导.1通-0.时3VU）BE变化很小 • 一般情况UBEQ：（硅管：0.7V，锗管0.2V ） • 1) 从直流通路中：列KVL方程
• IBQ*RB+UBEQ-EC=0 • IBQ=（EC-UBEQ）/RB • 2) 从晶体管电流分配关系
• ICQ=βIBQ • 3) 从直流通路中：列负载回路的KVL方程
• ICQ*RC+UCEQ-EC=0 • UCEQ=EC-ICQ*RC
Baidu Nhomakorabea. 用图解法确定Ｑ点
• 1) 给出输入特性，输出特性曲线
•
uBE=UBEQ+ui iB=IBQ+IBMSINwt
•
• （2）、利用输出特性画iC和uCE波形 • 交流负载线
• a、空载时RL=∞ • 交流负载线与直流负载线重合，动态工作点在
交流负线上移动，斜率——1/RC
• uCE=EC-IC*RC
• b、RL不等于∞ • 放大电路的交流负载电阻RL/=RC‖RL