共发射极放大电路

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共发射极放大电路原理

共发射极放大电路原理

共发射极放大电路原理
共发射极放大电路原理是一种常见的放大电路结构,也称为共基极放大电路。

它由一个BJT晶体管组成,包括基极、发射
极和集电极。

共发射极放大电路的工作原理如下:当输入信号加到基极时,基极电流会引起发射极电流的变化,进而改变集电极电流。

这种电流变化使得输出电压发生变化,实现了信号的放大。

具体地说,当输入信号的幅度上升时,基极电流也会随之上升。

这样,发射极电流会随之增加,从而提高集电极电流。

当集电极电流增大时,输出电压也会随之增加,实现信号的放大。

共发射极放大电路的特点是输入电流和输出电流都是相加的。

因此,尽管放大倍数比较小,但可以在高频信号的放大过程中保持输入输出相位的一致性。

此外,由于信号是从基极注入到发射极,所以输入阻抗较低,输入信号源可以直接连接到基极,无需耦合电容。

然而,共发射极放大电路的缺点是输出阻抗较高,输出电压受到负载影响较大。

为了解决这个问题,通常会添加一个输出级,如共射极放大电路,以降低输出阻抗并增加输出功率。

总之,共发射极放大电路是一种常见的电路结构,能够实现信号的放大。

虽然具有一些缺点,但在一些特定的应用场合中仍然具有一定的优势。

电工基础:共发射极放大电路

电工基础:共发射极放大电路

ui
uBE
RL uo
es
耦合电容C1和C2 1.起隔直作用; 2.起交流耦合的作用,即对 交流信号可视为短路。
二 共发射极放大电路的分析
1. 静态分析
放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静态分析是要确定放大电路的静态值(直流值) IB ,IC ,UBE和UCE。
二 共发射极放大电路的分析
二 共发射极放大电路的分析
(1)微变等效电路法
晶体管在小信号(微变量)情况下工作时, 可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替 晶体管的特性曲线, 晶体管就可以等效为一个线性元件。 这样就可以将非线性元件晶体管所组成的放大电路等效 为一个线性电路。
二 共发射极放大电路的分析
①晶体管的微变等效电路
ib
B + ube
ic
CB
+
+
T
uce
E
ube
rbe
ib
ib
ic C
+
uce
E
二 共发射极放大电路的分析
②放大电路的微变等效电路
对交流(动态)分量而言,电容、 直流电源也可以认为是短路。 可画出放大电路的交流通路。
基本放大电路
+UCC
C1+ +
RB iB
RC iC
T
+C2
+
+RS ui
es
RL uo
共发射极 放大电路
一 共发射极放大电路的组成
1. 电路中各元件的作用
晶体管T是电流放大元件,在集电极 电路获得放大了的电流iC,该电流受输入 信号的控制。
一 共发射极放大电路的组成

第12章 共射极放大电路

第12章 共射极放大电路
iB I BQ ib
iC iB ( I BQ ib ) I BQ iB I CQ ic uCE U CEQ uce
uBE U BEQ ui
四、静点工作点的选择与波形 失真 当放大电路静态工作点设置不得当时,会造成放大电路的波
形失真,本节通过实验来观察波形失真的现象。 (一)操作 1.框图:
3.现象:
(1)由于静态工作点已经调整适当,此时观察到的波形图 并无失真。
(2)通过两个信号输入调节旋钮 YA 和 YB 上标示的电压刻 度(V / 格)以及荧光屏上的波形幅度可以测出输入电压和输出 电压的幅值,并可以算出放大器的电压放大倍数。 (3)两波形的相位相差为 180,这是单管发射极放大电 路的倒相作用。
结论 (1)共发射极单管放大电路的输出波形的正半周(波形上 半周)出现平顶,是截止失真;若输出波形的负半周(即波形 下半部)出现平顶,是饱和失真。
(2)出现失真的原因:
Q 点设置不当,应调整放大管基极偏置电阻,使静态工作 点处于适当的位置。
3.双向失真 (1)现象 Rb适中,输出波形无失真,增大信号源 的电压幅度,使放大器的输入信号增大,这 时输出电压信号波形的上、下部分都出现平 顶,同时产生了饱和失真和截止失真——称 为双向失真,如图所示。 (2)原因
由晶体管的放大原理有:
再根据直流通路可得
二、共发射极放大电路
[例1] 在下图中,设 UE = 12 V,Rb = 200 k,Rc = 2.4 k, = 50,试计算静态工作点。 解:根据静态工作点计算公式
Ib
U E U BEQ Rb
UE 12 A 60 μA 3 Rb 20010
输入信号的电压幅度太大,在信号的正半造成饱和失真, 负半周造成截止失真。

共发射极放大电路原理

共发射极放大电路原理

共发射极放大电路是一种常见的放大电路,常用于放大低频信号。

它由三个基本元件组成:晶体管、输入电容和输出电容。

工作原理如下:
输入信号经过输入电容进入晶体管的基极。

当输入信号的幅值增加时,基极电流也会增加,导致发射极电流增加。

发射极电流的增加导致晶体管的输出电流增加,从而形成放大信号。

放大信号经过输出电容,输出到负载电阻上。

共发射极放大电路的特点:
放大倍数较高,可以达到几十倍甚至更高。

输入电阻较低,输出电阻较高,使得其可以驱动较大的负载。

频率响应范围较宽,适用于放大低频信号。

需要注意的是,共发射极放大电路也有一些缺点,如对温度和电源电压的敏感性较高,需要进行适当的温度和电压稳定措施。

同时,由于晶体管的非线性特性,可能会引入一些失真。

因此,在实际应用中需要综合考虑各种因素,选择适当的电路结构和元件参数。

共发射极放大电路

共发射极放大电路

UBQU RC B1CRRBB22
U CQ U CC ICQ R C
IEQUBQRE0.7V
UCEQ UCQUEQ
UB 0
U BQ
R b1 Rb1 Rb2
VCC
2 .79 V
Ucc I EQ
U BQ U BEQ Re
2 .1mA
UC
UE
0 IEQ
U BQ
U BEQ Re
2.1mA
U CEQ VCC I EQ (Rc Re ) 2.34V
U BQ
R b1 Rb1 Rb2
V CC
2 .79 V
I EQ
U BQ U BEQ Re
2 .1mA
U EQ 2.1V
I EQ
U BQ
U BEQ Re
2.1mA
U CEQ V CC I EQ ( R c R e ) 2 .34 V U CEQ VCC I EQ ( Rc Re ) 2.34V
2 .79 V
I EQ
U BQ U BEQ Re
2 .1mA
U EQ 2.1V
I EQ
U BQ
U BEQ Re
2.1mA
U CEQ V CC I EQ ( R c R e ) 2 .34 V U CEQ VCC I EQ ( Rc Re ) 2.34V
U BQ
R b1 Rb1 Rb2
U U
CC
BEQ
I BQ
(1 )
R R B
e
Rb
I I
CQ
BQ
U U I R R ( )
CEQ
CC CQ c
e
+ UCC
Rc
IB Q
+ U BEQ

共发射极放大电路

共发射极放大电路

发射极放大电路(common-emitter amplifier)是一种广泛应用的放大电路,它使用电极共发射极(common-emitter)的构造,通常使用二极管构成。

该电路的特性是能够将输入信号的幅度放大,而且可以改变信号的相位。

发射极放大电路的基本结构为:一个输入极、一个发射极和一个输出极。

输入极通常是一个N型晶体管,发射极是一个P型晶体管,输出极则可以是N型或P型晶体管。

发射极放大电路的工作原理是,通过输入极的变化来改变发射极的电流,从而改变发射极的电压。

而发射极的电压变化会影响输出极的电压,从而使输出信号的幅度发生变化。

发射极放大电路具有低噪声、低失真、高频率增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点,因此它在微处理器、声音处理器、视频处理器、无线电收发器等应用中被广泛使用。

由于发射极放大电路具有良好的性能,因此它在微电子领域中应用非常广泛。

它可以用于放大输入信号,也可以用于改变信号的相位,从而控制输出电压的变化。

此外,它还可以用于分离输入极的负反馈信号和输出极的正反馈信号,使系统在稳定运行的同时保持
高效率。

共发射极基本放大电路

共发射极基本放大电路

8.2 共发射极基本放大电路8.2.1 放大电路的概念在生产中,常常把温度、压力、流量等的变化,通过传感器变换成微弱的电信号,要实现对这些信号的传输或控制,就需要一定的电路使微弱的电信号不失真或在规定的失真量范围内将其放大。

实现这一功能的电路称为放大电路。

放大电路实质上是一种能量控制电路。

它通过具有较小能量的输入信号控制有源元件(晶体管、场效应管等)从电源吸收电能,使其输出一个与输入变化相似但数值却大得多的信号。

8.2.2 共发射极基本放大电路的组成由三极管组成的放大电路有共发射极、共集电极和共基极三种基本组态。

本节以应用最广泛的共发射极放大电路(简称共射电路)为例来对放大电路的组成及工作原理进行分析。

图8.10是共发射极基本放大电路(单管电压放大电路),输入端接交流信号u i;输出端接负载电阻R L,输出电压为u o。

图8.10 共发射极基本放大电路1. 电路中各元件作用(1) 晶体管VT晶体管是NPN型,它是整个电路的核心。

若输入回路有一个微弱的信号电压u i,加在基极和发射极之间有一个微弱的交变电压u BE,引起基极输入微弱的交变电流i B,于是在集电极回路内引起了较大的集电极电流i C= i B。

根据能量守恒定律,能量是不能放大的,该电路是以能量较小的输入信号通过晶体管的“控制作用”去控制电源V CC供给的能量,致使输出端获得一个能量较大的信号。

这就是放大作用的实质。

(2) 集电极电源V CCV CC是放大电路的直流电源,它有两个作用。

一方面保证晶体管VT的发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置,使晶体管工作在放大状态。

另一方面为整个放大电路提供能源。

V CC的数值一般为几伏到几十伏。

(3) 集电极电阻R C集电极负载电阻R C一方面配合V CC ,使晶体管集电结加反向偏置电压;另一方面将晶体管集电极电流i C的变化转换成电压u CE的变化,送到输出端从而实现电压放大。

若没有R C,则输出端的电压始终等于V CC,就不会随输入信号变化了。

共发射极放大电路

共发射极放大电路

7.1.3 动态分析
1. 图解法
(1) 负载开路时输入和输出电压、电流波形 的分析
的波形
根据ui波形,在输入特性曲线上求iB和uBE
根据iB波形,在输出特性曲线和直流负载 线上求iC、 uRC和uCE的变化 ,如图7.5所示。
第12页/共49页
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(2) 带负载时输入和输出电压、电流波形分 析
Ro/
U I
RC
,所以
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将有关数据分别代入上式得
A
/ u
=
-
0.36
R
/ i
=103.25

R
/ o
=3

由此可见,电压放大倍数下降了很多,但输入 电阻得到了提高。
第43页/共49页
40 当改用β=100的三极管后,其静态工作点为
IUE =B REU BE
3.5 0.7 2
为了减小和避免非线性失真,必须合理地选
择静态工作点Q的位置,并适当限制输入信号ui 的
幅度。一般情况下,Q点应大致选在交流负载线的
中点,当输入信号ui 的幅度较小时,为了减小管子
的功耗,Q点可适当选低些。若出现了截止失真, 通常采用提高静态工作点的办法来消除,即通过减
小基极偏置电阻RB的阻值来实现;若出现了饱和失 真,则反向操作,即增大RB。
作交流负载线:
10 先作出直流负载线MN,确定Q点。
20 在uCE坐标轴上,以UCE为起点向正方向取
一段IC
R
/ L
的电压值,得到C点。
30 过CQ作直线CD,即为交流负载线,如
图7. 5所示。
(3) 放大电路的非线性失真

静态工作点共发射极放大电路工作原理

静态工作点共发射极放大电路工作原理

静态工作点共发射极放大电路工作原理引言:静态工作点共发射极放大电路是一种常见的电子电路,用于信号放大和放大器设计。

本文将介绍静态工作点共发射极放大电路的工作原理及其特点。

一、共发射极放大电路概述共发射极放大电路是一种常用的放大电路结构。

它由一个三极管和若干个电阻组成,其中三极管的发射极接地,集电极通过电阻与正电压连接,基极通过电阻与信号源连接。

二、工作原理1. 静态工作点调节在共发射极放大电路中,通过调节电阻的值,可以使三极管的静态工作点稳定在某一特定位置。

静态工作点的选择要考虑到三极管的工作范围,以保证放大电路的线性度和稳定性。

2. 信号放大在正常工作状态下,当输入信号施加到基极时,三极管会将信号放大并输出到负载。

具体而言,当输入信号为正半周时,三极管会使集电极电压上升,当输入信号为负半周时,三极管会使集电极电压下降。

通过这种方式,输入信号得以放大。

3. 静态工作点的稳定性共发射极放大电路的静态工作点对电路的性能有很大影响。

静态工作点的稳定性取决于电阻和电源电压的选择。

如果电阻值选取不当或电源电压波动较大,静态工作点可能会偏离期望值,导致信号失真或其他问题。

三、特点与应用1. 特点共发射极放大电路具有以下特点:(1)放大倍数高:由于三极管的放大特性,共发射极放大电路可以实现较高的放大倍数。

(2)输入电阻低:由于基极直接与信号源相连,共发射极放大电路的输入电阻较低。

(3)输出电阻高:由于三极管的输出特性,共发射极放大电路的输出电阻较高。

(4)频率响应好:共发射极放大电路的频率响应范围较宽,适用于不同频率的信号放大。

2. 应用共发射极放大电路广泛应用于各种电子设备中,如音频放大器、射频放大器、通信电路等。

由于其放大倍数高、频率响应好等特点,共发射极放大电路在音频和射频领域得到了广泛的应用。

结论:通过本文的介绍,我们了解了静态工作点共发射极放大电路的工作原理及其特点。

共发射极放大电路是一种常用的放大电路结构,具有高放大倍数、低输入电阻和高输出电阻等特点,适用于各种信号放大应用。

共发射极放大电路的分析

共发射极放大电路的分析

12 0.7 377
30A
+ us−
RL uo

IC IB 5030 1.5mA U CE VCC RC IC 12 61.5 3V
+VCC
RB RC IC
IB + +UBE−U−CIEE
第五章 基本放大电路
共发射极放大电路
3.电压放大倍数Au、Aus
画出小信号等效电路
Au
例2 电路如图所示。
已知 三极管的UBE=0.7V,
RB RC
β=50,RB=377kΩ, RC=6kΩ, RL=3kΩ, RS=100Ω, VCC=12V。
Rs C1 +
us−
试计算:
+VC
C
C2 +
RL uo

1.试标出电容C1、C2极性;2.求电路的静态工作点Q ; 3.电压放大倍数Au、Aus ; 4.输入电阻ri、输出电阻ro。

c b
e RC
RE
+
RL uo −
共发射极放大电路
RB1 RC
C1 + b c
+
u−i RB2
e
RE
+C2
RL
+VC
C
+
uo

小信号等效电路
+ ui RB1

ib b
rbe RB2
e
RE
c ic ib
RC
+ RL uo

第五章 基本放大电路
共发射极放大电路
计算性能指标
电压放大倍数Au 由输入回路: U i rbe Ib R E Ie

共发射极放大电路的特点

共发射极放大电路的特点

共发射极放大电路的特点一、什么是共发射极放大电路共发射极放大电路(common emitter amplifier circuit)是一种常见的放大电路,在电子领域得到广泛应用。

它由一个晶体管和与之相连的电阻、电容等元器件组成,通过控制输入信号来调节输出信号的幅度。

二、共发射极放大电路的特点共发射极放大电路具有以下几个特点:1. 放大增益高共发射极放大电路的放大增益较高,通常可达几十倍甚至更高。

这是因为共发射极放大电路利用晶体管的共发射极作为放大器的输出端,电压增益可以通过对输入信号和输出信号的电压进行比较得到。

2. 输入输出相位正相反在共发射极放大电路中,输入信号与输出信号的相位呈正相反关系。

这是因为晶体管的放大作用导致输出信号反向,从而使得输入和输出的相位相反。

3. 输入电阻较低共发射极放大电路的输入电阻较低,一般在几千欧姆至几十兆欧姆之间。

这是因为晶体管的基极与输入信号源相连,其内部电阻较低,可以有效地吸收输入信号。

4. 输出电阻较高共发射极放大电路的输出电阻较高,一般在几千欧姆至几百兆欧姆之间。

这是因为晶体管的共发射极连接到输出负载,输出电流经过负载电阻才能形成输出电压。

5. 非线性失真小共发射极放大电路的非线性失真较小,输出信号与输入信号之间的波形变化较小。

这是因为共发射极放大电路采用了偏置电路,使得晶体管在工作点上保持在放大区,避免了过度放大或失真等问题。

6. 输入输出阻抗不匹配问题共发射极放大电路的输入输出阻抗不匹配,需要通过匹配网络来解决。

输入端需要匹配输入信号源的阻抗,输出端需要匹配负载的阻抗,以避免能量的反射和损耗。

三、共发射极放大电路的应用共发射极放大电路广泛应用于各种电子设备中,常见的应用包括:1. 音频放大器共发射极放大电路在音频放大器中得到广泛应用。

它可以将低电平的音频信号放大为适合扬声器驱动的高电平信号,从而实现音频的放大和放音。

2. 射频放大器共发射极放大电路在射频放大器中也有重要应用。

共发射极放大电路放大原理

共发射极放大电路放大原理

共发射极放大电路放大原理
共发射极放大电路是一种常见的放大电路拓扑结构,用于增强电信号的幅度。

它由一个晶体管组成,该晶体管的发射极与输入信号相连,基极通过电阻连接到参考电压,集电极则连到负载。

共发射极放大电路的工作原理如下:当输入信号施加在发射极时,它会控制晶体管的基极电流。

基极电流通过发射极的电流增益,引起集电极电流的变化。

这种变化的电流通过负载并产生输出电压。

因此,输入信号经过放大后,通过负载得到一个增强的输出信号。

共发射极放大电路具有以下特点:
1. 增益: 共发射极放大电路具有较高的电压增益,可以放大输入信号的幅度,使其适合驱动后续电路或设备。

2. 输入-输出相位关系: 该电路的输入信号与输出信号的相位是相反的。

也就是说,当输入信号上升时,输出信号下降,反之亦然。

这一特性可以根据具体应用进行调整。

3. 占用空间小:共发射极放大电路的结构比较简单,所需器件较少,因此占用空间较小,适合在集成电路中使用。

4. 噪声: 由于晶体管的非线性特性,共发射极放大电路产生的噪声相对较大,可能会影响信号的质量。

在设计中需要注意对噪声的控制和抑制。

总之,共发射极放大电路是一种常见的放大电路拓扑结构,通过晶体管的工作原理实现对输入信号的放大。

它具有较高的电压增益和适应性,并可以根据需要进行相位调整。

然而,设计时需要注意噪声的影响,以保证信号质量的稳定性和准确性。

共集电极放大电路 讲解

共集电极放大电路 讲解

共集电极放大电路讲解共集电极放大电路是一种常用的单管放大电路,也被称为共发射极放大电路。

它的特点是输出电压与输入电压之间的极性相同。

共集电极放大电路由一个NPN型晶体管组成,晶体管的集电极与输出电阻RL相连,发射极与共模输入电压Vin和输入电阻Rin相连,基极通过一个输入电容Cin与信号源相连接,而负载电阻RC与晶体管的发射极相连。

这个电路的工作原理如下:当输入信号Vin为正弦波时,其通过输入电容Cin进入基极,使得基极电压随之变化。

当基极电压升高时,使得发射极电压降低,从而使得晶体管的开关状态改变,产生大量的电流流过负载电阻RC。

由于集电极与电源之间有一个输出电阻RL,所以电流通过负载电阻RC,形成一个与输入信号Vin一致的输出电压Vo。

共集电极放大电路的主要特点有以下几点:1.电压放大系数大:由于共集电极放大电路中,输出电压Vo直接来自于输入信号Vin,所以电压放大系数较大。

而且由于输入端的电流放大系数大,使得电压放大系数进一步提高。

2.相位不变:共集电极放大电路的输出电压与输入电压之间的极性相同,所以输出信号与输入信号的相位没有改变。

3.输入电阻大,输出电阻小:共集电极放大电路的输入电阻由输入电容Cin和输入电阻Rin共同组成,其数值通常较大。

输出电阻由输出电阻RL和晶体管的动态电阻共同决定,通常较小。

4.电流放大系数小:由于晶体管的发射极电流与输入信号正相关,所以电流放大系数较小。

在实际应用中,共集电极放大电路常用于信号放大和阻抗匹配。

其原因主要有以下几点:1.信号放大:由于共集电极放大电路的输出电压与输入电压之间的极性相同,所以可以用于电压放大电路。

在实际应用中,可以通过调节负载电阻RL和输入电阻Rin的数值,来实现对不同幅度的信号进行放大。

2.阻抗匹配:由于共集电极放大电路的输入电阻较大,输出电阻较小,可以提供更好的阻抗匹配。

这可以使得信号源和负载之间产生更好的传输效果。

综上所述,共集电极放大电路是一种常见的单管放大电路,具有电压放大系数大、相位不变、输入电阻大、输出电阻小等优点。

三极管共发射极放大电路放大倍数

三极管共发射极放大电路放大倍数

三极管共发射极放大电路放大倍数
摘要:
1.三极管共发射极放大电路的概念
2.下限频率处的电压放大倍数与最大电压放大倍数的关系
3.共发射极放大电路的计算举例
4.共发射极放大电路的应用
正文:
一、三极管共发射极放大电路的概念
三极管共发射极放大电路是一种常用的信号放大电路,它具有电压放大和电流放大的能力。

在这种电路中,输入信号与三极管的基极相连,输出信号从三极管的集电极获得。

发射极则起到提供电子流的作用。

二、下限频率处的电压放大倍数与最大电压放大倍数的关系
在三极管共发射极放大电路中,下限频率处的电压放大倍数是最大电压放大倍数的0.707 倍,也就是相当于后者的70.7%。

这个关系可以通过通频带的定义来获得,通频带是指电路中电压放大倍数在一定范围内变化的区域。

三、共发射极放大电路的计算举例
假设我们要制作一个5 倍放大倍数的放大电路,可以设置基极到发射极的压差为0.6-0.7V,基极电压为2.6V。

此时,集电极电压为电源电压减去基极到发射极的压差,即Vcc - 0.6V 或Vcc - 0.7V。

通过调整电阻值,可以得到不同的电压放大倍数。

四、共发射极放大电路的应用
共发射极放大电路广泛应用于各种电子设备中,如音频放大器、无线通信设备等。

它不仅可以实现信号的放大,还可以实现信号的整形、滤波等功能。

共发射极放大电路理论分析与计算

共发射极放大电路理论分析与计算

共发射极放大电路理论分析与计算理论原理:共发射极放大电路的主要原理是利用三极管的放大特性,将输入信号放大,并通过输出电容和输出电阻对外输出。

在共发射极放大电路中,输入信号通过输入电容C1进入基极,然后通过三极管的放大作用,输出信号从集电极经过输出电容C2并通过输出直流耦合电阻RL输出到负载。

计算和分析:1.输入电容的计算:输入电容C1是为了隔离直流信号,使得输入信号的纯交流成分进入基极。

选择一个合适的输入电容可以提高三极管的放大效果。

一般可以根据信号的频率特性和电路的输入阻抗来选择输入电容。

例如,如果输入信号的频率范围为20Hz-20kHz,可以选择一个电容值为0.1μF的输入电容。

2.输出电容的计算:输出电容C2是为了隔离输出信号的交流成分,并将其输出到负载。

输出电容的数值选择取决于输出信号的频率特性和负载的阻抗。

例如,如果输出信号的频率范围为20Hz-20kHz,并且负载的阻抗为8Ω,可以选择一个电容值为10μF的输出电容。

3.输入直流耦合电阻的计算:输入直流耦合电阻R1是为了提供基极的直流偏置电压,并将输入信号传输到基极。

为了使得基极工作在三极管的放大区,可以选择一个合适的输入直流耦合电阻。

例如,如果基极的直流偏置电压为0.6V,输入信号的幅值为0.1V,可以选择一个电阻值为5.4kΩ。

4.输出直流耦合电阻的计算:输出直流耦合电阻R2是为了提供集电极的直流偏置电压,并将输出信号传输到负载。

为了使得集电极工作在三极管的放大区,可以选择一个合适的输出直流耦合电阻。

例如,如果集电极的直流偏置电压为6V,输出信号的幅值为1V,可以选择一个电阻值为6kΩ。

总结:。

电子技术-共发射极基本放大电路课件

电子技术-共发射极基本放大电路课件
由此可以得出:
无交流输入信号电压时,三极管各电极都是恒定的电压和 流:IB、UBE和 IC、UCE ,称为静态值。这些静态值分别 在输入、输出特性曲线上对应着一点,称为静态工作点,
用Q表示。这时的静态量可表示为IBQ、ICQ、UCEQ。
三、共发射极放大电路的直流、交流通路
(1)共发射极放大电路的直流通路:
+ ui

习惯画法ห้องสมุดไป่ตู้
一、共发射极放大电路的组成
(1)晶体管 V:
放大电路中的核心器件。具有电流放大作用, 可将微小的基极电流转换成较大的集电极电流。 (2) 集电极电源EC: 不仅为输出信号提供能 量,还为发射结加正向偏 置电压、集电结加反向偏 + 置电压,使晶体管起到放 ui – 大作用。
RB C1 + +EC C2 + + iB iC + T uCE + uBE – uo – iE – RC
重点应掌握共发射极放大电路静态工作点的分析。
作业
1、画出共发射极放大电路图,并说明各组 成元器件的作用。 2、画出共发射极放大电路的直流通路图。
+UCC Rb C1
+
ICQ =( U - U )/R CC CEQ C =(12-6)/2 ICQ≈β IBQ IBQ ≈ ICQ/ β =3/50=0.06mA =3mA
Rc
+
C2
V
ui
uo
IBQ≈UCC/ Rb Rb ≈ UCC/ IBQ =12/ 0.06=200K


本堂课我们主要学习了共发射极放大电路和直流 通路、交流通路的画法以及静态工作点的估算。
1、静态时的情况

共发射极放大电路设计意义

共发射极放大电路设计意义

共发射极放大电路设计意义
摘要:
一、共发射极放大电路的基本概念
二、共发射极放大电路的工作原理
三、共发射极放大电路的设计意义
四、共发射极放大电路的应用领域
正文:
共发射极放大电路,作为一种基本的三极管放大电路,一直以来都在电子电路设计中占据着重要的地位。

它的设计意义主要体现在以下几个方面:
一、基本概念:共发射极放大电路是一种三极管放大电路,其中输入信号由三极管的基极与发射极两端输入,输出信号由三极管的集电极和发射极获得。

这种电路组成被称为共发射极放大电路。

二、工作原理:共发射极放大电路的工作原理是基于三极管的电流放大特性。

当输入信号接入基极时,通过控制基极电流,使得集电极电流发生变化,进而实现输入信号的放大。

三、设计意义:共发射极放大电路的设计意义主要体现在其优秀的电压、电流和功率放大能力。

相较于其他类型的放大电路,共发射极放大电路具有更大的电压放大、电流放大和功率放大倍数,输入电阻小,而输出电阻大,因此在很多电子电路设计中都能看到其应用。

四、应用领域:由于其优秀的放大性能,共发射极放大电路被广泛应用于低频电压放大、中间级和输出级等方面。

例如,在音频放大器、无线通信设
备、计算机硬件等领域,共发射极放大电路都发挥着重要的作用。

总的来说,共发射极放大电路的设计意义在于它提供了一种高效、可靠的信号放大方案。

共发射极基本放大电路

共发射极基本放大电路
图解法确定静态工作点
+VCC
RB
RC
IBQ
ICQ +
+
VBEQ -
VCEQ IEQ -
• 在输入特性曲线上;作出直线 VBEQ =VCC-IBQRb;两线 的交点即是Q点;得到IBQ&
图解法确定静态工作点
iC/m A
N点
IBQ
+
ICQ + VCEQ
ICQ
VBEQ
_
0
-

令IC=0时;VCE=VCC;得M点VCC;0 令VCE=0时;IC= VCC/RC;得N点0;VCC/RC
Vs _
ic
+
βib Rc
RL
Vo
_
Ri
GND
Ro
3求Av、Ri、Ro
图4.3.17
Av的数值增加了
ib
2画出图4.3.16所示电 路的小信号等效电路; Rs +
如图4.3.17所示& Vi Rb rbe
Vs _
ic
+
βib Rc
RL
Vo
_
Ri
GND
Ro
3求Av、Ri、Ro
图4.3.17
Av的数值增加了
Q
IBQ
VCEQ
M点 u C E /V
连接 MN
直流负载线
1画小信号模型的等效电路 ❖ 三极管用简化H模型代替;标出电量符号与极性;
❖ 用交流通路画出其他元件;标出信号输入、输出端&
(a) 共射基本放大电路
b h参数微变等效电路
2估算rbe
rbe=200Ω+1+β26 mV/ IE
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第三章 晶体三极管(BJT)及 放大电路基础
• §3.1 半导体BJT • 一 BJT结构与电路符号 • 二 晶体管电流的分配与放大作用 • 演示实验 • 结论:1、晶体管起放大作用的条件: • 发射结正偏,集电结反偏,称为BJT的放大偏置。 • 即满足下列电压关系:
NPN管:VCB﹥0,VBE﹥0或VC>VB >VE PNP管: VCB﹤0,VBE﹤0或 VC<VB<VE
对NPN管:VC>VB>VE 特性:IC=ßIB (2) 截止区
条件:发射结反偏
对NPN管:VB<VE
特性:IC=ICEO (3) 饱和区 条件:发射结、集电结皆正偏
对NPN管:VCE>VBE 特性:IB增加,IC却不再增加,即 IC≠ßIB ;而
且VCE很小。
四、BJT的主要参数
• 1 电流放大系数 • 共发射极直流电流、交流电流放大系数 • 例:书图3.1.7(b)为3DG6晶体三极管输出特性
• 共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量,输入口 基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线:
• 共射输入特性曲线的特点:
• 3、共射输出特性曲线
• 共射输出特性曲线是在集电极电流IB一定的情况下,的 输出回路中集电极与发射极之间的电压VCE与集电极电流 IC之间的关系曲线。
工作区域划分: (1) 放大区(线性区) 条件:发射结正偏,集电结反偏
Ap=Po/PI
2. 最大输出幅度:U0MAX,U0,U0PP(以正弦 为例子)
3.输入电阻: Ri 4.输出电阻:Ro 5. 通频带BW(Bf)
四、放大电路的基本分析方法
• 1、分析方法:1)图解法:在特性曲线上用作图来进 行分析

2)微变等效电路法:在一定条件下等效为线性
电路进行分析

3) 计算机仿真
为短路
• 遇L——(充分大)——近似视为开路 • 直流电源(内阻小):近似为短路。
§3.3 图解分析法
• 一、静态分析 • 1静态工作点估算: • (从硅输管入:特0.性6-中0.8知V;:锗晶管体:管0导.1通-0.时3VU)BE变化很小 • 一般情况UBEQ:(硅管:0.7V,锗管0.2V ) • 1) 从直流通路中:列KVL方程
合理设置静态工作点Q
三. 放大电路的性能指标 1、 放大倍数:输入信号若为正弦波
a. 电压放大倍数:AV=U0/UI
UO——输出电压(有效值)UI——输入电压(有效值)
电压增益: AV(db)=20lgAV 分贝 DB b.电流放大倍数 AI=IO/II
电流增益: AI (db)=20lgAI (分贝) c.功率放大倍数:功率增益 20lgAp 分贝
2、放大偏置时的电流分配与放大关 系:
(1) IE=IC+IB (2) IC和IE 》IE
基极电流的少量变化△IB可引起集电极电流△IC 的较大变化
(3) 当IB=0时,IC=ICEO
解释:BJT内部载流子的传输过程 ⑴ 发射区向基区注入电子
⑵ 电子在基区中的扩散与复合 ⑶ 集电区收集扩散过来的电子
输出端 • VBB,Rb:提供发射结正偏和合适的基极偏流 • C1,C2: 隔直流通交流
二. 组成原则
(1) 发射结正偏 集电极反偏 使T管处于放大状 态 (2) 输入回路:Ui——产生ib 控制ic (3) 输出回路:使iC尽可能多流到RL上(减少其 他支路的分流) (4) 保证放大电路工作正常,T 处于放大状态,
• 2) 画出直流通路:标出IBQ,ICQ,UBEQ,UCEQ • 3) 利用输入特性曲线来确定IBEQ和UBEQ • 应基的极I偏BQ,置U线B:EQUBE=EC-IB*RB 与输入特性曲线的交点对 • 4) 利用输出特性曲线来确定ICQ和UCEQ • 的直交流点负确载定线IC:Q、UUCEC=EQEC-IC*RC 与输出特性曲线中IBQ线
• IBQ*RB+UBEQ-EC=0 • IBQ=(EC-UBEQ)/RB • 2) 从晶体管电流分配关系
• ICQ=βIBQ • 3) 从直流通路中:列负载回路的KVL方程
• ICQ*RC+UCEQ-EC=0 • UCEQ=EC-ICQ*RC
2. 用图解法确定Q点
• 1) 给出输入特性,输出特性曲线
三 BJT静态特性曲线
• BJT静态特性曲线:是在伏安平面上作出的 反映晶体管各极直流电流电压关系的曲线。
• BJT静态特性曲线用途:

1、晶体三极管的组态
• 将晶体三极管视为双端口器件,分析其三种典型接法, 称为组态。
共基极接法(CB)
共射接法(CE)
共接接法(CC)
2、共射输入特性曲线
曲线,求它的共发射极直流电流、交流电流放 大系数 • 2 极间反向电流 (1) ICBO (2) ICEO • 3 极限参数
§3.2 共发射极放大电路
• 一、共发射极基本放大电路 教材图3.2.1 • T:NPN型晶体管,放大的核心部件
• VCC: 集电极回路直流电源提供集电结反偏 • RC: 集电极负载电阻,作用:将iC 转换成U0,反应在
• *** 只给出输出特性曲线来确定UCEQ和ICQ
• 1) 估算IBQ及UBEQ
• 2) 利用输出特性曲线来确定ICQ,UCEQ
• 由估算的IBQ所对应的输出特性曲线 与直流负 载线的交点Q 对应ICQ,UCEQ
2. 动态工作情况分析
• (1)、利用输入特性画出iB,uBE波形 • 设输入为Ui=UmSINwt(mv)
• 一、直流通路,交流通路
• 电路分析的两种基本电路:1)直流通路:静 态2)工交作流点电分路:析动(态U分BEQ析(,UACEVQ,,ri,IBrQ0), ICQ )
• 1. 直流通路:直流信号通过的电路 • 原则:遇C——视为开路 • 遇L——视为短路
• 1. 交流通路:交流信号通过的电路 • 原则:பைடு நூலகம்C——(充分大)——近似视

uBE=UBEQ+ui iB=IBQ+IBMSINwt

• (2)、利用输出特性画iC和uCE波形 • 交流负载线
• a、空载时RL=∞ • 交流负载线与直流负载线重合,动态工作点在
交流负线上移动,斜率——1/RC
• uCE=EC-IC*RC
• b、RL不等于∞ • 放大电路的交流负载电阻RL/=RC‖RL
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