第2、3次 磁场高斯定理,安培环路定律

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第2、3次_磁场高斯定理_安培环路定律

第2、3次_磁场高斯定理_安培环路定律

dm B dS BdS cos
m B dS BdS cos
s s
二、磁场的高斯定理
对一封闭曲面来说,一般取向外的指向为正法线的指向。 这样从闭合面穿出的磁通量为正 ( / 2) ,穿入的磁通量为 负 ( / 2) ,由于磁感线是闭合线,那么穿过任一封闭曲 面的磁通量一定为零。 磁场的高斯定理表述为:磁场中通过任一封闭曲面的 磁通量一定为零。
2 顺磁质和抗磁质的磁化
分子圆电流和磁矩 顺 磁 质 的 磁 化
Pm
I
Is
B0
无外磁场
有外磁场
' B B B 顺磁质内磁场 0
无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 抗 磁 质 的 磁 化
P m 0

q
Pm
'

B0
v F
' P m
B0
q
' P m
' P m
,B0 反向时 ,B0 同向时 抗磁质内磁场 B B0 B'
0 I B 2r 0 Ir B 2R 2 0 I B 2r
2. 长直载流螺线管
已知:I、n
分析对称性
管内磁力线平行于管轴
管外磁场为零
右 手 螺 旋
作积分回路如图
单 位 长 度 导 线 匝 数
方向
a
b
B
d c
计算环流
H dl

s
B dS BdS cos 0
s
物理意义: 磁场为无源场(涡旋场)
将上式与电场的高斯定律相比较,可知自然界中没有 与电荷相对应的“磁荷”(或叫单独的磁极)存在。 但是1931年英国物理学家狄拉克曾从理论上预言,可 能存在磁单极子(Magnetic monopole),并且磁单极子 的磁荷同电荷一样也是量子化的。 近几十年来,人们一直在捕捉磁单极子的踪迹。然而 迄今为止,人们还没有发现可以确定磁单极子存在的 实验证据。如果实验上找到了磁单极子,那么磁场的 高斯定律以至整个电磁理论都将作重大修改!

磁场的高斯定理和安培环路定理

磁场的高斯定理和安培环路定理
L
解:
Bp
发生变化. 发生变化.
I2 I1

L
B dl 不发生变化 P
L
例如: 例如: I1 >0 L I2<0 I1 I2 I3 L I L
I3

L
B dl = o ( I1 I 2 )

L
B dl = o ( I1 + I 3 )
∫ B dl
l
= 4 0 I
二,安培环路定理
∑Ii
i =0
§8-4
稳恒磁场的高斯定理与 安培环路定理
一,稳恒磁场的高斯定理
由磁感应线的闭合性可知, 对任意闭合曲面, 由磁感应线的闭合性可知 , 对任意闭合曲面 , 穿入的磁感应线条数与穿出的磁感应线条数相同, 穿入的磁感应线条数与穿出的磁感应线条数相同 , 因此,通过任何闭合曲面的磁通量为零. 因此,通过任何闭合曲面的磁通量为零.
Φ = BS 2 = (6i + 3 j + 1.5k ) (0.15) i = 0.135Wb ( 2) z Φ = ∫∫ B dS = 0
S
O l
x
l
l
一长直导线通有电流I 距其d 例,一长直导线通有电流I,距其d处有 一长为a 宽为b的长方形, 一长为a,宽为b的长方形,求通过这个 长方形的磁通量. 长方形的磁通量.
n
闭合回路所包围的所有电流 的代数和. 的代数和. 所取的闭合路径上各点的磁 感强度值, 感强度值,是由闭合路径内 外所有的电流产生的. 外所有的电流产生的.即是 由空间所有的电流产生的. 由空间所有的电流产生的.
B
二,安培环路定理
定理的物理意义 由安培环路定理可以看出, 由安培环路定理可以看出,由于 磁场中的磁感强度的环流一般不 为零,所以磁场是非保守场 非保守场. 为零,所以磁场是非保守场.

磁场的高斯定理和安培环路定理课件

磁场的高斯定理和安培环路定理课件

03
安培环路定理的介绍与推导
安培环路定理的基本概念
总结词
安培环路定理是描述磁场散布的重要定理之一,它指出磁场线总是闭合的,且穿过任意一个封闭曲面的磁通量为 零。
详细描述
安培环路定理是电磁学中的基本定理之一,它描述了磁场线的性质和散布规律。根据安培环路定理,磁场线总是 闭合的,即磁场线不会中断或消失,而是形成一个完整的闭合曲线。此外,安培环路定理还指出,穿过任意一个 封闭曲面的磁通量为零,即磁场线不会从一个区域穿入另一个区域。
磁力线
磁感应强度
描述磁场强弱的物理量,单位是特斯 拉或高斯。
描述磁场散布的几何图形,磁力线闭 合且不相交,磁力线的疏密程度表示 磁场强弱。
高斯定理的背景与定义
高斯定理的背景
磁场在空间中的散布具有闭合性 ,即穿过某一封闭曲面S的磁通量 等于零或无穷大。
高斯定理的定义
穿过任意封闭曲面S的磁通量等于 该封闭曲面所包围的净磁荷量。
04
高斯定理与安培环路定理的比较与联系
两者之间的类似之处
闭合曲面的磁场通量
高斯定理和安培环路定理都涉及到闭合曲面的磁场通量。在高斯定理中,磁场 通量是通过闭合曲面进入或离开某一区域的量,而在安培环路定理中,磁场通 量与电流和闭合曲面的关系是关键。
无源磁场
高斯定理适用于无源磁场,即没有电流源的磁场。同样地,安培环路定理也适 用于无源磁场的情况。
高斯定理的应用场景
01
02
03
磁场散布分析
通过高斯定理可以分析磁 场在空间中的散布情况, 确定磁力线的走向和强弱 。
磁荷检测
高斯定理可以用于检测磁 场中的磁荷散布,例如磁 铁、发电机和电动机中的 磁荷散布。
磁场屏蔽

第2、3次_磁场高斯定理_安培环路定律讲解

第2、3次_磁场高斯定理_安培环路定律讲解

通过曲面S的磁通量为
在国际单位制中,磁通量 的单位是Wb(韦伯)。
dm B dS BdS cos
m
BdS
s
BdS cos
s
二、磁场的高斯定理
对一封闭曲面来说,一般取向外的指向为正法线的指向。 这样从闭合面穿出的磁通量为正 ( / 2),穿入的磁通量为 负 ( / 2) ,由于磁感线是闭合线,那么穿过任一封闭曲 面的磁通量一定为零。
0 I
(r R) (r R)
0 (r R)
B
0
I
2 r
(r R)
0I B 2 R
O
I R
Rr
练 同轴的两筒状导线通有等值反向的电流 I , 习 求 B 的分布。
(1) r R2, B 0
R2
R1
(2)
R1
r
R2 ,
B
0 I 2 r
I
I
r
(3) r R1, B 0
电场、磁场中典型结论的比较
长直线
长 直


柱 面

长 直


柱 体

电荷均匀分布
E
2 0r
E0
E
2 0r r
E 2 0 R2 E
环 等于该闭合曲线所包围(套链)的电流的代数和与
路 定
真空中的磁导率的乘积。即

B dl 0 Ii
说 明
电流与环路成右旋关系
I4
I1 I 2
I3
如图 B dl 0 Ii
l
0 (I2 I3)

B dl 0 Ii 0 (I2 I3)

由环
环路
路上

磁场的高斯定理磁力线

磁场的高斯定理磁力线
一致,
B 的方向与环路方向 (3)要求环路上各点 B 大小相等,
I 0 B d l I 写成 目的是将: B 0 L dl 或 B 的方向与环路方向垂直, B dl , cos 0 B dl 0
L
【例9-4 】求长直密绕螺线管内磁场.
l
d
N B 0 I 0 nI 2π R
R
结论:当 2 R d 时,螺绕环内可视为均匀场.
【例9-5 】无限长载流圆柱体的磁场 解: (1)对称性分析 (2)选取回路 r R, B d l 0 I
l
I
L
R R
2 π rB1 0 I
0 r R
B1
B1

I
r1
B2 dl dl1 2
0 I 0 I B1 , B2 2π r1 2π r2
0 I B1 dl1 B2 dl2 dφ 2π B1 dl1 B2 dl2 0 B d l 0
S B
ΔN B ΔS
磁场中某点处垂直 B 矢量的单位面积上 通过的磁力线数目等于该点 B 的数值.
2 磁通量 定义:通过任一曲面的磁力线的条数 称为通过这一曲面的磁通量Φm 。
dΦm B dS
ds
ds

en
B
B
穿过某一曲面的磁通量
Φm
s
B dS
解:
B
0 I B 2π x
I
l
d1 d2
o
x
2π x 0 Il d2 dx Φ S B dS d1 2π x 0 Il d 2 Φ ln 2π d1

3 磁场的高斯定理 安培环路定理

3 磁场的高斯定理  安培环路定理
在管内作半径为 r 的环路
B dl
L
o
r
Bdl
L
B dl B2r L
0 NI
B2r 0 NI
0 NI B 2r
当 r >> ( R2 – R1) 时
N n 2r
为沿轴向线圈密度;
o R1 rR
2
B 0nI与直螺管的公式一致。
例3:圆柱形载流导体半径为 R ,通有电流为 I ,电流在导 体横载面上均匀分布,求圆柱 体内、外的磁感应强度的分布。 解:圆柱形载流导体内外磁场 的磁力线为以轴线为圆心、圆 周平面与轴线垂直的圆,磁力 线上各点的磁感强度相等。 1.圆柱体内部区域作一半径为r、 以轴线为圆心、圆周平面与轴 线垂直的圆作为环路,有: B dl Bdl B 2r
3 磁场中的高斯定理 安培环路定理
1 磁场的高斯定理
为了形象地描述磁场中磁感应 强度的分布,引入磁力线。 磁力线的特点: 1.闭合曲线 2.与电流相互套连 3.方向与电流的方向服从右手螺旋关系 磁通量: m B d S
s
m B d S
s
磁场中的高斯定理
直线电流的磁力线分布
B
dl
L2 L1
Brd Brd
L1 L2
I
d1 B0 I 来自 d1 d 2 2
0
dl
利用安培环路定理可计算具有高度对称性 的磁场的磁感强度。 环路选取原则 (1)要求环路上各点 B 大小相等,B 的方向与环 路方向一致;或者让环路方向与 B 的方向垂直。 (2)环路要经过所研究的场点。
I2
I1
I3
例:

磁场的高斯定理和安培环路定理

磁场的高斯定理和安培环路定理

. . . . . . . . ..
第4节
. . . .. . .. B . ∮H ·dl = 2rH = NI . . . . . H = NI/2r, r . . . . R 1 . . B = o NI/2r . . R 2 . . .. . 环管截面 r R, . .. . . ... B o NI/2R = o n I 解:1、环管内:
第八章
I
R
r B
R
r
第4节
第八章
直线电流的磁力线
I
I B
第4节
例8-5 求通电螺绕环的磁场分布。设环管 的轴线半径为 R,环上均匀密绕 N 匝线圈, 线圈中通有电流 I,管内磁导率为 o 。
第八章
I
I
. . . . . . ..
. . . .. . .. . . R1 R2
..
. . . ...
第八章
第4节
第八章
通电螺线管的模型
I
第4节
思考题: 如果通电螺线管的磁力线如下所示,图 中环路积分 ∮H ·dl = ?
第八章
I
L
I
二、磁场的安培环路定理 1、真空中 根据闭合电流产生的磁场公式,即安 培 — 拉普拉氏定律,可证明真空中磁场 B 沿闭合回路 L 的积分,即环流为: ∮L B ·dl =μoΣI 此式称为真空中磁场的安培环流定理,式 中ΣI 是闭合回路 L 所包围的所有闭合电流 I 的代数和。 物理意义:磁场 B 是有旋场,非保守场
第八章
I
R
o dS
B
Io
r
第4节
2、r>R ∮H ·dl =∮H dl = 2rH ΣIo = I H = I /2r ,B = oI /2r 上式表明,从导线外部看, 磁场分布与全部电流 I 集中 在轴线上相同。 μ I B H 2 πR I μ 0I 2 R π 2 πR 0 r 0

磁场的高斯定理和 安培环路定理.ppt

磁场的高斯定理和 安培环路定理.ppt

B d S B d S
S1
磁通量仅由 的共同边界线所决定

S2
能否找到一个矢量A,它沿L作 线积分等于通过S的通量?

A dl B dS (a)
L
S
数学上可以证明,这样的矢量A的确存在,对
于磁感应强度B,A叫做磁矢势,A在空间的
分布也构成矢量场,简称矢势。
2π R
oR r

解 0 r R, B d l 0 l r R, l B d l 0I
B0 B 0I
2π r
§3 §4 磁场的高斯定理和安培环路定理
第二章 恒磁场
例5 无限长圆柱电缆的磁场(两空心圆筒)

解 0 r R1, B d l 0 B 0
第二章 恒磁场
例3 无限长载流圆柱体的磁场
I
解 1)对称性分析 2) 选取回路
RR
rR
Bdl l
0I
L
2π rB 0I
B 0I
2π r
r B
0 r R
l
B
d
l

0
π π
r2 R2
I
2π rB 0r2 I
R2
B

0Ir
2π R2

I . dB
ABLCDLA
B dl
AB B dl,
BLC
B dl

CD
DLA
B dl, B dl

B dl
AB

CD
BLC

CLB
DLA

L
B dl B dl 0,即 B dl B dl

磁场的高斯定理和安培环路定律

磁场的高斯定理和安培环路定律

0I
是否成立???
设任意回路L在垂直于导线的平面内,与电流
成右手螺旋。
l B dl Bdl cos
0I
2πr
dlc
os
d
B
I
dl
r
0I
2πr
rd
0I

d
l
B dl
l
0I
dl cos rd
闭合回路不环绕电流时
B1
0I
2 π r1
B2
0I
2 π r2
B1
B2
d
I
dl1
r1
dl2
I
I
解:取垂直纸面向里为法
B
线方向,以导线1所在位
置为坐标原点,建立如图 所示的坐标轴。
x
l
取细长条面元,面元内为
均匀磁场
a aa
B
0I 2x
2
0I
3a
x
o
x
窄条形面元的元磁通为
dm B dS BdS Bldx I
通过矩形面积内的磁通量
m
dm
2a
Bldx
a1
2a
a
0I 2x
2
0I
o
B 0I
2π x
B // S
x
方向垂直于纸面向里
dΦ BdS 0I ldx I
2π x
B
Φ
S
B dS
0Il

d2
d1
dx x
l
Φ 0Il ln d2
2π d1
d1 d2
o
x
例2 两平行的无限长直导线通有电流 I , 相距3a,
矩形线框宽为a,高为l与直导线共面,求通过线框的

磁场的高斯定理和安培环路定理.

磁场的高斯定理和安培环路定理.

第二4节 、磁场的安培环路定理
第八章
1、真空中
根据闭合电流产生的磁场公式,即安
培 — 拉普拉氏定律,可证明真空中磁场 B
沿闭合回路 L
∮L B ·dl =μoΣI 此式称为真空中磁场的安培环流定理,式
中ΣI 是闭合回路 L 所包围的所有闭合电流
I 的代数和。
物理意义:磁场 B 是有旋场,非保守场
第4节
第八章
电流正负符号按右手螺旋定则:
电流方向与 L 的绕行方向符合右手螺
旋关系时,此电流为正,否则为负。
举例说明:
+I I
+ I1 + I2
- I3
L
第24、节 有磁介质
第八章
∮L B ·dl =μoΣI = μoΣIo +μoΣI’
式中ΣIo 和ΣI’ 分别是穿过安培环路 L 的自 由电流和束缚电流的总和。
其中 n = N/2R 为螺绕环单位长度的匝数。
2、环管外:ΣIo = 0,H// = 0,B// = 0 此式说明密绕螺绕环外部无磁场。
第特4节 例:当
R


第八章
时,即为无限长螺线管。
因此,长直螺线管内磁感应强度公式为:
B = o n I 此式表明,理想长直螺线管内部的磁感应强
注意:螺绕环和螺线管的外部磁场为零的结 论是在假定它们由许多不相连的圆环密集排 列组成的模型下得出的。实际上圆环以螺旋 线形式相连形成螺绕环和螺线管,沿螺绕环 和螺线管有一电流分量通过,即等效一圆电 流和长直载流导线,因此它们的外部磁场不 为零。但相比内部磁场而言,则相对很小。
2π R
μ 0I
2π R
第八章
I R
r

磁场的高斯定理和安培环路定理

磁场的高斯定理和安培环路定理

dB

0dI
2(R2 r02 )3/ 2
dI=σωrdr
例18、电荷q均匀分布于一半径为R的圆盘上,圆 盘绕通过圆心且垂直于环面的轴匀速转动,角速度 为,求圆盘中心点的磁感应强度。
16
§11-5 磁场对载流导线的作用
一、 安培定律
安培力:载流导线在磁场中受到的磁场力
大小 dF IdlB sin
两个边bc、da 垂直于轴。
b
根据安培环路定理:
a
B

L B dl ab B dl bc B dl cd B dl da B dl
无垂直于轴的磁场分量,管外部磁场趋于零,
因此管内为均匀磁场,任一点的磁感应强度为:

B dl

dB' dB
dB''
l pd c
面平行,则有
dl' o dl''

L B dl B2l 0 jl
ab
B 0 j 方向如图所示。
2
结果:在无限大均匀平面电流的两侧的磁场都
为均匀磁场,并且大小相等,但方向相反。
15
例17、半径为R的圆片上均匀带电,电荷面密度为σ, 令该片以匀角速度ω绕它的轴旋转,求轴线上圆片中 心O为x处的磁场.
圆为安培环路


dB

B dl
L
2πrB
0
I
B 0I
rR
dl ''
dl '
2 πr

B dl
r

0
Ir 2 R2
B

0 Ir

磁场中的高斯定理及安培环路定理

磁场中的高斯定理及安培环路定理

P
r B
则 B dN -磁感应线密度
dS
2. 几种典型的磁感应线
I
直线电流
圆电流
载流长螺线管
3. 磁感应线特性
磁感应线是环绕电流的无头尾的闭合曲线,无起点无终点; 磁感应线不相交。
二. 磁通量(magnetic flux)
1. 定义 通过磁场中任一给定面的
磁感线数目称为通过该面的 磁通量,用 表示。 2. 磁通量的计算 ① 磁场不均匀,S 为任意曲面
a
b
B
eeeeeeeeeeeee
Ñ B dl μ0 NI
l
B 0 NI
2 r
Amperian loop
B
o R1 R2 r
若 R1、R2 R2 R1
n N N
2 R1 2 r

B
μ 0
nI
B 0 NI 2 r
I
R2
R1
例题3 :
设在无限大导体薄板中有均匀电流沿平面流动, 在垂直于电流方向的单位长度上流过的电流为i (电流密度)。求此电流产生的磁场。
因而,同静电场中利用高斯定理确定已知电荷分 布的电场分布一样,需要满足一定的对称性。
例题1 :
已知:I 、R,电流沿轴向在截面上均匀分布, 求“无限长”载流圆柱导体内外磁场的分布
解: 首先分析对称性
电流分布——轴对称
I
磁场分布——轴对称
R
r
dS1
dB
dB2 dB1
O
l
P
dS2
电流及其产生的磁场具有轴对称分布时
B 0I 2 x
方向:
I
a
阴影部分通过的磁通量为:
rr B dS

磁场的高斯定理和安培环路定理

磁场的高斯定理和安培环路定理
磁场是无源场 磁场是 无源场 比较 静电场 稳恒 磁场 磁感应线闭合成环,无头无尾 不存在磁单极。 磁感应线闭合成环,或两端伸向 不存在磁单极(?) 高斯定理 环路定理

3. 磁场的高斯定理
1 E dS
S
0
q
有源场 无源场
E dl 0
L
保守场
B dS 0
三.安培环路定理的应用
—— 求解具有某些对称性的磁场分布
LB dl 0 I i
( 穿过L )
适用条件:稳恒电流的磁场 求解条件:电流分布(磁场分布)具有某些对称性,
以便可以找到恰当的安培环路L,使 LB dl 能积
出,从而方便地求解 B 。
[例一] 无限长均匀载流圆柱体 I , R 内外磁场.
无限长直螺线管内为均匀磁场
思考: 如果要计管外磁场(非线密绕)对以上结果有无影响?
I

n
B内 0nI


B
I //

0 //
I B 2r
练习: 半径 R 无限长均匀带电圆筒绕轴线匀速旋转
.R. 求: 内部 B ?
已知:
解:


R
等效于长直螺线管 B 0 nI 单位长度上电流 nI ?
I
i
I1 I 2 I 3
(穿过L )
I
i
注意:
LB dl 0 I i
( 穿过L )
B 的环流:只与穿过环路的电流代数和有关 穿过 L 的电流:对 B 和 B dl 均有贡献
L
B : 与空间所有电流有关
不穿过 L 的电流:对 L 上各点 B有贡献; 对 LB dl 无贡献

磁场中的高斯定理及安培环路定理

磁场中的高斯定理及安培环路定理

0
l
l
μI
Ñl 2π0R dl
R
l
v B
r
μI 0
2πR=μ
I
2πR
0
若l 绕行方向与图示方向相反,则
B 0I 2R
dl
v
Ñ B
v dl
Ñ Bdl
cos
π=μ 0
(
I
)
Ñ l
l
赋予电流代数含义,则
v B
dlv=μ
I
0
l
2. 无限长直电流通过垂直平面内的任一回路
r
Ñ B
r dl
Ñ B
cosθdl
若 R1、R2 R2 R1
n N N
2 R1 2 r

B
μ 0
nI
B 0 NI 2 r
I
R2
R1
例题3 :
设在无限大导体薄板中有均匀电流沿平面流动, 在垂直于电流方向的单位长度上流过的电流为i (电流密度)。求此电流产生的磁场。
a
b
B
eeeeeeeeeeeee
d
c
讨论
关于安培环路定理的应用
BdS
0 I
adx
d x
2 x
通过矩形线圈的磁通量为:
dx
d
d b
0I adx
0Ia ln d b
d 2 x
2 d
15.4 安培环路定理
rv
一. 引言:稳恒磁场的环流 Ñl B dl ?
二. 定理推导
1. 无限长直电流通过圆形回路圆心且垂直于该回路
I
v
Ñ B
v dl
Ñ Bdl
cos
当电流分布以至于磁场分布具有高度对称性时, 可以应用安培环路定理计算磁感应强度的分布。

磁场的高斯定理和安培环路定理

磁场的高斯定理和安培环路定理
§2-4 磁场的高斯定理和安培环路定理
一、磁场的高斯定理(Gauss’ theorem of magnetic field) 垂直于电流元平面内的磁感线是头尾相接的闭合同心 圆,穿入或穿出闭合曲面的磁感应线的净条数必等于 零。即,通过任意闭合曲面的通量都等于零。
由叠加原理,在整个电流回路形成的
磁场中,通过任意闭合曲面的磁通量
L Bn dl 0In ,
L Bnk dl 0
任意回路
¸¸
n
B dl L
0
Ii
i1
穿过回路 的电流
闭合路径包围的电流为电
流 密度沿所包围的曲面的
¸
Ii
j dS
S
i
积分 安培环路定理说明磁场不是保守场,不存在标
量势函数。这是恒磁场不同于静电场的一个十分
重要的性质。
安培环路定理可以用来处理电流分布具有一定 对称性的恒磁场问题。
设 I1 , I 2 , … , I n电流过回路L,In 1 , I n 2 , … , I n k
电流不穿过回路L。令 B1 , B2 , … , Bn k 分别为单根
导线
I1
,
I
2
,
L

¸ B1
,
In
dl
பைடு நூலகம்
k产生的磁场,则有
¸
0I1 ,
L Bn1
dl
0
¸ #¸
# 所有电流的总¸ 场 ¸
小结
应用环路定理求解磁感应强度的步骤:
(1)根据通电电流产生的磁场的对称性,选 择合适的闭合曲线L,并规定计算方向;
(2)计算磁感应强度的环流以及通过曲线L 所包围的平面的电流的代数和;

高斯定理和安培环路定理

高斯定理和安培环路定理

r R 时在圆柱面内做一圆周
B cos dl B dl B 2r 0
L L
dI ' dI
P
B0
例 无限大平面电流的磁场.有一无限大的导体平面,均匀地 流着自下而上的面电流.设其电流线密度(垂直于电流线的单 位长度上的电流)为a,求距平面为d的任一点的磁感应强度B.
(1)设闭合曲线L在垂直于无限长载流导线的平面内,电流I穿 过L. 设闭合回路 L为圆形回路( L 与 I 成右螺旋)
载流长直导线的磁感强 度为 0I B 2π R 0I l B d l 2 π R d l 0I l B d l 2 π R l d l
l
I
R R
L
r
2 π rB 0 I
0 r R
2 π rB
B
0I
2π r
B
2 π r l B d l 0 π R 2 I
I
.
dI
dB
0r
R
2
2
I
B
0 Ir
2π R
2
B
B 的方向与 I 成右螺旋
0 r R,
B
0 Ir
B dl μ 0 Ii
L

—— 安培环路定律
恒定电流的磁场中,磁感应强度沿一闭合路径 L 的线积分 等于路径 L 包围的电流强度的代数和的 μ 0 倍
安培环路定理

n B dl 0 Ii i 1
一闭合路径的积分的值,等于 0 乘以该闭合路径 所包围的各电流的代数和.
回路绕向化为逆时针时则对任意形状的回路设闭合回路l为圆形回路l与i不成右螺旋安培环路定律恒定电流的磁场中磁感应强度沿一闭合路径l的线积分等于路径l包围的电流强度的代数和的环路上各点的磁场为所有电流的贡献安培环路定理一闭合路径的积分的值等于乘以该闭合路径所包围的各电流的代数和
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环 路 所 包 围 的 电 流
I1
内 外
I4
I2
I3
l
说 明
∫ B ⋅ dl
= µ0 ∑ I i = µ0 ( I 2 − I 3 )
?
?
改 变 不 变
I1
I4
I2
I3
l
位置移动
静电场
比较
?
磁 场
∫ E ⋅ dl = 0
电场有保守性, 电场有保守性,它是 保守场, 保守场,或有势场
∫ B ⋅ dl
∴ ∫ H ⋅ dl = − I
I
B θ dl
别的不变,只改变 的方向 或只改变回路方向), 的方向( 别的不变,只改变I的方向(或只改变回路方向), 则 cos θ < 0
电流在回路之外
B1 =

µ0 I
2π r1
, B2 =
µ0 I
2π r2
B1
B2
dl2 dl1
B1 ⋅ dl1 = −B2 ⋅ dl2 = −
⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙
a
b
B
⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗⊗ d c
计算环流
∫ H ⋅ dl = ∫
b
a
H ⋅ dl + ∫ H 0dl + ∫ H ⋅ dl + ∫ H0 dl ⋅ ⋅ 0
b c d
c
d
a
= H ⋅ ab
利用安培环路定理求 H
∫ H ⋅ dl = nabI
I
⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙⊙
∫∫
s
B ⋅ dS = ∫∫ BdS cosθ = 0
s
物理意义: 磁场为无源场(涡旋场) 物理意义: 磁场为无源场(涡旋场)
将上式与电场的高斯定律相比较, 将上式与电场的高斯定律相比较,可知自然界中没有 与电荷相对应的“磁荷” 或叫单独的磁极)存在。 与电荷相对应的“磁荷”(或叫单独的磁极)存在。 但是1931年英国物理学家狄拉克曾从理论上预言,可 年英国物理学家狄拉克曾从理论上预言, 但是 年英国物理学家狄拉克曾从理论上预言 能存在磁单极子(Magnetic monopole),并且磁单极子 能存在磁单极子 , 的磁荷同电荷一样也是量子化的。 近几十年来,人们一直在捕捉磁单极子的踪迹。 近几十年来,人们一直在捕捉磁单极子的踪迹。然而 迄今为止, 迄今为止,人们还没有发现可以确定磁单极子存在的 实验证据。如果实验上找到了磁单极子,那么磁场的 实验证据。如果实验上找到了磁单极子, 高斯定律以至整个电磁理论都将作重大修改!
λ E = 2 πε 0 r
E = 0
µ0I B = 2π r
B = 0
λ E = 2 πε 0 r λr E = 2 πε 0 R 2 λ E = 2 πε 0 r
µ0I B = 2π r µ 0 Ir B = 2π R 2 µ0I B = 2π r
单 2. 长直载流螺线管 分析对称性 管内磁力线平行于管轴 管外磁场为零 右 手 螺 旋 分 已知: 、 已知:I、n 位 长 度 导 线 匝 数
2




Pm
分子圆电流和磁矩 顺 磁 质 的 磁 化

I
Is
B0



B = B0 + B '
无外磁场时抗磁质分子磁矩为零 抗 磁 质 的 磁 化
q
∆Pm
'
Pm = 0
ω
F
Pm '
B0
Pm '
B0
v
q
∆ Pm '
F
v
ω

ω B0 ω B0 时 抗磁质 磁场 B = B0 − B'
3 磁化强度
R 1 = 1 .6
1. 求: 磁感应强度的分布 2. 通过截面的磁通量
I
R1 R2
h
解:1.
∫ H ⋅ dl
=
∫ H dl = 2π rH
= NI
∴ B = µ 0 N I (2π r )
2.
∫ B ⋅ ds = ∫ BdS
dS = hdr
I
R1 R2
dr
∴ ∫ BdS =∫
R2 R1
µ0 NI µ0 NIh R2 hdr = ln 2π r 2π r R1
r
R1 R2
∫ H ⋅ dl = NI
µ0 NI (内) ∴ B = 2π r 0 (外) B
若 R1、R2 >> ( R1 − R2 ) N N 则 n= ≈ 2π R1 2π r
∴ B ≈ µ0 nI
O
R1
R2
r
4. 无限大载流导体薄板 已知: 已知: 导线中电流强度 I 单位长度导线匝数n 单位长度导线匝数 分析对称性 磁力线如图 分 如图
上次课内容回顾
B-S定律 直导线电流的磁场 圆环电流轴线上的磁场 螺线管中轴线附近的磁场 运动电荷磁场
磁通量、 §11-3 磁通量、磁场的高斯定理
一、磁通量 Φ m 磁通量 通过任一曲面的磁力线条数 磁感应线的疏密程度表示磁场的强弱,因此, 可以看成 磁感应线的疏密程度表示磁场的强弱,因此,B可以看成 是单位面积上的磁通量(单位面积上的磁感应线的条数 单位面积上的磁感应线的条数) 是单位面积上的磁通量 单位面积上的磁感应线的条数) 设在空间存在磁感应强度为B的磁场,通过曲面 上 设在空间存在磁感应强度为 的磁场,通过曲面S上 的磁场 任意面元dS的磁通量定义为 的磁通量定义为( 上磁场均匀 上磁场均匀) 任意面元 的磁通量定义为(dS上磁场均匀) 通过曲面S的磁通量为 通过曲面 的磁通量为 在国际单位制中, 在国际单位制中,磁通量 的单位是Wb(韦伯)。 的单位是 (韦伯)。
= µ0 ∑ I i
i
磁场没有保守性, 磁场没有保守性,它是 非保守场, 非保守场,或无势场
∫ E ⋅ ds =
s
1
ε0
∑q
i
∫ B ⋅ ds = 0
磁力线闭合、 磁力线闭合、 无自由磁荷 磁场是无源场
电力线起于正电荷、 电力线起于正电荷、 止于负电荷。 止于负电荷。 静电场是有源场
三、安培环路定理的应用
∫ B ⋅ dl
=?
l
I
r
B
1. 圆形积分回路
∫ B ⋅ dl = ∫
∫ B ⋅ dl
µ0 I µ0 I dl = 2π r 2π r
µ0 I ∫ dl = 2π r ⋅ 2π r
= µ0 I
∴ ∫ H ⋅ dl = I
2. 任意积分回路
∫ B ⋅ dl = ∫ B cos θ dl
µ0 I dϕ =∫ cos θ dl r 2π r µ0 I µ0 I 2π =∫ rdφ = 2π 2π r ∴ ∫ B ⋅ dl = µ0 I ∴ ∫ H ⋅ dl = I
当场源分布具有高度对称性时, 当场源分布具有高度对称性时,利用安培环路定理 计算磁感应强度 1. 无限长载流圆柱导体 已知: 、 已知:I、R 电流沿轴向, 电流沿轴向,在截面上均匀分布 分析对称性 电流分布 轴对称 磁场分布
I
R
的方向判断如下: B 的方向判断如下:
B
dB
dS1
O
dB 2
P
dB1
∑P M=
∆V
m
分子磁矩 的矢量和 体积元
单位: 单位 A ⋅ m
−1
意义:磁介质中单位体积内分子的合磁矩。 意义 磁介质中单位体积内分子的合磁矩。 磁介质中单位体积内分子的合磁矩
磁场强度
H=
B
µ0
−M
B = µ 0 µ r H = µH
H=
B
µ
二、 安培环路定理
静电场 磁 场 长 直 电 流
∫ E ⋅ dl = 0
I
俯 视 图
dB
P
b
a
ab cd
导体板
c
d
计算环流
∫ H ⋅ dl = ∫
b
a
H ⋅ dl + ∫ H0 dl + ∫ H ⋅ dl + ∫ H 0dl ⋅ ⋅
b c d
c
d
a
= H ⋅ ab + H ⋅ cd
b
a
= 2H ⋅ ab
利用安培环路定理求 H
∫ H ⋅ dl = n ⋅ ab ⋅ I
∴ B = µ0 nI 2
例 如图载流长直导线的电流为 I , 试求通过矩 形面积的磁通量。 形面积的磁通量。 解 先求 B ,对变磁场给出 dΦ 后积分求 Φ
B
dx
B=
l
µ0 I
2π x
B // S
I
d1
d2
x
o
2π x µ0 Il d2 dx Φ = ∫S B ⋅ dS = ∫d1 2π x
x
dΦ = BdS =
µ0I
B ⋅ dl = µ0 ∑ I i ∫
电流与环路成右旋关系 如图
I1
I4
I2
I3
∫ B ⋅ dl = µ ∑ I
0
l
i
= µ0 ( I 2 − I 3 )
说 明 由 环 路 电 流 产 生 环 路
∫ B ⋅ dl
上 的 磁 感 应 强 度 由 环 路 内 电 流 决 定
= µ0 ∑ I i = µ0 ( I 2 − I 3 )
利用安培环路定理求 H
R
∫ H ⋅ dl
= I′
I 2 = πr 2 πR
r
B( H )
µ0
µ0 Ir ∴ B = µ0 H = 2 2π R
结 论
无限长载流圆柱导体
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