二极管的应用习题课参考资料
(完整版)第6章半导体二极管及其应用电路习题答案
6.1选择正确答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N 型半导体，加入 C 元素可形成P 型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（3）设二极管的端电压为v D ，则二极管的电流方程是 c 。
A. D vI e S B. TD V v I eS C. )1e (S －T D V v I（4）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 （5）稳压管的稳压区是其工作在 c 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（6）稳压二极管稳压时，其工作在(c )，发光二极管发光时，其工作在( a )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6.2将正确答案填入空内。
（1）图P 6.2（a ）所示电路中二极管为理想器件，则D 1工作在 状态，D 2工作在 状态，V A 为 V 。
解：截止，导通，-2.7 V 。
（2）在图P6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为：稳定电压V z = 12 V ，最大稳定电流I Zmax = 20 mA 。
图中电压表中流过的电流忽略不计。
当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A 1、A 2的读数分别为 、 、 ；当开关S 断开时，其读数分别为 、 、 。
解：12 V ，12 mA ，6 mA ，12 V ，12 mA ，0 mA 。
6.3 电路如图P 6.3所示，已知v i ＝56sin ωt (v)，试画出v i 与v O 的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
6.4 电路如图P6.4所示，已知v i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压V D ＝0.7V 。
试画出电路的传输特性及v i 与v O 的波形，并标出幅值。
图P6.3 图P6.4_o+ 图P6.2 (a) 图P6.2 (b)D 1V i6.5 电路如图P6.5（a ）所示，其输入电压v i1和v i2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压V D ＝0.7V 。
第一章 半导体二极管及其应用典型例题
【例1-1】分析图所示电路得工作情况,图中I为电流源,I=2mA。
设20℃时二极管得正向电压降U D=660mV,求在50℃时二极管得正向电压降。
该电路有何用途？电路中为什么要使用电流源？【相关知识】二极管得伏安特性、温度特性,恒流源。
【解题思路】推导二极管得正向电压降,说明影响正压降得因素及该电路得用途。
【解题过程】该电路利用二极管得负温度系数,可以用于温度得测量。
其温度系数–2mV/℃。
20℃时二极管得正向电压降U D=660mV50℃时二极管得正向电压降U D=660 –(2´30)=600 mV因为二极管得正向电压降U D就是温度与正向电流得函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管得正向电压降U D仅仅就是温度一个变量得函数。
【例1-2】电路如图(a)所示,已知,二极管导通电压。
试画出u I与u O得波形,并标出幅值。
图(a)【相关知识】二极管得伏安特性及其工作状态得判定。
【解题思路】首先根据电路中直流电源与交流信号得幅值关系判断二极管工作状态;当二极管得截止时,u O=u I;当二极管得导通时,。
【解题过程】由已知条件可知二极管得伏安特性如图所示,即开启电压U on与导通电压均为0、7V。
由于二极管D1得阴极电位为＋3V,而输入动态电压u I作用于D1得阳极,故只有当u I高于＋3、7V时D1才导通,且一旦D1导通,其阳极电位为3、7V,输出电压u O=＋3、7V。
由于D2得阳极电位为－3V,而u I作用于二极管D2得阴极,故只有当u I低于－3、7V时D2才导通,且一旦D2导通,其阴极电位即为－3、7V,输出电压u O=－3、7V。
当u I在－3、7V到＋3、7V之间时,两只管子均截止,故u O=u I。
u I与u O得波形如图(b)所示。
图(b)【例1-3】某二极管得反向饱与电流,如果将一只1、5V得干电池接在二极管两端,试计算流过二极管得电流有多大？【相关知识】二极管得伏安特性。
电子电工类_二极管及其应用题目
1 . 电路如下图所示，硅稳压管V Z1、V Z2的稳压值分别为6V和9V，电路中各管子的状态为A.V Z1管稳压，V Z2管稳压B.V Z1管稳压，V Z2管截止C.V Z1管截止，V Z2管截止D.V Z1管截止，V Z2管稳压答案：B2 . 下列常用二极管符号中，光电二极管符号是A.B.C.D.答案：D3 . 电路如下图所示，已知两个稳压管的U Z1=5V，U Z2=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U o为A.5VB.7.7VD.5.7V答案：C4 . 稳压二极管电路如下图，两个稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U o为A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C5 . 如下图电路，已知两个稳压管的稳定电压U Z1=7V，U Z1=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U o为A.7.7VB.9VC.9.7VD.16V答案：A6 . 若用万用表欧姆挡来判断二极管的好坏，则好的管子应为A.正反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大的多D.正反向电阻都等于无穷大7 . 二极管2CW6是（）二极管。
A.N型锗材料稳压B.P型锗材料稳压C.N型硅材料稳压D.P型硅材料稳压答案：C8 . 硅稳压二极管的动态电阻r z指的是A.稳压二极管在稳定电压下的工作电流B.稳压二极管允许长期通过的最大反向电流C.稳压二极管两端电压与电流的比值D.稳压二极管在反向击穿区两端电压变化量与通过电流变化量之比值答案：D9 . 如果半导体二极管的正、反向电阻都为无穷大，说明该二极管A.正常B.内部短路C.内部断路D.性能差答案：C10 . 指针式万用表判断发光二极管的正、负极性时，一般选用电阻挡量程的（）挡。
A.×1B.×10C.×100或×1kD.×10k答案：D11 . 稳压管工作在伏安特性曲线的A.反向截止区B.正向导通区C.反向击穿区D.正向死区答案：C12 . 用数字万用表检测二极管时，首选应将万用表拨到A.二极管挡B.直流电压挡C.交流电压挡D.欧姆挡答案：A13 . 如果用万用表欧姆挡测量二极管的正、反向电阻时，指针基本不偏转，则表明二极管A.特性良好B.已被击穿C.内部开路D.功能正常答案：C14 . 半导体中有两种载流子，分别是A.原子和中子B.电子和空穴C.电子和质子D.电子和离子答案：B15 . 光电耦合器的输入侧等效的基本电子元件是A.发光二极管B.稳压二极管C.光电二极管D.变容二极管答案：A16 . 太阳能电池板产生光伏效应的为A.发光二极管B.稳压二极管C.光电二极管D.变容二极管答案：C17 . 用于制作LED灯的主要材料是A.陶瓷B.金属C.半导体D.云母答案：C18 . 通常，发光二极管的导通压降为A.0.1～0.3VB.0.5～0.7VC.1V左右D.1.8～2.5V答案：D19 . 光电二极管是一种能将接收到的（）信号转换成电信号的二极管。
二极管(学案)
《汽车电工电子技术基础》科目学案知识掌握视频：PN结的形成2.晶体二极管种类A.按外观不同分为：玻璃壳二极管朔封二极管金属二极管大功率螺栓二极管和面接触型二极管B.按材料不同，可分为锗管和硅管C.按功能与用途不同，可分为一般二极管（检波二极管，整流二极管，开关二极管等），特殊二极管（稳压二极管，敏感二极管，变容二极管，发光二极管，光电二极管，激光二极管等）3.二极管的符号二极管的文字符号是“VD”4.国产二极管的型号命名二极管型号意义见表 2-3-15.型号命名练习2AP9 2C255A 2CK71B 2DP4A二、二极管的参数1.最大整流电流（I FM）是指二极管长时期连续工作时，允许正向通过PN结的最大平均电流。
在使用中，实际工作电流应小于二极管的I FM,,否则会烧坏二极管。
2.最大反向电压（U RM）是指反向加在二极管两端而不至于引起PN结被击穿的最大电压。
实际选用中应选用U RM大于2倍的二极管。
3.最高工作频率（f M）视频教学分析：二极管的主要参数4.二极管的极性二极管两引脚有正，负之分：三、二极管特点1.单向导电性二极管是非线性半导体器件。
一般情况下只允许电流从正极流向负极，不允许电流从负极流向正极。
2.非线性特性也就是说电流和电压的关系不是线性的，是非线性的，有个阀值电压，如下图：四、二极管的引脚判断和检测A.二极管的检测和引脚判别1.第一步，万用表“R×1K”档或“R×100档”，并进行欧姆调零；2.第二步，表笔正反两次测试二极管，看阻值变化3.第三步，看测试结果，测得有一定阻值的，黑表笔端为正，红表笔为负；B.锗管与硅管的判别用万用表“R×1K”档测量，如果正向电阻小于1KΩ,为锗管，如电阻为1K~10KΩ,则为硅管。
一、单项选择1.导电性能介于导体与绝缘体之间的材料叫做( )。
A.导体B.非导体C.晶体D.半导体2.二极管的特点是（）。
A.双向导通B.单向导通C.过流保护D.自动恢复。
二极管练习
5. PN结加正向电压时，空间电荷区将 a PN结加正向电压时 结加正向电压时，
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 6.稳压管的稳压区是其工作在 6.稳压管的稳压区是其工作在 c A. 正向导通 B.反向截止 B.反向截止 C.反向击穿 C.反向击穿 7.当温度升高时， 7.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 当温度升高时 A. 增大.写出图 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压V 8.写出图2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压VD＝0.7V. 写出图2
1.3
0
-1.3
2
1.3
-2
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a 掺杂浓度、b.温度 有关。 温度） （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 掺杂浓度、b.温度 有关。 温度） 3. 当温度升高时，少子的数量 当温度升高时， c 减少、 不变、 增多）。 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 在外加电压的作用下， 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） 电子电流、b.空穴电流 空穴电流）
半导体二极管及其应用习题解答
半导体二极管及其应用习题解答Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。
教学内容与教学要求如表所示。
要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。
主要掌握半导体二极管在电路中的应用。
表第1章教学内容与要求内容提要1.2.1半导体的基础知识1．本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。
本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。
但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差，2．杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成N 型半导体，N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。
N 型半导体呈电中性。
(2) P 型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成P 型半导体。
P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
P 型半导体呈电中性。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。
而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1.2.2 PN 结及其特性1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P 型半导体，在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN 结。
PN 结是构成其它半导体器件的基础。
2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。
外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反向电压时，电阻很大，反向电流是少子的漂移电流，数值很小，PN 结几乎截止。
二极管应用电路--习题
第二章 二极管应用电路
一、单向选择题
1、一只性能良好的NPN 型三极管，用指针式万用表欧姆档测其极间电阻，第一次用红表笔接b 极，黑表笔接c 极，第二次用红表笔接b 极，黑表笔接e 极，则测量结果应该是（ ）。
A 、第一次电阻大，第二次电阻小
B 、第一次电阻小，第二次电阻大
C 、两次都很大
D 、两次都很小
二、判断题
1、N 型半导体是依靠带负电的自由电子导电，但是N 型半导体不带电。
（ ）
三、填空题
1、二极管正向电流大，反向电流小，说明二极管具有________性。
四、分析计算
1、固定偏置放大电路如图1-2所示,已知晶体管的β=80，V V BEQ 6.0=，V
E C 6=欲使A =μ40I BQ ， 。
（1）画出直流通路和交流通路；
（2）试计算电阻R B 和R C 的值。
图1-2
V V CE
8.2=
参考答案
一、单向选择题
1、C
二、判断题
1、√
三、填空题
1、单向导电性
四、分析计算
1、解：（1）直流通路和交流通路如下图所示。
（2）由 R V V I b BEQ CC BQ
-= 则KΩ=-=-=135406.06uA
V V I V V R b BEQ CC B mA I I B CQ 3.34080=*==β
又由R I V V C CQ CC CEQ *-= 则KΩ=-=-=12.38.26mA
V V I V V
R C CE CC C。
二极管习题课
课题：二极管（习题课）学习目标熟练掌握二极管的相关知识，并用这些知识解题学习难点类型题：判定二极管在电路中的状态学习重点类型题：判定二极管在电路中的状态教学资源多媒体课件教学过程教学方法和师生活动引入上节课学习了二极管的结构、符号、分类、特性、主要参数和检测。
本节课将通过一些习题来应用一下所学习的知识。
承上启下新授一、练习题1、二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
2、二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
3、二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场通过这些习题让学合。
4、硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的5、硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V6、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降7、二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）8、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）9、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）10、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）二、例题生回忆了旧知识，加深了对知识的记忆，同时学会了应用知识要点。
如图所示电路，设二极管正向导通压降为0.7V,试判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压U0U0=－6.7V U0=－6V 解题思路：先假设二极管断开，再计算二极管两端电压，若该电压为正向电压且大于死区电压，则可判断二极管处于导通状态。
若该电压为负电压或正向电压低于死区电压，则可判断二极管处于截止状态。
巩固练习二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o。
设二极管的导通压降为0.7V。
二极管和二极和二极整流电路练习题资料讲解
二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1晶体二极管加_____________ 时导通，加______ 电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R i、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。
2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时电R 上的压各为多少。
4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1半导体是指导电性能______________ 的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是 _________ ，带_____ 电；一种是_________ ，带____ 电。
3、_________________________ 称为本征半导体。
4、P型半导体又称______ 半导体，其内部空穴数量 _____ （填“多于”或“少于”）自由电子数量，________ 是多数载流子。
5、P型半导体又称______ 半导体，其内部空穴数量 _____ （填“多于”或“少于”）自由电子数量， _______ 是多数载流子。
二极管及整流电路练习题教学提纲
二极管及整流电路练习题二极管及整流电路练习题一、填空1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体3、如图，这是材料的二极管的____曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为 V。
当反向电压增大到 V时，即称为电压。
其中稳压管一般工作在区。
4、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为V,锗管约为 V。
5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。
收集于网络，如有侵权请联系管理员删除6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。
7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要特性是。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。
9、整流是指_______________________________________，整流电路分可为：和电路。
将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程：___________ →____________ →____________ →____________10、有一直流负载RL =9Ω，需要直流电压VL=45V,现有2CP21(IFM =3000mA,VRM=100V)和2CP33B(IFM=500mA, VRM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。
11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻rZ越大，说明稳压性能越。
试题库——教材课后习题和答案(第二章)
第二章一、填空题1、在室温附近，温度每升高1°С，二极管导通正向压降on U 约 减小2~2.5 mV 。
温度每升高10°С，反向电流约 增大一倍 。
2、最大整流电流F I 定义为二极管 长期运行允许通过的最大正向平均 电流。
3、最高反向工作电压RM U 是允许施加在二极管两端的 最大反向电压 。
通常规定为反向击穿电压BR U 的 一半 。
4、理想二极管模型是将二极管看作一个 开关 ，加正向电压 导通 ，导通时正向压降为零 ；加反向电压 截止 ，截止时 电流 为零。
5、二极管正向电阻越 小 ，反向电阻越 大 ，表明 单向导电特性 好。
若正反向电阻均趋于0，表明二极管 击穿损坏 。
若正反向电阻均趋于无穷大，表明二极管 开路损坏 。
6、稳压管的反向击穿特性很 陡 ，反相击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管的 电压 变化却很小。
7、稳压管处于稳压工作时电压特性应 反 偏，并应有合适的工作 电流 。
8、稳压管是通过自身的 电流 调节作用，并通过限流电阻R ，转化为 电压 调节作用，从而达到稳定电压的目的。
二、选择题1、反映二极管质量的参数是 C 。
A 、最大整流电流F IB 、最高反向工作电压RM UC 、反向饱和电流S ID 、最高工作频率M f2、温度升高后，二极管正向压降将 B ，反向电流将 A 。
A 、增大 B 、减小 C 、不变 D 、不定3、硅二极管与锗二极管相比，一般情况，反向电流较 B ，正向压降较 A 。
A 、大 B 、小 C 、不定 D 、相等4、稳压二极管构成的稳压电路，其接法是 。
A 、稳压二极管与负载电阻串联B 、稳压二极管与负载电阻并联C 、限流调整电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联。
5、单相半波整流电路中，负载电阻L R 上平均电压等于 B 。
A 、0.92V B 、0.452V C 、12V6、单相桥式或全波整流电路，电容滤波后，负载电阻L R 上平均电压等于 B 。
二极管三极管基础概念练习题
第一章二极管及其应用1.1 二极管1、自然界中的物质，按照导电能力的不同，可分为_______、_______和______。
2、半导体的导电性能：_______________，常用的半导体材料有_____、_____。
3、半导体的导电性能：________、_______、________。
4、本征半导体：_____________半导体。
本征半导体硅或锗---__价磷元素----N型半导体（多数载流子为带__电的______）---__价硼元素----P型半导体（多数载流子为带__电的_____）5、二极管的材料和极性：材料极性用途A PB ZC WD U举例：2CZ______________________ 2AP______________________ 2BU______________________ 2DW_____________________6、二极管：将P型半导体和N型半导体结合在一起，在结合处形成一个特殊的薄层，即_______，一个_______可以制作一只二极管。
7、二极管的图形符号和文字符号：________________（标出正负极）。
8、二极管的重要特性：_____________即：_______________________________________。
9、二极管的伏安特性：表示二极管两端的____和流过二极管的____之间的关系。
伏安特性曲线：表示二极管两端的电压和流过二极管的电流变化的关系曲线。
二极管的伏安特性包括：__________和_________。
（2）正向特性：二极管加正向电压（正极接____电位，负极接____电位），超过________时，二极管开始_________。
锗硅死区电压导通电压（2）反向特性：二极管加反向电压（正极接_____电位，负极接_____电位），二极管处于_____状态。
总结：从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管属于________器件。
稳压二极管稳压电路电路设计习题解答
任务2.2稳压二极管稳压电路电路设计习题解答一、测试（一）判断题1. 加在二极管上的反向电压如果超过二极管的承受能力，二极管就要击穿损毁。
答案：F解题：加在二极管上的反向电压如果超过二极管的承受能力，二极管就要击穿损毁。
但是有一种二极管，它的正向特性与普通二极管相同，而反向特性却比较特殊：当反向电压加到一定程度时，虽然管子呈现击穿状态，通过较大电流，却不损毁，并且这种现象的重复性很好。
2.稳压二极管的稳定电压是指稳压管通过规定的测试电流时，稳压管两端的电压值。
由于制造工艺的原因，同一型号管子的稳定电压有一定的分散性。
答案：T解题：压二极管的稳定电压是指稳压管通过规定的测试电流时，稳压管两端的电压值。
由于制造工艺的原因，同一型号管子的稳定电压有一定的分散性。
3. 稳压二极管稳定电流I Z是指稳压管的工作电压等于稳定电压时通过管子的所需最小电流，低于此值，无稳压效果；且电流越大，稳压效果越好。
答案：F解题：稳压二极管稳定电流IZ是指稳压管的工作电压等于稳定电压时通过管子的所需最小电流，低于此值，无稳压效果；高于此值，只要不超过最大工作电流IZM均可以正常工作，且电流越大，稳压效果越好。
4. 稳压二极管动态电阻是指稳压管两端电压变化量与相应电流变化量的比值。
稳压管稳压性能的好坏，可以用它的动态电阻r Z来表示。
稳压管的反向特性曲线愈陡，则动态电阻愈大，稳定效果愈好。
答案：F解题：稳压二极管动态电阻是指稳压管两端电压变化量与相应电流变化量的比值。
稳压管稳压性能的好坏，可以用它的动态电阻rZ来表示。
稳压管的反向特性曲线愈陡，则动态电阻愈小，稳定效果愈好。
5. 在稳压二极管稳压电路中，稳压电阻一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。
答案：T解题：在稳压二极管稳压电路中，稳压电阻一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。
晶体二极管及应用练习题
第一题晶体二极管及应用练习题一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。
其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。
这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；若PN结的P区接电源的极，N 区接电源极，称为反向偏置，简称。
13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：。
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：在正偏压较低（即：低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)
第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。
PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。
介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。
理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。
介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。
同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。
教学内容、要求和重点见如表1.1。
表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。
解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。
本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。
这类电路又称为限幅电路。
图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。
（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。
图1-2解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V<U i <3.7V时，D1、D2均反偏截止，此时R中无电流，所以U o=U i；当3.7V<U i时，D1反偏截止，D2正偏导通，输出电压被钳制在3.7V。
综合上述分析，可画出的波形如图1-20(c)所示，输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。
【例题1-3】电路如图1-3（a），二极管为理想，当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波，A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时，如图1-3（b），试画出Uo点波形。
二极管习题——精选推荐
导电性能介于导体与绝缘体之间的叫半导体将PN结封装起来并加上电机引线就构成了半导体二极管Iom指二极管正常工作情况下长期允许通过的最大正向电流，若超过该值会因热而损坏Uom指二极管正常工作时所能承受的最大反向电压值，若超过该值二极管有可能被击穿IR越小，说明单向导电性越好二极管加正向电压导通，反向电压截止，叫做二极管的单向导电性将二极管的正向电阻与反向电阻比较，相差越大，导电性越好锗二极管的开启电压0.1V ，硅二极管的开启电压0.5V锗二极管的正向压降0.3V 硅二极管的正向压降0.7V从二极管P区引出的电极为正极，N区引出的电极为负极PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的单向导电性，但是当硅材料的PN结正向偏压小于0.1V ,锗材料的PN结正向偏压小0.5V时，PN结仍不导通，我们把这个区域叫死区最常用的半导体材料有锗和硅有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管短路，又有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管断路硅二极管的正向电阻3KΩ-10 KΩ，锗二极管的正向电阻500Ω-1 KΩ。
二．判断半导体二极管都是硅材料制成的。
（×）半导体二极管具有单向导电性。
（√）半导体二极管只要加正向电压就能导通。
（×）稳压二极管工作在正向导通状态。
（×）利用二极管的正向压降也能起到稳压作用。
（√）二极管从P区引出的极是正极。
（√）二极管加反向电压一定是截止状态。
（×）二极管代替换用时，硅材料关不能与锗材料管互换。
（√）普通二极管可以替换任何特殊二极管。
（×）为了安全使用二极管，在选用时应通过查阅相关手册了解二极管的主要参数。
（√）三．选择把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到硅二极管两端，则（B ）A.电流为零B.电流基本正常C.击穿D.被烧坏二极管两端加正向电压时（ B ）A.一定导通B. 超过死区电压才导通C. 超过0.7V导通D. 超过才导通某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ A ）A. 约等于150VB.可略大于150VC. 不得大于40VD.等于75V 如图为硅二极管为锗二极管的伏安特性图线，其中锗二极管的特性曲线是（ D ）A. AODB.AOCC.BOCD.BOD如图所示，处于正常状态的二极管是（ B ）A B C测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏住，电阻值将会（ A ）A. 变大B.变小C.不变稳压二极管的稳压性能是利用二极管的（ B ）特性实现A.单向导电B.反向击穿C.正向导通D.反向截止如果半导体二极管正反向阻值都无穷大，说明二极管（C ）A.正常B.内部短路C.内部断路D.性能差用万用表测量小功率二极管性能时，一定选用量程（C ）档A. R×1B. R×10C. R×100或R×1KD. R×10K用万用表判断发光二极管正负性时，一般选用电阻量程（ D ）A. R×1B. R×10C. R×100或R×1KD. R×10K．如何用万用表判断硅二极管和锗二极管？答：把万用表拨至R×100或R×1K档位先判断二极管的好坏，如果是好的再测量二极管的正向阻值，如果阻值在3KΩ-10KΩ之间是硅管，阻值在500Ω-1KΩ．如何用万用表判断二极管好坏及正负极？答：把万用表拨至R×100或R×1K档位测量二极管的正反向阻值，如果两次测量阻值相差很大，证明二极管是好的。
《例题分析二极管》课件
当电源电压正半周即v > 0， D2导通 ，D1、 D3截止，电路等效为： D1、 D3各承受v/2的反向电压，峰值为 110 2V vD1 、vD3的波形：
8
当电源电压副负半周即v < 0， D1、 D3导通 ； D2截止，等效电路为： D2承受v的反向电压，峰值为 220 2V
vD2的波形
故灯泡L2最亮。
例题分析
半导体二极管
习题2
Байду номын сангаас
1
例1
如何用万用表的“”档来辨别一只二 极管的正、负两极？
万用表的黑表笔接表内直流电源的正端， 而红表笔接负端。
2
用模拟万用表R10和R100档来测同一二极 管的正向电阻时，为什么测得的电阻值会不 相同？用高阻档测得的值为什么比低阻档测 得的大？ 解： 1、万用表测电阻时，其内部等效电路为
+
IZ
UI −
DZ
+ RL UO
−
DZ不能被击穿，电路不能稳定电压。
代入UI、R及UZ可求得电路不再稳压时的RL，
即
18 RL 10 1 RL
RL 1.25 kΩ
分析：稳压管稳压时，管子必须反向击穿，条
件是管子两端所接结点，在管子断开时的电压
应大于其稳定电压。
13
9
例4 在图示电路中，E=5V，ui =10sinωt（V）， 试对应输入电压画出输出电压uo的波形。设二极 管为理想二极管。 10
例5
一硅稳压电路如图所示。其中未经稳压的 直流输入电压UI =18V，R=1kΩ，RL=2k Ω ，硅 稳压管DZ的稳定电压UZ=10V，动态电阻及未 被击穿时的反向电流均可忽略。
12V UZ
电子技术基础第一章二极管及其应用练习(1)
电子技术基础第一章复习题一．判断题1．锗和硅是制作半导体器件的主要材料。
（ ） 2．二极管的正向电阻比反向电阻大。
（ ） 3．二极管两端加上正向电压就能导通。
（ ）4．二极管的型号基本能反应其所用半导体的材料. 性能. 类别及质量。
（ ） 5．二极管具有单项导电特性。
（ ）6．1N4000系列整流二极管封装上印有粗环线的一侧为二极管负极。
（ ） 7．漏电流越大，说明二极管的单项导电性越差。
（ ）8．发光二极管在使用时必须正向偏置，此外还应并接限流电阻。
（ ） 9．发光二极管的发光颜色是由外壳颜色决定的。
（ ） 10．发光二极管是一种将电信号转变成光信号的二极管。
（ ） 11．光敏电阻在使用时要注意正负极性。
（ ）12．整流二极管和硅稳压二极管一样，都能工作在反向击穿区。
（ ） 13．光电二极管必须加反向电压才能正常工作。
（ ） 14．变容二极管的结电容大小与外加反向偏压有关。
（ ）15．整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
（ ） 16．滤波电容的耐压必须大于变压器二次电压2u 的峰值，即222U U ≥。
（ ） 17．在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值2U U L =.（ ） 18．整流的主要目的是将交流电压变换为脉动的直流电压。
（ ）19．单相桥式整流电路在输入交流电压的每半周内都有两只二极管导通。
（ ） 20．在变压器二次电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1.（ ） 21．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流二级管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（ ）22．滤波的主要目的是将脉动直流中的交流成分去掉。
（ ）23．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（ ） 24．滤波是利用电容两端电压不能突变或电感中电流不能突变的特性来实现的。
（ ） 25．整流电路中的滤波电容容量越大，或负载越大，输出电压越接近22U .（ ） 26. 若2U 为电源变压器二次电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为22U 。
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若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
2020/4/8
3
概念：
1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为
B
（ A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体）
B 2、N型半导体中少数载流子为 （A、自由电子 B、空穴 C、带正电的杂质离子）
3、P型半导体是（ A、带正电 B、带负电 C、中性） C
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8
2020/4/8
D1
D2
B
C
+
9V
2K 3V
3K U0
8V
-
+5V
D1
3.6V
u0
1.4V
D2
0.3V
D3
9
例5：
+ ui
–
R
D 8V
ui 18V
8V
+ uo
–
已知：ui ? 18sin? t V
二极管是理想的，试画出
uo 波形。
二极管的用途：
参考点
整流、检波、
限幅、钳位、开
?t
I1 = IO + I2 = (- 3.7 +5.3) mA = 1.6mA
I2
=
-
3.7 1
(-
9)
mA =
5.3mA
2020/4/8
11
（2）R=4kΩ 假设二极管断开，可求得输出电压
U
' O
=
- 9? 1 V=
4+1
-
1.8V
可见，电路中二极管阳极电位低于 阴极电位，二极管处于截止状态， 所以
解：（1）R=1kΩ 假设二极管断开，可求 得输出电压
U
' O
=
- 9? 1 V=
1+1
-
4.5V
可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极
电位1.5V，所以，二极管处于导通状态， 故
UO = (- 3 - 0.7) V = - 3.7 V
IO = U O / RL = (- 3.7 /1) mA = - 3.7 mA
UAB 取 B 点作参考点，断开二极
–B
管，分析二极管阳极和阴极 的电位。
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V
UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 理想二极管，二极管可看作短路， UAB = 0 V
在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。
I1 = 0
UO
=
U
' O
=-
1.8V
IO =UO / RL = (- 1.8 /1) mA = - 1.8mA
I2 = - IO =1.8mA
2020/4/8
解：①二极管 D导通，输出电压 ②二极管 D截止，输出电压
2020/4/8
UO1 =3V UO2 =5V
6
例3：
电路如下图所示， R=6KΩ ，VDD =6V。试分别用 理想模型和恒压降模型，求解电路的 UDD和 iD 的 值。
理想模型： VDD =6V，加在二极管阳极的电位高于加在二 极管阴极的电位，二极管导通。
4、PN结加正向电压时，其正向电流是
A
（A、多数载流子扩散形成的 B、多数载流子漂移形成的 C、少数载流子漂移形成的）
5、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体
6、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电
7 、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零
2020/4/8
4
例1：
关、元件保护、 温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路 ui < 8V，二极管截止，可看作开路
2020/4/8
uo = 8V uo = ui
10
例6：二极管电路如图所示，二极管的导通电压
U D(on) =0.7V ，试分别求出 R 为1kΩ 、4kΩ 时，电路中 电流I 1、I 2、I O和输出电压 U O。
D
A
+
3k?
电路如图，二极管为
6V
12V
UAB
理想模型，求： UAB
–
B
V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳>V阴 二极管导通 二极管为理想模型，二极管可看作短路， UAB =－ 6V
2020/4/8
5
例2：
电路如下图所示，假设图中的二极管是理想模型， 试判断二极管是否导通，并求出相应的输出电压
UD=0V i D=6V/6KΩ=1mA 恒压降模型： VDD =6V，加在二极管阳极的电位高于加在二 极管阴极的电位，二极管导通。
UD=0.7V i D=5.3V/6KΩ=0.88mA
2020/4/8
7 例4:
Байду номын сангаас
D2
D1
3k? 6V
12V
二极管为理想模型，求： UAB
A +
两个二极管的阴极接在一起
习题课
2
1
二极管电路分析举例
定性分析： 判断二极管的工作状态
导通 截止
若二极管是理想的， 正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法： 将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压 UD的正负。
若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通