64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征
低温光导型InSb红外探测器研究
发至导带 ， 在其体内产生电子一 空穴对 ， 引起材料的 电导率 变化 。当电子一 空穴 对 在外 电场 的作用下 定 向移动 时 ， 生 光电流 。 产 在 Ｚｔ ｒ 型 的基础 上 ， 本征 型 光导 而 言 ， ｉｅ模 ｔ 对 光 激 发 的过 剩 电子 和空穴 浓度 相 同 ， △１：△ｐ ｎ 且 １ 《 ，
作者简介 ： 贾宝 军 【９ ９一） 男 ， 级 工 程 师 ． 上 ，９ ７年 来 １６ ． 高 磺 １９ 直从 事光 导 型 红 外 探 测 器 的 研 究 及 应用 方 面 ２ ６
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图 １ 光 电导 基率 模 型
２ １ 本 征 光 电导简 化模型 光 导型红 外探 测器 ， 简单地 说 ， 就是 对红 外辐射 敏感的电阻。如图 １对本征光电导而言， ， 当能量大 于其 禁带 宽 度的光 子 被 吸 收 后 ， 价 带 中 的电 子 激 使
维普资讯
第３ ２卷 第 １ 期
２０ 年 ２ 月 ０２
激 光 与 红 外
ＬＡＳＥＲ ＆ Ｉ ＮＦＲＡＲＥＤ
Ｖ０ ３２． ｌ ｌ Ｎｏ Ｆ ｂｒ ａｙ． ０ ｅ ｕ ｒ ２ ０２
红 蛩 材 料 器 １ 生
文章编号 ：０ １５７ （ ０ ２ Ｏ ４ ５ －３ １０ ．０ ８ ２０ ） １］ ｌ ０ ０
ＪＡ Ｂ 【ｊｎ Ｙ Ｎ ｉｇｊｎ ， Ｈ Ｎ ｕ ｄｎ Ｚ Ａ Ｇ Ｊ ｎ Ｉ ａ ｕ ， Ｉ Ｇ Ｍ ｎ — ｇ Ｚ Ｅ Ｇ Ｓ —ａ ， Ｈ Ｎ ｉ 】 ｏ ａ
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《2024年势垒型InAs-InAsSbⅡ类超晶格红外探测器研究进展(特邀)》范文
《势垒型InAs-InAsSbⅡ类超晶格红外探测器研究进展(特邀)》篇一势垒型InAs-InAsSbⅡ类超晶格红外探测器研究进展(特邀)势垒型InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器研究进展（特邀）摘要：本文简要回顾了势垒型InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器的研究历程，详细介绍了其结构特点、工作原理以及近年来在材料制备、性能优化和应用领域的研究进展。
通过综述国内外的研究现状，分析了当前研究的热点和难点，并展望了未来可能的发展方向。
一、引言随着红外技术的快速发展，红外探测器在军事、安全、环境监测和工业检测等领域的应用越来越广泛。
势垒型InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器以其独特的优势，如高量子效率、低暗电流和低噪声等特性，在红外探测领域受到了广泛关注。
本文旨在全面梳理势垒型InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器的研究进展，为相关研究人员提供参考。
二、InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器结构与工作原理InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格由两种不同成分的化合物半导体材料周期性排列而成，通过调节材料的组分和周期，可以控制超晶格的能带结构和电子传输特性。
势垒型InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器利用超晶格的特殊能带结构，在势垒区域形成有效的光生载流子分离和收集机制，从而实现高灵敏度的红外探测。
三、材料制备与性能优化近年来，国内外学者在InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器的材料制备和性能优化方面取得了显著进展。
通过改进分子束外延、金属有机化学气相沉积等制备技术，实现了高质量超晶格材料的制备。
同时，通过掺杂、能带工程等手段，有效提高了探测器的响应率、量子效率和响应速度等性能指标。
四、应用领域与进展（一）军事与安全领域：势垒型InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格红外探测器以其优异的光电性能和良好的稳定性，在军事侦察、夜视系统等领域得到了广泛应用。
（二）环境监测与工业检测：利用其高灵敏度和低噪声特性，该探测器在环境监测、工业检测等领域也发挥了重要作用。
晶圆级封装非制冷大面阵红外探测器应用分析
、结
构散热、成像算法等方面对由
建的红外成像系统进行了
&
关键词：非制冷红外探测器；非均匀性校正；无TEC算法 中图分类号：TN219 文献标志码：A DOI： 10.3969/j.issn.1672-8785.2020.01.004
Application Analysis of Wafe「Level Packaged and Large-
第41卷，第1期
红外
15
文章编号:1672-8785(2020)01-0015-06
晶圆级封装非制冷大面阵红外 探测器应用分析
陶俊伟王宏臣董珊王丽丽
(烟台艾睿光电科技有限公司，山东烟台264006)
摘 要：红外成像系统已
用到军事和民用领域多年，但一
到 ：应
用，主要原因是其 问题需要
、成本高、
稳定和技术
Format Uncooled Infrared Detector
TAO Jun-wei，V2NG Hong-chen，DONG Shan，V2NG Li-li (Yantai IRay Technology Co. g Ltd. g Yantai 264006，China')
Abstract: Infrared imagng systems have been used in the military and civilian fields frr many years，but have not been widely used， mainly due to their low resolution， high cost， unstable process and high technical threshold. Solving these problems requires improvements in sensor technology，detector packaging and infrared imageprocesingchips1Infraredtechnologywildevelopinthefutureinthedirectionoflowcost dedicated procesingchipsandhighresolution1Atpresent domestic manufacturershavesucessivelylaunchednew products such as wafer-level packaging，high- resolution detectors and dedicated image processing chips. How ever ，there is no corresponding research on the infrared imaging system of these new devices. This article is mainly based on the practical application of Yantai IRay Technology Co., Ltd/s new wafer level packaged 1280 X1024 infrared detector and the special image processing chip. The infrared imaging system is verified and an alyzed in terms of system architecture，structural cooling and imaging algorithms.
InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究-激光与红外
。
ｎ Ｓ ｂ红外焦平面探测器的发展， 焦平面阵列规 随着 Ｉ 格越来越大， 象元尺寸和间距越来越小， 台面图形精 确刻蚀成型成为制备大面阵探测器芯片的首要问 题
［ ３ ］
。传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性导致横
向钻蚀严重， 同时其均匀性也较差， 难以满足大规格 探测器制备需求， 而干法刻蚀各向异性程度高、 大面 积均匀性好， 能够较好的控制刻蚀线宽， 因此成为大 面阵凝视探测器制备过程中台面刻蚀成型的必备解 决手段。
作者简介： 谭㊀振（ １ ９ ８ ４－ ） ， 男， 工程师， 主要研究方向为红外探测器芯片制备。Ｅ ｍ ａ ｉ ｌ ： ｔ ａ ｎ ｚ ｈ ｅ ｎ ８ ４ ０ ２ ＠１ ２ ６ ｃ ｏ ｍ 收稿日期： ２ ０ １ ５ ０ ６ ０ ９
激 光 与 红 外㊀Ｎ ｏ ． １ ㊀２ ０ １ ６ ㊀㊀㊀㊀㊀㊀谭㊀振等㊀Ｉ ｎ Ｓ ｂ 红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究
第４ ６卷㊀ 第 １期㊀ ㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀激 光 与 红 外 ㊀２ ０ １ ６年 １月㊀㊀㊀ ㊀ ㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀Ｌ Ａ Ｓ Ｅ Ｒ ㊀＆ ㊀Ｉ Ｎ Ｆ Ｒ Ａ Ｒ Ｅ Ｄ
Ｖ ｏ ｌ ． ４ ６ ， Ｎ ｏ ． １ Ｊ ａ ｎ ｕ ａ ｒ ｙ ， ２ ０ １ ６
１ ０ ０ １ ５ ０ ７ ８ （ ２ ０ １ ６ ） ０ １ ０ ０ ７ ２ ０ ４ ㊀㊀文章编号：
Ｓ ｔ ｕ ｄ ｙｏ ｆ ｍｅ ｓ ａｅ ｔ ｃ ｈ ｉ ｎ ｇｆ ｏ ｒＩ ｎ Ｓ ｂｉ ｎ ｆ ｒ ａ ｒ ｅ ｄｆ ｏ ｃ ａ ｌ ｐ ｌ ａ ｎ ｅａ ｒ ｒ ａ ｙ ｓ
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（ Ｎ ｏ ｒ ｔ ｈＣ ｈ ｉ ｎ ａＲ ｅ ｓ ｅ ａ ｒ ｃ ｈＩ ｎ ｓ ｔ ｉ ｔ ｕ ｔ ｅｏ ｆ Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ｓ ， Ｂ ｅ ｉ ｊ ｎ ｇ １ ０ ０ ０ １ ５ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ） Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： Ａ ｓｔ ｈ ｅｔ ｒ ａ ｄ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ ｗ ｅ ｔ ｅ ｔ ｃ ｈ ｉ ｎ ｇｏ ｆ Ｉ ｎ Ｓ ｂｈ ａ ｓｔ ｈ ｅｃ ｈ ａ ｒ ａ ｃ ｔ ｅ ｒ ｉ ｓ ｔ ｉ ｃｏ ｆ ｉ ｓ ｏ ｔ ｒ ｏ ｐ ｙ ， ｔ ｈ ｅ ｒ ｅｉ ｓｈ ｅ ａ ｖ ｙｐ ｉ ｘ ｅ ｌ ｕ ｎ ｄ ｅ ｒ ｅ ｔ ｃ ｈ ， ｗ ｈ ｉ ｃ ｈｄ ｅ ｃ ｒ ｅ ａ ｓ ｅ ｓ ｔ ｈ ｅｆ ｉ ｌ ｌ ｆ ａ ｃ ｔ ｏ ｒ ａ ｎ ｄｌ ｉ ｍ ｉ ｔ ｓｔ ｈ ｅｄ ｅ ｖ ｅ ｌ ｏ ｐ ｍ ｅ ｎ ｔ ｏ ｆ ｌ ａ ｒ ｇ ｅｆ ｏ ｒ ｍ ａ ｔ ｉ ｎ ｆ ｒ ａ ｒ ｅ ｄｆ ｏ ｃ ａ ｌ ｐ ｌ ａ ｎ ｅａ ｒ ｒ ａ ｙ Ｉ ｎｔ ｈ ｉ ｓｐ ａ ｐ ｅ ｒ ， Ｂ Ｃ ｌ Ａ ｒ ａ ｒ ｅｃ ｈ ｏ ｓ ｅ ｎａ ｓ ｅ ｔ ｃ ｈｇ ａ ｓ ， ａ ｎ ｄｔ ｈ ｅｅ ｆ ｆ ｅ ｃ ｔ ｓｏ ｆ ｇ ａ ｓｒ ａ ｔ ｉ ｏ ， ｗ ｏ ｒ ｋ ｉ ｎ ｇｐ ｒ ｅ ｓ ｓ ｕ ｒ ｅ ， Ｒ Ｆｐ ｏ ｗ ｅ ｒ ａ ｎ ｄＩ Ｃ Ｐｐ ｏ ｗ ｅ ｒ ｏ ｎｅ ｔ ｃ ｈ ｉ ｎ ｇ ３／ ｅ ｆ ｆ ｅ ｃ ｔ ａ ｒ ｅｓ ｔ ｕ ｄ ｉ ｅ ｄｂ ａ ｓ ｅ ｄｏ ｎＩ Ｃ Ｐｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ Ｔ ｈ ｅｄ ｒ ｙｅ ｔ ｃ ｈ ｉ ｎ ｇｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｉ ｑ ｕ ｅｉ ｓ ｏ ｂ ｔ ａ ｉ ｎ ｅ ｄｆ ｏ ｒ Ｉ ｎ Ｓ ｂＦ Ｐ Ａｆ ａ ｂ ｒ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ｋ ｅ ｙｗ ｏ ｒ ｄ ｓ ： Ｉ Ｃ Ｐ ； Ｉ ｎ Ｓ ｂ ； ｍ ｅ ｓ ａｅ ｔ ｃ ｈ ； ｅ ｔ ｃ ｈｒ ａ ｔ ｅ ； ｅ ｔ ｃ ｈ ｉ ｎ ｇｍ ｏ ｒ ｐ ｈ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ
InAsGaSb超晶格光伏型红外探测器研究.doc
InAs/GaSb超晶格光伏型红外探测器研究InAs/Ga（In）Sb超晶格具有第二类型能带排列方式，它的能带结构可以通过改变InAs层和GaSb层的厚度或者设计合适的势垒层得到调整，从而使得这个材料体系的禁带宽度有着很大的调整余地，理论上可以通过调整它的禁带宽度使得探测器的探测截止波长在2-30μm之间。
本文对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件进行了理论和实验研究。
利用包络函数近似的8带k·p理论建模，应用有限元法对InAs/GaSb超晶格红外探测的的能带结构进行了计算，得出了超晶格能带在不同组分厚度，周期数以及InAs与GaSb厚度比时的值，并分析能带随着上述因素的变化趋势。
超晶格周期在20-30个周期之间时，探测器的探测截止波长随周期数的增加而增加，30-70周期之间，看不到探测截止波长的增加。
随着超晶格周期厚度的增加，探测截止波长总趋势是增加的，但是这种增加呈现周期性震荡，在一个小周期内，随着超晶格周期厚度的增加，探测截止波长反而有少量的减少。
随着超晶格中的InAs层的增加，探测器的探测截止波长变长。
用掩模、光刻、腐蚀、蒸镀、压焊以及分装等标准半导体加工工艺制作了PIN红外探测器件，探索了器件制作工艺参数，着重研究了不同腐蚀液体系对材料体系的腐蚀效果和腐蚀速率。
酒石酸体系的腐蚀液中，HF浓度增加，腐蚀液对超晶格的腐蚀速率也急剧的增加，但是当400mL的腐蚀液中HF的含量超过0.4mL时，HF的浓度增加不能再增加腐蚀液的腐蚀速度，可见HF只是起到催化剂的作用，并不作为反应物质影响反应过程。
H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>浓度对腐蚀速率的影响是正向的，随着H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>浓度的增加腐蚀速率呈线性增加。
但是，H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>浓度太高会氧化光刻胶，这样就会影响腐蚀出的台面图形，不利于后续器件制作的过程。
InSb
ＭＣ 、 本 效 益 好 等 优 点 ， Ｔ） 成 目前 在 军 用 凝 视 红 外 领 域 中 占据 主 导 地 位 。例 如 在美 国 弹 道 导 弹 防御 系 统 和若 干 关键 性 常 规 战术 武 器系 统 中 ，ｎ ｂ焦 平 面 ＩＳ
Ａｂｓｒ ｃ ：６ ｔａ ｔ ４× ６ ｎＳｂ ｉ ｒ ｒ ｄ ｆ ａｌｐ ａ ｒ ａ ｓ ｅ ｂ ｙ，ｗｈｉ ｈ ｃ ｍ ｐ ｅ ｆ ＰＶ— ｎＳｂ ａ — ４Ｉ ｎｆ ａ ｅ ｏｃ ｌ ｎｅ ａ ｒ ｙ ａ ｓ ｍ ｌ ｃ ｏ ｏｓ ｄ ｏ Ｉ ｒ ｒ ｙ，ＳｉＣＭ ＯＳ ｒ ａ ｕｔ ａ — ｅ ｄｏ ，ｍ ｉｒ — ｅ ｒ ａ ｉｒ ｃ ｏｌ ｒ，ｈａ ｅ ｄｅ ｅ ｏ ｄ Ｔｈ ｃ ｏ ｄ ｗａ ｎｄ ｍ ｃ ｏ— ｏ ｅ ｓ ｂｅ ｎ ｖ ｌ ｐｅ ． ｅ ＦＰＡ ｓ ｅ ｂ ｙ ａ ｓ ｍ ｌ ａ ｈｉ ｖ ｓ ａ ｈ ｇｈ ｐｅ ｆ ｍａｎ ｅ ｗｉｈ ｍ ｅ ｎ ｅ ｅ ｔｖ ｔ １× １ ｃ ｅ ｅ ｉ ｒｏｒ ｃ ｔ ａ ｄ ｔ ｃ ｉ ｉｙ ０¨ｃ Ｈｚ Ｗ ＿。 ｑ ｎｔ ｍ ｆ ｉｉ ｎ ｙ ～ ｍ ． ｕａ ｕ ｅ ｆｃ ｅ ｃ ７ ，ｎ — ｆ ｍｉｙ ～ １ ，ａ ｐｅ ａ ｌ ｙ ～ ９９ ．Ｔｈｅａｓ ｅ ｂｌ ｐ ｃｆｃ ｔｏｎｓｍ ｅ ｔｔ ｅ ２ ｏｎ ｕｎｉｏｒ ｔ ６ ｎｄ ｏ ｒ ｂｉｉ ｔ ．５ ｓ ｍ ｙ ｓ ｅ ｉｉ ａ ｉ ｅ ｈｅ ｒ — ｑｕ ｒ ｍ ｅ ｔ ｆ ｍｉ ｓｌ ｇｕ ｄａ ｃ ｉ ｅ ｎ ｏｒ ｓ ｉｅ ｉ ｎ ｅ， ａ ｏ — ｏ ｓ ａ ｉ ｉ ｇｉ ｇ ｅ ｅ ｔｏ ｈａ ｂｅ ｎ ｍ ｏ ｔ ａ ｅ ｎｄ ｕｔ ｄ ｏｒ ｔ ｒｎｇ ｍａ ｎ ｄ ｔ ｃ ｉ ｎ ｓ ｅ ｄｅ ｎｓ ｒ ｔ ｄ ｓ ｃ ｓ ｆ ｌｙ ｕｃ ｅ ｓ ｕ ｌ ．
InAsGaSbⅡ超晶格中波红外探测器的开题报告
InAsGaSbⅡ超晶格中波红外探测器的开题报告1.研究背景和意义红外探测技术在国防、安全监测、医疗、气象等领域中有着广泛的应用。
而II-VI型半导体材料在红外探测中具有突出的优势，其波长范围覆盖了人类能够观察到的所有波长，包括较长的中波红外波段（3～5μm）和较短的长波红外波段（8～12μm），其探测灵敏度和时间响应特性也较好。
然而，II-VI型半导体材料中的铅盐和汞锗等有毒重金属对环境和人体健康造成了严重的危害。
因此，人们开始关注III-IV-VI和II-V-I-VI四元化合物半导体材料在红外探测中的应用研究。
在这些四元化合物半导体材料中，InAsGaSb一种半导体材料，其能带结构恰好能够满足3～5μm和8～12μm的红外波段的响应，且能在较高的温度下工作，因此被广泛应用于中红外探测器的制造。
InAsGaSbⅡ超晶格结构具有周期性调制的能带结构，对于红外探测器的性能优化具有很大的潜力。
2.研究目标和内容该研究的目标是通过设计和制备InAsGaSbⅡ超晶格的中波红外探测器，提高中波红外探测器的探测灵敏度和时间响应特性。
具体的研究内容包括：(1)设计和制备InAsGaSbⅡ超晶格的中波红外探测器；(2)对中波红外探测器的光谱响应进行测试和分析；(3)对中波红外探测器的探测性能进行测试和分析。
3.研究方法和技术路线(1)样品制备：使用分子束外延（MBE）技术制备InAsGaSbⅡ超晶格样品。
(2)器件制备：利用机械化学抛光（CMP）工艺将样品制成薄片，并进行光刻、蒸镀、干法刻蚀等工艺步骤，制备出中波红外探测器。
(3)性能测试：对中波红外探测器的光谱响应、IV特性、噪声等进行测试和分析。
4.研究进展和预期成果该研究目前正在开展中，预计将在以下几个方面取得进展：(1)成功制备出InAsGaSbⅡ超晶格的中波红外探测器；(2)对中波红外探测器的光谱响应进行测试和分析；(3)对中波红外探测器的探测性能进行测试和分析。
红外焦平面成像技术发展现状
红外焦平面成像技术发展现状姓名：高洁班级：11级硕研1班学号：S11080300007摘要红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。
本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、Insb 和QWIP 的最新进展作一评述，简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。
简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术：光学读出微光机红外接收器。
关键词：红外焦平面列阵；碲镉汞；锑化铟；量子阱红外探测器AbstractInfrared focal plane array (IRFPA) imaging technology has been matured during the passed decade. In this paper an overview of recent progress to several kind of IRFPA such as MCT, Insb and QWIP is provided , focusing on new device development, technical lines and key technologies. Also, a new type of uncooled FPA imaging technigue micro !optomechanical infrared receiver with optical readout is briefly introduced.Key words: IRFPA; MCT; Insb; QWIP引言红外探测器技术在20 世纪90 年代取得了飞速发展。
红外焦平面列阵成像技术进入了成熟期。
高性能大规格焦平面列阵已正式地应用于各种重大国家安全项目中，例如弹道导弹防御计划和重要新型武器系统。
另外，新型非制冷红外焦平面技术的涌现正在促进红外技术走向第三代。
美国人预言，未来几年美国红外市场将出现年均30%的连续高速增长[1]。
本文简要评述了几种红外焦平面列阵器件技术的最新进展。
阵列探测器
阵列探测器1、红外技术概述红外技术（Infrared Technique）是研究红外辐射的产生、传输、转换、探测及应用的一种高新技术。
军事应用是推动红外技术发展的主要动力，在历次战争中，红外技术都曾显示出巨大的威力，它已经成为现代战争和未来战争中必不可少的战术手段和军事装备的重要组成部分，例如在作战时，导弹和战斗机平台的雷达面积呈现显著减小的趋势，无法用无线电来比较准确的探测目标，相反地，此类探测目标由于是高速运动的，所以它与空气的摩擦和其发动机的机尾焰都会产生强烈的红外辐射，红外系统可以对其进行探测[1, 2]。
另一方面，由于红外技术的独特功能，近年来，军用红外技术已逐步实现了向民用部门的转化，在各行各业中发挥着日益重要的作用，已经是各个民用部门争相选用的先进技术，例如在矿山的施工中，可以用高温度分辨红外热像仪对岩体进行实时监测，及时发现裂缝和危石、检测供电设备的运行状况、判断电气故障、观测顶底板围岩的破碎情况，有效地避免煤矿塌陷、自然等事故的发生[3]。
2、红外成像探测技术[3]自然界中的一切物体，只要它的温度高于绝对零度，就总是在不断地发射辐射能。
使用探测器来收集并探测这些辐射能，就可以通过回复来自探测器的信号形成与物体红外辐射分布相对应的红外图像。
这种红外图像再现了景物各部分的辐射起伏情况，因而能显示出来景物的特征[4]。
当物体的内部发生改变时，其表面的热辐射也会随之发生变化。
因此，通过探测物体发射出的热辐射，就可以对其内部的状态做出判断。
红外热成像技术正是应用了这一理论，将来自目标景物的红外辐射聚焦到红外探测器上，并把红外辐射转换为电信号或视频信号，经过后续处理，从而形成可见光图像显示出来。
红外热成像技术实质上式一种波长转换技术，即把红外辐射转换为可见光的技术。
红外热成像系统收集物体的热辐射来形成图像，利用物体本身各部分辐射的差异获得图像的细节。
热成像系统本身并不主动向被测物体发送成像所需的辐射，所以其隐蔽性较强。
不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究
〈材料与器件〉不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究龚晓霞，肖婷婷，杨瑞宇，黎秉哲，尚发兰，孙祥乐，赵宇鹏，陈冬琼，杨文运（昆明物理研究所，云南昆明 650223）摘要：采用3种不同钝化膜制备InSb探测器，测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线，通过对偏置电压为－0.1V时的暗电流密度进行比较，分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。
实验结果表明SiO2＋SiN x复合膜能大幅度降低器件表面暗电流，C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷。
将复合钝化膜应用到128×128 15μm InSb焦平面探测器上，探测器芯片优值因子R0A≥5×104 Ω·cm2，较之前（R0A≈5×103 Ω·cm2）得到了极大改善。
关键词：钝化膜；InSb探测器；暗电流；固定电荷中图分类号：TN215，TN304.12 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2020)10-0953-05Influence of Different Passivation Films on the Performance ofInSb Photovoltaic DetectorGONG Xiaoxia，XIAO Tingting，YANG Ruiyu，LI Bingzhe，SHANG Falan，SUN Xiangle，ZHAO Yupeng，CHEN Dongqiong，YANG Wenyun(Kunming Institute of Physics, Kunming 650223, China)Abstract：Three different passivation films were used to prepare InSb detectors for testing the current –voltage(I-V) characteristic curves of chips with different perimeter–area ratios. The influence of surface leakage current on the performance of an InSb detector was analyzed by comparing the dark-current density at a bias voltage of −0.1V. The test results indicated that SiO2+SiN x passivation could significantly reduce the surface dark current. The capacitance–voltage(C-V) test results also demonstrated that the composite passivation film could significantly reduce the interface fixed charge. A composite passivation-film process was applied for the preparation of a 128⨯128 15-μm InSb focal plane detector. The optimal value factor of the detector chip was R0A≥5⨯104Ω·cm2, which was much higher than that before the test (R0A≈5×103Ω·cm2).Key words：passivation film, InSb detector, dark current, fixed charge0 引言InSb光伏探测器主要用于探测3～5μm波段目标辐射，经过几十年的发展，国内InSb材料制备技术及芯片工艺均已取得了长足的进步，芯片结构涵盖了单元、多元、线列及焦平面各种规格，并大量装备于各种武器系统。
InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究
InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究
朱建妹;靳涛;刘普霖;唐红兰;陈伯良
【期刊名称】《红外技术》
【年(卷),期】2006(028)002
【摘要】用Co60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验.在5000 rad剂量下观测到二极管优值因子RoA下降了一个数量级,从3.6×105～4.3×105 Ω·cm2下降到2.5×104～2.7×104 Ω·cm2.在10000 rad及以上剂量观测到64×64元凝视焦平面热成像性能的显著退化.【总页数】3页(P98-100)
【作者】朱建妹;靳涛;刘普霖;唐红兰;陈伯良
【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830003;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
【正文语种】中文
【中图分类】TN214
【相关文献】
1.连续激光辐照InSb的热损伤研究 [J], 赵建君;宋春荣;牛燕雄
2.红外焦平面器件对不同波长激光辐照的响应特性研究 [J], 王毕艺;官上洪;赵万利;刘阳
3.InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究 [J], 谭振;亢喆;李海燕
4.激光辐照碲镉汞红外焦平面探测器的热应力损伤研究 [J], 夏润秋;刘洋;张悦;牛春晖;吕勇
5.InSb红外焦平面列阵器件减反射膜淀积方法 [J],
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快启动节流致冷InSb探测器组件性质
快启动节流致冷InSb探测器组件性质
张辉
【期刊名称】《激光与红外》
【年(卷),期】1996(000)001
【摘要】介绍了快速启动节流致冷光伏ＩｎＳｂ红外探测器组件的特性、参数的测试方法，各类环境试验，指标与方法、以及对组件的性能质量的考核，并对该组件的质量状态作出评价。
【总页数】1页(P54)
【作者】张辉
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN215
【相关文献】
1.快启动锑化铟红外探测器组件 [J], 杨定江
2.红外探测器杜瓦结构的快启动优化 [J], 李艳红; 孟令伟; 杜云章; 付志凯
3.InSb红外探测器组件的无输出问题研究 [J], 李忠贺;吕梁晴;李海燕;牟宏山;赵建忠;李春领
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64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征
陈伯良;陆蔚;王正官;杨华;汪辉
【期刊名称】《红外与毫米波学报》
【年(卷),期】2000(019)002
【摘要】用改进的恒压微探针方法,对64×64元 InSb 凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价.测得典型64×64元 InSb 芯片的探测器平均零偏阻抗为42MΩ(90K),非均匀性为20%;平均1000K黑体响应率为2.8A/W,非均匀性为6.3%;电学串音率＜2%.讨论了性能异常芯片上存在的局部电学串音现象.
【总页数】4页(P89-92)
【作者】陈伯良;陆蔚;王正官;杨华;汪辉
【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;上海大学物理系,上海,201800;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;上海大学物理系,上海,201800
【正文语种】中文
【中图分类】TH75;TL81
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