光电技术4版课件2018 (27)[19页]
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光电技术简介-PPT精选文档
干 性
高
亮
度
R S 光
SR应 用 测 量 光谱测量 物理性质测量 表面、界面测量
应
用
太 屋 大 太 宇
阳 顶 规 阳 宙
能 发 模 能 发
发电 电 集中发电 汽车 电
功 能 器 件
纤
通
信
系
高清晰度图像系统 壁挂式大型电视 立体显示器 高清晰度摄像机
光电子计算机 超 高 速 运 算 (ps~fs) 2维 并 行 处 理 光互连
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
理学院物理科学与技术系
School of Science, Physical Science and Technology Department
杨应平
功 激 光 太 光 光 液 集 量
能 光 接 阳 开 调 晶 成 子
ห้องสมุดไป่ตู้
器 、 收 能 关 制 器 光 效
件 发 光 器 件 器 件 电 池 器 件 路 应 器 件
新
量 容 大 超
信息高速公路 光纤传输 相干光传输 量子光传输 光交换
功
多媒体 传真、电话、可视电话 广播、有线电势 光盘、CD 激光打印机
“光”和“电”彼此间渗透和结合==〉 光电混合系统
------（简称）光电系统
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
1.2 光电系统
研究大功率光辐射的产生、控制、 利用和转换--光电能量系统 以光辐射和电子流为(光电子)信息 载体，通过光电或电光相互变换方 法，进行相关的信息处理--光电信 息系统
高
亮
度
R S 光
SR应 用 测 量 光谱测量 物理性质测量 表面、界面测量
应
用
太 屋 大 太 宇
阳 顶 规 阳 宙
能 发 模 能 发
发电 电 集中发电 汽车 电
功 能 器 件
纤
通
信
系
高清晰度图像系统 壁挂式大型电视 立体显示器 高清晰度摄像机
光电子计算机 超 高 速 运 算 (ps~fs) 2维 并 行 处 理 光互连
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
理学院物理科学与技术系
School of Science, Physical Science and Technology Department
杨应平
功 激 光 太 光 光 液 集 量
能 光 接 阳 开 调 晶 成 子
ห้องสมุดไป่ตู้
器 、 收 能 关 制 器 光 效
件 发 光 器 件 器 件 电 池 器 件 路 应 器 件
新
量 容 大 超
信息高速公路 光纤传输 相干光传输 量子光传输 光交换
功
多媒体 传真、电话、可视电话 广播、有线电势 光盘、CD 激光打印机
“光”和“电”彼此间渗透和结合==〉 光电混合系统
------（简称）光电系统
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
1.2 光电系统
研究大功率光辐射的产生、控制、 利用和转换--光电能量系统 以光辐射和电子流为(光电子)信息 载体，通过光电或电光相互变换方 法，进行相关的信息处理--光电信 息系统
《光电技术简明教程》PPT 第1章1-3节
被遮蔽，另一部分被光均匀照射时，曝光区因本征而产生高密 度的空穴载流子，而遮蔽区电子载流子浓度较高，形成浓度差。
因载流子迁移率差别产生 受照面与遮光面之间的伏特现 象称为丹培效应。光生电压由 下式计算
UD
KT q
n n
p p
ln
1
n p n0 n0n p0 p
n0与p0为热载流子浓度；Δn0为光生载流子浓度；μn与μp为电子与 空穴迁移率。μn=1400cm2/(V·s)，μp=500 cm2/(V·s)，显然，μn>>μp。
D于n与Dp扩散系数。
nDn
可用来测量半导体样品的载流子平均寿命。
pDp
B 2 DI
/
IS 2
U2
5. 光子牵引效应 当动量较强的光作用于半导体的自由载流子（电子）时，
使电子顺着光传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路情 况下，半导体产生电场。该现象被称为光子牵引效应。
P型锗的光子牵引探测器光电灵敏度为
Ge Gt Ne, rt
导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为
R K f (n ni )(p pi )
Kf为复合几率，Δn为光生电子浓度，Δp为光生空穴浓度，ni与 pi分别为热激发电子与空穴的浓度。
同样，热电子复合率与导带内热电子浓度ni及价带内空穴浓度 pi的乘积成正比。即
rt K f ni pi
（1）在微弱辐射作用下，Δn＜＜ni，Δp ＜＜pi，并考虑到本征 吸收的特点，Δn=Δp，上式可简化为
dn dt
Ne,
Kf
n(ni
pi )
利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得
n
Ne,
(1
e
因载流子迁移率差别产生 受照面与遮光面之间的伏特现 象称为丹培效应。光生电压由 下式计算
UD
KT q
n n
p p
ln
1
n p n0 n0n p0 p
n0与p0为热载流子浓度；Δn0为光生载流子浓度；μn与μp为电子与 空穴迁移率。μn=1400cm2/(V·s)，μp=500 cm2/(V·s)，显然，μn>>μp。
D于n与Dp扩散系数。
nDn
可用来测量半导体样品的载流子平均寿命。
pDp
B 2 DI
/
IS 2
U2
5. 光子牵引效应 当动量较强的光作用于半导体的自由载流子（电子）时，
使电子顺着光传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路情 况下，半导体产生电场。该现象被称为光子牵引效应。
P型锗的光子牵引探测器光电灵敏度为
Ge Gt Ne, rt
导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为
R K f (n ni )(p pi )
Kf为复合几率，Δn为光生电子浓度，Δp为光生空穴浓度，ni与 pi分别为热激发电子与空穴的浓度。
同样，热电子复合率与导带内热电子浓度ni及价带内空穴浓度 pi的乘积成正比。即
rt K f ni pi
（1）在微弱辐射作用下，Δn＜＜ni，Δp ＜＜pi，并考虑到本征 吸收的特点，Δn=Δp，上式可简化为
dn dt
Ne,
Kf
n(ni
pi )
利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得
n
Ne,
(1
e
3.2光电技术ppt课件
第五章 光电成象器件
光电成象器件是指能够输出图像信息的一类器件 。它包括真空成象器件和固体成象器件两大类。
真空成象器件又包括：变象管、象增强器、摄象 管。变象管是使不可见光图像变为可见光图像的 器件，象增强器是使微弱光图像变为可见光图像 的器件，摄象管是使光学图像变为电视信号的器 件。
固体成象器件是通过特殊的结构与电路以自扫描 的方式读出电信号再通过显示器件成象的器件。
暗电阻RD很大。放电时间近似等于帧周期Tf。则C右 有侧光电照位，最放大电值时：V Ci右d m 侧V 最T(1 高电eT 位f /R 为D C i：)VimVT(1eTf /RiC i) 这样，由于光照产生的有效信号为： Vs VimVidm
这种信号电压引起的充电电流在RL产生Байду номын сангаас降输出信号
三、摄像器件的性能参数
磁聚焦型象管结构示意图：
管外的线圈用来使管内产生平行 于管轴的磁场，以形成磁透镜。 磁聚焦的优点是聚焦作用强，容 易调节，也容易保证边缘像差。
缺点是管子外有长螺旋线圈和直流激磁等，使整个设 备的尺寸、重量增加，结构较复杂。 3. 荧光屏
荧光屏的作用是将电子动能转换成 光能。对荧光屏的要求是不仅应具 有高的转换效率，而且屏的发射光 谱要同人眼或与之耦合的下级光电 阴极的响应一致。
工作时，N层与靶压正极相连，光电二 极管处于反向偏置，靶压几乎全加在I 层上。景物成像在光电靶上，在光电 二极管内产生光生载流子。在强电场 作用下几乎全部参加导电，因而光电 转换效率高。且因光电二极管反向偏 置，暗电流很小。图像使光电靶上各 点照度不同，在光电二极管内产生不 同数量的电子-空穴对。
系，称为其光电转换特性。通常表示为： I p kL
式中，γ称为光照指数，k为比例系数。
光电成象器件是指能够输出图像信息的一类器件 。它包括真空成象器件和固体成象器件两大类。
真空成象器件又包括：变象管、象增强器、摄象 管。变象管是使不可见光图像变为可见光图像的 器件，象增强器是使微弱光图像变为可见光图像 的器件，摄象管是使光学图像变为电视信号的器 件。
固体成象器件是通过特殊的结构与电路以自扫描 的方式读出电信号再通过显示器件成象的器件。
暗电阻RD很大。放电时间近似等于帧周期Tf。则C右 有侧光电照位，最放大电值时：V Ci右d m 侧V 最T(1 高电eT 位f /R 为D C i：)VimVT(1eTf /RiC i) 这样，由于光照产生的有效信号为： Vs VimVidm
这种信号电压引起的充电电流在RL产生Байду номын сангаас降输出信号
三、摄像器件的性能参数
磁聚焦型象管结构示意图：
管外的线圈用来使管内产生平行 于管轴的磁场，以形成磁透镜。 磁聚焦的优点是聚焦作用强，容 易调节，也容易保证边缘像差。
缺点是管子外有长螺旋线圈和直流激磁等，使整个设 备的尺寸、重量增加，结构较复杂。 3. 荧光屏
荧光屏的作用是将电子动能转换成 光能。对荧光屏的要求是不仅应具 有高的转换效率，而且屏的发射光 谱要同人眼或与之耦合的下级光电 阴极的响应一致。
工作时，N层与靶压正极相连，光电二 极管处于反向偏置，靶压几乎全加在I 层上。景物成像在光电靶上，在光电 二极管内产生光生载流子。在强电场 作用下几乎全部参加导电，因而光电 转换效率高。且因光电二极管反向偏 置，暗电流很小。图像使光电靶上各 点照度不同，在光电二极管内产生不 同数量的电子-空穴对。
系，称为其光电转换特性。通常表示为： I p kL
式中，γ称为光照指数，k为比例系数。
光电技术01绪论PPT
10
1970年．半导体 激光器在室温环境 下的连续激射获得 成功。
正在这时候，低损 耗的光导纤维的试 制又获得了成功， 光纤通信成为现实。
在通信史上，跳过了为增大信息传 输量而开发的毫米波通信阶段，直 接由微波通信转移到光纤通信。
11
光纤通信 技术的开 发促进了
作为光源的激光器 作为接收器件光探测器的发展
而60年代，红宝石激光器的 问世，又促使了光子学的诞生。 从60年代到90年代，激光器 从谐振腔体型向着固体半导体 激光器过渡，
随之实现了光子器件的集成 化，不仅促使了光子学的大发 展，非线性光学、纤维光学、 集成光学、激光光谱学、量子 光学与全息光学也形成了现代 光子学的学科群体，目前它们 正在蓬勃发展之中。
爱迪生名下拥有1093项专利，包 括美国、英国、法国和德国等2。
发明了真空二级管整流器
(Fleming, Sir John Ambrose 1849～1945)
这一生长点上的第一只蓓芽就 是弗莱明发明的整流器。他把 爱迪生及马可尼两位大师的发 明成果结合起来，着手研究真 空电流的效应。1904年，他发 明了真空二级管整流器。
电子开关的响应最短为10-7～10-9秒， 而光子开关的响应时间可以达到飞 秒数量级。光子属于玻色子，不带 电荷，不易发生相互作用，因而光 束可以交叉。光子过程一般也不受 电磁干扰。
光场之间的相互作用极弱，不会引 起传递过程中信号的相互干扰。这 些优点为光子学器件的三维互连、 神经网络等应用开拓了光明前景。
电能作为能源具有瞬时移动 性和可控制性
广泛用于照明、动 力等方面
7
电子电路不能在同一点重叠相交， 这种空间的不共容性限制了密集 度的提高；集成电路的平面结构 只适用于串列处理，要在信息存 贮和数据处理上有突破性进展， 要使信息贮存密集度再提高4个 数量级，实现非定址的联想记忆 (associative momery)，以发展 人工智能，必须发展三维并列处 理机构。
1970年．半导体 激光器在室温环境 下的连续激射获得 成功。
正在这时候，低损 耗的光导纤维的试 制又获得了成功， 光纤通信成为现实。
在通信史上，跳过了为增大信息传 输量而开发的毫米波通信阶段，直 接由微波通信转移到光纤通信。
11
光纤通信 技术的开 发促进了
作为光源的激光器 作为接收器件光探测器的发展
而60年代，红宝石激光器的 问世，又促使了光子学的诞生。 从60年代到90年代，激光器 从谐振腔体型向着固体半导体 激光器过渡，
随之实现了光子器件的集成 化，不仅促使了光子学的大发 展，非线性光学、纤维光学、 集成光学、激光光谱学、量子 光学与全息光学也形成了现代 光子学的学科群体，目前它们 正在蓬勃发展之中。
爱迪生名下拥有1093项专利，包 括美国、英国、法国和德国等2。
发明了真空二级管整流器
(Fleming, Sir John Ambrose 1849～1945)
这一生长点上的第一只蓓芽就 是弗莱明发明的整流器。他把 爱迪生及马可尼两位大师的发 明成果结合起来，着手研究真 空电流的效应。1904年，他发 明了真空二级管整流器。
电子开关的响应最短为10-7～10-9秒， 而光子开关的响应时间可以达到飞 秒数量级。光子属于玻色子，不带 电荷，不易发生相互作用，因而光 束可以交叉。光子过程一般也不受 电磁干扰。
光场之间的相互作用极弱，不会引 起传递过程中信号的相互干扰。这 些优点为光子学器件的三维互连、 神经网络等应用开拓了光明前景。
电能作为能源具有瞬时移动 性和可控制性
广泛用于照明、动 力等方面
7
电子电路不能在同一点重叠相交， 这种空间的不共容性限制了密集 度的提高；集成电路的平面结构 只适用于串列处理，要在信息存 贮和数据处理上有突破性进展， 要使信息贮存密集度再提高4个 数量级，实现非定址的联想记忆 (associative momery)，以发展 人工智能，必须发展三维并列处 理机构。
光电技术第3讲PPT学习教案
第11页/共34页
三种结构的光敏电阻。 梳状电极 蛇形光敏面的 刻线式光敏材料加电极
第12页/共34页
典型的光敏电阻 CdS光敏电阻 该电阻是最常见的光敏电阻，其光谱响应特性接近人眼的
光谱光视效率V(λ)，可见其在可见光波段范围内的灵敏度 最高，因此被广泛应用于灯光自动控制，以及照相机的自 动测光等方面。 CdS光敏电阻制备方法：蒸发、烧结或粘接 一般会将CdS与CdSe配合使用。或在CdS中加入Cu或Cl，使 其同时具有本征和杂质半导体器件的特性。使光敏电阻的 探测范围向红外波段延伸，峰值响应波长也延长。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52um， CdSe光敏电阻的 峰值响应波长为0.72um，通过调整S和Se的配比，使光敏电 阻的峰值响应变化，达到与人眼相近的波长。 CdS光敏电阻一般制成蛇形光敏面结构。 表一列出了该光敏电阻的特性参数。
hv
1 2
mv2
Eth
• 只有光子能量大于光电发射材料的光电发 射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真 空.
第3页/共34页
Evac
Evac
Eth
Ec
导带 Enf
Efபைடு நூலகம்
Eg 禁带 E f
Ev
价带
E pf
• 对于金属材料有: Eth Evac E f
• 对于半导体材料,导带中的电子 Eth EA
第28页/共34页
第29页/共34页
光敏电阻的光谱响应 与光敏材料的禁带宽度、杂质电离能、材
料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。
第30页/共34页
光敏电阻的变换电路
光敏电阻的阻值或电导随入射辐射量的变 化而改变，因此，可以用光敏电阻将光学 信息变换为电学信息。但电阻或电导值的 变化信息不能直接被人所接受，须将电阻 或电导值的变化转为电流或电压信号输出， 完成该转换工作的电路称为光敏电阻的偏 置电路或变换电路。
三种结构的光敏电阻。 梳状电极 蛇形光敏面的 刻线式光敏材料加电极
第12页/共34页
典型的光敏电阻 CdS光敏电阻 该电阻是最常见的光敏电阻，其光谱响应特性接近人眼的
光谱光视效率V(λ)，可见其在可见光波段范围内的灵敏度 最高，因此被广泛应用于灯光自动控制，以及照相机的自 动测光等方面。 CdS光敏电阻制备方法：蒸发、烧结或粘接 一般会将CdS与CdSe配合使用。或在CdS中加入Cu或Cl，使 其同时具有本征和杂质半导体器件的特性。使光敏电阻的 探测范围向红外波段延伸，峰值响应波长也延长。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52um， CdSe光敏电阻的 峰值响应波长为0.72um，通过调整S和Se的配比，使光敏电 阻的峰值响应变化，达到与人眼相近的波长。 CdS光敏电阻一般制成蛇形光敏面结构。 表一列出了该光敏电阻的特性参数。
hv
1 2
mv2
Eth
• 只有光子能量大于光电发射材料的光电发 射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真 空.
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Evac
Evac
Eth
Ec
导带 Enf
Efபைடு நூலகம்
Eg 禁带 E f
Ev
价带
E pf
• 对于金属材料有: Eth Evac E f
• 对于半导体材料,导带中的电子 Eth EA
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第29页/共34页
光敏电阻的光谱响应 与光敏材料的禁带宽度、杂质电离能、材
料掺杂比与掺杂浓度等因素有关。
第30页/共34页
光敏电阻的变换电路
光敏电阻的阻值或电导随入射辐射量的变 化而改变，因此，可以用光敏电阻将光学 信息变换为电学信息。但电阻或电导值的 变化信息不能直接被人所接受，须将电阻 或电导值的变化转为电流或电压信号输出， 完成该转换工作的电路称为光敏电阻的偏 置电路或变换电路。
【实用】光电技术PPT资料
Abl
变换电路输出的面积变化信号电压为
U E A E b l
可见，用这种方式即可以检测被测物体的位移量Δl、
运动速度v和加速度等参数，又可以测量物体的宽度b。例
如，光电测微仪和光电投影显微测量仪等测量仪器均属于 这种方式。
当然可以用这种方式用于产品的光电计数，光控开关， 和主动式防盗报警等。
5. 信息载荷于光学量化器的方式
目前，这种变换形式已广泛地应用于精密尺寸测量、 角度测量和精密机床加工量的自动控制等方面。
6. 光通讯方式的信息变换
例如，将长度信息量L经光学量化后形成n个条纹信 号，量化后的长度信息L为
L=qn
式中，q称为长度的量化单位，它与光学量化器的性 式中α为透明介质对光的吸收系数，它与介质的浓度C成正比，即α=μC。
由式可知，当E，r1和ξ已知时，输出电压US是r2和B的函数，因此，可以通过输出信号电压US的幅度判断表面疵病的程度和面积。 显然，数字信息量F只取决于光通量变化的频率、周期、相位和时间间隔等信息参数，而与光的强度无关，也不受电源、光学系统及机
在近距离测量时，不考虑大气的吸收，光电传感器 的变换电路输出的电压信号为
M M e
式中，m为光学系统的调制度，τ为光学系统的透过滤，S 为光电器件的灵敏度，G为变换电路的变换系数，K为放 大器的放大倍数，ξ= mτSGK称为系统的光电变换系数。
这样有：
Us T4
表明变换电路输出的电压信号US是温度T的函数，温度 变化必然引起电压的变化。因此，通过测量输出电压， 并进行相应的标定就能够测出物体的温度。
0eCl
当透明介质的系数μ为常数时，光通量的损耗与介
质的浓度C与介质的厚度l有关.变换电路的输出信号电压
变换电路输出的面积变化信号电压为
U E A E b l
可见，用这种方式即可以检测被测物体的位移量Δl、
运动速度v和加速度等参数，又可以测量物体的宽度b。例
如，光电测微仪和光电投影显微测量仪等测量仪器均属于 这种方式。
当然可以用这种方式用于产品的光电计数，光控开关， 和主动式防盗报警等。
5. 信息载荷于光学量化器的方式
目前，这种变换形式已广泛地应用于精密尺寸测量、 角度测量和精密机床加工量的自动控制等方面。
6. 光通讯方式的信息变换
例如，将长度信息量L经光学量化后形成n个条纹信 号，量化后的长度信息L为
L=qn
式中，q称为长度的量化单位，它与光学量化器的性 式中α为透明介质对光的吸收系数，它与介质的浓度C成正比，即α=μC。
由式可知，当E，r1和ξ已知时，输出电压US是r2和B的函数，因此，可以通过输出信号电压US的幅度判断表面疵病的程度和面积。 显然，数字信息量F只取决于光通量变化的频率、周期、相位和时间间隔等信息参数，而与光的强度无关，也不受电源、光学系统及机
在近距离测量时，不考虑大气的吸收，光电传感器 的变换电路输出的电压信号为
M M e
式中，m为光学系统的调制度，τ为光学系统的透过滤，S 为光电器件的灵敏度，G为变换电路的变换系数，K为放 大器的放大倍数，ξ= mτSGK称为系统的光电变换系数。
这样有：
Us T4
表明变换电路输出的电压信号US是温度T的函数，温度 变化必然引起电压的变化。因此，通过测量输出电压， 并进行相应的标定就能够测出物体的温度。
0eCl
当透明介质的系数μ为常数时，光通量的损耗与介
质的浓度C与介质的厚度l有关.变换电路的输出信号电压
理学光电技术PPT课件
Le,s,
2c2h
hc
5 (ekT 1)
I e,s,
2c2hA cos
hc
5 (ekT 1)
第27页/共60页
图1-2 绘出了黑体辐 射的相对光谱辐亮度 Le,s,λr与波长的等温 关系曲线。图中每一 条曲线都有一个最大 值，最大值的位置随 温度升高向短波方向 移动。
第28页/共60页
3.斯忒藩-波尔兹曼定律
Le,
(1-55)
V`(λ）也是一个无量纲的相对值，它与波长的 关系如图1-5中的虚线所示。
第19页/共60页
图 1-5 为 人 眼 的 明 视 觉 光 谱
光视效率V（λ）和暗视觉
光谱效率V`(λ）
国际照明委员会根据对许多 人的大量观察结果，所确 定的光谱光实效率.
人眼对绿光最灵敏 红蓝光灵敏度最低
• 怎样对光辐射进行度量呢？
第3页/共60页
§1-1 辐射的基本概念
• 光辐射的探测和计量有两套体系
•辐射度学量 ：客观的，适用于整个电磁 辐射区 •光度学量：主观的，适用于可见光
第4页/共60页
• 虽然辐射度学体系和光度学体系的物理量在物理概念上不同，但所用的物理 符号一一对应。
• 辐射度物理量用角标“e”表示(emission) • 光度物理量用角标“ν”表示（vision） 下面学习这两套光辐射单位体系物理量。
• 光频区光度基本物理量Qv、Φv、Iv、Mv、Lv、 Ev
• 定义完全一一对应，其关系如表l—2所示。
第14页/共60页
表1-2 辐射度量和光度量之间的对应关系
辐射度物理量
光度量物理量
物理量名称
符号 定义或定义式
单位
物理量名称 符号 定义或定义式
光电技术课件第3章第2节色敏光生伏特器件
Uce=2U≈14V
根据偏置电路可知，入射为最大时输出电压应最小，但不能 进入饱和区。为此，在特性曲线的“拐点”右侧找一点“A”并做 垂线交横轴于“C”点，从“C” 向右量14V，找“D”点。由“D” 做垂线交入射为最小的特性曲线与“B”。通过“A”、 “B”做直 线，此线即为负载线。由负载线可以得到负载电阻RL和电源电压 Ubb。
• 3.反向偏置电路的设计与计算
反向偏置电路常用图解法，根据光电三极管（或光伏器件） 的反向偏置电路图与其输出特性曲线，可以求解出任何入射辐 射作用下的输出电压信号。也可以根据题目的要求，设计出偏 置电路的各种参数。
例3-2 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图3-42所示。当入
射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V
的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输 出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。
解 : 首先根据题目的
要求，找到入射光通量 的最大值与最小值 φmax=55+40=95 lm
φmin=55－40=15 lm
在特性曲线中画出光通 量的变化波形，补充必 要的特性曲线。
再根据题目对输出信号电压的要求，确定光电三极管集电 极电压的变化范围，本题要求输出5V，指的是有效值，集电极电 压变化范围应为双峰值。即
1．双色硅色敏器件的工作原理 双色硅色敏光传感器的结构和等效电路如图3-19所示。它是
在同一硅片上制作两个深浅不同PN结的光电二极管PD1和PD2组成 的。
浅PN结的PD1的光谱响应 峰值在蓝光范围，深结PD2的 光谱响应峰值在红光范围。
双结光电二极管只能通过测 量单色光的光谱辐射功率与黑体 辐射相接近的光源色温来确定颜 色。用双结光电二极管测量颜色 时，通常测量两个光电二极管的 短路电流比（ISC2/ ISC1）与入射 波长的关系（如图3-21所示）， 从关系曲线中不难看出，每一种 波长的光都对应于一个短路电流 比值，根据短路电流比值判别入 射光的波长，达到识别颜色的目 的。
根据偏置电路可知，入射为最大时输出电压应最小，但不能 进入饱和区。为此，在特性曲线的“拐点”右侧找一点“A”并做 垂线交横轴于“C”点，从“C” 向右量14V，找“D”点。由“D” 做垂线交入射为最小的特性曲线与“B”。通过“A”、 “B”做直 线，此线即为负载线。由负载线可以得到负载电阻RL和电源电压 Ubb。
• 3.反向偏置电路的设计与计算
反向偏置电路常用图解法，根据光电三极管（或光伏器件） 的反向偏置电路图与其输出特性曲线，可以求解出任何入射辐 射作用下的输出电压信号。也可以根据题目的要求，设计出偏 置电路的各种参数。
例3-2 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图3-42所示。当入
射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V
的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输 出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。
解 : 首先根据题目的
要求，找到入射光通量 的最大值与最小值 φmax=55+40=95 lm
φmin=55－40=15 lm
在特性曲线中画出光通 量的变化波形，补充必 要的特性曲线。
再根据题目对输出信号电压的要求，确定光电三极管集电 极电压的变化范围，本题要求输出5V，指的是有效值，集电极电 压变化范围应为双峰值。即
1．双色硅色敏器件的工作原理 双色硅色敏光传感器的结构和等效电路如图3-19所示。它是
在同一硅片上制作两个深浅不同PN结的光电二极管PD1和PD2组成 的。
浅PN结的PD1的光谱响应 峰值在蓝光范围，深结PD2的 光谱响应峰值在红光范围。
双结光电二极管只能通过测 量单色光的光谱辐射功率与黑体 辐射相接近的光源色温来确定颜 色。用双结光电二极管测量颜色 时，通常测量两个光电二极管的 短路电流比（ISC2/ ISC1）与入射 波长的关系（如图3-21所示）， 从关系曲线中不难看出，每一种 波长的光都对应于一个短路电流 比值，根据短路电流比值判别入 射光的波长，达到识别颜色的目 的。
经典：光电技术课程设计PPT课件
为等效电路。
30
图1 硅光电池原理图
31
2、光电池的特性参数
（1） 光照特性
光电池的光照特性，用入射光强-电流电压特性和入 射光强-负载特性来描述。
入射光强-电流电压特性描述的是开路电压VOC和短开路 电流ISC随入射光强变化的规律，如下图所示。
入射光强-电流电压特性
描述的是开路电压VOC和短 开路电流ISC随入射光强变 化的规律，如下图所示。
调节光源调节单元的“照度加”或“照度减”旋钮 ，以改变投射到RL上的光线强度，蜂鸣器就能模拟出 忽高忽低、非常逼真的多种“鸟鸣声”，且指示灯LED 亮。
10
三、实验实验步骤 利用二次开发实验模块自行搭建电路，电路如图4-2
所示。参考电路原理图自行进行调试。 1、打开实验箱电源，调节照度计“调零”旋钮，至照 度计显示为“000.0”为止，关闭实验箱电源。 2、J7、J8分别连接实验箱上的光敏电阻结构件黄、蓝 插孔，同时将套筒红、黑插孔与照度计红、黑插孔相 连。 3、打开实验箱电源，按下开关K1和K6，K7拨向左端， 同时保证其余开关都弹起。 4、调节光照强度，听蜂鸣器声音变化，用示波器观察 蜂鸣器正端波形（或R23左端波形）。 5、将“电源调节”旋钮逆时针旋至不可调位置，关闭 实验箱电源。
20
光敏三极管的工作有两个过程，一是光电转换；二 是光电流放大。光电转换过程是在bc结内进行，与一 般光敏二极管相同。当集电极加上相对于发射极为正 向电压而基极开路时（图（b）），则bc结处于反向偏 压状态。无光照时，由于热激发而产生的少数载流子 电子从基极进入集电极，空穴则从集电极移向基极， 在外电路中有电流（即暗电流）流过。当光照射基区 时，在该区产生电子—空穴对，光生电子在内电场作 用下漂移到集电极，形成光电流，这一过程类似于光 敏二极管。与此同时。空穴则留在基区，使基区的电 位升高，发射极便有大量电子经基极流向集电极，总 的集电极电流为
光电技术4版课件2018 (25)[23页]
![光电技术4版课件2018 (25)[23页]](https://img.taocdn.com/s3/m/040a1af7f7ec4afe05a1df8f.png)
图10-46
10.9 印刷出版工业中的光电技术 10.9.1 激光照排系统
常用的激光照排机可分为绞盘式激光照排机、内鼓式激光 照排机、外鼓式激光照排机等三种类型。
1. 绞盘式激光照排机 绞盘式激光照排机的结构及光路如图10-48所示。
为了减少滚轴牵引力造成 感光胶片的变形，采用感光胶 片双缓冲的结构(如Screen 3050)。
10.9.4 光盘存储 ⒈ 光盘存储的类型 ⑴ 记录用光盘 也称“写后直读型(draw)”光盘，它兼有写入和读出两种 功能，并且写入后不需处理即可直接读出所记录的信息，因此， 可用作信息的追加记录。 ⑵ 专用再现光盘 专用再现光盘也称“只读”型(read only)。它只能用来再 现由专业工厂事先复制的光盘信息，不能由用户自行追加记录。
激光雕刻印版是把聚焦的激光束射向印版，除去不需要的部
分，制出凸、凹图像。
图像的深度、尺寸和形状由调制的激光光束来控制。
焦面处激光的功率密度等于激光输出功率除以光点的面积。
即
F
4P
d 2
设激光光束的发射角为θ，聚焦透镜焦距为f，则焦面上光点
的直径d为
d f
中等强度的激光束经过透镜聚焦后，在焦面激光功率密度远
相物镜的透过率应为τ＝(ml/m2)×100％ 。 照相物镜透过率一般指轴上透过率。一些广角照相物镜需
要研究透过率随视场变化的情况。 图10-44所示为照相物镜轴上点透过率测量的光路图。
图10-44
（2） 照相物镜轴外透过率的测量 广角照相物镜的透过率随视场角有较大的变化，因此除测
量轴上点的透过率外，还要测量特定视场角的透过率。 其测量光路如图10-46所示。 测量时，应注意使入射光束的中心通过物镜入瞳中心。
10.9 印刷出版工业中的光电技术 10.9.1 激光照排系统
常用的激光照排机可分为绞盘式激光照排机、内鼓式激光 照排机、外鼓式激光照排机等三种类型。
1. 绞盘式激光照排机 绞盘式激光照排机的结构及光路如图10-48所示。
为了减少滚轴牵引力造成 感光胶片的变形，采用感光胶 片双缓冲的结构(如Screen 3050)。
10.9.4 光盘存储 ⒈ 光盘存储的类型 ⑴ 记录用光盘 也称“写后直读型(draw)”光盘，它兼有写入和读出两种 功能，并且写入后不需处理即可直接读出所记录的信息，因此， 可用作信息的追加记录。 ⑵ 专用再现光盘 专用再现光盘也称“只读”型(read only)。它只能用来再 现由专业工厂事先复制的光盘信息，不能由用户自行追加记录。
激光雕刻印版是把聚焦的激光束射向印版，除去不需要的部
分，制出凸、凹图像。
图像的深度、尺寸和形状由调制的激光光束来控制。
焦面处激光的功率密度等于激光输出功率除以光点的面积。
即
F
4P
d 2
设激光光束的发射角为θ，聚焦透镜焦距为f，则焦面上光点
的直径d为
d f
中等强度的激光束经过透镜聚焦后，在焦面激光功率密度远
相物镜的透过率应为τ＝(ml/m2)×100％ 。 照相物镜透过率一般指轴上透过率。一些广角照相物镜需
要研究透过率随视场变化的情况。 图10-44所示为照相物镜轴上点透过率测量的光路图。
图10-44
（2） 照相物镜轴外透过率的测量 广角照相物镜的透过率随视场角有较大的变化，因此除测
量轴上点的透过率外，还要测量特定视场角的透过率。 其测量光路如图10-46所示。 测量时，应注意使入射光束的中心通过物镜入瞳中心。
最新光电技术第4课(2)ppt课件
三、质量光谱学与固体表面分析
固体表面分析 固体表面的成分和结构，可以用极细的电子、
离子、光或X射线的束流，入射到物质表面，对 表面发出的电子、离子、X射线等进行测定来分 析。这种技术在半导体工业领域被用于半导体的 检查中，如缺陷、表面分析、吸附等。电子、离 子、X射线一般采用电子倍增器或MCP来测定。
UnUbb80.0% 10.0% 8 U Ubb
例4-2 如果GDB-235的阳极最大输出电流为2mA，试 问阴极面上的入射光通量不能超过多少lm？ 解 由于Iam=G SKφVm
故阴极面上的入射光通量不能超过
V m Ia/m G S K 1 .1 2 0 5 1 0 4 2 30 1 0 60 0 .4 1 9 3 ( 0 L)m
光电技术第4课(2)
如图4-8所示为典型光电倍增管的电阻分压式供电电 路。电路由11个电阻构成电阻链分压器，分别向10级倍增 极提供电压UDD。
1、电阻链的设计
考虑到光电倍增管各倍增极的电子倍增效应，各级的 电子流按放大倍率分布，其中，阳极电流Ia最大。因此， 电阻链分压器中流过每级电阻的电流并不相等，但是，当 流过分压电阻的电流IR远远大于Ia时，即 IR ＞＞ Ia时，流 过各分压电阻Ri的电流近似相等。工程上常设计IR大于等 于10倍的Ia电流。
2.原子吸收分光光度计
广泛地应用于微量金属元素的分析。对应于 分析的各种元素，需要专用的元素灯，照射燃烧 并雾化分离成原子状态到被测物质上，用光电倍 增管检测光被吸收的强度，并与预先得到的标准 样品比较。
二、利用发光原理
１.发光分光光度计 样品接受外部照射光的能量会产生发光，利
用单色器将这种光的特征光谱线显示出来，用 光电倍增管探测出特征光谱线是否存在及其强 度。这种方法可以迅速地定性或定量地检查出 样品中的元素。
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11.3 光电技术的发展趋势
光电技术是21世纪的尖端科学技术，对整个科学技术的发展 起着巨大的推动作用。
光电技术已经渗透到许多科学领域，例如激光技术、光电信 息技术、红外与微光技术、光子技术、生物医学光学、光电对 抗技术、光电探测技术、光电跟踪技术、光存储技术以及基础 研究中的光电元器件、光电材料和制造技术等领域。
② 高制导精度。自寻的精确制导武器最本质的特征就是通过 高精度命中来提高武器系统的作战效能，是提高现代武器系统生 存能力和作战能力的关键。
③ 多功能化。精确制导武器必须具备对付多种目标的能力。 新型的精确制导武器应遵循多功能化发展原则，使武器系统适用 于各种不同的战争目标环境，以提高杀伤效果和自我生存能力。
量子阱结构使垂直腔面发射激光器得以实现。 它使得在1cm2 芯片上制作 100 万个激光器成为可能。它有 利于发挥光子的并行操作能力，对光通信、图像处理、模式识 别、神经网络、激光打印、读/写光源、光互连和光显示等方面 的发展起重大影响。
从光驱到多维光导网络，从DVD 播放器到动作感应装置， 从信息技术到工业生产乃至激光医疗等的应用中VC-SEL都能发 挥出重大的作用。
（6）固体激光器 固体激光技术、材料与器件的研究都取得丰硕的成果和进展。
（7）纳米技术 中国科技大学研制的“纳米光镊系统”，通过鉴定。该装
置可在三维空间对细胞和生物大分子的复杂组合进行操控。标 志着纳米光镊技术获重大进展。
2.光通信
（1）各种类型S、C、L波段光纤放大器、阵列波导光栅 （AWG）等。开发集成收发模块，包括平面波导＋LD＋WDM 功能，用于突发模式（Burst Mode）。
光电技术发展的巨大推动力是应用。 光电技术应用是一大群目前最复杂、最精密、最快速、最 先进、而且互相渗透、互相支持的技术，通称光电技术。
1.光电技术在军事上的应用及发展趋势 光电技术为军事科学的发展热点，武器装备中的光电产品 越来越具有系统性，已经逐步形成现代军用光电技术的特点。 （1）光电伪装技术 ① 迷彩伪装 ② 遮障伪装 ③ 烟幕伪装 ④ 示假伪装 （2）精确制导兵器 ① 作用距离远。增大射程是各种精确制导武器在发展过程 中一直追求的重要目标。现代精确制导武器的射程因型号而异， 例如反坦克导弹，轻型系统射程可达2～3km，重型系统可达 5km，乃至10～15km以上。
（4）光子晶体研究的进展
光子晶体具有折射率呈波长量级周期性分布的结构，并具有 光子频率禁带，能控制光子的行为，可以构成功能性光子器件。
它能提高LED的发光效率、功率和频率纯度等性能； 制造微型激光谐振腔和控制原子的自发辐射，实现无阈值激 光振荡；制造高增益低损耗天线和极高性能的光子滤波器。 对于光子存储、光子频率变换和光子信息处理等方面的应用 研究，均有实质性进展。 光子晶体半导体新型光子器件、有机聚合物光子晶体、光子 晶体光纤和光子晶体光纤放大器均取得一定的进展。 由光子晶体光纤产生的宽带超连续谱获得了超高分辨率的层 析成像，对生物组织层析纵向分辨率达1.3微米[10]。
（5）20世纪60年代激光问世以来，空间光通信曾兴盛一时， 历时不久便陷入低潮。
随着光电技术及空间技术的发展，空间光通信又成为下一 代光通信的重要发展领域。空间光通信包括星际间、卫星间、 卫星与地面站以及地面站之间的激光通信和地面无线光通信等。
在通信方面，由于激光与微波相比具有独特的优点以及空 间通信诸多问题的解决，可以预见激光通信将逐步取代微波通 信成为星际通信的主要手段，而量子保密通信也将得到应用。 11.3.2 光电技术的应用
同时它本身涵盖了众多的科学技术，它的发展带动了众多科 学技术的发展，并在交流与发展的过程中，形成了巨大的光电 子产业。 11.3.1 光电技术的若干进展 近年来光电技术在以下几方面取得新的进展。
1. 光电子材料与器件
（1）量子阱与超晶格材料与器件 量子阱激光器的阈值电流达到了亚毫安，调制带宽达几十
（2）廉价多功能城域网与同类产品比较，节省96％楼层空 间，省电93％。
（3）光电转换技术能够保证网络的可靠性，并能提供灵活 的信号路由平台，克服纯电子交换形成的容量瓶颈，省去光电 转换的笨重庞大设备，进而大大节省建网和网络升级的成本。
（4）光孤子通信能克服色散的制约，可使光纤的带宽增加 10~100倍，极大地提高传输容量和传输距离，从根本上改变现 有通信中的光电器件和光纤耦合所带来的损耗及不便，是21世 纪最有发展前途的通信方式之一。
GHz，极大地降低了功耗。 采用了量子阱结构的半导体光放大器，仅用不同阱宽，不
同数量的量子阱就可得到超过70nm平坦增益带宽的放大器。 量子阱超晶格材料因存在室温激子，使量子效应器件具有
较强的非线性光学特性，已制作了VC－SEL）
④ 自动寻的能力。自动寻的精确制导兵器要成为有效的武器， 除了高精度外，还必须实现自动捕获、自动识别目标要害部位的 能力，这是保证高效摧毁目标的必要条件。
⑤ 高抗干扰能力。现代战争最大的特点之一就是对制电磁权 的激烈竞争，敌对双方都竭力采用各种电磁对抗手段，如主动的、 被动的和隐身技术等。因此，武器系统必须具有良好的对抗能力， 在复杂的战争环境条件下，导引武器精确命中目标。
（5）有机发光材料与器件 有机发光材料为新一代的显示与照明技术，受到广泛重视。 与液晶相比，有机电致发光器件具有主动发光、超轻、超
薄、对比度好、视觉宽、响应速度快、发光效率高、温度适应 性好、生产工艺简单、驱动电压低、耗能低和成本低等特点。
目前，世界上有80多家大公司和许多科学研究机构在从事 有机发光材料和器件的研究开发，并取得丰益的成果。
（3）半导体量子点的实验研究 电子和激子在量子阱中受尺寸的限制，导致介质的光学非线
性效应增强。在一、二和三维都有同样的效果。 二维情况称为量子线，三维称为零维量子点。 量子点中能态密度非常低，实验证明，可以制成单光子器件。 随着量子线和量子点的制造工艺的进一步完善，利用量子线
和量子点体系中的激子非线性效应可能实现更为理想的非线性 光学器件。
光电技术是21世纪的尖端科学技术，对整个科学技术的发展 起着巨大的推动作用。
光电技术已经渗透到许多科学领域，例如激光技术、光电信 息技术、红外与微光技术、光子技术、生物医学光学、光电对 抗技术、光电探测技术、光电跟踪技术、光存储技术以及基础 研究中的光电元器件、光电材料和制造技术等领域。
② 高制导精度。自寻的精确制导武器最本质的特征就是通过 高精度命中来提高武器系统的作战效能，是提高现代武器系统生 存能力和作战能力的关键。
③ 多功能化。精确制导武器必须具备对付多种目标的能力。 新型的精确制导武器应遵循多功能化发展原则，使武器系统适用 于各种不同的战争目标环境，以提高杀伤效果和自我生存能力。
量子阱结构使垂直腔面发射激光器得以实现。 它使得在1cm2 芯片上制作 100 万个激光器成为可能。它有 利于发挥光子的并行操作能力，对光通信、图像处理、模式识 别、神经网络、激光打印、读/写光源、光互连和光显示等方面 的发展起重大影响。
从光驱到多维光导网络，从DVD 播放器到动作感应装置， 从信息技术到工业生产乃至激光医疗等的应用中VC-SEL都能发 挥出重大的作用。
（6）固体激光器 固体激光技术、材料与器件的研究都取得丰硕的成果和进展。
（7）纳米技术 中国科技大学研制的“纳米光镊系统”，通过鉴定。该装
置可在三维空间对细胞和生物大分子的复杂组合进行操控。标 志着纳米光镊技术获重大进展。
2.光通信
（1）各种类型S、C、L波段光纤放大器、阵列波导光栅 （AWG）等。开发集成收发模块，包括平面波导＋LD＋WDM 功能，用于突发模式（Burst Mode）。
光电技术发展的巨大推动力是应用。 光电技术应用是一大群目前最复杂、最精密、最快速、最 先进、而且互相渗透、互相支持的技术，通称光电技术。
1.光电技术在军事上的应用及发展趋势 光电技术为军事科学的发展热点，武器装备中的光电产品 越来越具有系统性，已经逐步形成现代军用光电技术的特点。 （1）光电伪装技术 ① 迷彩伪装 ② 遮障伪装 ③ 烟幕伪装 ④ 示假伪装 （2）精确制导兵器 ① 作用距离远。增大射程是各种精确制导武器在发展过程 中一直追求的重要目标。现代精确制导武器的射程因型号而异， 例如反坦克导弹，轻型系统射程可达2～3km，重型系统可达 5km，乃至10～15km以上。
（4）光子晶体研究的进展
光子晶体具有折射率呈波长量级周期性分布的结构，并具有 光子频率禁带，能控制光子的行为，可以构成功能性光子器件。
它能提高LED的发光效率、功率和频率纯度等性能； 制造微型激光谐振腔和控制原子的自发辐射，实现无阈值激 光振荡；制造高增益低损耗天线和极高性能的光子滤波器。 对于光子存储、光子频率变换和光子信息处理等方面的应用 研究，均有实质性进展。 光子晶体半导体新型光子器件、有机聚合物光子晶体、光子 晶体光纤和光子晶体光纤放大器均取得一定的进展。 由光子晶体光纤产生的宽带超连续谱获得了超高分辨率的层 析成像，对生物组织层析纵向分辨率达1.3微米[10]。
（5）20世纪60年代激光问世以来，空间光通信曾兴盛一时， 历时不久便陷入低潮。
随着光电技术及空间技术的发展，空间光通信又成为下一 代光通信的重要发展领域。空间光通信包括星际间、卫星间、 卫星与地面站以及地面站之间的激光通信和地面无线光通信等。
在通信方面，由于激光与微波相比具有独特的优点以及空 间通信诸多问题的解决，可以预见激光通信将逐步取代微波通 信成为星际通信的主要手段，而量子保密通信也将得到应用。 11.3.2 光电技术的应用
同时它本身涵盖了众多的科学技术，它的发展带动了众多科 学技术的发展，并在交流与发展的过程中，形成了巨大的光电 子产业。 11.3.1 光电技术的若干进展 近年来光电技术在以下几方面取得新的进展。
1. 光电子材料与器件
（1）量子阱与超晶格材料与器件 量子阱激光器的阈值电流达到了亚毫安，调制带宽达几十
（2）廉价多功能城域网与同类产品比较，节省96％楼层空 间，省电93％。
（3）光电转换技术能够保证网络的可靠性，并能提供灵活 的信号路由平台，克服纯电子交换形成的容量瓶颈，省去光电 转换的笨重庞大设备，进而大大节省建网和网络升级的成本。
（4）光孤子通信能克服色散的制约，可使光纤的带宽增加 10~100倍，极大地提高传输容量和传输距离，从根本上改变现 有通信中的光电器件和光纤耦合所带来的损耗及不便，是21世 纪最有发展前途的通信方式之一。
GHz，极大地降低了功耗。 采用了量子阱结构的半导体光放大器，仅用不同阱宽，不
同数量的量子阱就可得到超过70nm平坦增益带宽的放大器。 量子阱超晶格材料因存在室温激子，使量子效应器件具有
较强的非线性光学特性，已制作了VC－SEL）
④ 自动寻的能力。自动寻的精确制导兵器要成为有效的武器， 除了高精度外，还必须实现自动捕获、自动识别目标要害部位的 能力，这是保证高效摧毁目标的必要条件。
⑤ 高抗干扰能力。现代战争最大的特点之一就是对制电磁权 的激烈竞争，敌对双方都竭力采用各种电磁对抗手段，如主动的、 被动的和隐身技术等。因此，武器系统必须具有良好的对抗能力， 在复杂的战争环境条件下，导引武器精确命中目标。
（5）有机发光材料与器件 有机发光材料为新一代的显示与照明技术，受到广泛重视。 与液晶相比，有机电致发光器件具有主动发光、超轻、超
薄、对比度好、视觉宽、响应速度快、发光效率高、温度适应 性好、生产工艺简单、驱动电压低、耗能低和成本低等特点。
目前，世界上有80多家大公司和许多科学研究机构在从事 有机发光材料和器件的研究开发，并取得丰益的成果。
（3）半导体量子点的实验研究 电子和激子在量子阱中受尺寸的限制，导致介质的光学非线
性效应增强。在一、二和三维都有同样的效果。 二维情况称为量子线，三维称为零维量子点。 量子点中能态密度非常低，实验证明，可以制成单光子器件。 随着量子线和量子点的制造工艺的进一步完善，利用量子线
和量子点体系中的激子非线性效应可能实现更为理想的非线性 光学器件。