真空蒸发镀膜原理
第四章 真空蒸发镀膜法
第五节 蒸发源的类型
真空蒸发所采用的设备根据其使用目的不同 可能有很大的差别， 可能有很大的差别，从最简单的电阻加热蒸 镀装置到极为复杂的分子束外延设备， 镀装置到极为复杂的分子束外延设备，都属 于真空蒸发沉积的范畴。 于真空蒸发沉积的范畴。 在蒸发沉积装置中， 在蒸发沉积装置中，最重要的组成部分就是 物质的蒸发源。 物质的蒸发源。
第一节 真空蒸发镀膜原理
定义：真空蒸发镀膜(蒸镀) 一．定义：真空蒸发镀膜(蒸镀)是 在真空条件下， 在真空条件下，加热蒸发物质使 气化并淀积在基片表面形成固 之气化并淀积在基片表面形成固 体薄膜，是一种物理现象。 体薄膜，是一种物理现象。 广泛地应用在机械、电真空、 广泛地应用在机械、电真空、无 线电、光学、原子能、 线电、光学、原子能、空间技术 等领域。 等领域。 加热方式可以多种多样。 加热方式可以多种多样。
24
P (P ) v a
MT 22 P (Torr) ≅ 3.51×10 v 分子/(厘 2 ⋅ 秒 米 ) MT
分 /(厘 2 ⋅ 秒 子 米 )
m M −4 Rm = mRe = P ≅ 4.37×10 P (Pa) 克/(厘米2 ⋅ 秒 ) V V 2π RT T M ≅ 5.84×10 P (Torr) 克/(厘 2 ⋅ 秒 米 ) V T
三个基本过程： 四. 三个基本过程：
（1）加热蒸发过程，包括由凝聚相转变为气相（固相或液相 ）加热蒸发过程，包括由凝聚相转变为气相（ →气相）的相变过程。每种蒸发物质在不同温度时有不同的 气相）的相变过程。 气相 饱和蒸气压，蒸发化合物时，其组合之间发生反应， 饱和蒸气压，蒸发化合物时，其组合之间发生反应，其中有 些组成以气态或蒸气进入蒸发空间。 些组成以气态或蒸气进入蒸发空间。 （2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这些粒 ）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运， 子在环境气氛中的飞行过程 飞行过程。 子在环境气氛中的飞行过程。飞行过程中与真空室内残余气 体分子发生碰撞的次数， 体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程以及 从蒸发源到基片之间的距离，常称源-基距 基距。 从蒸发源到基片之间的距离，常称源 基距。 淀积过程， （3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即蒸气凝聚、 ）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程 即蒸气凝聚、 成核、核生长、形成连续薄膜。由于基板温度远低于蒸发源 成核、核生长、形成连续薄膜。 温度， 温度，因此沉积物分子在基板表面将发生直接从气相到固相 的相转变过程。 的相转变过程。
真空蒸发镀膜的原理
真空蒸发镀膜的原理
真空蒸镀膜是一种常用的表面处理技术，其原理是利用真空环境中的物理性质，在材料的表面形成一层均匀的金属或非金属薄膜。
其基本步骤如下：
1. 准备基底材料：首先选取需要镀膜的基底材料，常用的包括玻璃、金属、陶瓷等。
2. 清洗基底材料：对基底材料进行清洗，去除表面的油脂、氧化物等杂质，以确保镀膜的附着力和均匀性。
3. 装载基底材料：将经过清洗的基底材料放置在真空蒸镀设备的工作架上。
工作架通常可以旋转和倾斜，以便实现均匀的镀膜。
4. 抽真空：启动真空泵，将腔室内的气体抽至低真空状态，以去除氧气和其他气体分子，保持清洁的反应环境。
5. 加热基底材料：在真空腔室内加热基底材料，以提高蒸发源的温度，使金属材料在高温条件下迅速蒸发。
6. 蒸发源物质蒸发：将选定的镀膜材料放置在腔室的蒸发源中，随着蒸发源的加热，其表面开始蒸发，并沉积在基底材料的表面。
7. 形成薄膜：蒸发源中的金属材料蒸发后，通过碰撞和扩散等过程，沉积到基底材料表面形成一层均匀的薄膜。
8. 控制膜厚度：通过控制蒸发源的温度、蒸发时间和基底材料的位置等参数，来控制膜的厚度。
9. 冷却基底材料：在薄膜形成后，冷却基底材料以减少膜的应力和提高其附着力。
10. 放气还原：在薄膜形成后，放气还原真空腔室至大气压力，可以安全地取出镀膜好的基底材料。
通过以上步骤，真空蒸镀膜技术可以实现在不同基底材料上形成具有各种性质的薄膜，从而具有广泛的应用。
真空蒸发镀膜实验报告
真空蒸发镀膜实验报告真空蒸发镀膜实验报告引言：镀膜技术是一种常用的表面处理方法，它可以提高材料的光学、电学、磁学等性能。
在镀膜技术中，真空蒸发镀膜是一种常见的方法。
本实验旨在通过真空蒸发镀膜实验，探究其原理和应用。
一、实验原理真空蒸发镀膜是利用物质在真空环境下的蒸发和沉积过程，将所需材料以原子或分子形式沉积在基材表面，形成一层薄膜。
在真空环境下，物质的蒸发速度与环境压力成反比，因此通过调节真空度可以控制蒸发速度，从而控制薄膜的厚度。
二、实验步骤1. 准备实验装置：将真空蒸发镀膜装置连接至真空泵，确保系统处于良好的真空状态。
2. 准备基材：清洗基材表面，确保表面干净无尘。
3. 准备镀膜材料：选择合适的镀膜材料，将其切割成适当大小的块状。
4. 蒸发源安装：将镀膜材料放置在蒸发源中，将蒸发源安装至真空腔室内。
5. 开始蒸发：打开真空泵，开始抽真空，待真空度达到要求后，打开蒸发源，开始蒸发镀膜。
6. 控制薄膜厚度：根据需要的薄膜厚度，调节蒸发源的功率和蒸发时间。
7. 结束蒸发：薄膜蒸发完成后，关闭蒸发源和真空泵，将装置恢复到常压状态。
8. 检查膜层质量：使用显微镜或其他测试设备检查膜层的均匀性和质量。
三、实验结果通过本次实验，我们成功制备了一层金属薄膜。
经过显微镜观察，我们发现薄膜均匀且质量良好。
通过测量，我们得到了薄膜的厚度为300纳米。
四、实验讨论1. 蒸发源选择：在真空蒸发镀膜实验中，蒸发源的选择对薄膜的质量和性能起着重要作用。
不同的材料具有不同的蒸发特性，因此在实验前需要仔细选择合适的蒸发源。
2. 控制薄膜厚度：薄膜的厚度直接影响其光学和电学性能。
在实验中，我们通过调节蒸发源功率和蒸发时间来控制薄膜的厚度。
在实际应用中，可以通过监测蒸发速率和实时测量薄膜厚度来实现更精确的控制。
3. 薄膜质量检查：薄膜的均匀性和质量是评价镀膜效果的重要指标。
在实验中，我们使用显微镜观察薄膜表面，确保其均匀性。
在实际应用中，还可以使用光学测试仪器、电学测试仪器等进行更详细的检测。
02 第二章 真空蒸发镀膜法
图2-1 真空蒸发镀膜原理示意图第二章 真空蒸发镀膜法真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。
由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法。
采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十分广泛。
近年来，该法的改进主要是在蒸发源上。
为了抑制或避免薄膜原材料与蒸发加热器发生化学反应，改用耐热陶瓷坩埚。
为了蒸发低蒸气压物质，采用电子束加热源或激光加热源。
为了制造成分复杂或多层复合薄膜，发展了多源共蒸发或顺序蒸发法。
为了制备化合物薄膜或抑制薄膜成分对原材料的偏离，出现了反应蒸发法等。
本章主要介绍蒸发原理、蒸发源的发射特性、膜厚测量与有关蒸发的工艺技术。
§2-1 真空蒸发原理一、真空蒸发的特点与蒸发过程一般说来，真空蒸发（除电子束蒸发外）与化学气相沉积、溅射镀膜等成膜方法相比较，有如下特点：设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩模可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。
这种方法的主要缺点是，不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。
图2-1为真空蒸发镀膜原理示意图。
主要部分有：（1）真空室，为蒸发过程提供必要的真空环境；（2）蒸发源或蒸发加热器，放置蒸发材料并对其进行加热；（3）基板，用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜；（4）基板加热器及测温器等。
真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程：（1）加热蒸发过程。
包括由凝聚相转变为气相（固相或液相→气相）的相变过程。
每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压；蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。
（2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输支，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。
真空蒸镀 热蒸发
真空蒸镀热蒸发
真空蒸镀热蒸发是一种物理气相沉积（PVD）技术，用于在基底表面上沉积薄膜。
它的基本原理如下：
1. 真空环境：在真空蒸镀过程中，将基底和蒸发源置于真空室内。
真空环境可以减少气体分子之间的碰撞，防止气体对沉积过程的干扰，并提高薄膜的质量。
2. 蒸发源：蒸发源是提供蒸发材料的装置。
它可以是金属丝、坩埚或溅射靶材等。
蒸发源被加热到足够高的温度，使蒸发材料转化为气态。
3. 薄膜沉积：当蒸发源中的材料被加热到气态时，气态原子或分子会在真空中向基底表面运动，并在基底上沉积形成薄膜。
沉积的薄膜可以是金属、合金、半导体或其他材料。
4. 控制参数：真空蒸镀过程中的一些关键参数需要被控制，以获得所需的薄膜特性。
这些参数包括蒸发源的温度、沉积时间、真空度和基底温度等。
真空蒸镀热蒸发技术具有以下优点：
1. 高纯度：真空环境可以减少杂质的引入，提高薄膜的纯度。
2. 良好的一致性：该技术可以在大面积基底上实现均匀的薄膜沉积。
3. 可控性：通过控制蒸发源的温度和其他参数，可以调控薄膜的厚度、组成和结构。
4. 多功能性：可用于制备各种功能性薄膜，如金属膜、光学膜、导电膜等。
高频感应加热真空蒸发镀膜的工作原理
高频感应加热真空蒸发镀膜的工作原理1. 概述在现代工业生产中，薄膜技术在各种领域得到了广泛应用，其中真空蒸发镀膜技术是一种常见且重要的薄膜制备方法。
而高频感应加热真空蒸发镀膜技术则是真空蒸发镀膜技术中的一种重要分支，它利用高频感应加热原理来实现对材料的蒸发，并将蒸发的材料沉积在基材表面形成薄膜。
本文将深入探讨高频感应加热真空蒸发镀膜的工作原理，并结合个人观点对其进行分析和解释。
2. 工作原理高频感应加热原理是一种利用高频电磁场对导电材料进行加热的技术。
在高频感应加热真空蒸发镀膜过程中，首先将待蒸发的材料放置于蒸发舟中，然后将蒸发舟置于真空室中。
真空室内抽取空气以达到真空状态，防止蒸发过程中氧化等反应的发生。
随后，通过高频感应加热装置对蒸发舟进行加热，使其内部材料达到蒸发温度。
一旦达到蒸发温度，材料开始蒸发，并通过高频感应加热原理将其蒸发到真空室内的基材表面，形成薄膜。
3. 分析与解释在高频感应加热真空蒸发镀膜中，高频感应加热是实现材料蒸发的关键。
通过高频感应加热，可以实现对材料的快速加热和高温蒸发，从而保证蒸发速度和薄膜质量。
另外，在真空环境下进行蒸发可以有效减少材料的氧化等不良反应，保证沉积薄膜的纯度和质量。
高频感应加热真空蒸发镀膜技术是一种高效、清洁、纯净的薄膜制备方法，应用广泛且具有广阔的发展前景。
4. 总结通过本文对高频感应加热真空蒸发镀膜的工作原理进行全面的解析和分析，相信读者已经对该技术有了更深入的理解。
在今后的工业生产中，随着科技的不断发展和进步，高频感应加热真空蒸发镀膜技术将会得到更广泛的应用，为各个行业带来更多的发展机遇。
作为一个重要的薄膜制备方法，它将继续为材料科学和工程技术的发展做出贡献。
个人观点在我看来，高频感应加热真空蒸发镀膜技术具有广阔的应用前景，尤其是在新材料研究和微纳米器件制备方面。
随着材料科学和工程技术的不断进步，我相信这项技术将在未来发展出更多的新应用，并为人类社会的发展带来更多的惊喜与机遇。
真空蒸发镀膜法
所以蒸发材料到达dS2上的蒸发速率dm 可写成
dm = m/4π· dS2 cosθ/ r2 （2-23） 假设蒸发膜的密度为ρ；单位时间内淀积在
dS2上的膜厚为t，则淀积到dS2上的薄膜体积为t·dS2，
则 dm =ρ·t·dS2 （2-24）
将此值代入式（2-23），则可得基板上任意一点的膜厚
平面蒸发源近似。 5. 坩埚蒸发源可看成表面蒸发源或高度定向的蒸发源。 6. 磁控靶源可看成大面积(平面或圆柱面)蒸发源。
蒸发源的发射特性是比较复杂的问题，为了得到较均 匀的膜厚还必须注意源和基板的配置，或使基板公转加 自转等。
31
当蒸发源与衬底之间存在某种障碍物时，物质的沉积会产生 阴影效应，即蒸发来的物质被障碍物阻挡而未能沉积到衬底 上。显然，蒸发沉积的阴影效应可能破坏薄膜沉积的均匀性。 在沉积的衬底不平甚至有一些较大的起伏时，薄膜的沉积将 会受到蒸发源方向性的限制，造成有的部位没有物质沉积。 同时，也可以在蒸发沉积时有目的地使用一些特定形状的掩 膜，从而实现薄膜地选择性沉积。
dm
m
cos
d
（2-29）
式中，1/π是因为小平面源的蒸发范围局限在半球 形空间。如果蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的 小的平蒸面 发速dS率2几即何可面求积出已知，则淀积在该小平面薄膜
前已有 dS1 = dS2·cosθ(β) ，dS1 = r2·dω （2-22）
则有 dω= dS2·cosθ(β) / r2
3.511022 Pv / TM (个 / cm2 s,Torr)
2.64102(2-9)
17
式中，M为蒸发物质的摩尔质量。如果对式（2-9） 乘以原子或分子质量，则得到单位面积的质量蒸发速 率
真空蒸发蒸发镀膜
➢ 气相原子或分子的输运过程（源-基距） 气相粒子在环境气氛中的飞行过程，输运过程中气相粒
子与残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均 自由程，以及蒸发源与基片之间的距离。 ➢ 蒸发原子或分子在基片表面的淀积过程
即蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。由 于基板温度较低，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生 从气相到固相的相转变。来自和蒸发物质原子几乎按1：1
的比例到达基板表面。
第一节 真空蒸发原理
由此可见，只有当 l（l为源-基距）时，即平均
自由程较源-基距大得多的情况下，才能有效减少蒸发分子 在输运过程中的碰撞。
所以，真空度足够高，平均自由程足够大，且 l
时：
f l 0.667
P
f 1.50lP
为保证镀膜质量，在要求 f 0.1 时，源-基距 l 25cm 时，必须 P 3103 Pa 。
则有
Vg Vs Vg
Vg
RT P
dPv Pv
Hv dT RT 2
或
d (ln Pv ) Hv
d
(
1 T
)
R
线性关系
第一节 真空蒸发原理
dPv Pv
Hv dT RT 2
气化热Hv随温度变化很小
ln
Pv
C
Hv RT
或
B lg Pv A T
在30℃时，水的饱和蒸气压为4132.982Pa； 在100℃时，水的饱和蒸气压增大到101324.72Pa
➢ 电子束加热原理
• 可聚焦的电子束，能局部加温元素源，因不加热其它部 分而避免污染 • 高能量电子束能使高熔点元素达到足够高温以产生适量 的蒸气压
5 第四章 真空蒸发镀膜法详解
第一节 真空蒸发原理
第一节 真空蒸发原理
蒸发镀膜的三个基本条件：
热的蒸发源、冷的基片、周围的真空环境
蒸发镀膜的三个基本过程：
➢ 加热蒸发过程
固相或液相转变为气相
➢ 气相原子或分子的输运过程（源-基距）
气相粒子在环境气氛中的飞行过程，输运过程中气相粒子 与残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由 程，以及蒸发源与基片之间的距离。
第四章 真空蒸发镀膜法
真空蒸发镀膜（简称真空蒸镀）是在真空室中， 加热蒸发器中待形成薄膜的原材料，使其原子或 分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到衬底 或基片表面，凝固形成固态薄膜的方法。
真空的环境要求严格，原因有三：
1、防止高温下因空气分子和蒸发源发生反应， 生成化合物而使蒸发源劣化。
2、防止因蒸发物质的分子在镀膜室内与空气分 子碰撞而阻碍蒸发分子直接到达基片表面，以及 在途中生成化合物或者由于蒸发分子间的相互碰 撞而到达基片前就凝聚等。
第二节 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布
★ 实际蒸发源的发射特性
实际蒸发源的发射特性可根据熔融后的形态，选取 不同的膜厚蒸发公式进行理论分析和近似计算。
★ 蒸发源与基板的相对位 置配置
➢ 点源与基板相对位置
为获得均匀的膜厚，电源
必须配置在基板围成的球面中
心。
t
m
4
1 r2
第二节 蒸发源的பைடு நூலகம்发特性及膜厚分布
➢ 蒸发原子或分子在基片表面的淀积过程
即蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。由于 基板温度较低，因此，沉积物分子在基板表面将直接发生从气 相到固相的相转变。
真空镀膜机原理
真空镀膜机原理真空镀膜机原理真空镀膜机是一种用于表面涂覆的设备，常用于电子设备、光学仪器、装饰材料等领域。
其原理主要有以下几个方面。
蒸发蒸发是真空镀膜机的基本原理之一。
在真空环境下，加热源加热物质，使其表面分子获得足够的能量，从而从表面逸出形成蒸汽。
蒸发物质通过凝结在材料表面来完成镀膜过程。
热源真空镀膜机的加热源主要有电阻丝、电子束和真空辐射加热三种形式。
其中，电子束是效率最高的一种加热方式。
物质真空镀膜机中使用的物质有金属、合金、氧化物、氮化物等。
这些物质的选择取决于镀膜的具体要求。
离子镀膜离子镀膜是真空镀膜的一种变种，主要是为了增强涂层的附着力和密度。
其原理是在真空环境中，通过离子化气体，使离子与物质相互作用，使物质表面化学键结构重新排布，形成高度结晶的材料表面，具有高度致密和高附着力的镀层。
离子源离子发生器是离子镀膜的重要组成部分，可利用离子化气体或离子束来产生离子源。
气体在离子镀膜中，通常使用的气体包括氮气、氧气、水蒸气等。
磁控溅射磁控溅射是一种通过材料表面溅射和反弹离子成膜的过程。
其原理是在真空环境中，通过高能离子轰击材料表面，使表面上的原子或分子逸出并沉积在基底上形成膜。
磁场磁场是磁控溅射过程中的关键参数，其主要作用是通过磁场使离子轰击材料表面并影响离子束的方向。
材料磁控溅射过程中，主要使用的材料包括金属、合金、氮化物、氧化物等。
结论真空镀膜机在电子、光学和军工等领域中有广泛的应用，其工作原理多样化，包括蒸发、离子镀膜和磁控溅射等。
在选择真空镀膜机时，需要考虑其适用的领域、材料和涂层厚度等因素。
只要在真空环境中加热源，使物质表面分子获得足够的能量，就能够实现蒸发，产生蒸汽，并将蒸汽凝结在材料表面上，形成涂层。
热源真空镀膜机中的加热源通常有三种形式：电阻丝加热、电子束加热和真空辐射加热。
其中，电子束加热是效率最高的一种加热方式。
电子束加热器通过加热电子使其能量增加，然后将这些高能电子束对准待涂层的物质表面，使其变为蒸汽并沉积在基底上。
真空镀膜机的工作原理
真空镀膜机的工作原理真空镀膜机是一种常用于制备薄膜的设备，它通过在真空环境中沉积原子或分子来形成一层膜。
其工作原理如下：1. 真空环境的建立：首先，真空镀膜机会通过使用真空泵将工作室内的气体排出，以建立一个低压环境。
这个过程称为抽气。
一般来说，常见的压力范围为10^-3 Pa到10^-8 Pa。
2. 加热源：真空镀膜机通常配备一个加热源，用于提供能量以使膜材料在表面上蒸发并形成薄膜。
加热源可以是电阻丝、电子束或激光，具体取决于所使用的膜材料和制备过程。
3. 蒸发源：蒸发源是真空镀膜机中最重要的部分之一，它可以提供原子或分子，以用于形成薄膜。
常见的蒸发源包括热腔源、电子枪和离子束源。
蒸发源将膜材料加热至其蒸发温度，从而导致材料从固态直接转变为气态。
4. 材料输送：蒸发源会将蒸发的膜材料从源头输送到待沉积的基底表面。
材料输送系统通常由磁控溅射、电子束或离子束等技术组成。
这些技术可以控制蒸发材料的方向和速率，以确保均匀沉积在基底表面上。
5. 沉积过程：一旦膜材料进入基底表面，它会沉积在其表面形成一层膜。
膜的厚度可以通过控制蒸发源的蒸发速率和沉积时间来调节。
在膜沉积过程中，为了确保膜的质量，通常需要进一步优化膜的结构和性能。
6. 监测和控制：真空镀膜机需要一定的监测和控制系统来监测和控制各个参数，以确保薄膜的质量和均匀性。
常见的监测技术包括压力计用于测量真空度，光学薄膜监测仪用于测量膜的厚度和光学性能，以及温度传感器用于监测和控制加热源的温度。
7. 辅助设备：为了更好地实现膜的沉积，真空镀膜机还可以配备气体进料系统、冷却系统和旋转台等辅助设备。
气体进料系统用于控制腔体内的气氛，冷却系统用于冷却基底表面以帮助膜材料的沉积，旋转台用于改变基底表面的角度和位置。
总的来说，真空镀膜机的工作原理是通过将材料加热至其蒸发温度，产生的原子或分子在真空环境下在基底表面沉积，形成一层薄膜。
通过控制各个参数和使用适当的监测和控制系统，可以实现高质量和均匀的薄膜制备。
真空技术--真空蒸发镀膜
e. 结构简单。
f. 低电压、大电流下工作，所以使用安全、易于自动控制。
(Z)HCD枪的结构：
HCD枪的典型结构如图10-7所示。 它是由带有水冷接头的钜管空心阴极，聚焦磁场线
圈，辅助阳极，偏转磁场线圈所组成。
图10-7 KLD-500型空心阴极电子枪的结构 1—水冷电极；2—密封法兰组；3一绝缘套；4—冷却水管；5一阳极口心一偏转线圈；
空蒸镜。
产方式
备注
1. 电阻加热
蒸发盘、灯丝、蒸发筐、几乎所有物质 中
2 000
几个
容易
良 中～优 （可）
可
可 镜料有时和热丝合金化
直接通电
而发生断丝现象
2. 外加热玵涡 陶瓷玵涡＋加热器
3. 辐射加热，弧 试样表面、热屏蔽玵涡
光加热）
(Ta、W)
4. 高频加热
陶瓷玵涡
同上 同上
金属
中
2 000
小
2 000
1 00
不可能 优 中～高 不可
8. 通电爆线
试样自身为线型
金属
小～中 约3 000
10s
不可能 良
优
不可
9. 电弧加热
绝缘容器
金属
中 约3 000
10
不可能 良
高
不可
10. 离子束加热 电弧放电室
金属
小
2 500 10-2-10-1 可能
优 高～优 可
11. 激光加热 试样表面
几乎所有金属 小
3 500
7
心阴极内引出的高密度等离子电子束在电场的作用下 射向膜材，膜材被加热到蒸发温度，开始蒸发而沉积到 基片上成膜。
真空蒸发镀膜 1、真空蒸发镀膜原理 真空镀膜按其技术种类可分成以下
真空蒸发镀膜 1、真空蒸发镀膜原理真空镀膜按其技术种类可分成以下真空蒸发镀膜1、真空蒸发镀膜原理真空镀膜按其技术种类可分成以下几类:一:真空蒸发,包括电阻式加热蒸发,电子束加热蒸发，低压大电流反应蒸发等,,二:真空溅射,包括二极溅射、射频溅射、反应溅射、非平衡磁控溅射、中频磁控反应溅射等,,三:离子镀,包括溅射离子镀、空心阴极离子镀膜、反应离子镀、真空电弧离子镀等,。
真空获得、真空测量取得的进展是薄膜技术迅速实现产业化的决定性的因素。
真空镀膜方法的不断改进开创了真空技术在薄膜领域应用的新篇章. 真空蒸发和溅射这两种真空物理镀膜工艺，是迄今在工业上能够制备光学薄膜的两种最主要的工艺。
真空离子镀是大批量生产耐磨硬质膜层,如机械泵TiC，TiN等,的主要的工艺，在油扩散泵---抽气系统出现之后，它们才获得大规模地应用。
真空蒸发镀膜的原理是:先将镀膜室内的气体-2抽到10Pa以下的压强，通过加热蒸发源使臵于蒸发源中的物质蒸发，蒸汽的原子或分子从蒸发源表面逸出，沉积到基片上凝结后形成薄膜，它包括抽气,蒸发,沉积等基本过程。
真空环境是镀膜的首要条件:,1,可防止在高温下因空气分子和蒸发源发生反应，而使蒸发源劣化,,2,可防止蒸汽原子或分子在沉积到基片上的途中和空气分子碰撞而阻碍蒸汽原子或分子直接到达基片表面，以及由于蒸汽原子、分子间的相互碰撞而在到达基片表面前就凝聚，或在途中就生成其它化合物,,3,可防止在形成薄膜的过程中，空气分子作为杂质混入膜内或在膜中形成其它化合物。
真空蒸发镀膜常用的蒸发源有电阻式加热蒸发源、电子束加热蒸发源、激光加热蒸发源、空心热阴极等离子束加热蒸发源、感应式加热蒸发源等。
在高真空或超高真空下，用电阻、高频、电子束、激光等加热技术，在玻璃、塑料、和金属等基体上可蒸发沉积100多种金属、半导体、和化合物薄膜。
其中，电子束反应蒸发制备多层光学薄膜是一种方便有效的手段，在批量化生产中已被普遍采用，其优点是:电子束加热温度可达3500?左右，蒸发材料基本上不受限制，即使钨和钼也可蒸镀，蒸发速率高,100,750000 Å/s,，而且蒸发速率和电子束聚集调节方便，通过对蒸发材料的局部熔化或坩埚水冷，蒸发材料不与坩埚发生反应，保证了膜料的高纯度。
简述真空蒸镀的原理及过程
简述真空蒸镀的原理及过程
真空蒸镀是一种常用的表面处理技术，通过在真空环境下对物体进行镀膜，使其表面具有一定的功能和装饰效果。
其原理及过程如下：
1. 原理：
真空蒸镀利用真空环境下的物理气相沉积过程，将蒸发源中的固态材料加热至蒸发温度，使其表面分子获得足够的能量而蒸发。
蒸发的材料分子在真空环境中沉积到待处理物体表面，形成一层薄膜。
2. 过程：
（1）准备工作：清洗待处理物体，并将其放置在真空蒸镀设备的装置中。
（2）抽真空：将装置内的气体抽出，建立一定的真空环境，以防止与大气中的气体发生反应。
（3）加热蒸发源：将蒸发源中的固态材料进行加热，使其表面分子获得足够的能量而蒸发。
（4）形成薄膜：蒸发的材料分子在真空环境中沉积到待处理物体表面，形成一层薄膜。
（5）膜层调节：根据需要，可通过控制薄膜的厚度、结构和成分来调节薄膜的性能。
（6）结束工作：待处理物体经过一定的时间后，形成所需的镀膜，完成真空蒸镀过程。
真空蒸镀可用于金属、陶瓷、塑料等材料的表面处理，常见的应用包括镀金、镀银、镀铜等装饰性镀膜，以及光学镀膜、防腐蚀镀膜等功能性镀膜。
第四章-真空蒸发镀膜法
旋转方式: (a) 基片在圆顶上，绕轴旋转; (b) 基片在鼓面上，源位于中轴线，
鼓面绕中轴线旋转； (c)行星式旋转 .
五. 热蒸发镀膜的阴影效应
阴影效应： 由于蒸发产生的气体分子直线运动，使薄膜 局部区域无法镀膜或膜厚各处不一的现象
第五节 蒸发源的类型
真空蒸发所采用的设备根据其使用目的不同 可能有很大的差别，从最简单的电阻加热蒸 镀装置到极为复杂的分子束外延设备，都属 于真空蒸发沉积的范畴。
dAc
4r 2
dAs cos 4r 2
dM s M e cos
dAs
4 r2
薄膜厚度： d dM s
dAs
l
d
cosM e 4r 2
hM e
4(h2 l 2 )3/2
h
t
d t1
hm
4 (h2 l 2 )3/2
在点源正上方的单 位时间的膜厚增加 t0（l=0）：
1．电阻蒸发源
通常对蒸发源材料的要求是 ： (1)熔点要高。 (2)饱和蒸气压低。防止或减少在高温下蒸发源材料会随蒸
发材料蒸发而成为杂质进入蒸镀膜层中。 (3)化学性能稳定，在高温下不应与蒸发材料发生化学反应。 (4) 具有良好的耐热性。热源变化时，功率密度变化较小； (5)原料丰富，经济耐用。
下图表示与蒸发源平行放置于正上方的平面基片
四. 提高膜厚均匀性的措施：
1) 采用若干分离的小面 积蒸发源，最佳的数 量, 合理的布局和蒸发 速率；
2)改变基片放置方式以提高厚度均匀 ：
a) 球面放置基片；
点源
面源
b) 基片平面旋转； c) 行星旋转基片架；
真空蒸镀原理
真空蒸镀原理
真空蒸镀是一种常用的表面处理技术，它通过在真空条件下将
金属或化合物材料蒸发成蒸气，然后沉积在基材表面，形成一层薄膜。
这种技术在电子、光学、机械等领域有着广泛的应用，下面我
们就来详细了解一下真空蒸镀的原理。
首先，真空蒸镀的基本原理是利用真空条件下的物理过程，通
过蒸发源将固体材料加热至一定温度，使其蒸发成蒸气。
蒸气分子
在真空中自由扩散，并沉积在基材表面，形成薄膜。
在这个过程中，蒸发源的材料、温度、真空度以及沉积时间等参数都会对薄膜的性
能产生影响。
其次，真空蒸镀的原理还涉及到薄膜的成核和生长过程。
蒸发
的材料蒸气在基材表面成核形成微小颗粒，然后这些颗粒在基材表
面扩散并结合，最终形成一层致密的薄膜。
在这个过程中，薄膜的
结构、成分、晶粒大小和取向等都会受到影响，进而影响薄膜的性能。
此外，真空蒸镀的原理还与薄膜的成分和性能有关。
不同的蒸
发源材料会形成不同成分的薄膜，而薄膜的成分又直接影响着其光
学、电学、机械等性能。
因此，在真空蒸镀过程中，需要严格控制蒸发源的材料和温度，以及基材的清洁度和温度，以确保薄膜的成分和性能符合要求。
总的来说，真空蒸镀的原理是通过在真空条件下将固体材料蒸发成蒸气，然后沉积在基材表面形成薄膜。
在这个过程中，蒸发源的材料、温度、真空度、沉积时间等参数都会对薄膜的性能产生影响，同时薄膜的成核和生长过程、成分和性能也都与真空蒸镀的原理密切相关。
通过深入了解真空蒸镀的原理，我们可以更好地控制薄膜的成分和性能，从而满足不同领域的应用需求。
真空蒸镀概述
真 空 蒸 镀 原 理
1. 真空蒸发镀膜的三种基本过程：
① 热蒸发过程 ② 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这 2. 些粒子在环境气氛中的飞行过程。
③ 蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续 薄膜。
3. 真空蒸镀的优缺点：
4. 优点：是设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯 度高、质量好，厚度可较准确控制； 成膜速率快、效率高；薄膜的生长机理比较单纯。
膜厚的测量方法
介绍以下几种方法
○ 称重法：微量天平法、石英晶体振荡法 ○ 电学方法：电阻法、电容法、电离式监控计法 ○ 光学方法：光吸收法、光干涉法、等厚干涉条纹法
(1)触针法：差动变压器法、阻抗放大法、压电元件法
称重法:微量天平法
原理：是将微量天平设置在真空室内，把蒸镀的基
片吊在天平横梁的一端，测出随薄膜的淀积而产生
触针测厚计的传感器 差动变压器法；(b)阻抗法
(b) 阻抗放大法
由于触针上下运动使电感器的间隙d发生相 应的变化时，感抗随之变化，导至线圈阻抗 改变。再利用放大电路放大并显示该阻抗的 变化量，即可表征触针上下运动的距离。
电阻蒸发源
○ 采用钨等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料， 让电流通过，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入 Al2O3、BeO 等坩埚中进行间接加热蒸发 。
电子束蒸发源
将蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结 在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。
测量的薄膜膜厚t为：
触针法
(a) 差动变压器法
原理:在针尖上镶有曲率半径为几微米的蓝宝石或金刚石的触针，使其在薄膜表面上移动时，由 于试样的台阶会引起触针随之作阶梯式上下运动。再采用机械的、光学的或电学的方法，放大触 针所运动的距离并转换成相应的读数，该读数所表征的距离即为薄膜厚度。
第二章 真空蒸发镀膜
2.1.2 蒸发镀膜过程的三个步骤(three steps) （1）加热蒸发过程，固相/液相→气相；(solid/liquid/vapor phase)
（2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即飞行过程； (flight process, gasified atom/molecule, transport) （3）蒸发原子或分子在基片上的沉积过程。(deposition process) 根据这三个过程，考虑如果真空室压力过高，会出现什么情况？ （1）蒸发源被氧化；oxidation （2）气化原子或分子在飞行过程中被空气分子频繁碰撞，致使难以形成均 匀的膜层；frequently collide with air molecules,homogeneous film. （3）蒸发原子或分子沉积在基片上被污染（形成氧化物等）。 contaminated by air molecules, to form oxide.
(2 11)
dG 20 G
dT 30 T
(2 12)
所以，一旦超过蒸发温度，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速率发 生很大变化。 启示：蒸发速率主要决定于源温度，控制蒸发速率必须精确控制蒸发 源的温度。 教材给出一例，说明蒸发源温度1％的变化引起蒸发速率19％的变化。
2.1.5 蒸发分子的平均自由程与碰撞几率
2.1.1 原理示意图 (schematic diagram)
5
真空蒸发原理示意图
8
7 6 5
3
4 3
2
2 1
图2-1 真空共蒸发系统示意图 1 源挡板；2 源；3 监控探头；4 蒸发挡板 5 衬底 6 测温热偶 7 石墨 8真空罩 1 baffle; 2 source 3 monitor 4 damper 5 substrate 6 thermocouple 7 graphite 8 vacuum chamber wall
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Ａ、真空电镀原理:一般而言,镀膜在真空镀膜机内以真空度1~5 x 10 —4Toｒｒ程度进行(1Toｒr=１公厘水银柱高得压力,大气压为760Torr)。
其镀膜膜厚约为0.1 ~０、２微米、颜如果镀膜在特定厚度以下时(即太薄),面油对底油将会产生侵蚀、引起化学变化(如表面雾化等)。
如镀膜过厚时,会产生白化得状态。
颜填料,助剂,树脂,乳液,分散Dr＜!——[if ！supportＦoot<！--［en ｄｉｆ]——>l〈！--[if ！suｐｐortFｏoｔnｏtes]－－＞［1]<！--[endif]—－〉v#W？n8D＜!-—[if !sｕpportＦoｏtnｏtes]——〉[1］<!--[ｅndｉｆ]——>G。
ｅ关于镀膜得形成,首先利用强大电流将镀膜源(钨丝) 加热,然后把挂在钨丝上得铝片或铝线熔解。
铝材从而蒸发、飞散到各方面并附着于被镀件上、熔解得铝为铝原子,以不定形或液体状态存在并附着于被镀件上,经冷却结晶后从而变为铝薄膜。
因此设定钨丝为定数时,由真空度至蒸发铝得飞散方向、钨丝得温度,钨丝到被镀件得距离等;依其镀膜条件,镀膜得性能也除着改变而发生变化。
一如前述,镀膜在10 –4 Torｒ左右下进行,如真空度过低时,其蒸发中得铝遇到残留得气体或者碰着钨丝被加热时产生得气体,发生冲突而冷却,形成得铝粒(非常小得铝粒子集合体) 会附着于被镀膜件上。
此时所形成得镀膜因微细铝粒中可能仍含有残留气体而令其失去光泽,也会大大降低镀膜与底油得密着性。
如真空度高,而且钨丝得温度亦高时,蒸发铝得运动能量也因此会提高,被镀膜件表面所附着得会就是纯铝(并没有残留气体),而且密度非常高,镀膜性能因此而得到提升(包括密着性等)B、涂料及雾化:依各种镀膜条件形成不同得镀膜、如前述,在现场作业最容易产生得问题就是雾化现象。
这种现象就是有机高分子(涂膜)与金属(铝膜)得膨胀系数差异而发生、虽然可能由于涂料本质所导致,但一般而言,如果使用涂料得方法正确,雾化现象应该不会发生得。
但就是被镀膜件得素材日新月异(包括再生料),也可能会引起雾化。
容易引起雾化现象得原因有下述各点:＜1> 底油干燥不足(会侵蚀面油)<2〉素材得残留应力(主要就是突起部分)〈3> 离型剂得影响UＶ,辐射,水性,粉末,溶剂＃xH＊S ～＊k v<4〉可塑剂得影响UV,辐射,水性,粉末,溶剂<5＞镀膜过薄得场合５1cｏat技术网6G。
[＜６〉面油干燥条件不适当涂料｜油墨|树脂｜胶粘剂|配方ｂ(nﻵF－r２ｇG＜７＞氧化重合型、空气流通不充分等〈8> 湿度太高时涂料｜油墨|树脂|胶粘剂|配方<９> 稀释剂含水量过高Ｙ结论:要得到良好得镀膜结果,要正确遵守涂料得使用条件,同时亦避免使用粗糙得成形品。
C.塑料得残留应力(变形、内部应力):涂料|油墨|在真空电镀用合成树脂(ABＳ、PS、ＰP、PC 等)以各种形态成型会引起程度不同得变形,其变形会对密着有不良影响,并且会导致起龟裂。
这种龟裂仅在热得可塑性之塑料才会引起,其原因可能为成型时得内部应力。
虽在同一种素材亦依成型得条件,及成型得方法不同,亦同样发生,主要发生在突起部份。
这种现象可利用较弱得溶剂调整涂料使用,虽可解决部份问题,但降低素材热变形温度,保温使缓与应力,比较有把握解决龟裂得现象。
离型剂:ﻫ涂料｜油墨｜树脂｜胶粘剂｜配方塑料成型品在其射出过程中需要使用离型剂,此种离型剂导致涂料发生不沾、欠光泽、密着不良、雾化等现象。
对涂装有不良得影响、51coat技术网ｒ}P。
X 离型剂有很强得界面活性剂性质(如肥皂、硅类),因此需要除去离型剂。
经乙烷洗凈后,状况会改善,但就是以锭状混入离型剂,因此成型品内部整个都有包含,所以在表面得离型剂,虽能除去,但无法除去在里面得。
在涂装时,溶解到表面上并混合在涂料中,令离型剂再次发生间接得不良影响。
因此要电镀得成型品应避免使用离型剂。
涂料｜油墨|树脂｜胶粘剂｜配方大家都知道,塑料有良好得绝缘特性,因此由塑料中所带得静电气在电镀时会发生失光(欠光泽)得现象。
UV,辐射,水性,粉末,溶剂这种失光得电镀面,并非全面性,而仅有部分会发生,这就是由于静电气会从空气中吸着尘埃,这些尘埃用压缩空气,也无法吹走。
电镀时无法发现失光得现象,但涂装表面漆时,其部分却明显出现出来。
这就是附着于底漆得尘埃上电镀,其部分由面漆侵蚀,才会明显表现出来。
结论为成型后经过长时期保存得工件,最会产生此现象。
故这类工件就是无法。
又底油如经烘干,马上就电镀,也比较不会发生毛病、51coat技术网％ｑＭ-z9s—ｏ］F。
由面油对底油得侵蚀。
！电镀膜有很多微细得针孔,面油中得溶剂由针孔侵透至下层底油,侵蚀底油。
因此虽然底油使用方法正确,如果与面油得配合不妥,当然也会引起问题。
面油得侵蚀由外现出,在斑点中心有微小突起为其特点。
涂料｜油墨｜树脂|胶粘剂|配方％由发生面油侵蚀得主要原因有:５1cｏat技术网lS2Gｐ(1)底漆干燥不够。
涂料｜油墨｜树脂|胶粘剂|配方(2)由离型剂引起。
辐射,水性,粉末,溶剂(３)电镀膜过薄时。
(４)底油与面油得配合不良。
}(5)由可塑剂得影响。
涂料|油墨｜树脂｜胶粘剂|配方以上陈述了一些问题点,如果就是单独出现还好解决。
但现实就是以复数得理由构成涂膜得毛病。
解决问题,还虽一定得现场经验、复合镀铝膜白点现象可以这样描述,复合后得产品表观上瞧有明显得白色斑点,这种白色斑点可随机分布,大小不均。
分两种情况,一种就是:下机时有,但熟化后基本消失;另一种就是:下机时有,熟化后并不消失、后一种就是影响表观得最大问题、这类斑点最容易出现在满白底或浅底色得印刷得效果上。
其实应该说只要出现此类白点,一般就是满版得(设备原因除外)。
只不过白色与淡底色遮盖力差容易瞧出来而已。
产生白点得现象得原因较多,主要有三方面得:颜填料,助剂,树脂,乳液,分散1。
油墨粒度大或粒度分布太宽,一般白墨得粒度影响较大。
粘合剂中乙酯就是油墨得良溶剂,对不同粒度得油墨颗粒浸润结果不同,通过烘箱烘干后得色度变化会产生差异,瞧起来就产生“白点”了。
一般此种情况下,下机时明显,熟化后白点现象会减轻,也许会消失。
辐射,水性,粉末,溶剂 2.粘合剂表面张力高,在镀铝膜上浸润铺展效果差、这就是目前镀铝膜“白点现象”得一个主要原因。
粘合剂得涂布效果不好,印刷层覆盖以后,会使不同部位上色泽发生变化,产生前面同样得效果,有时会产生很大得斑点。
3l z＄T$w Z8x;＼)Q＄EUＶ,辐射,水性,粉末,溶剂3、设备工艺原因。
这种原因一方面就是工人没有意识到镀铝膜复合得特殊性,镀铝膜复合有它独特得地方;另一方面设备烘干、涂布、系统本身得问题无法保证粘合剂得充分均匀涂布或无法保证乙酯得充分挥发。
还有其它方面得原因,如满底印刷网线辊网纹过浅,降低了油墨遮盖力等、采取如下办法可消除白点:颜填料,助剂,树脂,乳液,分散１.不同批次得油墨增加粒度检测指标,严格控制,尤其满底油墨品种粒度及粒度分布在标准范围外得不采用;选择优良得稳定得供应商。
UV,辐射,水性,粉末,溶剂2。
采用镀铝膜专用粘合剂。
镀铝膜复合专用粘合剂得表面张力较低,在镀铝层表面得涂布铺展效果明显优于通用型粘合剂。
采用镀铝胶会非常易于控制胶液得流平,有较理想得涂布状态、单从粘合剂涂布状态上讲,采用镀铝胶可消除了白点现象产生得可能、5１cｏat技术3。
胶液得粘度与网线辊线数有一定得匹配关系,超出匹配区间太大会破坏胶得涂布状态,造成“白点”得产生与更严重得其它方面得影响,但在镀铝膜上似乎主要还就是“白点”得产生更令人关注、UV4、采用镀铝膜涂胶方式、通常采用得涂布工艺就是印刷膜(油墨面)涂胶,这里采用特殊涂布方法,避免了乙酯对油墨层得渗透不均得问题,同时涂布得粘合剂能够充分均匀地覆盖镀铝层表面,这样可以很好地消除白点、但这种工艺有它很大得局限性,首先,只限于VＭPEＴ得复合,而其它镀铝膜在烘箱中受热得影响在张力得作用下,会拉伸变形;其次,将牺牲一定得剥离强度。
5.软包装企业必须坚持涂布辊得定期清洗制度,掌握正确得涂布辊清洗方法。
在生产满白底或浅底色印刷膜时,要注意两点,首先,生产前将刮刀、涂布辊、展平辊等彻底清洗。
6、应做到粘合剂得彻底干燥。
因镀铝得阻隔性比较好,如在复合膜中粘合未彻底干燥,那么复合膜在进入熟化室后,残留得大量溶剂需快速地释放出来,在镀铝膜阻隔下,势必形成汽泡、甚至会出现下机时没有白点,而熟化后出现白点得现象。
塑胶真空镀膜工艺虽然塑料可以在许多场合代替金属,但显而易见缺乏金属得质感,为此,需要采用一定得方法,在塑料表面镀上一层金属(铝、锌、铜、银、金、铬等),一种方法就是采用类似化学镀与电镀得方法,另一种就是直接在塑料表面进行真空喷镀金属-即在真空状态下,将金属融化后,以分子或原子形态沉积在塑料表面形成５—10μｍ得金属膜、真空喷镀金属需要与塑料表面底漆之间得良好配合,底漆得厚度通常为1０—20μm,主要作用就是防止塑料中水、有机溶剂、增塑剂等排出影响金属附着、要求涂层硬度高、底漆具有可以修饰塑料缺陷,能提供一个光滑、平整得平面以利于真空镀得性能,并与塑料底材与所镀金属附着牢固。
通常选用双组分常温固化得聚氨酯与环氧涂料,低温烘烤得氨基涂料以及热塑性丙烯酸酯涂料。
金属镀膜在空气中容易氧化变暗,同时还存在细微得真空等缺陷,所以要再涂上一层5—1０μm 得保护面漆。
对面漆得要求就是:透明、优良得耐水性、耐磨性、耐候性,不操作镀金属膜,对金属镀膜附着牢固、通常可采用丙烯酸酯清漆、聚酯清漆、聚氨酯清漆等,当底漆采用得就是热塑性丙烯酸酯涂料时,为防止面漆溶剂通过镀膜缺陷溶蚀底漆,可以选用弱溶剂、快干性得面漆,如丙烯酸改性醇酸清漆、聚乙烯醇缩丁醛清漆、氨酯油等。
真空镀金属得工艺流程为:塑料表面处理(净化、活化)→涂底漆→干燥→真空镀金属→涂面漆→干燥。
其工艺流程作简要介绍:产品表面清洁—－〉去静电－—〉喷底漆--〉烘烤底漆－-〉真空镀膜——>喷面漆—－〉烘烤面漆－-〉包装。
在全部得工艺流程中,有如下几点决定了工艺得成败:需要加工得零部件表面状态,这包括产品就是否存在缺陷,表面状态,表面污染物等表面缺陷得存在会导致外观件最终美观度。
当然对于微小缺陷得存在,喷涂工艺可以掩盖。
但就是在注塑或者冲压成型过程中造成得批量瑕疵品必须在进货检验前剔出。
表面状态,这涉及就是否就是透明件,表面特殊粗糙度设计。
设计外观状态要求得,必须在工艺制定前考虑整体工艺路线,否则完成后难以得到预想得外观效果。
表面污染物,对于批量产品,如何去除前段工序残留得污染物就是关系质量与效率得关键、例如在注塑过程中产生得脱模剂得去除夹具得设计,这包括夹具就是否适应全部工艺流程,就是否能保证表面均匀性,装夹效率不锈钢真空多弧等离子度(PVＤ)工艺介绍PVＤ就是英文Ｐhysiｃal〈I〉</I〉＆ｎbｓp;Vａpor＜I＞<／I〉＆nbsp;Depositioｎ(物理气相沉积)得缩写,就是指在真空条件下,采用低电压、大电流得电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场得加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上;PVD技术出现于二十世纪九十年代末,制备得薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好得耐磨性与化学稳定性等优点。