武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07

武汉科技大学200５年硕士研究生入学考试试题课程名称：电子技术总页数：共4页说明： 1、适用专业：控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。

2、可使用的常用工具：计算器、绘图工具。

3、答题内容请写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。

4、计算题、分析题必须有解题过程，只给出答案的不给分。

一、选择填空题：（共30分，每空2分）1、场效应管属于控制型器件，晶体三极管属于控制型器件。

A、电流；B、电感；C、电压；D、电容。

2、晶体三极管用来放大时，发射结应处于偏置，集电结应处于偏置。

A、反向；B、90°；C、正向；D、不定。

3、为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合，可在两者之间插入；为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路，可在低阻输出的放大电路之后接入。

A、共射电路；B、共集电路；C、共基电路；D、不定。

4、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是，零点漂移最大的一级是。

A、输出级；B、输入级；C、中间级；D、增益最高的一级。

5、电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路。

A、偏置；B、输入；C、有源负载；D、不定。

6、构成反馈通路的元器件是。

A、只能是电阻元件；B、只能是三极管、集成运放等有源器件；C、只能是无源器件；D、可以是无源元件，也可以是有源器件。

7、反馈放大电路的含义是。

A、输出与输入之间有信号通路；B、电路中存在反向传输的信号通路；C、除放大电路外还有信号通路；D、电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路。

8、若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入。

A、电流负反馈；B、电压负反馈；C、并联负反馈；D、串联负反馈。

9、当集成运放工作在线性区时，可运用和概念。

A、闭环；B、开环；C、虚短；D、虚断。

二、（10分）写出PN结的伏安特性方程，画出相应的伏安特性曲线，并依此分析PN结的伏安特性有何特点。

三、（25分）放大电路如图1所示。

已知图中R1=1kΩ，R2=300kΩ,R3=200Ω，R4=1.8kΩ，R5=2kΩ，C1=C2=10μF，C3=100μF，R6=2kΩ，V CC=12V，三极管Q1的V BE=0.7V，β＝50，r bb’=200Ω，V T=26mV。

试求:(1)求静态工作点I B、I C及V CE；(2)画出微变等效电路；(3)计算放大电路的电压增益∙∙∙=iovVVA/，输入电阻R i和输出电阻R o。

图1四、（20分）已知双端输入、双端输出理想的差分放大电路如图2所示。

求解下列问题：(1)若v i1=1200μV，v i2=200μV，求差模输入电压v id、共模输入电压v ic的值；(2)若A VD=150，求差模输出电压v od；(3)若输出电压v o＝1210v i1－1200v i2时，求电路的A VD、A VC和K CMR的值。

图2五、（20分）电路如图3所示。

设运放A1、A2性能理想，R1=1kΩ，R2=R4=R5＝10kΩ，R3=R6＝0.98 kΩ，运放均用±15V供电。

试求：(1)放大电路的电压增益A V=V o/V i的值；(2)当输入电压为直流1V时，电路能否正常工作。

图3六、（15分）电路如图4所示。

已知：D Z的V Z=±6V，R1=R2=10kΩ，R3=20kΩ，运放A1性能理想，其最大输出电压为±12V，稳压管的反向饱和电流和动态电阻均可忽略。

要求：(1)试分析该电路是什么电路。

(2)请画出该电路的传输特性曲线。

图4 图5七、（15分）逻辑电路如图5所示，图中，A、B、C、D为输入，L为输出，U1、U2、U3均为异或门。

试由逻辑电路写出真值表，并分析该电路的功能。

八、（15分）在图6（a）所示电路中，各触发器的起始状态均为0，U1为异或门，U2为或非门，U3为与非门，信号A和时钟CP的波形如图6（b）所示。

试写出各个触发器的输入控制方程、输出方程、次态方程及时钟信号。

图6（a）图6（b）2005年研究生入学电子技术试题答案一、选择填空题：1.C、电压，A、电流2.C、正向，A、反向3.B、共集电路，C、共基电路4.B、输入级，A、输出级5.A、偏置，C、有源负载6.D、可以是无源元件，也可以是有源器件7.B、电路中存在反向传输的信号通路8.B、电压负反馈9.C、虚短，D、虚断二、P N结的伏安特性方程为：I=I s（e V/V T-1）I为流过PN结的电流，I s为PN结的反向饱和电流，V为外加电压，V T为温度的电压当量，常温下，V T=26mV。

当外加正向电压，且V比V T大几倍时，I≈I s*e V/V T正向电流随正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状态。

当外加反向电压，且V比V T大几倍时，I≈-I s，PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。

由PN结的伏安特性方程的分析及其相应的特性曲线可见：PN结具有单向导电性和非线性伏安特性。

三、（1）直流通路: 交流通路:V CC=I B*R2+V BE+（I B+I C）*（R3+R4），解得：I B=28 A，I C=1.4mA，V CE=6.4V(2) r be=r bb’+(1+β)V T/ I E=1.13 KΩ, A V=V o/V i=-[β*( R5|| R6)]/[ r be+(1+β) R3] =-4.4,R i= R2||[ r be+(1+β) R3]=11 KΩ, R o≈R5≈2 KΩ四、(1)v id= v i1- v i2=1000μV , v ic=( v i1+ v i2)/2=700μV(2) v od=A VD* v id=150mV(3) v o＝1210v i1－1200v i2v o＝A VD * v id + A VC * v ic = A VD (v i1－v i2)+ A VC( v i1+ v i2)/2,A VD=1205, A VC=5, K CMR=241五、（1）A1、A2 均为典型的反相输入比例运算电路，即有：u01=-u i*R2/R1，u02=-u01*R5/R4，u o= u02- u01A V=V o/V i= u o/ u i=20（2）当u i =1V时，虽然u o=20V，但这是两运放输出端间的电压，每个运放的输出电压（对地）为：u01=-u i*R2/R1=-10 V，u02=-u01*R5/R4=10 V，由于运放的工作电压为±15V，故电路能正常工作。

六、A的外部引入正反馈。

u o=±9V，u b2= u o* /（R2+ R3）=±3V，故该电路的阈值电压为U TH1=3V，U TH2=-3V七、为奇偶校验器。

八、T触发器和J-K触发器是下降沿触发，D触发器是上升沿触发。

输入控制方程：T1=A；D2=Q Q3；J3=Q2，K3=Q2输出方程：Z1=Q2+Q3，Z2=Q1·Q3各触发器的次态方程为：Q1（n+1）=T1 Q1；Q2（n+1）=D2；Q3（n+1）=J3Q3+K3Q3各触发器的时钟信号为：CP1=CP2=CP，CP3=Q1武汉科技大学2006年硕士研究生入学考试试题考试科目及代码：电子技术 418总页数：共6页说明： 1、适用专业：控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。

2、可使用的常用工具：计算器、绘图工具。

3、答题内容请写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。

4、考试时间3小时，总分值150分。

5、计算题、分析题必须有解题过程，只给出答案的不给分。

二、填空题：（共35分，每空1分）1、当外加PN结的反向电压超过某一特定电压时，反向电流急剧增大，这种现象叫。

刚开始击穿时，反向电流还不太大，若降低反向电压，PN结仍能正常工作，这种还未损坏PN结的击穿称为。

若继续提高反向电压，流过PN结的反向电流增大到一定数值时，会使PN结过热而损坏，这种造成PN结损坏的击穿称为。

2、半导体三极管属于控制型器件，在其工作过程中，管子内部的载流子和载流子都起着导电作用；场效应管属于控制型器件，在工作过程中起主要导电作用的是载流子。

3、半导体三极管工作于放大状态时，发射结应偏置、集电结应偏置；工作于饱和状态时，发射结应偏置、集电结应偏置；工作于截止状态时，发射结应偏置、集电结应偏置。

4、放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为。

由于放大电路对含有多种频率信号的不同而产生的波形失真，称为幅值失真；由于放大电路对信号中不同频率产生的不同而发生的波形失真，称为相位失真。

5、所谓反馈，就是将放大电路量（电压或电流）的一部分或全部，通过网络，以一定的方式回送到回路，并影响输入量和输出量。

6、一个逻辑函数全部最小项之和恒等于，一个逻辑函数全部最大项之积恒等于 。

7、将二进制数（1100100）2转换为八进制数的结果为 。

8、函数)(E D C B A F ∙+=的反函数F = 。

9、在数字电路中，晶体三极管工作在 状态，即或者在 区，或者在 区。

从电路结构上看，数字电路的基本单元电路是 和 。

10、一个五位的二进制加法计数器，由00000状态开始，经过169个输入脉冲后，此计数器的状态为 。

11、根据功放管静态工作点位置的不同，可以用 、 和 来描述功率放大电路的工作状态。

为了提高效率应尽量降低功放管的 ，使静态电流很小或为零。

12、当负反馈放大电路的反馈深度01=+∙∙F A 时，会产生 。

二、（10分）一硅稳压管稳压电路如图1所示，其中未经稳压的直流输入电压U I =18V ，R=1 k Ω，R L =2k Ω，硅稳压管D Z 的稳定电压U Z =10V ，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。

(4) 试求U O ，I O ，I 及I Z 的值；(5) 试求R L 值降低到多大时，电路的输出电压将不再稳定。

图1三、（25分）放大电路如图2所示。

已知图中R b1=10k Ω，R b2=20k Ω,R=2kΩ，R c=1kΩ，C1=C2=10μF，V CC=20V，三极管Q1的V BE=0.7V，β＝20，r bb’=200Ω。

D Z为理想的硅稳压二极管，其稳压值为U Z=5V。

试求:(1)静态工作点I B、I C及V CE；(2)画出微变等效电路；(3)计算放大电路的电压增益∙∙∙=iovVVA/，输入电阻R i和输出电阻R o。

图2四、（25分）高输入阻抗型场效应管差分放大电路如图3所示。

已知g m=2mS，R L=R d=R S=10 kΩ，V CC=15V。

试求：(4)差模电压增益A VD2，共模电压增益A VC2及共模抑制比K CMR；(5)当v i1=10 mV时，输出电压v o=？图3五、（10分）电路如图4所示。