集成电路封装概述

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集成电路封装基础知识

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集成电路封装基础知识教材集成电路封装基础知识第一章集成电路的概述第一■节序言第二节集成电路的产生第三节集成电路的定义第四节集成电路的前道和后道的定义第五节集成电路的分类第二章集成电路的构成第一节集成电路的主要构成第二节各组成部分的作用第三章集成电路的封装类型第一节国外集成电路的封装类型第二节国内集成电路的命名第三节本公司内部的集成电路的封装类型第四节集成电路未来发展的趋势第四章集成电路的一脚(INDEX)识别第一节集成电路的一脚构成第二节集成电路的一脚识别第五章集成电路封装的主要材料第一节集成电路的主要原材料第二节各原材料的组成、保管、主要参数第六章集成电路封装工艺流程第一节集成电路封装的主要工艺流程第二节集成电路封装的详细工艺流程第三节封装中工艺流程的变化第七章集成电路封装设备的主要结构第一节封装设备的通用结构第二节设备各部分的作用第三节各工序各部分的结构不同第四节设备操作面板上常用英文和日文单词注释第八章集成电路封装设备的主要控制原理第一节PLC的概念第二节PLC的控制原理第三节设备的控制原理第九章集成电路封装中的常用单位换算第一节长度单位换算表第二节质量单位换算表第三节体积和容积单位换算表第四节力单位换算表第五节力矩和转矩单位换算表第六节压力和应力单位换算表第七节密度单位换算表第一节序言从本世纪50年代末开始,经历了半个多世纪的无线电电子技术正酝酿着一场新的革命.这场革命掀起的缘由是微电子学和微电子技术的兴起•而这场革命的旋涡中心则是集成电路和以其为基础的微型电子计算机.集成电路的问世,开辟了电子技术发展的新天地,而其后大规模和超大规模集成电路的出现,则迎来了世界新技术革命的曙光•由于集成电路的兴起和发展,创造了在一块小指甲般大小的硅片上集中数千万个晶体管的奇迹;使过去占住整幢大楼的复杂电子设备缩小到能放入人们的口袋,从而为人类社会迈向电子化,自动化,智能化和信息化奠定了最重要的物质基础•无怪乎有人将集成电路和微电子技术的兴起看成是跟火和蒸汽机的发明具有同等重要意义的大事1 •集成电路的产生5•集成电路的分类:TTL集成电路;(定义)集成运算放大器;COMS集成电路;接口集成电路; ECL集成电路;集成稳压器与非线性模拟集成电路微型计算机集成电路;HTL集成电路.2•集成电路的构成:.集成电路的封装类型1. 国外集成电路封装类型的命名及分类SIP ---------------------------------------------- (SINGLE IN -INE PACKAGE) ZIP ---------------------------------------- (ZIG-ZAG IN-LINE PACKAGE)DIP-------------------------------------------- (DUAL IN-LINE PACKAGE) SHDIP -------------------------- (SHRINK DUAL IN-LINE PACKAGE)WDIP ------------------ (WINDOW TYPE DUAL IN-LINE PACKAGE)PGA -------------------------------------- (PIN GRID ALLEY PACKAGE)SVP---------------------------------- (SURFACE VERTICAL PACKAGE) SOP ----------------------- (SMALL OUTLINE L-LEADED PACGAGE) TSOP1 ------------ (THIN SMALL OUTLINE L-LEADED PACKAGE)LSSOP -------------------------------------- (LOW PRO SMALL OUTLINE PACKAGE)TSSOP -------------------------------------- (THIN PRO SMALL OUTLINE PACKAGE)UTSOP ------------------------------------ (ULTRA THIN SMALL OUTLINE L-LEADED PACKAGE)QFP ------------------------------------------------------------------ (QUAD FLAT L-LEADED PACKAGE)LQFP -------------------------------------------- (LOW PRO FLAT L-LEADED PACKAGE)TQFP --------------------------------------------------------- (THIN QUAD FLAT L-LEADED PACKAGE)UTQFP ------------------------------------------ (ULTRA THIN QUAD FLAT L-LEADED PACKAGE)HQFP -------------------------------------------------------------------------------- (QFP WITH HEAT SINK)TPQFP ------------------------------------------------- (TEST PAD QUAD FLAT L-LEADED PACKAGE)SON ---------------------------------------------------- (SMALL OUTLINE NON-LEADED PACKAGE)QFN ----------------------------------------------------------- (QUAD FLAT NON-LEADED PACKAGE)SOJ ----------------------------------------------------------- (SMALL OUTLINE J-LEADED PACKAGE)QFJ ------------------------------------------------------------------- (QUAD FLAT J-LEADED PACKAGE)BGA ------------------------------------------------------------------------------------ (BALL GRID ARRAY)SPGA ------------------------------------------------------------- (SHRINK PIN GRID ALLEY PACKAGE)LGA ------------------------------------------------------------------------ (LEAD GRID ALLEY PACKAGE)DTP ------------------------------------------------------------------- (DUAL TAPE CARRIER PACKAGE)QTP ------------------------------------------------------------------- (QUAD TAPE CARRIER PACKAGE)SIMM ------------------------------------------------------------- (SINGLE INLINE MEMORY MODULE)DIMM ---------------------------------------------------------------- (DUAL INLINE MEMORY MODULE)SOCKET TYPE3. 国内外封装名称对照:SIP ----------- S INGLE IN LINE PACKAGE ------------------ 单列封装SIPT --------- S INGLE IN LINE PACKAGE WITH TAB----- 带散热片的单列封装DIP ----------- D UAL IN LINE PACKAGE ----------------------- 双列封装DIPT --------- D UAL IN LINE PACKAGE WITH TAB -------- 带散热片的双列封装SDIP --------- S HRINK DUAL IN LINE PACKAGE ----------- 纵向收缩型双列封装2. 国内集成电路的名称和代号:玻璃陶瓷扁平封装 W 陶瓷四面引线扁平封装 Q 塑料双列弯引线封装O 陶瓷熔封扁平封装 H 塑料双列封装 P 陶瓷熔封双列封装 J 金属菱形封装 K 塑料片式载体封装 E 陶瓷扁平封装 F 塑料扁平封装 B 塑料四面引线扁平封装 N 陶瓷双列封装 D 塑料单列封装 S 金属圆形封装 T 陶瓷无引线片式载体封装 --------------- C陶瓷针栅阵列封装 ---------------------- GSWDIP ----- SKINNY DIP OR SHRINK WIDTH DUAL IN LINE PACKAGE----------- 横向收缩型双列封装QIP ---------- QUAD IN LINE PACKAGE ----------------------- 四列封装ZIP ----------- ZIGZAG IN LINE PACKAGE -------------------- 引线交叉排列封装CERDIP ——CERAMIC DUAL IIN LINE PACKAGE ------- 陶瓷熔封双列式封装CDIP -------- CERAMIC DUAL IN LINE PACKAGE (SIDE BRAZED )----------- 陶瓷双列式封装(通常指侧面钎焊的)PGA --------- PIN GRID ARRAY --------------------------------- 针栅阵列封装SOP --------- SMALL OUT LINE PACKAGE ------------------ 微型封装(两面出腿)SOJ --------- SMALL OUTLINE PACKAGE WITH J LEAD----J 形弓 I 线微型封装PLCC -------- PLASTIC LEADED CHIP CARRIER ----------- CLCC/LCC--CERAMIC LEADLESS CHIP CAEEIER ------ 陶瓷片式载体 QFP --------- QUAD FLAT PACKGE ---------------------------- 四面引线扁平封装 薄的微型封装(两面出腿)塑封有引线的片式封装TSOP ------- THIN SMALL OUTLINE PACKAGE ------------4.本公司内现有的封装类型SIP、SIPTDIP、DIPT、SDIP、SKDIPDIP24、DIP28、DIPT14、SDIP42、SDIP52、SDIP64、SKDIP22、SKDIP24SOP8、SOP14 SOP16 SOP20、SOP24 SOP28 SOL8SOJ26QFP48、QFP64、QFP80、QFP100.集成电路的一脚(INDEX)识别印记正对人的位置,产品最左下角的起脚为一脚,然后按逆时针方向旋转,以次列数.DIP8、DIP14、DIP16、DIP18、DIP20、 SOP 、SOL SOJQFP5.本公司内现有的圭寸装品种.集成电路封装的主要材料1. 引线框架:LEAD FRAME(IC的载体,连接芯片和PCB板)(框架的一脚标记与芯片的一脚在装片时,要保持一致)2•银浆Ag:用以粘接芯片和L/F的PAD.3. 金丝:用以连接芯片和L/F.4. 树脂(塑封料):用以包封以键合好的半成品,以达到保护芯片的目的5. 油墨:用以标识集成电路.四.集成电路封装工艺流程1. 主要工艺流程:(磨片)-----划片-----装片-----键合——塑封——去飞边——电镀-----打印-----切筋打弯-------- 外观-----(测试)----包装2. 工艺流程的细化:贴片----磨片----贴片----划片----超声清洗----UV照射----崩片----装片----银浆固化----键合----塑封前烘----塑封----后固化----切筋----去飞边----电镀----打印----油墨固化----成形----外观----测试----包装七.设备的结构和控制原理1. 磨片(减薄):在使用大直径的硅片制造集成电路芯片时,由于其厚度较大,不能满足划片,装片和键合的工艺要求,因此需要对圆片的背面进行处理和减薄,除去其背面的氧化层,才能保证在装片和键合时有良好的浸润性,并改善装片后芯片与中岛之间的欧姆接触,减小串联附加电阻和提高散热性能.1.)研磨法:是利用大量硬度较大,颗粒较细并具有复杂棱角的磨料,在外力的推动下对被加工表面进行磨削作用的一种机械加工方法•研磨料:可采用天然或人造金刚砂,如a -AL2O3;a -SiC 磨料与水的比例为:1:52. )磨削法:是将机械平面磨削方法应用到半导体器件的加工中.磨削圆片时,砂轮和转盘各自以相反方向旋转,借助于它们的相对运动将圆片磨削减薄.(例:MPS2R30C减薄机)结构:由磨头,转盘(吸盘),磨头垂直和水平进给机构和冷却装置等部分组成.2. 划片:把已制有电路图形的集成电路圆片切割分离成具有单个图形(单元功能)的芯片,常用的方法有金刚刀划片,砂轮划片和激光划片等几种.而我们通常使用的是砂轮划片.砂轮划片机的砂轮转速为30000r/min左右,切割速度通常在50-150mm/min之间.圆片的固定方法是采用真空吸盘,并且工作台面是气垫式的,因此可以保证切割深度完全一致.同时利用监视图象或显微镜来进行定位.全自动划片机工艺步骤包括:圆片上料,对准,划片,清洗,烘干,进圆片盒等工步. 划片的切割方法:通常我们采用的是切割留深法.划片的切割方式:A模式(用于非FJ产品) C 模式(用于富士通产品)3. 装片:是把集成电路芯片粘接到引线框架中岛上的指定位置,为丝状引线的连接提供条件的工艺,称之为装片.3.1 装片的方法有:导电胶粘接法,银浆,低温玻璃烧结法和低熔点合金的共晶熔接法等.3.2 导电胶粘接法由于具有工艺简单.成本低,易采用自动化专用设备,同时在胶粘剂中增加一定比例的金属粉粒,以改善胶粘剂的导电和导热性能,有利于改善芯片的散热条件,因此目前广为应用的就是导电胶粘接法.3.3导电胶:是利用高分子有机化合物所制成的胶粘剂,是以环氧树脂为主体并加有银粉或铝粉等金属粉粒,再配置少量的固化剂和溶剂而成,其具体要求是:粘接牢固,固化时间短,在经受一定的温度后仍能保持其固化状态不变,并在固化期间不产生过多的挥发气体而污染芯片和具有较高的导电散热能力.3.4装片机:由承片台,真空吸嘴,芯片传送机构,加热系统,工件传送机构几个主要部分组成. 承片台:主要作用是将已经分离的但仍与塑料薄膜保持粘贴的芯片,连同贴片环进入承片台后,可由步进电机驱动承片台,作X和丫方向的移动,并通过图形识别装置,挑选出合格与合格芯片.对缺角,破裂和注有不合格标志的芯片,将有反馈信号加至步进电机,使承片台迅速移动,不将其剔除不用;而对合格芯片,则也有反馈信号输至步进电机,使承片台移动,将其送入到规定的位置上.真空吸嘴:作用是将到达规定位置的芯片,为了保护芯片不受损伤,采用真空吸力键芯片吸起,并送到引线框架的中岛上进行装片.真空吸嘴分为:平面吸嘴,斜面吸嘴和角锥吸嘴等. 根据材料的不同可分为:金属吸嘴和海绵吸嘴等.芯片的传送机构:通常采用悬臂式结构•主要作用是将由真空吸嘴吸取的芯片直接送到规定位置去进行装片,也可经过中途修正台修正位置后再送到规定位置上•加热系统:由内热式电阻加热,体积小但功率可达150-200W,并附有调温装置和预热设备,但仅限于共晶焊接装片使用.工件传送机构:对于塑料封装引线框架,可根据引线的尺寸来调整其轨道的宽度,并由步进电机按规定程序使之准确就位•4. 键合:将芯片的电极用金丝与引线框架的内引线连接起来,这一工艺过程称之为键合•4.1集成电路的芯片与封装外壳的连接方式可分为:有引线键合结构和无引线键合结构两大类有引线键合结构就是通常所说的丝焊法,即用金丝或铝丝实行金-金键合,金-铝键合或铝- 铝键合•由于都是在一定压力下进行的焊接,故又称为压焊•4.2目前塑料封装的集成电路通常使用有引线键合的金丝焊接.金丝焊接又分为:热压楔焊,热压球焊,超声热压焊,超声焊.4.3热压焊键合:就是在加热和加压的同时,对其芯片金属化层的压点(一般是铝层)以及外壳或引线框架的外引线引出端头,用金属丝引线(一般是金丝)通过焊接连接起来.由于金属丝和芯片上的铝层同时受热受压,其接触面产生了塑性变形,并破坏了界面的氧化膜,使两者接触面几乎接近原子引力的范围;又因为金丝和焊接层(铝层,镀金层或镀银层)表面存在的不平整现象,加压后其高低不平处相互填充而产生弹性嵌合作用,使两者紧密结合在一起,从而达到键合的目的.键合时,外壳或引线框架应预先加热到310-350 C°,金丝通过陶瓷,碳化钨或碳化钛硬质合金所做成的劈刀,并加热至200C°左右.当金丝由劈刀毛细孔中伸出时,利用氢气或电火花在其端头进行加热,使其熔化成球状,并立即通过50-160g的压力压焊在芯片金属化层的压点上.外焊点则仍采用楔形焊,,即金丝与外壳或引线框架的外引线引出端头实行金-金的热压焊接.4.4超声焊键合:是利用超声波的能量将金属丝(通常是用铝丝)在不加热的情况下,实行内外焊点的键合.其工作原理是由超声波发生器产生的几十千周的(通常为50-60kHz)超声波振荡电能,通过磁致伸缩换能器,在超声频磁场感应下迅速伸缩而产生弹性振动,再经变幅杆传给劈刀,并同时在劈刀上施加一定的压力.劈刀就在这两种力的作用下,带动金属丝在芯片金属层的压点和外壳或引线框架的外引出端头的表面迅速摩擦振动.这样不仅破坏了两者焊接界面的氧化膜,同时也使两者产生塑性变形,使两种纯净的金属面紧密接触,形成牢固的键合.超声焊接的内外焊点都是成楔形的,不需要对芯片和外壳加热,压点是实行铝-铝键合.键合状态主要由以下三个工艺参数所决定的:功率,时间,压力.4.5超声热压焊键合:在热压焊的基础上再加增加超声的能量所实现的键合,称之为超声热压超声热压焊同时具有热压和超声压焊两者的优点,可以降低热压焊的温度(从单纯的热压焊温度---300 C°以上下降至200-260 C°),使一些耐温不高的外壳货基片也能应用金丝作互连•对于引线框架较厚的和带有散热片的塑料封装集成电路,因为它们的散热好,温度梯度大,也可采用超声热压焊•超声热压焊机分为:手动式,半自动式,全自动式.操作步骤:(1)位置复原:确定芯片一金属化层压点为第一个焊接点,并调整其位置,使之置于对位光点之下;11/15(2) 按下开动钮:劈刀降落并进行第一点的焊接.当金球与芯片压点接触时,劈刀端头的内凹面在热能的作用下将金球压成钉头状的焊点,此时超声波发生器同步启动,并产生超声能量,以加速焊接的进行;(3) 劈刀自动提升到一定高度,丝夹张开,使金丝自动送出;(4) 把引线框架外引线一相应的引出端头作为第二焊点,并调整其位置,使之置于对位光点之下,按下开动钮,劈刀降落,以第二点的焊接,并用劈刀端头的外侧把金丝压成楔形的焊点,此时超声波发生器同步启动,并产生超声能量,以加速焊接的进行;(5) 劈刀自动升起时丝夹夹紧金丝,把金丝从楔形焊点的端头拉断,成为一个无丝尾的焊点;(6) 劈刀自动停在复原位置上,丝夹仍然夹紧金丝,电子烧球器产生高压电火花,把金丝端部烧成金球;(7) 丝夹松开,靠金丝的张力把金球升起到劈刀端部,准备进行下一个程序的循环.全自动式金丝球焊机:当对其第一个产品进行光点对位或采用自教程序进行焊接后,则所有的动作程序全部存储在微处理机中,通过自动传输机构,对以后的同类产品进行连续作业作业人员只需用料盒将已经装片的引线框架放到送料台上,并取走已焊接好的产品.如果个别芯片装片位置不当或有其他差错时,则设备上图形识别装置将会自动报警停机,以待作业人员处理.同时,当金丝使用完毕后,设备也会自动给出信号,告诉作业人员添加金丝.图形识别装置的作用:就是对芯片的焊接位置进行寻找和检测,其工作原理是采用相关法技术,即用工业视频摄像机摄取芯片表面的图形,并将摄取图象转换为二进制数码,然后和预先存储的标准的二进制数码图象进行比较.当发现差异时,可由步进电机按给定信号驱动工作台,作X和丫方向的移动,直至对位准确为止.校准范围一般在X= ± 0.2mm,Y= ± 0.2mm 0 =±5°.4.6 球焊劈刀:适用于金丝球焊键合,都是空心管状轴对称型,其端头的锥角有30 ° ,20 ° ,15° ,10° 等.劈刀常用材料有:陶瓷,碳化钨和碳化钛等.由于陶瓷能耐王水(3HCL+HNO3)的腐蚀,当金丝阻塞劈刀通孔而不能取出时,可用王水浸泡而将残存的金丝溶解出来,因此陶瓷劈刀应用较多.4.7金丝要求:(1)丝材的表面应光滑,清洁,不应有任何有机物如油脂,指印等的污染;(2) 不应有大于直径四分之一的影响丝材横截面的缺凹,划伤,裂痕,凸块和附着物⑶丝材应卷绕在特定的绕线轴上,不应有小于30°的死弯和小于0.76mm直径的结存在,且卷绕紧密整齐,不能杂乱松动;(4) 任意长的丝材卷绕在绕线轴上时,只能单层上绕式密绕,且每轴只绕一根,并在首尾注有标记;(5) 每轴丝材都应有严格的包装,以防止受损或污染,并应有规定的标志.⑹金丝纯度要求在99.99%以上,经制成细丝后还需进行退火处理,以保证其拉力强度和延伸率都能符合键合工艺要求.金丝成分表:金丝的选用:应根据集成电路的工作电流来加以选择.一般金丝的熔断电流与金丝的直径成线性关系.5.塑封:即塑料封装,是一种非气密性封装.它是将键合后的半成品用塑料封装起来,以达到保护作用以适应一定的环境.5.1塑料封装从50年代开始,70年代推广,到今天九十年代已广为使用.之所以塑料封装能发展到目前的水平,因其存在诸多的优点:(1) 塑料封装在集成电路的组装过程中一次加工完毕,不同与其他形式的气密性封装,需要事先作成封装外壳,大大简化了工艺流程;(2) 生产工艺简便.一次成型几百只,节省时间,提高工效,易于实现自动化,便于大批量生产;(3) 成本低.所用材料少,除了在初建初期需要对设备和模具投资外,以后的维护费用很低,是气密性封装的1/3-1/5;(4) 重量轻,抗冲击,振动和加速运动等机械性能都比较优越;(5) 环氧和硅酮树脂的抗辐射性能好;(6) 绝缘性能好,寄生参数小;(7) 抗化学腐蚀能力强;(8) 塑料封装中铀,钍的含量少,适于VLSI存储器的封装. 缺点:(1) 抗潮性能差;(2) 热性能差;(3) 抗盐雾腐蚀性能差;(4) 电屏蔽性能差;(5) 易老化.5.2塑封树脂:是一种热固性塑料,以高分子化合物合成的树脂为基体,加入固化剂仮应促进剂(催化剂),填充剂,阻燃剂,脱模剂和着色剂等组成.常用树脂有:环氧树脂,硅酮树脂等.目前我们使用的是环氧树脂. 树脂发展趋势:高纯度,低应力,低a射线等.树脂的保管:5C°以下.5.3塑料封装的成型方法有滴涂敷法,填充法,浇铸法和递模成型法.目前我们使用的是递模成型法. 递模成型法:是将塑料包封机上油缸压力,通过注塑头,传递到被预热的塑料上,使塑料经浇道,浇口缓慢挤入型腔,并充满整个型体,把芯片包封起来,该成型法称之为递模成型法.也就是通常称的塑封.5.4塑圭寸的工艺条件:⑴塑封模的温度:175土5C°(2) 合模压力:根据塑封模的大小,重量,型腔数,以下框架材料,成品外形尺寸和注塑压力等条件选定的.(3) 注塑压力:也称为递模压力和传递压力,其作用是传递塑料,使塑料能充满型腔.一般30-100Kg/cm2.⑷预热温度:塑料(塑封料)的预热温度取决于塑料的凝胶时间和流动性,一般为80-100C。

集成电路封装技术

集成电路封装技术

集成电路封装技术一、概述集成电路封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的过程,其重要性不言而喻。

封装技术不仅仅是保护芯片,还可以通过封装形式的不同来满足不同应用领域的需求。

本文将介绍集成电路封装技术的基本概念、发展历程、主要封装类型以及未来发展趋势等内容。

二、发展历程集成电路封装技术随着集成电路行业的发展逐渐成熟。

最早的集成电路封装形式是引脚直插式封装,随着技术的不断进步,出现了芯片级、无尘室级封装技术。

如今,随着3D封装、CSP、SiP等新技术的出现,集成电路封装技术正朝着更加高密度、高性能、多功能的方向发展。

三、主要封装类型1.BGA封装:球栅阵列封装,是一种常见的封装形式,具有焊接可靠性高、散热性好等优点。

2.QFN封装:裸露焊盘封装,具有体积小、重量轻、成本低等优点,适用于尺寸要求严格的应用场合。

3.CSP封装:芯片级封装,在尺寸更小、功耗更低的应用场合有着广泛的应用。

4.3D封装:通过将多个芯片垂直堆叠,实现更高的集成度和性能。

5.SiP封装:系统级封装,将多个不同功能的芯片封装在一起,实现更复杂的功能。

四、未来发展趋势随着物联网、人工智能等领域的兴起,集成电路封装技术也将迎来新的挑战和机遇。

未来,集成电路封装技术将朝着更高密度、更低功耗、更可靠、更环保的方向发展。

同时,新材料、新工艺和新技术的应用将为集成电路封装技术带来更多可能性。

五、结语集成电路封装技术是集成电路产业链中至关重要的一环,其发展水平直接关系到整个集成电路的性能和应用范围。

随着技术的不断进步,集成电路封装技术也在不断演进,为各个领域的技术发展提供了强有力的支撑。

希望本文能够帮助读者更好地了解集成电路封装技术的基本概念和发展趋势,为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。

集成电路封装

集成电路封装

集成电路封装1、BGA 封装 (ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。

最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。

现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。

BGA 的问题是回流焊后的外观检查。

现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。

有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。

美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP 封装 (quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。

QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。

美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。

引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。

3、碰焊PGA 封装 (butt joint pin grid array)表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C-(ceramic) 封装表示陶瓷封装的记号。

例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。

是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip 封装用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。

集成电路封装与测试

集成电路封装与测试

集成电路芯片封装:是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴,固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定构成整体立体结构的工艺封装工程:将封装体与基板连接固定装配成完整的系统或电子设备,并确保整个的综合性能的工程(合起来就是广义的封装概念)芯片封装实现的功能:①传递电能,主要是指电源电压的分配和导通②传递电路信号,主要是将电信号的延迟尽可能的减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径及通过封装的I/O接口引出的路径最短③提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件部件长期工作时,如何将聚集的热量散出的问题④结构保护与支持,主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑封装工程的技术层次①第一层次,该层次又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺②第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡的工艺③第三层次,将数个第二层次完成的封装,组装成的电路卡组合在一个主电路板上,使之成为一个部件或子系统的工艺④第四层次,将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程芯片封装的分类:按照封装中组合集成电路芯片的数目,可以分为单芯片封装与多芯片封装按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类按照器件与电路板互连方式,可分为引脚插入型和表面贴装型按照引脚分布形态,可分为单边引脚,双边引脚,四边引脚与底部引脚零级层次,在芯片上的集成电路元件间的连线工艺SCP,单芯片封装MCP,多芯片封装DIP,双列式封装BGA,球栅阵列式封装SIP,单列式封装ZIP,交叉引脚式封装QFP,四边扁平封装MCP,底部引脚有金属罐式PGA,点阵列式封装芯片封装技术的基本工艺流程:硅片减薄,硅片切割,芯片贴装,芯片互连,成型技术,去飞边,毛刺,切筋成型,上焊锡,打码芯片减薄:目前硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,干式抛光,化学机械平坦工艺,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等芯片切割:刀片切割,激光切割(激光半切割,激光全切割)激光开槽加工是一种常见的激光半切割方式芯片贴装也称为芯片粘贴,是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。

集成电路封装与测试(一)

集成电路封装与测试(一)

三人获得了1956年 诺贝尔物理学奖
William B. Shockley
John Bardeen
Walter H. Brattain
1958年9月10日美国的基尔比发明了集成电 路集成电路是美国物理学家基尔比(Jack Kilby)和诺伊斯两人各自独立发明的,都拥有 发明的专利权。 1958年9月10日,基尔比的第一个安置在半 导体锗片上的电路取得了成 功,被称为“相 移振荡器”。 1957年,诺伊斯(Robort Noyce)成立了仙童 半导体公司,成为硅谷的第一家专门研制硅 晶体管的公司。 1959年2月,基尔比申请了专利。不久,得 克萨斯仪器公司宣布,他们已生产出一种比 火柴头还小的半导体固体 电路。诺伊斯虽然 此前已制造出半导体硅片集成电路,但直到 1959年7月才申请专利,比基尔比晚了半年。 法庭后来裁决,集成电路的发明专利属于基 尔比,而 有关集成电路的内部连接技术专利 权属于诺伊斯。两人都因此成为微电子学的 创始人,获得美国的“巴伦坦奖章”。
双边 引脚
SOP (小型化封装 小型化封装) 小型化封装
单边 引脚
SIP 单列引脚式封装) (单列引脚式封装) ZIP 交叉引脚式封装) (交叉引脚式封装)
四边 引脚
QFP PLCC (四侧引脚扁平封装 (无引线塑料封装载体 ) 四侧引脚扁平封装) 四侧引脚扁平封装
双边 引脚
DIP (双列式封装) 双列式封装)
4.2 技术发展趋势
芯片封装工艺: △ 芯片封装工艺: 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装, 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装,即先将圆片 划片成小管芯。 划片成小管芯。 再逐个封装成器件,到在圆片上完成封装划片后 再逐个封装成器件, 就成器件。 就成器件。 芯片与封装的互连:从引线键合( △ 芯片与封装的互连:从引线键合(WB)向倒装焊 ) (FC)转变。 )转变。 微电子封装和PCB板之间的互连: 板之间的互连: △ 微电子封装和 板之间的互连 已由通孔插装(PTH)为主转为表面贴装(SMT)为主。 为主转为表面贴装( 已由通孔插装 为主转为表面贴装 )为主。

集成电路封装知识简介

集成电路封装知识简介

封装外观尺寸
TSOP II 54LD内部构造 内部构造
A6 A2 DS A5 A7
A5
Items
Thickness (mm) Nominal 1.000 0.127 Alloy 42 0.279 0.100 0.050 0.210 0.254 0.238
Thickness (mils) 39.37 5 A42 11 4 2 8 10 9.37
Die(Chip)
俯视图
Gold Wire L/F Pad Epoxy Inner Lead Die
正视图
工艺流程(前道工艺) 工艺流程(前道工艺)
打线结合(Wire Bonding)
主要工艺参数: • ball shear test • wire pull test • ball bond size • Ball placement • Pad Cractering Test • Loop Height Test • Reject(see PBI reject criteria) 见下页图示 打线后图片 设备与材料: 1. 打线机 2. 金线 3. 劈刀 主要机器参数: 1. 超声波功率 2. 焊接压力 3. 焊接持续的时间 4. 焊接温度
银胶
框架
胶带
固化 传统银胶粘结工艺
加热 固化 胶带粘结工艺
工艺流程(前道工艺) 工艺流程(前道工艺)
晶片粘结(Die Bonding) 银胶 芯片
框架焊盘
Fillet height BLT
Die Tilt
Y2
芯片
主要工艺参数: 1. BLT 2. Die tilt 3. Fillet height 4. Wetting 5. Die placement 6. Die shear

集成电路封装工艺介绍

集成电路封装工艺介绍

集成电路封装工艺介绍
SMD(Surface Mount Technology,表面安装技术)集成电路封装技术是一种利用表面安装技术来安装集成电路片上的元件,这种技术为模块封装提供了一种新的封装方式。

SMD封装技术在使用后可以实现低成本、高密度和高可靠性,在封装技术中已经得到了广泛应用。

下面介绍SMD集成电路封装工艺:
1.贴标:将集成电路封装片进行贴标,贴标中需包含集成电路芯片型号、芯片生产厂商、批量等信息,以及集成电路封装片的图纸。

2.清洗:进行封装片的清洗,通常使用抛光膏、洗涤液等来完成清洗工作,使其能够保持清洁无杂质。

3.引弧焊:将元件焊接到封装片上,通常采用引弧焊工艺,即采用电弧的能量将元件与前面进行过清洗的封装片上焊上。

4.返修:返修是根据集成电路封装的失效原因,通过改变封装片上的焊接参数和元件的安装形式,来改善集成电路封装的质量,以保证封装片的质量,通过返修可以减少集成电路封装的失效。

5.检测:检测是从元件安装,焊接,到封装完成后,进行完整性和质量检测,进而使其在使用中能够发挥良好的性能,满足质量要求。

集成电路封装

集成电路封装

集成电路封装
集成电路封装,又称芯片封装,是指将集成电路芯片进行封装,以提供保护、连接和连接外部电路的功能。

常见的集成电路封装有以下几种类型:
1. 对顶焊接(DIP)封装:这是最早也是最常见的封装形式之一,通常用于较低密度和较低频率的应用。

它采用两排引脚,可以直接插入插座或焊接到电路板上。

2. 表面贴装技术(SMT)封装:这是目前最常用的封装技术,广泛应用于各种电子设备中。

SMT封装可以有效提高集成度和组装效率,减小封装体积和重量。

3. 高级封装:随着技术的发展,出现了一些更高级的封装形式,例如球形阵列封装(BGA)、无引脚封装(LGA)和封装在柔性基板上的芯片(COF)等。

这些封装形式主要用于高密度、高速和复杂电路的应用。

封装的选择会根据应用需求、电路复杂性、可靠性和成本
等因素进行评估和决策。

不同的封装形式有各自的优缺点,需要根据具体的设计要求和制造工艺选择适合的封装。

集成电路封装形式简介

集成电路封装形式简介

集成电路封装形式简介(图文)封装大致经过了如下发展进程:结构方面:DIP封装(70年代)->SMT工艺(80年代LCCC/PLCC/SOP/QFP)->BGA封装(90年代)->面向未来的工艺(CSP/MCM)材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装裸片安装分类裸芯片在装载时,它的有电极的一面可以朝上也可以朝下,因此,芯片就有正装片和倒装片之分,布线面朝上为正装片,反之为倒装片(FC)。

另外,裸芯片在装载时,它们的电气连接方式亦有所不同,有的采用有引线键合方式,有的则采用无引线键合方式材料分类按芯片的封装材料分有金属封装、陶瓷封装、金属-陶瓷封装、塑料封装。

金属封装:金属材料可以冲、压,因此有封装精度高,尺寸严格,便于大量生产,价格低廉等优点。

陶瓷封装:陶瓷材料的电气性能优良,适用于高密度封装。

金属-陶瓷封装:兼有金属封装和陶瓷封装的优点。

塑料封装:塑料的可塑性强,成本低廉,工艺简单,适合大批量生产。

形式分类一.TO晶体管外形封装TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶体管外形”。

这是早期的封装规格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封装设计。

近年来表面贴装市场需求量增大,TO封装也进展到表面贴装式封装。

TO252和TO263就是表面贴装封装。

其中TO-252又称之为D-PAK,TO-263又称之为D2PAK。

D-PAK封装的MOSFET有3个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。

其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接在PCB上,一方面用于输出大电流,一方面通过PCB散热。

所以PCB的D-PAK焊盘有三处,漏极(D)焊盘较大。

二.DIP双列直插式封装DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,引脚节距为2.54 mm,其引脚数一般不超过100个。

集成电路封装技术

集成电路封装技术

第一章集成电路芯片封装技术1. (P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。

广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。

2. 芯片封装实现的功能:1 传递电能,主要是指电源电压的分配和导通。

2 传递电路信号,主要是将电信号的延迟尽可能减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互连路径以及通过封装的IO接口引出的路径达到最短。

3 提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工作时如何将聚集的热量散出的问题。

4 结构保护与支持,主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑,并能适应各种工作环境和条件的变化。

3.在确定集成电路的封装要求时应注意以下儿个因素:1 成本2 外形与结构3 可靠性4 性能4.在选择具体的封装形式时,主要需要考虑4种设计参数:性能、尺寸、重量、可靠性和成本目标。

5.封装工程的技术层次:第一层次(Level1或First Level):该层次又称为芯片层次的封装(Chip Level Packaging),是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架(Lead Frame)之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次组装进行连接的模块(组件Module)元件。

第二层次(Level2或Second Level:将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成个电路卡(Card〉的工艺.第三层次(Level3或Third Level):将数个第二层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板(Board)上使之成为一个部件或子系(Subsystem)的工艺。

第四层次(Level4或Fourth Level)将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程。

在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺也称为零级层次(Level 0)的封装,6.封装的分类:按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类。

集成电路封装形式介绍(图解)

集成电路封装形式介绍(图解)

集成电路封装形式介绍(图解)BGA BGFP132 CLCCCPGA DIP EBGA 680LFBGA FDIP FQFP 100LJLCC BGA 160L LCCLDCC LGA LQFPLQFP 100L Metal Qual 100L PBGA 217LPCDIP PLCC PPGAPQFP QFP SBA 192LTQFP 100L TSBGA 217L TSOPSIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征与DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也与DIP基本相同.S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778 mm,芯片集成度高于DIP.SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征与DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚插脚,如同针栅.插脚节距为2.54 mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚.用于高速的且大规模和超大规模集成电路.SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为1.27mm.MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm.QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上.SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部与PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm .LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高速,高频集成电路封装.PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装.SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为1.27mm.BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚.焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,与PGA相比,不会出现针脚变形问题.CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等.TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并与布线相连接的封装.与其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上.。

集成电路封装技术及其应用

集成电路封装技术及其应用

塑料封装
定义:塑料封装是一种以塑料为基材的集成电路封装形式 特点:重量轻、成本低、可塑性强、绝缘性能好 常见类型:DIP、SIP、SOP、QFP等 应用领域:消费电子、汽车电子、通信等领域
04
集成电路封装技术应用领域
通信领域
集成电路在通信领域的应 用
通信设备中的集成电路封 装技术
集成电路在通信网络中的 重要性
集成电路封装技术在消费 电子领域的发展趋势
汽车电子领域
集成电路在汽车电子中的应用: 如发动机控制、车身控制、安全 系统等
汽车电子领域对集成电路封装技 术的需求:高可靠性、高耐久性、 低功耗等
添加标题
添加标题
添加标题
添加标题
集成电路封装技术在汽车电子中 的优势:提高性能、降低成本、 增强可靠性
集成电路封装技术在汽车电子领 域的发展趋势:小型化、轻量化、 集成化等
封装类型与结构
封装类型:DIP、SOP、QFP、BGA等 封装结构:芯片、基板、引脚、外壳等 封装材料:塑料、金属等 封装工艺:焊接、压接、绕接等
03
集成电路封装技术分类
气密性封装
定义:气密性封装是一种通过严格控制封装体内 气体流动的封装方式,以确保封装体内部的气体 不会泄漏到外部环境中。
原理:通过在封装体上设置一定的密封结构,如 密封环、密封垫等,以阻止气体通过封装体与外 部环境之间的缝隙流动。
集成电路封装技术的作用
集成电路封装技术的分类
集成电路封装技术的发展历程
封装技术发展历程
早期封装技术:简单的芯片封装形式,主要采用手工操作,生产效率低 分立器件封装:将晶体管、电阻、电容等分立器件封装在一起,提高了性能和可靠性 集成电路封装:将多个器件集成在一个芯片上,然后进行封装,大大提高了集成度和可靠性 表面贴装技术:采用表面贴装技术,将芯片直接贴装在印制板上,提高了生产效率和可靠性 先进封装技术:采用先进封装技术,如倒装焊、晶圆级封装等,进一步提高了集成度和可靠性

集成电路封装介绍

集成电路封装介绍

由陶瓷封装向塑料封装发展
在陶瓷封装向高密度 ,多引线和低功耗展的同时 , 多引线和低功耗展的同时 越来越多的领域正在由塑料封装所取代。 越来越多的领域正在由塑料封装所取代。而且 , ,目前以PQFP和 目前以PQFP 新的塑料封装形式层出不穷 ,目前以PQFP和 PBGA为主 全部用于表面安装 这些塑料封装 PBGA为主 ,全部用于表面安装 ,这些塑料封装 占领着 90 %以上的市场 以上的市场


半导体制造装备概述
芯片制造(前道) 芯片制造(前道)
单晶硅拉制、切片、表面处理、光刻、减薄、 单晶硅拉制、切片、表面处理、光刻、减薄、 划片
芯片封装(后道) 芯片封装(后道)
测试、 滴胶、 测试、 滴胶、Die bonding、Wire bonding、 、 、 压模
Y
Y
Y
Y

封装类型 无引线(面) 栅阵列 小外形或小外 形IC 小外形J形引 线 载带自动焊 列直插封装 单列直插封装 单边交叉双列 直插封装 四边单列直插 封装 单列直插存储 器模块
缩写词 LGA SO或SOIC SOJ TAB SIP ZIP QUIP
SMTPGA TAB
60年代
70年代
80年代
90年代 Y Y Y
Y Y Y Y Y Y Y
Y Y Y Y Y
多芯片模块 MCM针栅阵列 缩小的DIP 多I/O引脚数SIMM
MCM MCMPG A
SIMM (SIP)

微电子封装一般可分为 4级 ,如图 所示 ,即 : 级 如图 即 0级封装 级封装———芯片上器件本体的互连 级封装 芯片上器件本体的互连 1级封装 级封装———芯片 (1个或多个 )上的输入 / 级封装 芯片 个或多个 上的输入 输出与基板互连 2级封装 级封装———将封装好的元器件或多芯片 级封装 将封装好的元器件或多芯片 PWB)组装成电 组件用多层互连布线板 (PWB 组装成电 PWB 子部件 ,插件或小整机 插件或小整机 3级封装 级封装———用插件或小整机组装成机柜 级封装 用插件或小整机组装成机柜 整机系统

集成电路封装的作用

集成电路封装的作用

集成电路封装的作用集成电路封装在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。

那么你对集成电路封装了解多少呢?以下是由店铺整理关于什么是集成电路封装的内容,希望大家喜欢!集成电路封装的概述从电子元器件(如晶体管)的密度这个角度上来说,IC代表了电子学的尖端。

但是IC又是一个起始点,是一种基本结构单元,是组成我们生活中大多数电子系统的基础。

同样,IC不仅仅是单块芯片或者基本电子结构,IC的种类千差万别(模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等),因而对于封装的需求和要求也各不相同。

本文对IC封装技术做了全面的回顾,以粗线条的方式介绍了制造这些不可缺少的封装结构时用到的各种材料和工艺。

集成电路封装还必须充分地适应电子整机的需要和发展。

由于各类电子设备、仪器仪表的功能不同,其总体结构和组装要求也往往不尽相同。

因此,集成电路封装必须多种多样,才足以满足各种整机的需要。

集成电路封装是伴随集成电路的发展而前进的。

随着宇航、航空、机械、轻工、化工等各个行业的不断发展,整机也向着多功能、小型化方向变化。

这样,就要求集成电路的集成度越来越高,功能越来越复杂。

相应地要求集成电路封装密度越来越大,引线数越来越多,而体积越来越小,重量越来越轻,更新换代越来越快,封装结构的合理性和科学性将直接影响集成电路的质量。

因此,对于集成电路的制造者和使用者,除了掌握各类集成电路的性能参数和识别引线排列外,还要对集成电路各种封装的外形尺寸、公差配合、结构特点和封装材料等知识有一个系统的认识和了解。

以便使集成电路制造者不因选用封装不当而降低集成电路性能;也使集成电路使用者在采用集成电路进行征集设计和组装时,合理进行平面布局、空间占用,做到选型恰当、应用合理。

集成电路封装的作用集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用,也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境,对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用,从而集成电路芯片能够发挥正常的功能,并保证其具有高稳定性和可靠性。

IC先进封装简介介绍

IC先进封装简介介绍

04
IC先进封装在产业界的应用案 例
案例一:高性能计算芯片的封装解决方案
解决方案概述
针对高性能计算芯片的高功耗、高热流密度等挑战,采用 先进的2.5D/3D封装技术,实现更高集成度和更优性能。
技术特点
利用硅通孔(TSV)技术,实现芯片内部垂直互联;采用 多层布线技术,大幅提升互连密度;引入高效热管理技术 ,降低芯片工作温度。
应用优势
提升计算性能,满足高性能计算需求;减小芯片尺寸,降 低功耗,提高能源利用效率;优化散热设计,提高系统稳 定性。
案例二:智能手机中的超微型封装技术
01
解决方案概述
为满足智能手机对轻薄、高性能的需求,采用超微型封装技术,将多种
功能芯片集成于极小空间内。
02 03
技术特点
运用晶圆级封装(WLP)技术,减小芯片封装尺寸;采用扇出型封装( Fan-out)结构,提高I/O接口数量及布线灵活性;利用高精度组装技 术,确保微型组件的可靠连接。
装行业的发展。
IC先进封装的技术特点
01
02
03
04
高集成度
IC先进封装技术能够实现更高 密度的集成,减小封装体积,
提高产品便携性。
优异的电气性能
采用先进的互连技术,降低寄 生参数影响,提高信号传输速
度和可靠性。
高效的散热设计
通过优化散热结构,提高散热 效率,确保芯片在高功率密度
下的可靠工作。
灵活的生产工艺
IC先进封装简介介绍
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contents
目录
• IC先进封装概述 • IC先进封装的主要类型 • IC先进封装的技术挑战与发展趋势 • IC先封装定义和作用
定义
IC封装,也称为集成电路封装,是指将集成电路芯片封装在封装体中,以保护芯片、提供电气连接、散热等功能 ,并使得芯片能够方便地安装在电路板上。

集成电路封装技术(3)

集成电路封装技术(3)
集成电路封装技术
集成电路封装技术
前言 第一章 电子封装工程概述 第二章 封装工艺流程 第三章 厚薄膜技术
前言
一、微电子封装的作用和意义 1、从与人们日常生活直接相关的事说起——着装
随着科技的进步和社会文明程度的提高,服装的种类、式样、所用的材料、 制作工艺都在不断的进步,所起的作用不仅限于御寒和美观上。
元器件与电路板连接
封胶材料与技术
陶瓷封装
塑料封接
气密性封装 封装过程中的缺陷分析
封装可靠性工程
第一章 电子封装工程概述
1.3.1 20世纪电子封装技术发展的回顾
第一章 电子封装工程概述
1.3.2 发展趋势 1、半导体集成电路的发展迅速
芯片尺寸越来越大
工作频率越来越高
发热量日趋增大
引脚越来越多
第一章 电子封装工程概述
随着封装技术的进步,引线节距和封装厚度不断地减小 引线节距从2.54mm(PDIP)降至0.65mm(PQFP) 封装厚度从3.6 mm(PDIP)降至2.0mm(PQFP)和
第一章 电子封装工程概述
1.2.3封装技本术与课封装程材所料 涉及的工艺技术
芯片封装工艺流程 焊接材料
厚膜/薄膜技术 印制电路板
第一章 电子封装工程概述
1.2 封装技术
1.2.1封装工程的技术层次
1.2.1封装工程的技术层次
层次1 它是指半导体集成电路元件(芯片)。芯片由半导体厂商提供,分二类,一 类系列标准芯片,另一类是针对系统用户的专用芯片。由于芯片为厂家提供, 如何确保芯片质量就成为关键问题。将其列为1个层次是指集成电路元器件间 的连线工艺。
封装的发展趋势已初见端倪。 (1)高性能CSP封装 以其超小型、轻重量化为特色,如果能在高速、多功能低 价格两个方面兼得,CSP在LSI封装中将会迅速得到普及。 (2)以芯片叠层式封装为代表的三维封装 三维立体封装包括封装层次的三维封 装、芯片层次的三维封装和硅圆片层次的三维封装等三种。 (3)全硅圆片型封装 其特点是在完成扩散工序的硅圆片上进行封装布线、布置 引线端子、贴附焊球、完成封装,最后再切分一个一个的封装件。 (4)球形半导体 涉及到半导体前工程、后工程等许多基本工序的变革,能否在 技术上突破并发展为实用的封装形式,还要经过实践检验。

集成电路封装介绍

集成电路封装介绍

集成电路封装介绍
封装集成电路
封装集成电路(Package Integrated Circuit,简称PIC),是将集
成电路(Integrated Circuit,简称IC)封装成有形的组件,它可以安
装在微机或其他电子设备上,从而发挥其功能的一种电子元件。

封装集成
电路是在技术发展中发挥着不可替代的作用,特别在早期的示波器、计算
机中,它都发挥着重要的功能。

封装集成电路可以分为三类:平板封装集成电路,模块封装集成电路
和板上封装集成电路。

1、平板封装集成电路
平板封装集成电路是最常用的封装方式,它采用矩形底座,上面安装
引脚,除此之外还有抗表面电容、抗表面电阻等组件,芯片直接安装在底
座上,然后将相关的接线组件安装在底座上,使其具有可靠性和耐用性。

2、模块封装集成电路
模块封装集成电路采用整体结构,底座和芯片及其相关部件,如滤波器、电容器、变频器、电感器等,均采用封装的方式,整体结构更加紧凑,而且安装方法更加方便,因此,模块封装集成电路在技术上具有良好的性能,已经大量地应用于各种设备中。

3、板上封装集成电路。

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集成电路封装概述半导体器件有许多封装型式,从DIP、SOP、QPF、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进,这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。

总体说来,它大概有三次重大的革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90 年代球型矩正封装的出现,它不但满足了市场高引脚的需求,而且大大地改善了半导体器件的性能;晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装减到最小。

每一种封装都有其独特的地方,即其优点和不足之处,而所用的封装材料,封装设备,封装技术根据其需要而有所不同。

驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。

电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成,其中集成电路是用来处理和控制信号,分立器件通常是信号放大,印刷线路板和导线是用来连接信号,整机框架外壳是起支撑和保护作用,显示部分是作为与人沟通的接口。

所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分,在电子工业有“ 工业之米”的美称。

半导体组装技术(Assembly technology)的提高主要体现在它的封装型式(Package)不断发展。

通常所指的组装(Assembly)可定义为:利用膜技术及微细连接技术将半导体芯片(chip)和框架(Lead-Frame)或基板(Substrate)或塑料薄片(Film)或印刷线路板中的导体部分连接以便引出接线引脚,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。

它具有电路连接,物理支撑和保护,外场屏蔽,应力缓冲,散热,尺寸过度和标准化的作用。

从三极管时代的插入式封装以及20世纪80年代的表面贴装式封装,发展到现在的模块封装,系统封装等等,前人已经研究出很多封装形式,每一种新封装形式都有可能要用到新材料,新工艺或新设备。

封装的作用包括:1.物理保护。

2.电器连接。

3.标准规格化。

封装的分类:1.根据材料分类,根据所用的材料来划分半导体器件封装形式有金属封装、陶瓷封装、金属-陶瓷封装和塑料封装。

2. 根据密封性分类,按封装密封性方式可分为气密性封装和树脂封装两类。

3. 根据外形、尺寸、结构分类,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装。

SiP(system in a package,封装内系统,或称系统封装)是指将不同种类的元件,通过不同技术,混载于同一封装之内,由此构成系统集成封装形式。

该定义是经过不断演变,逐渐形成的,开始是在单芯片封装中加入无源元件,再到单个封装中加入多个芯片、叠层芯片以及无源器件,最后封装构成一个体系,即SiP。

该定义还包括,SiP应以功能块亚系统形式做成制品,即应具备亚系统的所有组成部分和功能。

微电子封装对集成电路(IC)产品的体积、性能、可靠性质量、成本等都有重要影响,IC 成本的40%是用于封装的,而IC失效率中超过25%的失效因素源自封装。

实际上,封装已成为研发高性能电子系统的关键环节及制约因素,全球领先的整合器件制造商IDM在高密度、高可靠封装技术方面秣马厉兵,封装被列入重点研发计划正处于如火如茶之中。

另外,支持发展速度的硅IC应用所需的无源元件的用量也越来越大,其典型值超过1:10,在一些移动终端(手机、笔记本电脑、个人数字助理PDA、数码相机等)产品中,无源元件和有源器件(芯片为主)之比约为50:1,甚至可达100:1,其成本占元器件总额的三分之一左右,无源元件以电阻器和电容器为主,一部典型的GSM手机内含500多个无源元件,占电路板面积的50%,而且有30-50%的焊点与此有关。

著名的摩尔定律仍长期有效,芯片功能发展强劲,凸现出无源元件的集成化发展缓慢,IC的各种封装布线设计及制作技术同样适用于无源元件集成,并可将小型化、集成化的无源元件封装在统一的封装结构中。

为此,很多IDM和封装承包商积极推出新一代SIP(System in a package,系统封装或称其为封装内系统)技术及其产品,期望以此弥补SOC(System on a chip,片上系统)芯片的某些缺陷,推进在一个封装内的无源元件集成化,促进新世纪进入一个各类元器件的大集成时代。

关于SIP的内涵概念封装就是将具有一定功能的芯片(die,芯粒或称籽芯、管芯),置入密封在与其相适应的一个外壳壳体中,形成一个完善的整体,为芯片提供保护,并保障信号和功率的输入与输出,同时,将芯片工作时产生的热量散发到外部环境,确保器件能在所要求的外界环境及工作条件下稳定可靠地运行,尽管封装形成千差万别,且不断发展,但其生产过程大致可分为晶圆切片、芯片置放装架、内引线键合(电气互连)、密封等几十个阶段。

国内外IDM 和封装业界对究竟什么是SIP的内涵概念颇有争议,从不同角度作了很多探索,至今看法不一,各执一词,目前尚未统一成十分严格的表征,其技术方案相继被披露出来。

简言之,SIP技术的研发者和评价者大致有以下多种对SIP内涵概念的表述:•SIP是基于SOC的一种新封装技术,将一个或多个裸芯片及可能的无源元件构成的高性能模块装载在一个封装外壳内,包括将这些芯片层叠在一起,且具备一个系统的功能。

•SIP将多个IC和无源元件封装在高性能基板上,可方便地兼容不同制造技术的芯片,从而使封装由单芯片级进人系统集成级。

•S IP是在基板上挖凹槽,芯片镶嵌其中,可降低封装体厚度,电阻、电容、电感等生成于基板上方,最后用高分子材料包封。

常用的基板材料为FR-4、LCP(Liquid Crystal Polymer)。

低温共烧多层陶瓷LTCC、Qsprey Metal Al/SiC颗粒增强金属基复合材料等。

•SIP在一个封装中密封多个芯片,通常采用物理的方法将两个或多个芯片重叠起来,或在同一封装衬底上将叠层一个挨一个连接起来,使之具有新的功能。

•SIP可实现系统集成,将多个IC以及所需的分立器件和无源元件集成在一个封装内,包括多个堆叠在一起的芯片,或将多个芯片堆叠整合在同一衬底上,形成的标准化产品,可以像普通的器件一样在电路板上进行组装。

•SIP为一个封装内集成了各种完成系统功能的电路芯片,是缩小芯片线宽之外的另一种提高集成度的方法,而与之相比可大大降低成本和节省时间。

•SIP实际上是多;S片封装MCP或芯片尺寸封装CSP的演进,可称其为层叠式MCP,堆叠式CSP,特别是CSP因生产成本低,将成为最优的集成无源元件技术,0201型片式元件也可贴放在较大CSP下方,但SIP强凋的是该封装内包含了某种系统的功能。

•SI P也就是多芯片堆叠的3D封装内系统(System-in-3D package)集成,在垂直芯片表面的方向上堆叠,互连两块以上裸芯片的封装,其空间占用小,电性能稳定,向系统整合封装发展。

•SIP将混合集成的无源元件封装于四面引线扁平封装QFP或薄微型封装TSOP的封装中,可有效地减少印刷电路板的尺寸,提高组装密度。

•SIP可嵌装不同工艺制作IC芯片,以及内嵌无源元件,甚至光器件和微机械电子系统MEMS,提供紧凑而性能优异的功能产品给用户。

•SIP通过各功能芯片的裸管芯及分立元器件在同一衬底的集成,实现整个系统功能,是一种可实现系统级芯片集成的半导体技术。

•SIP是指通过多芯片及无源元件(或无源集成元件)形成的系统功能集中于一个单一封装内,构成一个类似的系统器件。

•当SOC的特征尺寸更小以后,将模拟、射频和数字功能整合到一起的难度随之增大,有一种可选择的解决方案是将多个不同的裸芯片封装成一体,从而产生了系统级封装。

以上表述多方面明确了SIP的内涵概念,基于系统化设计思想的SIP方案是富有创意的,所涉及到芯片、系统、材料、封装等诸多层面问题,涵盖十分广泛,是一个较宽泛的指称,将会随其技术的发展而扩充完善。

SIP的优势特性SIP技术已有若干重要突破,架构上将芯片平面置放改为堆叠式封装的精、密度增加,性能大大提高,代表着封装技术的发展趋势,在多方面存在极大的优势特性,现大体归纳如下:①SIP采用一个封装来完成一个系统目标产品的全部互连以及功能和性能参数,可同时利用引线键合与倒装焊互连以及别的IC芯片直接内连技术;②封面积比增大,SIP在同一封装中叠加两个或更多的芯片,把Z方向的空间也利用起来,又不必增加封装引脚,两芯片叠装在同一壳内的封装与芯片面积比增加到170%,三芯片叠装可增至250%;③在物理尺寸上必定是小的,例如,SIP封装体的厚度不断减少,最先进的技术可实现五层堆叠芯片只有1.0mm厚的超薄封装,三叠层芯片封装的重量减轻35%;④SIP可实现不同工艺,材料制作的芯片封装形成一个系统,有很好的兼容性,并可实现嵌入集成化无源元件的梦幻组合,无线电和便携式电子整机中现用的无源元件至少可被嵌入30-50%,甚至可将Si、GaAs、InP的芯片组合一体化封装;⑤SIP可提供低功耗和低噪声的系统级连接,在较高的频率下工作可以获得较宽的带宽,几乎与SOC相等的总线带宽;⑥元件集成封装在统一的外壳结构中,可使总的焊点大为减少,也缩短了元件的连线路程,从而使电性能得以提高;⑦缩短产品研制和投放市场的周期,SIP在对系统进行功能分析和划分后,可充分利用商品化生产的芯片资源,经过合理的电路互连结构及封装设计,易于修改、生产,力求以最佳方式和最低成本达到系统的设计性能,无需像SOC那样进行版图级布局布线,从而减少了设计、验证、调试的复杂性与系统实现量产的时间,可比SOC节省更多的系统设计和生产费用,投放市场的时间至少可减少1/4;⑧采取多项技术措施,确保SIP具有良好的抗机械和化学侵害的能力以及高可靠性。

毫无疑问,SIP与SOC、多芯片组件MCM等有很多惊人的相似之处,分别提供实现不同级别电子系统的变通方法,尽管存在区别但并不是相互对立的技术,而是相辅相成适应市场的需求。

SOC面临多项制约,如研发成本高,设计周期长,验证及生产工艺复杂等,在某些情况下是最佳选择,但绝不是所有系统级集成的唯一选择,多用于相对高端的市场,MCM将两个以上裸芯片和片式元器件组装在一块高密度多层互连基板上,然后封装在外壳内构成高密度功能电子组件、部件、子系统或系统,多采用混合集成技术,主要应用于有高可靠性要求而不太计较价格因素的高性能的电子领域中。

与此相反,SIP是针对某个系统进行功能划分,选择优化的IC芯片及元件来实现这些功能,采用成熟的高密度互连技术与单芯片封装相同或相似的设备、材料、工艺技术制作生产,在封装中构成系统级集成,提高性能的同时降低成本,以其很高的性价比应用于中端市场。

SIP的很多优势特性逐渐显露出来,所提出的最终目标是要研发获得能够灵活地将无源和有源元器件完全封装集成到一起构成系统的新技术。

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