晶体结构缺陷
晶格的缺陷
晶格的缺陷晶格的缺陷是指晶体结构中存在的各种不完美或异常的位置或排列。
这些缺陷对晶体的物理、化学性质以及材料的性能都会产生重要影响。
本文将从点缺陷、线缺陷和面缺陷三个方面,介绍晶格缺陷的种类、产生原因以及对材料性能的影响。
一、点缺陷1. 点缺陷是指晶体中原子或离子的位置发生变化或缺失。
常见的点缺陷有原子间隙、空位、间隙原子、杂质原子等。
2. 原子间隙是指晶体中存在的原子无法占据的空间,通常是由于晶格结构的不完美而形成。
原子间隙的存在会导致晶体的密度降低,同时对电子和热的传导产生影响。
3. 空位是指晶体中原子位置上缺失了一个原子。
空位会导致晶格的局部变形,降低晶体的机械强度和热稳定性。
4. 间隙原子是指晶体中存在的非晶体或空气中的原子进入了晶体中的间隙位置。
间隙原子的存在会改变晶体的电子结构和热导率。
5. 杂质原子是指晶体中存在的与晶格原子不同种类的原子。
杂质原子的加入会改变晶体的导电性、磁性以及光学性质。
二、线缺陷1. 线缺陷是指晶体结构中存在的一维缺陷,通常是晶体中原子排列发生错位或缺失。
2. 赝位错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生错位,即晶体中的原子位置发生了偏移。
赝位错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
3. 堆垛错是指晶体中两个晶格面之间的原子排列发生缺失或添加。
堆垛错会导致晶体局部的结构畸变,进而影响晶体的热稳定性和电子传导性能。
4. 螺错是指晶体中原子排列沿晶体的某一方向发生了扭曲,形成了一种螺旋形的缺陷。
螺错会导致晶体的机械强度下降,同时也会引起晶体的局部形变。
三、面缺陷1. 面缺陷是指晶体结构中存在的二维缺陷,通常是晶格面的错位、缺失或添加。
2. 晶界是指晶体中两个晶粒之间的界面。
晶界是晶体中最常见的面缺陷,其形成原因包括晶体生长过程中的结晶不完全以及晶体在变形过程中的再结晶。
晶界会对晶体的力学性能、电学性能以及化学反应产生显著影响。
3. 双晶是指晶体中存在两个晶界的结构。
3:晶体结构缺陷
子晶体中正、负离子半径相差不大时,
离子半径相差大时, 是主要的;
是主要的;两种
(2) KCl 晶体生长时,在 KCl 溶液中加入适量的 CaCl2 溶液,此 后生长的KCl晶体的质量密度如何变化?请说明原因。
例:一块金黄色的人黄 造玉,化学分析结果为 认, 是在 Al2 O 3中 添 加 了 0.005molNiO和2 10 4 molCr2 O 3, 试写出缺陷反应程 方 式置 换 型及 固 溶 分 子 式 。
2. 电价因素—必须保持结构中的电中性。一般
可通过形成空位,复合阳离子置换和改变电
子云结构达到。
例9: 对 于 MgO、Al2O3和Cr2O3, 其 正 、 负 离 子 半 径 比 分别为 0.47、 0.36和0.40, 则Al2O3和Cr2O3形 成 连 续 固 溶 体 。 ( a ) 这 个 结 果 可 能 吗 ? 什 为么 ? ( b) 试 预 计 , 在 MgO — Cr2O3系 统 中 的 固 溶 度 是 有 限 的 还 是限 无的 , 为 什 么 ?
练习
写出下列缺陷反应式:
(1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位)
. LiCl 2ClCl MgCl2 ( S ) MgLi VLi
(5) CaO固溶在ZrO2晶体中(产生负离子空位)
ZrO Ca O ( S ) Ca V OO Zr O
形成固溶体对晶体性质的影响
① 稳定晶格,阻止晶型转变的发生
例:1) PbTiO3与PbZrO3
PbTiO3—铁电体,烧结性能极差,居里点490℃
PbZrO3—反铁电体,居里点230℃ Pb(ZrxTi1-x)O3——连续固溶体——PZT陶瓷 2) ZrO2
晶体的结构缺陷精简
形成原因
点缺陷
由于晶体中原子或分子的缺失、多余 或错位,导致局部的原子排列异常。 常见的点缺陷包括空位、间隙原子和 替位式杂质等。
线缺陷
面缺陷
晶体中原子或分子的平面排列异常, 如晶界、相界和表面等。
晶体中由于原子或分子的排列不连续 而形成的线性异常区域,如位错。
对晶体性质的影响
物理性质
晶体结构缺陷可以影响晶体的热 学、光学、电学和磁学等物理性 质。例如,金属导体的电阻率会
03
线缺陷
位错概念
位错
晶体中某处有一列或若干列原子 发生了有规律的错排或缺失,从 而使晶体结构发生畸变,这种畸 变可以延伸到相当远的区域,称
为位错。
位错线
位错延伸的方向称为位错线,其 运动方向与位错线垂直。
柏氏矢量
描述位错特征的矢量,其大小表 示位错的大小,方向表示位错线
的方向。
位错类型
刃型位错
肖脱基缺陷
总结词
肖脱基缺陷是由于晶体表面上的原子 迁移到内部而形成的表面空位。
详细描述
在晶体表面,原子由于热运动或其他 原因迁移到晶体内部,留下表面空位 。这种缺陷通常在高温或高真空条件 下形成。
间隙原子与空位
总结词
间隙原子和空位缺陷是由于原子或分子的位置偏离正常格点 而形成的。
详细描述
间隙原子是指原子进入晶格间隙位置,而空位则是在正常格 点位置上形成的空位。这两种缺陷对晶体的物理和化学性质 产生影响。
表面缺陷在半导体器件、光电 子器件、催化等领域有重要应 用,例如表面改性、表面增强 拉曼散射等。
05
体缺陷
沉淀与固溶体
沉淀
当晶体内部某些组分由于过饱和而析出,形成与基体不同的相,即为沉淀。
晶体结构缺陷
(a)弗仑克尔缺陷的形成 (空位与间隙质点成对出现)
(b)单质中的肖特基缺陷的形成
热缺陷产生示意图
刘学良 lyshan@
– 点缺陷的表示和缺陷反应
• 表示:使用最广泛的是KrÕger-Vink(克罗格—明克) 的符号,具体为:用一个主要符号来表明缺陷的种 类,而用一个下标来表示这个缺陷的位置。缺陷的 有效电荷在符号的上标表示。如用上标“·”表示有效 正电荷,用“′”表示有效负电荷,用“×”表示有效零 电荷。 • 以MX离子晶体(M为二价阳离子、X为二价阴离子) 为例来说明缺陷化学符号的表示方法。
刘学良 lyshan@
(2)质量平衡:与化学反应方程式相同, 缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需 要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所 在的位置,对质量平衡无影响。 (3)电中性:电中性要求缺陷反应方程式 两边的有效电荷数必须相等。
刘学良 lyshan@
2.缺陷反应实例
(1)杂质(组成)缺陷反应方程式──杂质 在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时,一般遵循杂质的正 负离子分别进入基质的正负离子位置的原 则,这样基质晶体的晶格畸变小,缺陷容 易形成。在不等价替换时,会产生间隙质 点或空位。
刘学良 lyshan@
例1·写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式 • 以正离子为基准,反应方程式为:
KCl . K
• 以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:
CaCl2 ⎯⎯→ Ca + VK '+ 2ClCl
KCl . K
刘学良 lyshan@
基本规律: – 低价正离子占据高价正离子位置时,该 位置带有负电荷,为了保持电中性,会 产生负离子空位或间隙正离子。 – 高价正离子占据低价正离子位置时,该 位置带有正电荷,为了保持电中性,会 产生正离子空位或间隙负离子。
常见的晶体缺陷
常见的晶体缺陷
晶体是由原子或分子按照一定规律排列组成的固体物质,而晶体缺陷是指在晶体结构中出现的缺陷或不完美的区域。
晶体缺陷可以是自然形成的,也可以是在制备或处理过程中产生的。
常见的晶体缺陷有以下几种:
1. 位错:指晶体中原子或分子的错位或扭曲现象,是一种线性缺陷。
位错可以分为边缘位错和螺旋位错两种,它们的存在会导致晶体的弹性性质发生变化。
2. 点缺陷:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,是一种点状缺陷。
点缺陷包括空位、附加原子、缺失原子和间隙原子等。
3. 晶界:指晶体中不同晶粒之间的交界面。
由于晶界的存在,晶体中的原子排列方式和性质会发生变化,对材料的力学性能和电学性能等都有很大影响。
4. 色心:指晶体中某些原子或分子的缺失或替代,导致能量带结构的改变。
颜色的形成就是由于色心的存在导致。
5. 位隙:指晶体结构中一些原子或分子的位置被其他原子或分子占据,从而形成的空隙。
位隙也会影响晶体的物理性质。
以上就是常见的晶体缺陷,它们的存在会对晶体的性质和应用产生影响。
在材料科学和工程领域中,对晶体缺陷的研究和控制具有重要的意义。
- 1 -。
材料化学-晶体结构缺陷
3. 质量平衡:缺陷方程两边必须保持质量平衡; 4. 电中性:缺陷反应两边必须具有相同数目的总有效电荷,
但不必为零; 5. 表面位置:不用特别表示,当一个M原子从晶体内部迁
移到表面时,M位置数增加。
15
有效电荷:缺陷及其周围的总电荷减去理想晶体中同一区 域的电荷之差。
—— 对于自由电子和空穴:有效电荷等于实际电荷;
平衡常数为:
Ag
Vi
Ag
• i
VAg
K
[ Agi• ][VAg ] [ Ag ][Vi ]
令N为晶体中格位总数,Ni为间隙总数,即:
[VAg
]
[
Ag
• i
]
Ni
[Ag ] N Ni
对于大多数规则晶体结构,有:
[Vi ] N
仅与体系自身结构特性有关
23
因此,
K
N
2 i
N
2 i
(N Ni )(N ) N 2
13
缺陷反应方程式
1. 位置关系:在化合物 MaXb 中,M 位置的数目必须与 X
位置的数目成一个正确的比例;
2. 位置增殖:当缺陷发生变化时,有可能引入或消除空位, 相当于增加或减少点阵位置数,这种变化必须服从位置 关系;
—— 引起位置增殖的缺陷:VM,VX,MM,MX,XM, XX,等等;
—— 不引起位置增殖的缺陷: e’,h˙,Mi,Li,等等;
35
俘获空穴中心
通过俘获空穴而形成色心。
卤素蒸气中加热
NaCl
NaCl1+
Vk心:两个相 邻卤素离子俘
获一个空穴
H心:一列卤 素离子中插入 一个卤素原子
36
非整比晶体中的空位和填隙子
晶体结构缺陷
引起位置增殖的缺陷有:
– Vm, Vx, Mm, Mx, Xm, Xx
不发生位置增殖的缺陷有:
– e’, h., Mi, Xi
3、质量平衡: 缺陷方程的两边必须保持质量平衡 缺陷符号的下标只是表示缺陷位置, 对质量平衡没有作用 VM 为 M 位置上的空位,不存在质量。
4、电中性: 在缺陷反应前后晶体必须保持电中性 缺陷反应式两边必须具有相同数目总有 效电荷
各种缺陷生成难易比较 弗伦克尔缺陷 • 正离子 • 负离子
和产生原因等不同角度进行分类, 不同分类方法可能产生重叠交叉。
点缺陷
一、根据其对理想晶格偏离的几何位置 及成分划分
(1) 间隙原子 (2) 空位 (3) 杂质原子
1、间隙原子
原子或离子进入晶体中正常结点之间的间 隙位置,成为间隙原子(或离子)或填隙 原子(或离子)。 从成分上看,填隙质点可以是晶体自身的 质点,也可以 是外来 杂质的 质点
5、带电缺陷:
不同价离子之间的替代就出现带电 缺陷,如 Ca2+ 取代 Na+ 形成 Ca Na Ca2+ 取代 Zr4+ 形成
'' Ca Zr
6、错放原子:
MX 表示 M 原子被错放在X位置上
7、 缔合中心: 一个带电的点缺陷与另一个带相反电荷 的点缺陷相互缔合形成一组或一群新的缺陷, 它不是原来两种缺陷的中和消失,这种新缺 陷用缔合的缺陷放在括号内表示。
Y2O3 ' Y " i
在无机材料中,发生缺陷反应时以 质点取代(置换)的情况为常见
取代类别 正离子取 代 取代情况 缺 陷 带电性 负电 正电 正电 负电
晶体结构缺陷
单相
ABAmBn
两相或多相
A+B
固溶体的分类 按溶质原子在溶剂晶格中的位置分
取代(置换)型固溶体:溶质原子进入晶体中 正常格点位置 填隙型固溶体:杂质原子进入溶剂晶格中的间 隙位置 按溶质原子在溶剂晶体中的溶解度分 连续固溶体:溶质和溶剂可以按任意比例相互 固溶 有限固溶体:溶质只能以一定的限量溶入溶剂 溶质的溶解度与温度有关
规律
杂质正、负离子分别进入基质的正、负离子的 位置晶格畸变小。不等价置换时,产生间隙 质点或空位。 高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带 有有效正电荷产生正离子空位或间隙负离子。 低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带 有有效负电荷产生负离子空位或间隙正离子。
CaCl2溶解在KCl中
3. 离子的电价
离子价相同或离子价总和相等才能生成连续置换 型固溶体
Ca[Al2Si2O8]-Na[AlSi3O8] (Na1/2Bi1/2)TiO3-PbTiO3 4. 电负性
电负性相近,有利于固溶体的生成;电负性差别 大,倾向于生成化合物
Darkon椭圆:溶质与溶剂半径差15%、电负性 差0.4-椭圆内的系统,65%具有很大的固溶度
七、非化学计量化合物
定比定律:化合物中不同原子的数量要保持固定的 比例。
非 化 学 计 量 化 合 物 ( nonstoichometric compound):正负离子的比并非简单、固定的 值;组成和结构之间没有简单的对应关系 气氛的性质和分压 如:TiO2在还原气氛下形成TiO2-x(x=0-1) 空位;填隙原(离)子
溶入0.15的CaO,立方晶系、萤石结构,D 5.447 g cm3 ,a 0.513nm
ZrO2 CaO CaZr VO OO ,, ??? ZrO2 ,, 2CaO CaZr Cai 2OO 假设形成O 2-空位固溶体:
晶体结构缺陷
含量一般少于0.1%。
类型:置换式杂质原子和间隙式杂质原子
特征: 杂质缺陷的浓度与温度无关。
只决定于溶解度 杂质缺陷对材料性能的影响
3. 非化学计量结构缺陷
定义:指组成上偏离化学计量而形成的缺陷。 特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大 小而变化,它是产生n型和p型半导体的基础, 为一种半导体材料。 如: TiO2 x
离子尺寸因素
晶体结构类型
离子的电价因素
电负性因素
(1)离子尺寸因素
பைடு நூலகம்离子尺寸越接近,固溶体越稳定
15%规则:
r1 r2 r1
< 15%, 连续型固溶体MgO-NiO 15~30%,不连续型固溶体MgO-CaO > 30%,不形成固溶体
(2)晶体的结构类型
晶体结构类型相同,易形成连续型固溶体 例如:
1、 按杂质原子在固溶体中的位置分类
(1)置换型固溶体 杂质原子进入晶体中正常格点位置所生成的 固溶体。如:MgO-CaO,MgO-CoO,
PbZrO3-PbTiO3,Al2O3-Cr2O3等
(2)间隙型固溶体 杂质原子进入溶剂晶格的间隙位置所生成 的固溶体。
2、按杂质原子在晶体中的溶解度分类
1. 写缺陷反应方程式应遵循的原则
(1)位置关系 (2)质量平衡
(3)电中性
(1)位置关系
在化合物MaXb中,无论是否存在缺陷,其
正负离子位置数(即格点数)的之比始终是一
个常数a/b,即:
M位置数 a = X位置数 b
注意:
V、M X — —算位置 M i — —不算位置
位置增值、表面位置
热缺陷
杂质缺陷 非化学计量结构缺陷 其它:电荷缺陷,辐照缺陷……
晶体结构缺陷
4)溶质原子:LM表达L溶质处于M位置,SX表达S溶质处 于X位置。 例:Ca取代了MgO晶格中旳Mg写作CaMg, Ca若填隙在MgO晶格中写作Cai。
5)自由电子及电子空穴:自由电子用符号e′表达。电子空 穴用符号h·表达。它们都不属于某一种特定旳原子全部, 也不固定在某个特定旳原子位置。
VO••
3OO
1 2
O2
例2:CaCl2溶解在KCl中:
产生K空位 ,合 理
CaCl2 KCl CaK• VK' 2ClCl
CaCl2 KCl CaK• Cli' ClCl
Cl-进入填隙位, 不合理
CaCl2 KCl Cai•• 2VK' 2ClCl
Ca进入填 隙位,不合
理
例3:MgO溶解到Al2O3晶格内形成有限置换型固溶体:
荷。为了保持电中性,会产生阴离子空位或间隙阳离子; 2、高价阳离子占据低价阳离子位置时,该位置带有正电
荷,为了保持电中性,会产生阳离子空位或间隙阴离子。
举例:
例1:TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成TiO2-x旳反应能 够写为:
2TiO2
2TiT' i
VO••
3OO
1 2
O2
2Ti
4OO
2TiT' i
克罗格-明克符号系统
1、 缺陷符号旳表达措施 (以MX离子晶体为例) 1)空位:VM和VX分别表达M原子空位和X原子空位,V表达缺陷种类,
下标M、X表达原子空位所在位置。
VM〞=VM +2eˊ VX‥ = VX +2 h·
2)填隙原子:Mi和Xi分别表达M及X原子 处于晶格间隙位置 3)错放位置:MX表达M原子被错放在X位置上, 这种缺陷较少。
晶体结构缺陷
(a)空位
(弗仑克尔缺陷 和肖特基缺陷)
(b)杂质质点 (置换)
(c)间隙质点
图2-1
晶体中的点缺陷
2.线缺陷(一维缺陷)
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、 规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方 向较长,另外二维方向上很短。如各种位错 (dislocation),如图2-2所示。
线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密 切相关。
KCl . K
以负离子为基准,则缺陷反应方程式为
CaCl2 Ca VK '2ClCl
KCl . K
基本规律: 低价正离子占据高价正离子位置时, 该位置带有负电荷,为了保持电中性, 会产生负离子空位或间隙正离子。 高价正离子占据低价正离子位置时, 该位置带有正电荷,为了保持电中性, 会产生正离子空位或间隙负离子。
四、点缺陷的产生及其运动
1.点缺陷的产生
平衡点缺陷:热振动中的能力起伏。 过饱和点缺陷:外来作用,如高温淬火、辐照、冷加工
等。
2.点缺陷的运动(迁移、复合-浓度降低;聚集-浓度升
高-塌陷)
五、点缺陷与材料行为
(1)结构变化:晶格畸变(如空位引起晶格 收缩,间隙原子引起晶格膨胀,置换原子可引起 收缩或膨胀。)
(a)
(b)
图2-2 (a)刃位错 (b)螺位错
3.面缺陷
面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上 偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的 缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维 方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结 构等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。
图2-3
面缺陷-晶界
若Ca2+离子位于Na+离子位置上,其缺陷符号 为CaNa · ,此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位 置,带有一个单位正电荷。 2)CaZr 表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置,此缺陷 带有二个单位负电荷。 其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应 于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺 陷。
2.4晶体结构缺陷详解
缺陷方程
例3 写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式 •以正离子为基准,反应方程式为:
'' NaF → NaY YF3
阴离子空位型
. + FF + 2VF
•以负离子为基准,反应方程式为:
'' 3NaF → NaY YF3
阳离子填隙型
. + 3FF + 2 Nai
缺陷方程
例4 写出CaCl2加入到KCl中的缺陷反应方程式
缺陷方程
例2 AgBr形成弗仑克尔缺陷
半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其 格点上留下空位,方程式为: AgAg
. Ag i
+ V Ag
'
28
缺陷方程
2.杂质(组成)缺陷反应方程式
杂质(组成)缺陷反应──杂质在基质中的溶解过程
杂质进入基质晶体时,一般遵循杂质的正负离 子分别进入基质的正负离子位置的原则,这样基 质晶体的晶格畸变小,缺陷容易形成。在不等价 替换时,会产生间隙质点或空位。
域的光子能级,能吸收一定波长的光,使材料呈现某种颜色。
18
萤石CaF2(电子色心)
2.4.2 点缺陷
2.2.6缺陷化学反应表示法
Point Defect
1)点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号
Hale Waihona Puke 2)缺陷反应方程式的写法2.2 点缺陷
Point Defect
中性
1) 点缺陷的符号表征: Kroger-Vink 符号
2.4.2 点缺陷
2 热缺陷
Point Defect
定义:热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所 产生的空位或间隙质点(原子或离子)。 类型:弗仑克尔缺陷(Frenkel defect)和肖特基 缺陷(Schottky defect) 热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时,热缺陷浓度指 数增加
晶体结构缺陷
1围绕两个位错作伯格斯 回路,最后得伯氏矢量 若干? 2 围绕每个位错作伯格斯 回路,其结果如何?
1、位错线是杂质富集的地方 位错线附近,晶格是不完整的; 位错线上原子的价态是不饱和的,易吸引杂质原子。
2、位错是一个空位源,也是空位消除点 正、负位错相遇时可使空位消失也会产生更大的空位。
对位移或畸变、由伯格斯于1939年首先提出, 故称伯格斯矢量。
柏格斯矢量b
表征了位错的单位滑移距离, 其方向与滑移方向一致,
由伯格斯回路确定。
故:位错可定义为伯格斯矢量不为零的晶体缺陷。
b 0 b b b b
柏格斯矢量b的确定
额外的半片原子面
y
F
E
x
例7:图是晶体二维图形, 内含一个正刃型位错和 一个负刃型位错。
12 S
S K exp( G f / kT ) K
V K exp( 2kT )
G f
例 :(a) 在CaF2晶体中,Frankel缺陷形成能为2.8eV,
Schttky缺陷的生成能为5.5eV, 计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度?
其 缺 陷 符 号 为 Na Ca
含 义 :Ca 2 离 子 占 据 离 子 位 置 , 带 有 单 位 正 电 荷 。 Na 1个
缺陷反应方程式: 杂质 产生的各种缺陷
基质
2 书写点缺陷反应式的规则
位置关系
质量平衡 电中性 表面位置
3 缺陷反应实例
例:一块金黄色的人造 玉,化学分析结果认 , 黄 为 是 在 2 O 3中 添 加 了 .005molNiO和2 10 4 molCr2 O 3, Al 0 试 写 出 缺 陷 反 应 方 式置 换 型及 固 溶 分 子 式 。 程
晶体结构缺陷
第四部分晶体结构缺陷讨论晶体结构是,把整个晶体中所有原子都看成按理想的晶格电阵排列。
实际上,在真实晶体中,在高于0K的任何温度下,都多少存在着对理想晶体结构的偏离。
实际晶体都是非理想的,存在各种晶体结构缺陷。
晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域,这些缺陷的存在并不影响晶体结构的基本特征,只是晶体中少数原子的排列发生改变。
缺陷的存在及其运动规律、缺陷的数量及其分布对材料的行为起着十分重要的作用。
掌握缺陷的知识是掌握材料科学的基础。
4.1 点缺陷晶体结构缺陷有好几种类型,按其几何形状划分(偏离区域在三维空间的几何特征),可分为三大类型:点缺陷:缺陷在4个空间方向上的尺度均很小,尺寸在1-4个原子大小级别。
线缺陷:缺陷在4个空间方向上的尺度很小,另一方向的尺度很大。
一维缺陷,通常指位错。
面缺陷:缺陷在1个空间方向上的尺度很小,另4个方向的尺度很大。
二维缺陷,通常指晶界和表面。
三种缺陷中,点缺陷是最基本也是最重要的。
4.1.1 点缺陷的类型(1)根据对理想晶格偏离的几何位置及成分可划分为4种类型①空位:正常结点没有被原子或离子所占据,成为空结点。
(空穴)晶体中某结点的原子跳离,迁移到界面或跳到另一个位置。
最重要的点缺陷。
晶体结构中,少了原子,周围原子收缩,产生畸变。
多了原子,周围原子扩张,产生畸变。
这个畸变区域就是缺陷,宏观上看该区域,抽象为几何点。
②间隙原子(离子):原子或离子进入晶格正常结点之间的间隙位置,成为填隙原子或添隙离子。
③杂质原子:外来原子进入晶格成为晶体中的杂质。
置换杂质原子:杂质原子取代原晶格中的原子而进入正常结点位置。
间隙杂质原子:杂质原子进入本来没有原子的间隙位置。
杂质进入晶体可以看作一个溶解过程:杂质为溶质,原晶体为溶剂。
这种溶解了杂质原子的晶体称为固溶体。
(4)根据产生缺陷的原因也可划分为4种类型①热缺陷:当晶体的温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成缺陷。
3第三章-晶体结构缺陷
(2). 杂质缺陷 一般反应式: 杂质
CaCl2溶解在KCl中
• 每引进一个CaCl2分子,同时带进二个Cl-和一个Ca2+离子。1个Ca2+置
基质
产生的各种缺陷
换一个K+,但由于引入2个Cl-,为保持原有格点数之比K:Cl=1:1,必
2. 产生原因(cause of produce)
弗仑克尔缺陷
热缺陷 肖特基缺陷
由产生原因分类 杂质缺陷 非化学计量结构缺陷
(1) 热缺陷(thermal defect)
a. 定义:当晶体温度高于绝对0K时,由于晶格内原 子热振动,使一部分能量较大的原子偏离 平衡位置造成缺陷。 b. 特点:由原子热振动引起,缺陷浓度与温度有关。
• (3) 在同一晶体中生成弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷的能量往往 存在很大差别。 • (4) 缺陷形成能的大小与晶体结构、离子极化率等有关。 • NaCl型结构的离子晶体,生成一个间隙离子和一个空位缺陷 需要7~8 eV。所以即使温度到2000度,离子缺陷浓度也很小 • 对于CaF2晶体,F-离子生成弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷的形 成能分别为2.8 eV和5.5eV,所以晶体中以弗伦克尔缺陷为主。
b.特点:由气氛或压力变化引起,缺陷浓度与气氛性质、
压力有关。
[例] TiO2 晶体
Ti格点数 1 Ti原子数 1 TiO2 : ,如果 ,化学计量 O格点数 2 O原子数 2 Ti格点数 1 Ti原子数 1 TiO1.998 : ,但 ,非化学计量 O格点数 2 O原子数 1.998
V (V V ) VNa
材料科学基础晶体结构缺陷
1.淬火 高温时晶体中的空位浓度很高,经过淬火后,空 位来不及通过扩散达到平衡浓度,在低温下仍保持了较 高的空位浓度。
2.冷加工 金属在室温下进行压力加工时,由于位错交割 所形成的割阶发生攀移,从而使金属晶体内空位浓度增 加。
3.辐照 当金属受到高能粒子(中子、质子、α粒子、电子 等)辐照时,晶体中的原子将被击出,挤入晶格间隙中, 由于被击出的原子具有很高的能量,因此还有可能发生 连锁作用,在晶体中形成大量的空位和间隙原子。
四、点缺陷的运动
晶体中的点缺陷并不是固定不动的,而是处于不断的运动过程 中。
三种运动形式:
①空位周围的原子,由于热激活,某个原子有可能获得足够 的能量而跳入空位中,并占据这个平衡位置。这时,在该原 子的原来位置上,就形成了一个空位。这一过程可以看作空 位向邻近阵点位置的迁移(空位的运动)。
②由于热运动,晶体中的间隙原子也可由一个间隙位置迁移 到另一个间隙位置(间隙原子的运动)。
③在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入 该空位,而使两者都消失,这一过程称为复合。
图2-7 点缺陷运动示意图
五、点缺陷对晶体材料性能的影响 一般情形下,点缺陷主要影响晶体的物理性
质,如比容(specific volume)、比热容(specific
heat volume)、电阻率(resistivity)、扩散系数、
③只能在同时包含有位错线和滑移矢量的滑移 平面上滑移; ④位错周围点阵发生弹性畸变,有切应变, 也有正应变; ⑤在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原 子具有较大的能量。
b、间隙原子
处于晶格间隙中的原子即为间隙原子。在 形成弗仑克尔空位的同时,也形成一个间隙原 子,另外溶质原子挤入溶剂的晶格间隙中后, 也称为间隙原子,他们都会造成严重的晶体畸 变。间隙原子也是一种热平衡缺陷,在一定温 度下有一平衡浓度,对于异类间隙原子来说, 常将这一平衡浓度称为固溶度或溶解度。
晶体缺陷的三种形式
晶体缺陷的三种形式晶体缺陷(crystal defects)是指晶体内部结构完整性受到破坏的所在位置。
按其延展程度可分成点缺陷、线缺陷和面缺陷。
在理想完整的晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。
但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。
这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。
晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。
又称晶格缺陷。
表现为晶体结构中局部范围内,质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。
根据错乱排列的展布范围,分为下列3种主要类型。
①点缺陷,只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。
它包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙;由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等(图1)。
在类质同象混晶中替位是一种普遍存在的晶格缺陷。
图1②线缺陷—位错位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构,可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。
滑移不贯穿整个晶格,晶体缺陷到晶格内部即终止,在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界处造成质点的错乱排列,即位错。
这个分界外,即已滑移区和未滑移区的交线,称为位错线。
位错有两种基本类型:位错线与滑移方向垂直,称刃位错,也称棱位错;位错线与滑移方向平行,则称螺旋位错。
刃位错恰似在滑移面一侧的晶格中额外多了半个插入的原子面,后者在位错线处终止(图2)。
螺旋位错在相对滑移的两部分晶格间产生一个台阶,但此台阶到位错线处即告终止,整个面网并未完全错断,致使原来相互平行的一组面网连成了恰似由单个面网所构成的螺旋面。
图2③面缺陷,是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。
主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面,如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。
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第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。
【解】 MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:????该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。
【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。
【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。
【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F-离子位于基质晶体中F-离子的位置上。
按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。
反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。
????再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。
根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:????此方程亦满足上述3个原则。
当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。
【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。
【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:????以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:????这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。
【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:????(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。
为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。
????(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。
为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。
【例3-5】 TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成非化学计量化合物TiO2-x,写出缺陷反应方程式。
【解】非化学计量缺陷的形成与浓度取决于气氛性质及其分压大小,即在一定气氛性质和压力下到达平衡。
该过程的缺陷反应可用或方程式表示,晶体中的氧以电中性的氧分子的形式从TiO2中逸出,同时在晶体中产生带正电荷的氧空位和与其符号相反的带负电荷的来保持电中性,方程两边总有效电荷都等于零。
可以看成是Ti4+被还原为Ti3+,三价Ti占据了四价Ti的位置,因而带一个单位有效负电荷。
而二个Ti3+替代了二个Ti4+,Ti∶O由原来2∶4变为2∶3,因而晶体中出现一个氧空位,带二个单位有效正电荷。
【例3-6】假定把一个Na原子从钠的晶体内部移到边界上所需的能量是1ev,计算定温时(300K)的肖特基空位浓度。
【解】∵=1ev=1××10-19J????∴=exp(-)=×10-15%【例3-7】在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度;如果MgO 晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势请说明原因。
【解】(1)根据MX型晶体中肖特基缺陷浓度公式:????已知:????当T=25℃=298K及T=1600℃=1873K时,????????????(2)在MgO中加入Al2O3的杂质缺陷反应为:????此时产生的缺陷为[]杂质,而[Al2O3]=[]杂质?????当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为 []杂质=[Al2O3]=10-6????由(1)计算在1873K时,[]热=8×10-9????所以:[]杂质>[]热,即1873K时杂质缺陷占优势。
【例3-8】许多晶体在高能射线照射下产生不同的颜色,经退火后晶体的颜色又消失,试解释原因。
【解】可通过“色心”的概念来解释。
“色心”是由于电子补偿而引起的一种缺陷。
一些晶体受到X射线、γ射线、中子或电子辐照,往往会产生颜色。
例如,金刚石用电子轰击,产生蓝色;石英在反应堆中用中子辐照以后,产生棕色。
这些颜色的产生是由于辐照破坏晶格,并产生各种类型的点缺陷的缘故。
为在缺陷区域保持电中性,过剩的电子或过剩正电荷(电子空穴)就处在缺陷的位置上,与原子周围的电子具有一系列分离的允许能级一样,束缚在点缺陷上的电荷,也具有这样的一组能极。
这些允许能极相当于在可见光谱区域的光子能级。
因而,在缺陷位置上也就能吸收一定波长的光,这样材料就出现某种颜色。
把这种经过辐照而变色的晶体加热,能使缺陷扩散而消失或产生复合,使辐照破坏得到修复,晶体失去颜色。
【提示】研究最详细的色心是F-色心(F-centre)(由德语Farbe-Colout而得),当碱金属卤化物晶体在碱金属蒸汽中加热,然后快速淬火时,就产生F-色心。
例如,NaCl在Na蒸汽中加热得到黄棕色。
当NaCl晶体被加热时,Na扩散到晶体的内部,以过剩的Na+离子存在。
由于缺乏C1-离子,过剩的Na+离子将伴随相当数目的氯离子空位。
为了保持电中性,从Na来的一个价电子被吸引到负离子空位上,并在那里被捕获(正象在理想晶体中,一个价电子将被一个C1原子所吸引,生成一个C1-离子一样)。
因此,F-色心是由一个负离子空位和一个在此位置上的电子组成的。
它是一个陷落电子中心(captured traopped-electron centre),F-色心如教材图3-11所示,F-色心也就是捕获了电子的负离子空位。
前面曾提到负离子空位带正电荷,对于氯离子空位是带一个正电荷,现在它又捕获了一个电子,因此,F-色心的构造很象一个氯原子。
【例3-9】在MgO-Al2O3和PbTiO3-PbZrO3,哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶体为什么【解】(1)MgO-Al2O3只能形成有限固溶体。
????原因:MgO与Al2O3的结构类型不同,虽然可以通过不等价离子代换并且形成空位来平衡电荷以形成置换型固溶体,但是置换量总是有限的。
固溶方程:Al2O3 2 Al+3O+V????固溶体分子式为:Mg1-3x Al2x O(2)PbTiO3-PbZrO3能形成完全互溶的置换型固溶体。
????原因:1)结构类型相同????2)=,,= nm????=×100%=%<15%【例3-10】将CaO外加到ZrO2中去生成固溶体,具有立方萤石结构,试验测定:当溶入量为时,晶胞常数a=,密度D=cm3。
试通过计算判断生成哪种类型固溶体(置换性型或间隙型)。
已知:原子量 Ca ,Zr? , O【解】(1)设形成置换型固溶体????则:CaO++????固溶体分子式为:Zr1-x Ca x O2-x,x=????即:????置换型固溶体的密度为:????D1===cm3????其中M——置换型固溶体的分子量????——阿佛加德罗常数????(2)又设形成间隙型固溶体????则CaO++????固溶体分子式为:????????? x=????即:????形成间隙型固溶体的密度为:????D2===cm3 ????将计算结果与实验测定结果比较D1更接近于实测值,所以生成置换型固溶体。
【例3-11】非化学计量化合物Fe x O中,Fe3+/Fe2+=,求Fe x O中空位浓度及x值。
【解】非化学计量化合物Fe x O,可认为是a(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:a??????????? 2a????? a????此固溶体(非化学计量化合物)的组成为:????已知:Fe3+/Fe2+=????则:??? a=??? ?x=2a+(1-3a)=1-a=????又????正常格点数N=1+x=1+=????空位浓度为????(热缺陷浓度可忽略不计)【例3-12】非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的压,非化学计量化合物及的密度将发生怎样的变化增大减小为什么【解】化学计量化合物Fe1-x O,是由于正离子空位,引起负离子过剩????按质量作用定律,平衡常数得:????即:铁空位浓度和氧分压的次方成正比,故当周围氧分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-x O的密度也将减小。
化学计量化合物Zn1+x O,由于正离子填隙,使金属离子过剩:????按质量作用定律:得:????即:间隙离子的浓度与氧分压的次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+x O的密度也减小。
【例3-13】试确定面心立方晶体在()[110]滑移系统滑移时的伯氏矢量。
【解】晶体在()[110]滑移系统滑移时,其滑移矢量在[110]晶向上。
从任一原子位置向前方另一原子位置引出的矢量,也就是从晶胞坐标原点[0,0,0]向(001)晶面的晶胞面心[1/2, 1/2,0]所引出的矢量。
该矢量在晶胞坐标轴X、Y、Z三轴上的分量依次为a/2、a/2、0,因此,用它表示的伯氏矢量的符号为:b,此即位错的单位滑移矢量。
【提示】对于面心立方晶体而言,其密排面的密排方向在面对角线方向,因此,晶体滑移时,每次滑移的距离即为面对角线的一半,即。
这与滑移矢量b的模的大小是一致的。