制备重结晶碳化硅用α-SiC微粉的表面改性

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8 ] 解反应, 其热分解反应 [ 如下:
。借鉴这一思路, 在本研
究中, 将聚醚改性聚二甲基硅烷( P M P D M S ) 与α S iቤተ መጻሕፍቲ ባይዱC 微 粉按一定比例充分混合, 经过适当的热处理后, 拟在 S i C 微粉表面紧密附着上一层纳米级的 S i C颗粒, 以 α 达到有效降低重结晶碳化硅材料烧结温度的目的。
- 1 4° ·m i n , 取点步长 0 . 0 2° ) , 用基本强度对比法进
由于热处理温度仅为 14 0 0℃, 因此可进一步断定此 S i C为 β S i C 。
图2 表面改性前后 B C微粉的 X R D图谱 4 F i g . 2X R Dp a t t e r n so f B Cp a r t i c l e sb e f o r ea n da f t e r s u r f a c e 4 mo d i f i c a t i o n
4 3 1 2 0 1 1 / 6 耐火材料 / R E F R A C T O R I E S
耐火材料 / N A I H U OC A I L I A O 2 0 1 1年第 4 5卷
2 - 1 的B E T为 2 . 1 3 74m ·g , 而表面改性后 α S i C微
X R D定量分析结果( 图略) 表明, 表面改性后 α S i C 的主衍射峰半峰宽略有变大, S i C ( 6 H ) 的质量分数由改 性前的 9 4 %降低到改性后的 9 2 %, 而S i C ( 1 5 R ) 的体积 %上升到改性后的 6 %。这表明, 表 分数由改性前的 4 面改性后 α S i C微粉的相组成发生了一定的改变。 2 . 3 表面改性前后 α S i C微粉的比表面积变化 比表面积测试结果显示, 表面改性前 α S i C微粉

- 1
3 结论
( 1 ) 包覆在基材表面的聚醚改性聚二甲基硅烷 P M P D M S ) 在本试验确定的热处理条件下可以生成 ( S i C 。 β ( 2 ) 与表 面 改 性 前 的 α S i C微 粉 相 比, 表面改 S i C微粉 相 组 成 发 生 一 定 改 变, 比表面积增 性后 α 大, 用 其 制 成 的 烧 结 块 的 密 度 增 大, 显微结构更加 致密。 参考文献
利用化学方法对 α S i C粉体进行表面改性方面, 但均不
6 ] 能提高其烧结活性, 降低重结晶碳化硅的烧结温度[ 。
以聚二甲基硅烷( 简称 P D M S ) 为原料合成聚碳硅 烷( 简称 P C S ) , 然后以 P C S为先驱体制备 S i C纤维的 方法已获得了商业成功
[ 7 - 9 ]
行定量分析, 研究其相组成变化。 采用 A S A P 2 0 2 0比表面积分析仪检测表面改性 前后 α S i C微粉的比表面积。为了增加可比性, S i C α 原粉也采用上述热处理工艺处理后再检测。 S i C微粉加入适当的结 分别将表面改性前后 α 合剂混匀后压制成饼状试样, 在高温节能管式炉内 ( 氮气保护) 于 22 5 0℃保温 2h烧结, 冷却后检测其 J E O L ) J S M- 6 4 6 0 L V型扫描电镜观 体积密度, 并采用( 察烧结块的显微结构。 1 . 4 生成 β S i C微晶的判断 S i C的同素异构体繁多, 目前已发现的就有上百 S i C颗粒表面生成的 β S i C很微 种。因本研究在 α 量, 粒度也极其微小, 二者的衍射主峰完全重合无法 E M 等来确认 α S i C颗 分离; 而采用其他测试手段如 S 粒表面是否生成 β S i C也很难令人信服。因此, 本研 究采用化学性质非常稳定的 B C微粉来替换 α S i C 4 微粉作为基体材料, 按照与 α S i C微粉表面改性完全 / M A X - 2 5 0 0型 X射 相同的工艺进行处理, 然后采用 D 线衍射仪( 辐射源 C u , 石墨单色器滤波, 电压 4 0k V , 电
- 1 采用 Z R Y - Z P型综合热分析仪, 以1 0℃ · m i n
原位生成
3h , 使P M P D M S 热分解后, 继续升温至 14 0 0℃ 并保
男, 1 9 6 3年生, 副教授。 孟昭: E m a i l : m o o n s h o w 1 9 6 3 @1 6 3 . c o m 收稿日期: 2 0 1 1 - 0 5 - 1 2
- 1 为: 以 5℃·m i n 的升温速度升温至 3 0 0℃, 并保温
N , 4 2 0℃ 2
1 试验
1 . 1 原料 试验原料有: S i C微粉, 潍坊亚太密封件有限公 α 司生产, w ( S i C )> 9 8 %, d 2μ m ; 聚醚改性聚二甲基 5 0= 硅烷( 简称 P M P D M S ) , 青岛兴业有机硅新材料有限公 司生产, 为无色半透明黏稠液体; 高纯 B C粉末, d 4 5 0= 2μ m ; 氮气, ( N )= 9 9 . 9 9 %。 φ 2 1 . 2 热处理工艺的确定

P M P D M S 气体 + 液态产物 + P C S ) , → 热解产物( 而溶入水中的 P M P D M S的分解温度则降低到 2 0 0~ 3 0 0℃。因此确定, 在加热到 3 0 0℃ 左右时保温一段 时间, 以确保 P M P D M S 充分发生热分解。 文献[ 9 ] 表明, 聚碳硅烷( P C S ) 在7 5 0℃ 左右基 0 0℃以上变为 β S i C微晶: 本裂解完成, 到 10 P C S S i C ( 微晶) 。 → β S i C颗粒表面 本研究的目的在于确认包覆在 α 的P M P D M S热处理后能否原位生成 β S i C微粒。因 此, 包覆 P M P D M S后 α S i C微粉的热处理工艺确定
图1 P M P D M S 及其 3 0 %( w ) 水溶液的微商热重曲线 F i g . 1D T Gc u r v e so f P MP D MSa n di t s 3 0 %a q u e o u ss o l u t i o n
从图 1可以看出, P M P D M S 在约 4 2 0℃ 发生热分
温 3h , 随炉冷却至 6 0 0℃, 取出自然冷却。以上热处 理过程均在 N 2 保护条件下进行。 1 . 3 α S i C微粉的表面改性及表征 称取 α S i C微粉 4 0 0g , 加入 P M P D M S 液体 1 0 0g 和去离子水 3 0 0g , 用搅棒搅拌均匀, 置于烘箱内, 于 1 2 0℃烘干 1 2h后取出碾碎, 放入刚玉坩埚内, 置入 R X 1 6 - 1 0× 6 0 - E F I 型高温管式炉中, 按前面确定的 热处理工艺进行热处理。 M A X- 2 5 0 0型 X 射 线 衍 射 仪 ( 辐射源 采用 D/ C u , 石墨单色器滤波, 电压 4 0k V , 电流 2 0 0m A ) 对表 S i C微粉进行 X R D分析( 扫描速率 面改性前后的 α
步长 0 . 0 2° ) , 以判断包覆在 B C微粉表面的P M P D M S 4 在热 处 理 过 程 中 是 否 形 成 了 β S i C 。 同 时, 采用 J E O L ) J S M- 6 4 6 0 L V型扫描电镜观察表面改性前后 ( B C微粉的显微结构, 并进行微区成分分析。 4
洞明显减少, 这是表面改性后 α S i C微粉的烧结活性 提高所致。
E T为 2 . 5 0 38m ·g , 比表面积有所增大。 粉的 B 2 . 4 表面改性前后 α S i C微粉烧结块的密度和显微 结构变化 经测定, 表面改性前 α S i C微粉烧结块的密度约 . 8g ·c m-3, 而表面改性后 α S i C微粉烧结块的 为2 密度约为 3 . 0 8g ·c m-3, 有所提高; 从烧结块的 S E M 照 片( 见图4 ) 也可以看出, 前者空洞较多, 而后者空
图3 表面改性前后 B C微粉的 S E M 照片 4 F i g . 3S E Mp h o t o g r a p h so f B Cp a r t i c l e sb e f o r ea n da f t e r 4 s u r f a c emo d i f i c a t i o n
2 . 2 表面改性前后 α S i C微粉的相组成变化
2 结果与讨论
2 . 1 表面改性 B C微粉表面 β S i C的生成 4 表面改性前后 B C微粉的 X R D图谱见图 2 。可 4 M P D M S的 B C微粉热处理后在 以看出, 表面包覆 P 4 2 = 3 5 . 8° 附近有一个又尖又窄的 S i C衍射峰出现, θ 而B C原粉则没有, 因此可以判断包覆在 B C微粉表 4 4 M P D M S 在热处理过程中生成了一定量的 S i C 。 面的 P
1 ] ℃左右高温下制备的一种高温结构陶瓷 [ , S i C粉 α 2 - 4 ] 体烧结活性低是制备的瓶颈 [ 。重结晶碳化硅窑
具是现代窑具中较先进的一种, 其生产主要利用凝胶 注模成型工艺, 要求所用料浆沉降分层小, 固含量高,
5 ] 。目前, 关于 α S i C料浆的研究主要集中在 黏度低[
- 1 0 0m A ) 进行 X R D分析( 扫描速率 4° ·m i n , 取点 流2
表面改性前后 B C微粉的 S E M 照片见图 3 。可 4 B C原粉颗粒的表面比较光滑, 而包覆处理 以看出, 4 后B C颗粒表面附着有大量的微小颗粒; 经E D S成 4 i C 。 分测试确认, 这些微小颗粒的成分为 S
4 3 0~ 4 3 2
0 1 1年 1 2月 2 5 卷第6 期 第4
制备重结晶碳化硅用 α S i C微粉的表面改性
孟 昭 杜 珊 张向涛
西安科技大学 材料科学与工程学院 陕西西安 7 1 0 0 5 4 摘 要 将聚醚改性聚二甲基硅烷( P M P D M S ) 与α S i C微粉按一定比例充分混合, 于1 2 0℃ 烘干 1 2h后碾碎, 然后分析其相组成、 比表面积、 烧结块密度及其 放入刚玉坩埚内, 在N 2 保护下以一定的加热制度进行热处理, 显微结构的变化; 同时以 B C微粉取代 α S i C微粉做同样处理后进行 X R D和 S E M 分析, 以确定包覆在 B C微 4 4 M P D M S 在热处理过程中是否生成了 β S i C 。结果表明: 1 ) 包覆在 B C微粉表面的 P M P D M S在试验 粉表面的 P 4 S i C ; 2 ) 表面改性后 α S i C微粉相组成发生一定改变, 比表面积增大, 用其制成 确定的热处理条件下可以生成 β 的烧结块的密度增大, 显微结构更加致密, 表明其烧结活性增强。 关键词 重结晶碳化硅, S i C , 表面改性, 聚醚改性聚二甲基硅烷( P M P D M S ) α 重结晶碳化硅是以高纯度 α S i C为原料在 24 0 0
的升 温 速 度, 对 P M P D M S和 加 入 3 0 %( w )水 的 P M P D M S 水溶液进行差热分析, 结果见图 1 。
编辑: 张子英
4 3 0N A I H U OC A I L I A O/ 耐火材料
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第 6期 孟 昭, 等: 制备重结晶碳化硅用 α S i C微粉的表面改性 2 0 1 1年 1 2月
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