晶体管放大电路 题库
基本放大电路习题(含问题详解)
得电路的电压增益AV为_____。 A. -85.7 B. 78 C. 80 D. 60
则 和RW之和Rb＝≈kΩ;
而若测UCEQ＝6V, 则Rc＝≈kΩ。
（2）若测得输入电压有效值 =5mV时，输出电压有
效值 ＝0.6V， 则电压放大倍数 ＝≈。 图4.3
若负载电阻RL值与RC相等，则带上负载后输出电压有效值 ＝＝V。
4、已知图4.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载
10 根据放大电路的组成原则，在下图5所示各电路中只有图_________具备放大条件。
A. a) B. b) C. c) D. d)
图5
11在下图6所示的各放大电路中，能实现正常放大的电路是_________。
图6
12在如图7所示射级偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于______。
用小信号模型可计算Ri为_________。A. 0.852kΩ B. 0.6kΩ C. 10kΩ D. 2.5kΩ
用小信号模型可计算Ro为_________。A. 2kΩ B. 1kΩ C. 1.5kΩ D. 2.5kΩ
19图14所示由PNP型锗三极管组成的共射放大电路的β=150，VCES=0.2V,用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为________。 A. -158 B. 78 C. -180 D. 120
A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共极输入特性 D.共基极输出特性
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
基本放大电路习题(含答案)
基本放大电路习题（含答案）一、选择题A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真3晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性4在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是A．饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真5对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大，B.减小，C.不变)，选择正确的答案填入空格。
1).Rb减小时，输入电阻Ri2).Rb增大时，输出电阻Ro3).信号源内阻R增大时，输入电阻Ri4).负载电阻RL增大时，电压放大倍数|Au||Uo|U5).负载电阻RL减小时，输出电阻Ro6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小7．三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的倍.A.aB.1+βC.β8．如图1所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
如图2所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
如图3所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
A.放大区B.饱和区C.截止区图1图2图3图49如图4所示放大电路中，①若Rb=100kΩ，Rc=1.5kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于_________；A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.倒置工作状态②集电极电阻Rc的作用是_________；A.放大电流B.调节IBQC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节ICQ③用直流电压表测得VCE≈VCC，可能是因为______；A.Rb开路B.RL短路C.Rc开路D.Rb过小④若VCC≈12V,Rc＝2kΩ,IC计算值为1mA，用直流电压表测得VCE＝8V，这说明_______；A.工作正常B.三极管c－e极间开路C.三极管b－e极间开路D.电容C2短路⑤当Rc、Rb的参数分别为_________时，该电路的静态工作点处在放大区，β=100；A.5.6kΩ,10kΩB.5.6kΩ,510kΩC.5.6kΩ,1MΩD.100kΩ,1MΩ⑥若仅当Rb增加时，VCEQ将______；若仅当Rc减小时，VCEQ将______；若仅当RL增加时，VCEQ将_____；若仅当β减小（换三极管）时，VCEQ将_____。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
模拟电子技术基础(半导体晶体管及放大电路基础)期末单元测试及答案
一、单选题1、晶体管能够放大的外部条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏正确答案：B2、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的 为（）。
A.60B.100C.50D.40正确答案：A3、温度升高，晶体管输入特性曲线（）。
A.左移B.右移C.不变D.无法判断正确答案：A4、当晶体管的集电极电流I C>I CM时，下列说法正确的是（）。
A.晶体管一定处于饱和状态B.晶体管一定被烧毁C.晶体管的 一定减小D.晶体管的P C>P CM正确答案：C5、测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管（）。
A.已损坏B.处于饱和状态C.截止状态D.放大状态正确答案：A6、对于电压放大器来说，（）越小，电路带负载的能力越强。
A.输入电压B.输入电阻C.电压放大倍数D.输出电阻正确答案：D7、一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压u i的幅度时，输出电压u o的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应（）。
A.减小R BB.减小V CCC.增大R CD.减小R C正确答案：D8、晶体管电路如图所示，已知各晶体管的β=50。
试分析电路中晶体管的工作状态。
（）A.截止B.饱和C.放大D.倒置正确答案：C9、在放大电路中，直流负反馈可以（）。
A.稳定电路的静态工作点B.提高放大电路的输入电阻C.提高晶体管电流放大倍数的稳定性D.提高放大电路的放大倍数正确答案：A10、已知图示放大电路中的R B=100kΩ，R C=1.5kΩ，V CC=12V,晶体管的β=80，V BE=0.6V。
那么，该晶体管处于何种状态？（）A.饱和状态B.放大状态C.无法判断D.截止状态正确答案：A11、已知图示放大电路中的R B=100kΩ，R C=1.5kΩ，V CC=12V,晶体管的V BE=0.6V。
晶体三极管及放大电路练习题
11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V一定时，晶体三极管及放大电路练习题CE与之间的关系。
填空题一、12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,区。
当三1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______还需输入信号。
13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的；______区时，关系式IC=IC=0______区时，βIB才成立；当三极管工作在极管工作在基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R，使B0。
______当三极管工作在区时，UCE≈其，则I ，这样可克服失真。
B14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
极电位最______、2NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是，______15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的低。
较大变化。
必须正________________PN3、晶体三极管有两个结，即________和，在放大电路中16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极偏，________反偏。
为输出端。
随温度升4、晶体三极管反向饱和电流，穿透电流ICEO________ICBO随温度升高而18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V=1V,V=1.7V,V=1.2V。
可判定该三极管CEB是工作于区的型的三极管。
高而________。
，β值随温度升高而________19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，，锗三极管发射结的死区电压约为________V5、硅三极管发射结的死区电压约为试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________Vb．管型是（NPN，PNP）；。
放大电路试题及答案
放大电路试题及答案一、选择题1. 放大电路的基本功能是什么？A. 信号的放大B. 信号的滤波C. 信号的调制D. 信号的解调答案：A2. 以下哪种放大电路不是基本的放大电路类型？A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路D. 共阻放大电路答案：D二、填空题1. 放大电路的增益是指输出信号与______的比值。
答案：输入信号2. 理想运算放大器的输入电阻是______。
答案：无穷大三、简答题1. 简述共射放大电路的工作原理。
答案：共射放大电路是一种使用NPN或PNP晶体管的放大电路，其中发射极与输入信号相连，集电极与输出信号相连，基极用于控制晶体管的导电状态。
当基极电压增加时，晶体管导电能力增强，从而放大输入信号。
四、计算题1. 假设有一个共射放大电路，其晶体管的β值为100，输入信号电压为10mV，求输出信号电压。
答案：由于晶体管的β值为100，即电流增益为100，输入信号电流为10mV / V_BE（V_BE是晶体管的基极-发射极电压，通常为0.7V），则输出信号电流为100 * (10mV / 0.7V)。
假设集电极电阻为R_C，则输出信号电压为I_C * R_C，其中I_C是输出信号电流。
五、分析题1. 分析共集放大电路与共射放大电路在信号放大方面的主要差异。
答案：共集放大电路和共射放大电路的主要差异在于信号的放大方式和应用场景。
共集放大电路通常用于电压跟随器，其电压增益接近1，但电流增益较高，适用于电流放大。
而共射放大电路则具有较高的电压增益和较低的电流增益，适用于电压放大。
此外，共射放大电路的输入阻抗较高，输出阻抗较低，适合作为信号源或驱动后续电路。
《晶体管放大电路》练习题及答案
《晶体管放大电路》练习题及答案1.晶体管能够放大的外部条件是 (C)A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结反偏2. 当晶体管工作于饱和状态时,其 (A)A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结反偏3.对于硅晶体管来说其死区电压约为 (B)A.0.1VB.0.5VC.0.7V4.储晶体管的导通压降|UBE|为 (B)A.0.1VB.0.3VC.0.5V5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的β为（C）A.40B.50C.606.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（A）A.越好B.越差C.一样7.与储晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（A）A.高B.低C.一样8.温度升高，晶体管的电流放大系数（A）A.增大B.减小C.不变9.温度升高，最体管的管压降|UBE|（B）A.升高B.降低C.不变10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时__C___极的电位最低。
A.发射极B.基极C.集电极11.温度升高，晶体管输入特性曲线（B）A右移B.左移C.不变12.温度升高，最体管输出特性曲线（A）A.上移B.下移C.不变13.对于电压放大器来说，（B）电阻越小，电路的带负载能力越强。
A.输入电阻B.输出电阻C.电压放大倍数14.（单选题5.0分）测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为（B）A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管15.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管（C）A.处于饱和状态B.放大状态C.截止状态D.已损坏16.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位（B）A.同相B.反向C.相差90度18.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是（A）失真。
电工电子专业(放大电路部分)测试题(有答案)
2020级第二学期电工电子专二期中考试(放大电路部分)一、选择(每题2分，共100分)1.已知基本放大电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A.增大电阻R BB.减小电阻R BC.改变电阻R CD.改变电源电压V CC2.在晶体管放大电路中，晶体管最高电位的一端应该是（）A.PNP型集电极B.NPN型基极C.NPN型的发射极D.PNP型的发射极3.在一个单管共射接法的基本放大电路中，如果输入的信号电压是正弦波，而示波器观察到输出电压波形上部削顶，则此放大电路的静态工作点设置得（）A.偏低B.偏高C.正常D.无法判断4.电压放大器对输入输出电阻的要求是（）A.输入电阻大，输出电阻小B.输入电阻小，输出电阻大C.输入电阻小，输出电阻小D.输入电阻大，输出电阻大5.放大电路设置合适的静态工作点的目的是（）A.提高电压放大倍数B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.避免信号出现失真6.放大电路的静态是指（）A.输入交流信号幅值不变时的电路状态B.输入交流信号频率不变时的电路状态C.输入交流信号幅值为0时的电路状态D.输入端开路时的电路状态7.共发射极放大电路输出电压与输入电压在相位上相差（）A.－90°B.0°C.90°D.180°8.基本共射放大电路的负载电阻减小时，其电压放大倍数将（）A.增大B.减小C.不变D.与输入电压相关9.如果晶体管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体管（）A.集电极电流减小B.集电极电压U CE上升C.集电极电流增大D.发射极电流下降10.为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结正偏，集电结零偏D.发射结反偏，集电结反偏11.放大器外接负载电阻R L后，输出电阻R O将（）A.增大B.减小C.不变D.等于R L12.有些放大电路在发射极电阻旁并上电容C E，则C E的主要作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在R E上的损失C.改善输出电压的波形D.减少信号失真13.在三极管放大电路中，若输出信号既发生饱和失真，又发生截止失真，则原因（）A.静态工作点过高B.静态工作点过低C.输入信号幅度过大D.输入信号幅度过小14.NPN型三级管共射放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体管（）A.基极电流不变B.集电极对发射极电压U CE下降C.基极电流减小D.集电极对发射极电压U CE上升15.下面关于多级放大电路静态工作点说法正确的是（）A.阻容耦合互相影响B.变压器耦合互相影响C.直接耦合互相影响D.都不影响16.适用于功率放大的多级放大器耦合方式是（）A.阻容耦合B.电容耦合C.直接耦合D.变压器耦合17.关于射极输出器，错误叙述是（）A.电压放大倍数略小于1，电压跟随性好B.输入阻抗低，输出阻抗高C.具有电流放大能力和功率放大能力D.有电压串联负反馈18.射极输出器三极管的公共端是（）A.基极B.发射极C.集电极D.电源正极19.直流放大电路的特点是（）A.只能放大直流信号B.只能放大频率较低的交流信号C.只能放大频率较高的交流信号D.既能放大直流信号也能放大交流信号20.在画基本放大电路的交流通路时，电容C视作，直流电源V CC视作。
第2章晶体管及其基本放大电路自测题习题解案08829
第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。
主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。
（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。
PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。
2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为：B C E I I I +=② 工作于放大状态时B C I βI ≈B E )1(I βI +≈其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。
对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。
对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。
(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。
此时，各电极电位之间的关系：NPN管U C＞U B＞U EPNP管U C＜U B＜U E硅管的BEU约为0.2~0.4V。
U约为0.6~0.8V，锗管的BE3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。
(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。
(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
2.《电子技术基础》复习题-放大电路
《电子技术基础》复习题三极管放大电路一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内1、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（）。
(a) V E >V B，V C >V B，V E >V C(b) V E >V B，V C< V B，V E >V C(c) V B >V E，V B< V C，V E >V C2、在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是()。
(a)正确的(b)不正确的(c)耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
3、固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流I C将（）。
(a)增加(b)减少(c)基本不变4、分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容C E因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将()。
(a)增大(b)减小(c)不变5、对放大电路进行静态分析的主要任务是（）。
(a)确定电压放大倍数A u(b)确定静态工作点Q(c)确定输入电阻r i，输出电阻r o6、电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流I C减小，则应（〕。
(a) 保持U CC，R B一定，减小R C(b) 保持U CC，R C一定，增大R B(c)保持R B，R C一定，增大U CC7、放大电路如图所示，由于R B1，和R B2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）。
(a)适当增加R B2，减小R B1(b) 保持R B1不变，适当增加R B2(c) 适 当 增 加 R B1， 减 小R B2 (d) 保 持 R B2 不 变， 适 当 减 小 R B1+-o8、单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的( )。
/VCE/VCE /VCE图 2U CC图 1o (a (b ()c9、某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q 如图所示，欲使工作点移至 Q ' 需使( )。
第2章《自测题、习题》参考答案
第2章《自测题、习题》参考答案6 第2章自测题与习题参考答案第2章双极型晶体管及其基本放大电路自测题2.1填空题1．晶体管的穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的倍。
在选用管子时，一般希望ICEO尽量。
2．晶体管的电流放大作用是用较小的电流控制较大的电流，所以晶体管是一种控制器件。
3．某三极管的极限参数PCM?150mW，ICM?100mA，U(BR)CEO?30V，若它的工作电压UCE?10V，则工作电流IC不得超过mA；若工作电压UCE?1V，则工作电流不得超过______ mA；若工作电流IC?1mA，则工作电压不得超过______V。
4．根据题2.1.4图中各三极管的电位，分别填写出它们所处的状态。
（从左到右）______、______、______、______、______、______、______。
题2.1.4图5．题2.1.5图画出了固定偏置共射放大电路中的晶体管的输出特性曲线和直流、交流负载线。
由此可得出：（1）电源电压VCC?_____；（2）静态集电极电流ICQ?_____，管压降UCEQ?_____；（3）集电极电阻Rc?_____，负载电阻RL?_____；（4）晶体管的电流放大系数β?_____，进一步计算可得电压放大倍??_____（r??200Ω）数A；（5）放大电路bbu题2.1.5图模拟电子技术基础7的最大不失真输出正弦电压的有效值约为_____；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅应小于；（7）不产生失真时的最大输入电压的峰值为_____。
6．在晶体管放大电路中，集电极负载电阻Rc的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为放大作用。
7．在不带Ce的分压式稳定工作点放大电路中，已知晶体管β?100，rbb??300Ω，UBE?0.6V。
VCC?12V，Rb1?60kΩ，Rb2?20kΩ，电容C1、C2足够大，（1）静态工作点ICQ?_____，UCEQ?_____；（2）输入Rc?3.6kΩ，Re?2.4k Ω。
7章晶体管放大电路习题-94功率放大电路
7章晶体管放大电路习题-94功率放大电路第七章晶体管放大电路习题7.1选择正确答案填入空内。
（1）在某放大电路中，测得三极管处于放大状态时三个电极的电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是()。
A．NPN型硅管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．PNP型锗管（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的()。
A．输入电阻大；B．输入电阻小；C．输出电阻大；D．输出电阻小（3）某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k的负载电阻后输出电压降为3V。
这说明放大电路的输出电阻为()。
A．10k；B．2k；C．1k；D．0.5k（4）复合管如题图7.1.4所示，已知T1的130，T2的250，则复合后的约为()。
A．1500B．80C．50D．302题图7.1.4题图7.1.5（5）题图7.1.5中哪种组合电路构成PNP型复合管()？（6）电路如题图7.1.6所示，设晶体管T工作在放大状态，欲使静态电流IC减小，则应()。
(A)保持VCC、RB一定，减小RC;(B)保持VCC、RC一定，增大RB;(C)保持RB、RC一定，增大VCC+vo题图7.1.8（7）在题图7.1.6所示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应()。
A．减小C，减小RiB．减小C，增大RiC．增大C，减小RiD．增大C，增大Ri（8）放大电路如题图7.1.8所示，其中的晶体管工作在()。
(A)放大区(B)饱和区(C)截止区++vovo（9）如题图7.1.9所示的放大电路()。
(A)能稳定静态工作点(B)不能稳定静态工作点(C)不仅能稳定静态工作点且效果比接有射极电阻时更好。
(10)两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的()。
(A)输入电阻(B)信号源内阻(C)负载电阻(11)已知题图7.1.11所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降VCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。
放大电路练习题
判断下列各管子的管脚(各管均处于放大状态)2.如图所示的放大电路，已知r be=1k Q,求:(1)计算电路的静态工作点；(2)若要将V CEQ调整为8V,求R b的阻值应调为多大？(3)计算交流参数A v, r i, r o。
3•如图所示的放大电路中，晶体管的放大倍数B =60, r be=1k Q, Vauc =°.7V。
BEQ(1)计算电路的静态工作点；(2)若要将V CEQ调整为6V,求R b的阻值应为多大？(3) 计算交流参数A v , r i , r o。
放大电路练习题1.试判断下列各管子的管脚、管型和材料(各管均处于放大状态) O^=100描述放大器对信号电压的放大能力, 电流放大倍数电流增益放大器的功率增益定义式为（11.用来衡量小信号放大器的性能，其主要指标有:12 .放大器的基本分析方法主要有两种： _______________ 、 ____________ 。
对放大器的分析包括两部 分： ____________ 、 ___________ 。
13. 一放大器的功率放大倍数为1000，转换为功率增益为 ____________ 。
A. A p P OB. G p 20 lg A pC. G PD. G p 10lg A u 6. A.7.A. & 画放大电路的直流通路时应将电容器看作（ 开路 B .短路 C. .画放大电路的直流通路时应将直流电源看作（ 开路 B .短路 C. 在共射放大电路中，偏置电阻阻值增大，三极管的 ）电池组 A. V CE 减小 B . I C 减小 C . 电容器D.断路 D.断路I C 增大D.人增大9. A. 放大器外接一负载电阻后，输出电阻将（ 增大 B.减小 C.不变 D. 等于负载电阻10•放大倍数用对数形式来表示称为，其单位为4. A. C.5. 通常使用的性能指标是（ B.功率放大倍数 D.电压放大倍数）14•如图所示放大电路中，试求: (1) 静态工作点 (2) 计算交流参数(3) 若放大电路输入电压 V j 估算放大电路的输出电压。
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第七章晶体管放大电路习题
一、填空题
1、放大器在__________的状态称为静态，放大器在_________状态成为动态。
2、放大器根据输入回路和输出回路的所公用三极管电极不同，有__________、__________和__________三种基本接。
3、多级放大器各级之间采用的耦合方式有______________、______________、______________三种。
4、射极输出器就是共__________电路，它的主要特点是电压放大倍数约等于_____，且输出电压与输入电压________相。
5、画放大电路的直流通路时，把电容看成____________，画放大电路的交流通路时，把电容和内阻小的电源看成______________。
6、某多级放大器，第一级的电压放大倍数为50，第二级的电压放大倍数为40，第三级的电压放大倍数为50，则总的电压放大倍数为_________。
7、三极管的输出特性分为三个区域，当三极管工作于__________时，IC≈0；
当三极管工作于_________区时，关系式IC =βIB 才成立；当三极管工作在_________区时，VCE≈0
8、运算放大器是一种_____放大倍数的__________放大器。
9、理想集成运放电路中，开环电压放大倍数为__________，输入阻抗为__________，输出阻抗为__________。
（填∞或0）
10、运算放大器的反相输入端（标记“-”端），指当信号从该端输入时，经放大后的输出电压与输入信号_____相。
11、理想运放的两个重要结论是一是“虚短”，即两输入端的电位__________，二是“虚断”，即两输入断的电流_____________。
12、在放大电路中，从__________取出部分或全部已被放大的信号再回送到__________叫做反馈。
13、当反馈信号使净输入信号增强时成为__________反馈，使净输入信号减弱时称为__________反馈。
14、某固定偏置电路中，实测得三极管集电极电位VC≈VG,则该放大器的三极管处于工作状态。
15、表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有、和。
二、选择题
1、放大器的交流通路是指（）
A．电压回路B．电流通过的路径C．交流信号流通的路径D．电流回路
2、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是（）
A．NPN管发射极B．PNP管发射极C．PNP管集电极D．NPN管基极
3、电路如图所示，
（1）用直流电压表测得VCE≈VG是因为（）
A．Rb开路B．RC开路C．VG过大D．Rb短路
（2）用直流电压表测得VCE≈0是因为（）
A．Rb过大B．β过大C．RC短路D．Rb开路
（3）设VG=12V，RC=2 kΩ，计算得IC应为1mA，但用直流电压表测得VCE=8V，说明（）
A．工作正常B．晶体管击穿C．基极和发射极间短路D．C2短路
4、信号从基极和发射极输入，从集电极和发射极输出的连接方式称为（）。
A、共基极接法；
B、共集电极接法；
C、共发射极接法；
5、电压放大电路的空载是指（）。
A、RC=0
B、RC=∞
C、RL=∞
6、在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（）。
A、相位相同、幅度增大
B、相位相反、幅度增大
C、相位相同、幅度近似相等
三、判断题
1、（）若三极管的发射结反偏或零偏，则该三极管处于截止状态。
2、（）对于一个放大电路来讲，我们希望它的输出电阻越小越好，输入电阻越大越好。
3、（）晶体三极管放大电路接有负载RL后，电压放大倍数将比空载时提高。
4、（）共发射极电路也称为射极输出器，它具有很高的输入阻抗和很低的输出阻抗。
5、（）多级放大电路的电压放大倍数AU=AU1 AU2……AUn。
6、（）W7800系列表示是输出为正电压的集成稳压器。
7、（）放大倍数也可以用增益来表示。
8、（）电路有反馈时，称为闭环状态，无反馈时称为开环状态。
9、（）电容具有通直流隔交流的特性。
四、分析、计算题
1、判断图示电路能否起放大作用，若不能起放大作用，请说明原因。
2、试画出集成运算放大器的电路符号，并简述其结构特点。
3、如图所示放大电路，已知Vcc=+15V，Rb=286KΩ，Rc=5 KΩ，RL=5 KΩ，β=50，UBEQ=0.7V。
试求：
（1）请完成以下连线。
4%
偏置电阻Rb
输出耦合电容RL
输入耦合电容C1
负载电阻C2
1）、画出直流通路，估算静态工作点IBQ，ICQ，UCEQ；
2）、画出交流通路，并估算电压放大倍数AU。