可控硅数字功率控制器电流选型方法
PWM功率控制器
PWM功率控制器一功率控制器作用功率控制器功率控制器的作用：控制功率，从而间接的控制电流固态继电器需要特制功率控制器用以保护SSR固态继电器（Solid State Relay,缩写SSR），是由微电子电路，分立电子器件，电力电子功率器件组成的无触点开关。
用隔离器件实现了控制端与负载端的隔离。
固态继电器的输入端用微小的控制信号，达到直接驱动大电流负载。
1 无功补偿功率控制器作用是在电子供电系统中提高电网的功率因数，降低供电变压器及输送线路的损耗，提高供电效率，改善供电环境。
工作原理的话，可以通过对负荷的电压、电流、无功功率和功率因数等一堆东西进行实时跟踪测量，通过微机进行分析，计算出无功功率并与预先设定的数值进行比较，自动选择能达到最佳补偿效果的补偿容量并发出指令，由过零触发模块判断双向可控硅的导通时刻，实现快速、无冲击地投入并联电容器组。
二、数字功率控制器电流选型方法控制方法采样控制理论中有一个重要结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同.PWM控制技术就是以该结论为理论基础，对半导体开关器件的导通和关断进行控制,使输出端得到一系列幅值相等而宽度不相等的脉冲，用这些脉冲来代替正弦波或其他所需要的波形.按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制，既可改变逆变电路输出电压的大小，也可改变输出频率.PWM控制的基本原理很早就已经提出，但是受电力电子器件发展水平的制约，在上世纪80年代以前一直未能实现.直到进入上世纪80年代，随着全控型电力电子器件的出现和迅速发展，PWM控制技术才真正得到应用.随着电力电子技术，微电子技术和自动控制技术的发展以及各种新的理论方法，如现代控制理论，非线性系统控制思想的应用，PWM控制技术获得了空前的发展.到目前为止，已出现了多种PWM控制技术，根据PWM控制技术的特点，到目前为止主要有以下8类方法.等脉宽PWM法VVVF(Variable V oltage Variable Frequency）装置在早期是采用PAM(Pulse Amplitude Modulation）控制技术来实现的，其逆变器部分只能输出频率可调的方波电压而不能调压.等脉宽PWM法正是为了克服PAM法的这个缺点发展而来的，是PWM法中最为简单的一种.它是把每一脉冲的宽度均相等的脉冲列作为PWM波，通过改变脉冲列的周期可以调频，改变脉冲的宽度或占空比可以调压，采用适当控制方法即可使电压与频率协调变化.相对于PAM法，该方法的优点是简化了电路结构，提高了输入端的功率因数，但同时也存在输出电压中除基波外，还包含较大的谐波分量.随机PWM在上世纪70年代开始至上世纪80年代初，由于当时大功率晶体管主要为双极性达林顿三极管，载波频率一般不超过5kHz,电机绕组的电磁噪音及谐波造成的振动引起了人们的关注.为求得改善，随机PWM方法应运而生.其原理是随机改变开关频率使电机电磁噪音近似为限带白噪声（在线性频率坐标系中，各频率能量分布是均匀的），尽管噪音的总分贝数未变，但以固定开关频率为特征的有色噪音强度大大削弱.正因为如此，即使在IGBT已被广泛应用的今天，对于载波频率必须限制在较低频率的场合，随机PWM仍然有其特殊的价值；另一方面则说明了消除机械和电磁噪音的最佳方法不是盲目地提高工作频率，随机PWM技术正是提供了一个分析，解决这种问题的全新思路.SPWM法SPWM(Sinusoidal PWM）法是一种比较成熟的，目前使用较广泛的PWM法.前面提到的采样控制理论中的一个重要结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同.SPWM法就是以该结论为理论基础，用脉冲宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM波形即SPWM波形控制逆变电路中开关器件的通断，使其输出的脉冲电压的面积与所希望输出的正弦波在相应区间内的面积相等，通过改变调制波的频率和幅值则可调节逆变电路输出电压的频率和幅值.该方法的实现有以下几种方案.等面积法该方案实际上就是SPWM法原理的直接阐释，用同样数量的等幅而不等宽的矩形脉冲序列代替正弦波，然后计算各脉冲的宽度和间隔，并把这些数据存于微机中，通过查表的方式生成PWM信号控制开关器件的通断，以达到预期的目的.由于此方法是以SPWM控制的基本原理为出发点，可以准确地计算出各开关器件的通断时刻，其所得的的波形很接近正弦波，但其存在计算繁琐，数据占用内存大，不能实时控制的缺点.硬件调制法硬件调制法是为解决等面积法计算繁琐的缺点而提出的，其原理就是把所希望的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过对载波的调制得到所期望的PWM波形.通常采用等腰三角波作为载波，当调制信号波为正弦波时，所得到的就是SPWM波形.其实现方法简单，可以用模拟电路构成三角波载波和正弦调制波发生电路，用比较器来确定它们的交点,在交点时刻对开关器件的通断进行控制，就可以生成SPWM波.但是，这种模拟电路结构复杂，难以实现精确的控制.软件生成法由于微机技术的发展使得用软件生成SPWM波形变得比较容易，因此，软件生成法也就应运而生.软件生成法其实就是用软件来实现调制的方法，其有两种基本算法，即自然采样法和规则采样法.自然采样法以正弦波为调制波，等腰三角波为载波进行比较，在两个波形的自然交点时刻控制开关器件的通断，这就是自然采样法.其优点是所得SPWM波形最接近正弦波，但由于三角波与正弦波交点有任意性，脉冲中心在一个周期内不等距，从而脉宽表达式是一个超越方程，计算繁琐，难以实时控制.规则采样法规则采样法是一种应用较广的工程实用方法，一般采用三角波作为载波.其原理就是用三角波对正弦波进行采样得到阶梯波，再以阶梯波与三角波的交点时刻控制开关器件的通断，从而实现SPWM法.当三角波只在其顶点（或底点）位置对正弦波进行采样时，由阶梯波与三角波的交点所确定的脉宽，在一个载波周期（即采样周期）内的位置是对称的，这种方法称为对称规则采样.当三角波既在其顶点又在底点时刻对正弦波进行采样时，由阶梯波与三角波的交点所确定的脉宽，在一个载波周期（此时为采样周期的两倍）内的位置一般并不对称，这种方法称为非对称规则采样.规则采样法是对自然采样法的改进，其主要优点就是是计算简单，便于在线实时运算，其中非对称规则采样法因阶数多而更接近正弦.其缺点是直流电压利用率较低，线性控制范围较小.以上两种方法均只适用于同步调制方式中.低次谐波消去法低次谐波消去法是以消去PWM波形中某些主要的低次谐波为目的的方法.其原理是对输出电压波形按傅氏级数展开，表示为u （ωt)=ansinnωt，首先确定基波分量a1的值，再令两个不同的an=0,就可以建立三个方程，联立求解得a1,a2及a3，这样就可以消去两个频率的谐波.该方法虽然可以很好地消除所指定的低次谐波，但是，剩余未消去的较低次谐波的幅值可能会相当大，而且同样存在计算复杂的缺点.该方法同样只适用于同步调制方式中.梯形波与三角波比较法前面所介绍的各种方法主要是以输出波形尽量接近正弦波为目的，从而忽视了直流电压的利用率，如SPWM法，其直流电压利用率仅为86.6%.因此，为了提高直流电压利用率，提出了一种新的方法--梯形波与三角波比较法.该方法是采用梯形波作为调制信号，三角波为载波，且使两波幅值相等，以两波的交点时刻控制开关器件的通断实现PWM控制.由于当梯形波幅值和三角波幅值相等时，其所含的基波分量幅值已超过了三角波幅值，从而可以有效地提高直流电压利用率.但由于梯形波本身含有低次谐波，所以输出波形中含有5次，7次等低次谐波.线电压控制PWM前面所介绍的各种PWM控制方法用于三相逆变电路时，都是对三相输出相电压分别进行控制的，使其输出接近正弦波，但是，对于像三相异步电动机这样的三相无中线对称负载，逆变器输出不必追求相电压接近正弦，而可着眼于使线电压趋于正弦.因此，提出了线电压控制PWM，主要有以下两种方法.马鞍形波与三角波比较法马鞍形波与三角波比较法也就是谐波注入PWM方式（HIPWM），其原理是在正弦波中加入一定比例的三次谐波，调制信号便呈现出马鞍形，而且幅值明显降低，于是在调制信号的幅值不超过载波幅值的情况下，可以使基波幅值超过三角波幅值，提高了直流电压利用率.在三相无中线系统中，由于三次谐波电流无通路,所以三个线电压和线电流中均不含三次谐波[4].除了可以注入三次谐波以外，还可以注入其他3倍频于正弦波信号的其他波形，这些信号都不会影响线电压.这是因为，经过PWM调制后逆变电路输出的相电压也必然包含相应的3倍频于正弦波信号的谐波，但在合成线电压时，各相电压中的这些谐波将互相抵消，从而使线电压仍为正弦波.单元脉宽调制法因为，三相对称线电压有Uuv+Uvw+Uwu=0的关系，所以，某一线电压任何时刻都等于另外两个线电压负值之和.现在把一个周期等分为6个区间，每区间60°，对于某一线电压例如Uuv，半个周期两边60°区间用Uuv本身表示，中间60°区间用-(Uvw+Uwu）表示，当将Uvw和Uwu作同样处理时，就可以得到三相线电压波形只有半周内两边60°区间的两种波形形状，并且有正有负.把这样的电压波形作为脉宽调制的参考信号，载波仍用三角波，并把各区间的曲线用直线近似（实践表明，这样做引起的误差不大，完全可行），就可以得到线电压的脉冲波形，该波形是完全对称，且规律性很强，负半周是正半周相应脉冲列的反相，因此，只要半个周期两边60°区间的脉冲列一经确定，线电压的调制脉冲波形就唯一地确定了.这个脉冲并不是开关器件的驱动脉冲信号，但由于已知三相线电压的脉冲工作模式，就可以确定开关器件的驱动脉冲信号了.该方法不仅能抑制较多的低次谐波，还可减小开关损耗和加宽线性控制区，同时还能带来用微机控制的方便,但该方法只适用于异步电动机，应用范围较小.电流控制PWM电流控制PWM的基本思想是把希望输出的电流波形作为指令信号，把实际的电流波形作为反馈信号，通过两者瞬时值的比较来决定各开关器件的通断，使实际输出随指令信号的改变而改变.其实现方案主要有以下3种.滞环比较法这是一种带反馈的PWM控制方式，即每相电流反馈回来与电流给定值经滞环比较器，得出相应桥臂开关器件的开关状态，使得实际电流跟踪给定电流的变化.该方法的优点是电路简单，动态性能好，输出电压不含特定频率的谐波分量.其缺点是开关频率不固定造成较为严重的噪音，和其他方法相比，在同一开关频率下输出电流中所含的谐波较多.三角波比较法该方法与SPWM法中的三角波比较方式不同，这里是把指令电流与实际输出电流进行比较，求出偏差电流，通过放大器放大后再和三角波进行比较，产生PWM波.此时开关频率一定，因而克服了滞环比较法频率不固定的缺点.但是，这种方式电流响应不如滞环比较法快.预测电流控制法预测电流控制是在每个调节周期开始时，根据实际电流误差，负载参数及其它负载变量，来预测电流误差矢量趋势，因此，下一个调节周期由PWM产生的电压矢量必将减小所预测的误差.该方法的优点是，若给调节器除误差外更多的信息，则可获得比较快速，准确的响应.目前，这类调节器的局限性是响应速度及过程模型系数参数的准确性.空间电压矢量控制PWM空间电压矢量控制PWM(SVPWM）也叫磁通正弦PWM法.它以三相波形整体生成效果为前提，以逼近电机气隙的理想圆形旋转磁场轨迹为目的，用逆变器不同的开关模式所产生的实际磁通去逼近基准圆磁通，由它们的比较结果决定逆变器的开关，形成PWM波形.此法从电动机的角度出发，把逆变器和电机看作一个整体,以内切多边形逼近圆的方式进行控制，使电机获得幅值恒定的圆形磁场（正弦磁通）.具体方法又分为磁通开环式和磁通闭环式.磁通开环法用两个非零矢量和一个零矢量合成一个等效的电压矢量，若采样时间足够小，可合成任意电压矢量.此法输出电压比正弦波调制时提高15%，谐波电流有效值之和接近最小.磁通闭环式引入磁通反馈，控制磁通的大小和变化的速度.在比较估算磁通和给定磁通后，根据误差决定产生下一个电压矢量，形成PWM波形.这种方法克服了磁通开环法的不足，解决了电机低速时，定子电阻影响大的问题，减小了电机的脉动和噪音.但由于未引入转矩的调节，系统性能没有得到根本性的改善.矢量控制PWM矢量控制也称磁场定向控制，其原理是将异步电动机在三相坐标系下的定子电流Ia,Ib及Ic，通过三相/二相变换，等效成两相静止坐标系下的交流电流Ia1及Ib1，再通过按转子磁场定向旋转变换，等效成同步旋转坐标系下的直流电流Im1及It1(Im1相当于直流电动机的励磁电流；It1相当于与转矩成正比的电枢电流），然后模仿对直流电动机的控制方法，实现对交流电动机的控制.其实质是将交流电动机等效为直流电动机，分别对速度，磁场两个分量进行独立控制.通过控制转子磁链，然后分解定子电流而获得转矩和磁场两个分量，经坐标变换，实现正交或解耦控制.但是，由于转子磁链难以准确观测，以及矢量变换的复杂性，使得实际控制效果往往难以达到理论分析的效果，这是矢量控制技术在实践上的不足.此外.它必须直接或间接地得到转子磁链在空间上的位置才能实现定子电流解耦控制，在这种矢量控制系统中需要配置转子位置或速度传感器，这显然给许多应用场合带来不便.直接转矩控制PWM1985年德国鲁尔大学Depenbrock教授首先提出直接转矩控制理论(Direct Torque Control简称DTC).直接转矩控制与矢量控制不同，它不是通过控制电流，磁链等量来间接控制转矩，而是把转矩直接作为被控量来控制，它也不需要解耦电机模型，而是在静止的坐标系中计算电机磁通和转矩的实际值，然后，经磁链和转矩的Band-Band控制产生PWM信号对逆变器的开关状态进行最佳控制，从而在很大程度上解决了上述矢量控制的不足，能方便地实现无速度传感器化，有很快的转矩响应速度和很高的速度及转矩控制精度，并以新颖的控制思想，简洁明了的系统结构，优良的动静态性能得到了迅速发展.但直接转矩控制也存在缺点，如逆变器开关频率的提高有限制.非线性控制PWM单周控制法[7]又称积分复位控制（Integration Reset Control,简称IRC），是一种新型非线性控制技术，其基本思想是控制开关占空比，在每个周期使开关变量的平均值与控制参考电压相等或成一定比例.该技术同时具有调制和控制的双重性，通过复位开关，积分器，触发电路，比较器达到跟踪指令信号的目的.单周控制器由控制器，比较器，积分器及时钟组成，其中控制器可以是RS触发器，其控制原理如图1所示.图中K可以是任何物理开关，也可是其它可转化为开关变量形式的抽象信号.单周控制在控制电路中不需要误差综合，它能在一个周期内自动消除稳态，瞬态误差，使前一周期的误差不会带到下一周期.虽然硬件电路较复杂，但其克服了传统的PWM控制方法的不足，适用于各种脉宽调制软开关逆变器，具有反应快，开关频率恒定，鲁棒性强等优点，此外，单周控制还能优化系统响应，减小畸变和抑制电源干扰，是一种很有前途的控制方法.谐振软开关PWM传统的PWM逆变电路中，电力电子开关器件硬开关的工作方式，大的开关电压电流应力以及高的du/dt和di/dt限制了开关器件工作频率的提高，而高频化是电力电子主要发展趋势之一，它能使变换器体积减小，重量减轻，成本下降，性能提高,特别当开关频率在18kHz以上时，噪声将已超过人类听觉范围，使无噪声传动系统成为可能.谐振软开关PWM的基本思想是在常规PWM变换器拓扑的基础上，附加一个谐振网络，谐振网络一般由谐振电感，谐振电容和功率开关组成.开关转换时，谐振网络工作使电力电子器件在开关点上实现软开关过程，谐振过程极短，基本不影响PWM技术的实现.从而既保持了PWM技术的特点，又实现了软开关技术.但由于谐振网络在电路中的存在必然会产生谐振损耗，并使电路受固有问题的影响，从而限制了该方法的应用。
可控硅电路选型分析
一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。
可控硅选型方法晶闸管选型方法
可控硅选型方法晶闸管选型方法
1．选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用 BTG 晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管 2．选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流 1.5~2 倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极的控制电路）的各顶要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。
大功率双向可控硅,参数
大功率双向可控硅,参数今天咱们来唠唠大功率双向可控硅的参数。
这大功率双向可控硅啊，在好多地方都能派上大用场呢。
一、额定电流。
这个额定电流可重要啦。
就好比是一条大河能允许通过的最大水量一样，额定电流就是这个可控硅能够安全稳定通过的最大电流。
如果电流超过了这个额定值，就像河水泛滥一样，那可控硅可就要出问题啦。
对于大功率双向可控硅来说，额定电流数值往往比较大，因为它要应对大负载的情况。
比如说在一些大型的工业设备里，像大功率的电机调速系统，需要很大的电流来驱动电机运转，这个时候大功率双向可控硅的大额定电流就能很好地发挥作用。
要是额定电流小了，那设备就不能正常工作，甚至会把可控硅给烧坏喽。
二、额定电压。
额定电压呢，就像是一堵墙能承受的最大压力。
它表示可控硅能够正常工作时两端所能承受的最大电压。
想象一下，你住在房子里，房子的墙壁如果承受不了外界的压力就会倒塌，同样的道理，如果施加在可控硅两端的电压超过了额定电压，那它就可能被击穿。
在高压供电的电路中，大功率双向可控硅的额定电压必须足够高。
例如在高压输电的一些控制电路里，电压等级很高，如果可控硅的额定电压不够，那就像用薄纸去挡洪水，根本就起不了作用，会造成整个电路的故障。
三、触发电流。
触发电流就像是打开一扇门的钥匙。
它是让可控硅开始工作的一个关键因素。
只有当流入可控硅控制极的电流达到触发电流的值时，可控硅才会像被唤醒了一样开始导通。
对于大功率双向可控硅来说，触发电流的大小也有讲究。
如果触发电流太大，那对于触发电路的要求就比较高，可能需要比较复杂或者功率较大的触发电路。
要是触发电流太小呢，又可能会因为一些干扰信号就误触发，就像门太容易被打开了，一阵小风就把它吹开了，这也不是我们想要的。
四、维持电流。
这个维持电流啊，是可控硅导通后保持导通状态所需要的最小电流。
可以把它想象成是维持一场派对持续进行的最低人数要求。
一旦电流小于这个维持电流，就像派对上的人都走光了一样，可控硅就会关断。
高压软起动装置中可控硅额定电流的选择
图 1 可控硅导通波形
设可控硅触发导通后波形如图 1（b）所示，触 基准，而当 2 个可控硅导通角为 θ 时，其电压有效值
发导通角为 θ。对于单个可控硅而言，其导通波形如 的标幺值为：
图 1（a）所示。对于单个可控硅而言，其导通波形电
压有效值为：
姨 UT1= Um 姨2
2θ- sin2θ 4π
（1）
温，因此来说，可控硅是安全的。
4.6 不同电流以及不同起动时间下可控硅结温的
计算
对于采用 KP8- 300/65 型可控硅的软起动装置
来起动电机，即使起动电流一样，由于负载不同，起
动时间也是不一样的。我们分别计算起动时间为
35 s、40 s、45 s、50 s、55 s 时，可控硅管芯的结温，
见表 1。
3 可控硅软起动时的发热及散热分析
反并联的一对可控硅两端连接着铝质散热器， 当可控硅通过电流时，首先可控硅的管芯开始发热，
冶金动力
2010年第 3 期
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METALLURGICAL POWER
总 第 139 期
并将热量传递给可控硅外壳，可控硅外壳温度上升， 同时热量通过外壳传递给散热器。散热器在自身温 度上升的同时，也将热量散发给周围的空气。
由表 2 可见，在起动时间为 30 s 的情况下，电 机额定电流超过 120 A，则电机按照 4.2 倍电机额 定电流起动后，可控硅结温将达到或是超过其最高 允许结温，从而可能造成可控硅永久性损坏。
可控硅的通态平均功耗可以根据式（5）计算：
PT（ AV）=VT0·ITa+k2·RT0·I2Ta 式中，PT（AV）— ——可控硅通态功耗，W；
（5）
VT0—— —可控硅门槛电压，V；
可控硅电路选型分析
可控硅电路选型分析首先，可控硅的特性是选型的重要考虑因素之一、可控硅的主要特性包括触发电流、工作电压、电流传导能力、温度特性等。
触发电流是指可控硅正常导通所需的最低电流，该数值越小，控制电路的复杂性和成本也相应越低。
工作电压指的是可控硅能够承受的最大电压，选择合适的工作电压能够提高可控硅的稳定性和寿命。
电流传导能力是指可控硅正常导通时能够承受的最大电流，需根据具体需要选择合适的数值以确保电路的安全性和可靠性。
温度特性指的是可控硅导通特性随温度变化的情况，不同型号的可控硅在不同温度下工作时的性能可能会有所不同，需要根据具体工作条件选择合适的可控硅。
其次，根据电路要求选择合适的可控硅。
在选型过程中，需要根据电路的功率要求、触发方式、选通方式等因素来确定合适的可控硅。
功率要求是指电路需要承受的最大功率，根据该数值选择合适的可控硅功率等级。
触发方式是指可控硅导通的触发方式，常见的触发方式有正半周触发和双向触发等，根据具体的触发方式选择合适的可控硅。
选通方式是指可控硅在断电后是否需要外部干预才能继续导通，如果需要外部干预，则选择需要外界干预才能导通的可控硅。
最后，成本也是一个重要的选型因素。
不同型号的可控硅价格可能会有所不同，因此需要根据不同项目的经济实际情况来选择成本合适的可控硅。
此外，还需考虑可控硅的使用寿命、可靠性等方面的因素，以确保选型的可控硅符合项目的要求和预期寿命。
综上所述，可控硅的选型需要综合考虑其特性、电路要求和成本等因素。
选取合适的可控硅能够提高电路的性能和稳定性，降低电路的复杂性和成本，达到预期的电路效果。
在选型过程中，需要充分了解和评估可控硅的特性，并结合具体的电路要求和成本，做出最合适的选择。
bta04可控硅参数
bta04可控硅参数BTA04可控硅参数分析引言：BTA04可控硅是一种常用的电子元件，广泛应用于交流电路中。
本文将对BTA04可控硅的参数进行详细分析，以便更好地了解和应用这一元件。
一、电压参数BTA04可控硅的电压参数是指其能够承受的最大电压和最小触发电压。
在正常工作状态下，BTA04可控硅的最大电压应该小于等于其额定电压，以确保元件的正常工作。
而最小触发电压则是指在何种电压条件下可控硅开始导通。
二、电流参数BTA04可控硅的电流参数包括额定电流和触发电流。
额定电流是指可控硅能够承受的最大电流，超过额定电流将导致可控硅损坏。
而触发电流是指可控硅开始导通所需的最小电流。
三、功率参数BTA04可控硅的功率参数是指其能够承受的最大功率。
在实际应用中，我们需要根据电路的功率需求选择合适的BTA04可控硅，以确保元件不会超出其承受范围。
四、温度参数BTA04可控硅的温度参数是指其能够承受的最高工作温度和最低触发温度。
在设计电路时，我们需要考虑可控硅的温度特性，以避免过热或过冷导致元件失效。
五、响应时间参数BTA04可控硅的响应时间参数是指其从接收到触发信号到开始导通的时间。
响应时间越短，可控硅的响应速度就越快，适用于高频率的电路。
而对于一些低频率的电路，响应时间并不是十分重要。
六、封装类型参数BTA04可控硅的封装类型参数是指其外观尺寸和引脚数量。
在实际应用中，我们需要根据电路设计的需要选择合适的封装类型，以确保可控硅能够正确安装和连接。
七、应用领域BTA04可控硅广泛应用于交流电路中，常见的应用领域包括电热器、电动工具、照明设备、电机控制等。
通过控制可控硅的触发时间和导通角度，可以实现对交流电的精确控制。
结论：通过对BTA04可控硅的参数进行详细分析，我们可以更好地了解和应用这一元件。
在实际应用中，我们需要根据电路设计的需求选择合适的BTA04可控硅，并合理利用其参数特性，以确保电路的稳定性和性能优良。
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算
可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算可控硅并联阻容吸收电路是一种常见的电路配置，用于保护电路中的电子元件免受过电压的影响。
它通过并联的方式将可控硅、电阻和电容器连接在一起，以吸收过电压或过电流，从而保护其他元件的安全运行。
本文将介绍可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算方法。
在选择可控硅并联阻容吸收电路时，首先需要确定所要保护的电路的额定电压和额定电流。
根据额定电压和电流的大小，可以选择合适的可控硅、电阻和电容器。
可控硅是可控硅并联阻容吸收电路的核心元件之一，其主要作用是在过电压或过电流时将电路连接到地。
可控硅的选择应考虑其额定电压和额定电流。
额定电压应大于或等于被保护电路的额定电压，额定电流应大于或等于被保护电路的额定电流。
此外，还应考虑可控硅的触发电压和触发电流，以确保可控硅在需要时能够正常工作。
电阻是可控硅并联阻容吸收电路中的另一个重要元件，其作用是限制电路中的电流。
电阻的选择应根据被保护电路的额定电流和可控硅的额定电流来确定。
电阻的阻值应能够满足电路中的电流要求，同时还要考虑电阻的功率耗散能力，以避免过载损坏。
电容器是可控硅并联阻容吸收电路中的第三个元件，其作用是吸收过电压。
电容器的选择应根据被保护电路的额定电压和可控硅的额定电压来确定。
电容器的容值应足够大，以保证在过电压时能够吸收足够的能量。
此外，还需要考虑电容器的耐压能力和频率特性，以确保其在工作过程中的稳定性和可靠性。
在进行可控硅并联阻容吸收电路的计算时，需要考虑电路中的电压和电流。
首先，根据被保护电路的额定电压和额定电流，计算出可控硅的额定电流和额定功率。
然后，根据电阻的阻值和可控硅的额定电流，计算出电阻的功率耗散能力。
最后，根据被保护电路的额定电压和可控硅的额定电压，选择合适的电容器容值。
除了选型和计算，还需要注意可控硅并联阻容吸收电路的安装和使用。
安装时应确保电路连接正确，并采取防护措施，以防止电路中的高压和高温对人身安全造成伤害。
可控硅元件的合理选用
可控硅元件的合理选用1.3 通态平均电压(简称正向压降)Vr这项参数是可控硅的质量指标之一，因为流过可控硅的正向电流与正向压降的乘积就是可控硅由阻断到导通、导通到阻断的过程中总损耗的主要部分。
同样电流下正向压降越小则损耗越小，可控硅的温升也越小。
这个对于大容量的可控硅整流器而言更不容忽视从减少可控硅损耗和发热的观点出发，应尽可能选择正向压降较小的。
可控硅正向平均压降，是生产厂根据合格的型式实验而自行规定的，一般在0.5～1.2V范围内。
对多只可控硅并联使用的线路中，每桥臂的可控硅正向压降值要选配的基本一致，以相差不超过4-0.5V为宜。
1.4 门极参数门极参数包括触发电流IGT和触发电压VGT。
因为可控硅的门极参数分散性很大，所以在选用可控硅时，必须根据触发电路的特点进行合理挑选。
若选用IGT、VGT偏小的元件，则容易受外界干扰而触发，反之则难以触发。
此外，可控硅的门极参数还受到外界环境温度的影响，当温度增加，IGT、VGT会显著降低，温度下降会骤然增大。
不同容量、不同用途的可控硅设备，其触发回路也各不相同。
目前，常用的几种触发电路对选择可控硅门极参数所提出的具体要求可以归纳为：(1)适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式的触发电路，或在单相、三相半控桥线路获得广泛应用的单结晶体管触发电路，此类触发电路输出功率小、脉冲宽度窄、线性度差，一般使用于KP-50型以下的可控硅。
应选择IGT≤30mA、VGT≤1.2v的可控硅元件，但是门极参数也不能选得太小，否则抗干扰能力差，易发生误触发。
(2)在要求较高的单相或三相全控桥可逆系统中，大多数采用由晶体管组成的正弦波或锯齿波垂直移相的触发电路。
这类触发电路可获得宽脉冲，输出功率大。
为此，我们在使用额定电流100A以上的可控硅元件时，其触发电路输出电流、电压参数应比可控硅元件的门极触发电流、电压参数(出厂值范围)大2～3倍，但需要注意其触发电路的限定值。
KTS3(Z3)三相功率控制器使用说明书
第 ５ 页
四、参数设置
４ ． １ 面 板 及 按 键 说 明
备注：面板显示器为选件，如果需要显示面板功能，订货时请申明！
７ ５
６
ＳＥＴ
１
２
３
４
名称
１ 设置键 ＳＥＴ ２ 左移键 ３ 增加键 ４ 减小键 ５ 数码显示 ６ ＡＬＭ ７ ＲＵＮ
显 示Ｃ相 电 流
ＳＥＴ ０－５
负 载 电 压 按住 Ｓ Ｅ Ｔ ３秒以上
显示负载电压
ＳＥＴ
注： 在０－１窗 口 当微机给定信号允许时 （ ｉ ）变 成 （ Ｅ ）
表示输入信号由端子上的信号提供
表示输入信号由通讯提供
第 ６ 页
０－１ 密码
１１１１
ＳＥＴ １－１
斜率调整
ＳＥＴ １－３
◆ 智 能 数 码 显 示 ， 包 括 负 载 电 流 、 负 载 电 压 、 输 入 信 号 等 参 数
◆ 数 字 恒 流 ， 恒 压 设 计
◆ 微 处 理 器 智 能 化 控 制 设 计
◆ 先 进 的 Ｍ Ｏ Ｄ Ｂ Ｕ Ｓ 现 场 总 线 通 讯 功 能 ， 一 台 计 算 机 可 同 时 监 控 ３ ２ 台 调 压／调 功 器 ， 增 加 中 继 最 多 可 控 制２ ４ ７台 调 压／调 功 器 ， 实 现 Ｄ Ｃ Ｓ 控 制 ◆ 数 字 锁 相 环 同 步 伺 服 电 路 。
ＫＴＳ／Ｚ３－ □ □ □ □ □ 例如： ＫＴＺ３－６２ＫＶＡ／３＊３８０ 表示Ｋ Ｔ Ｚ ３系列三相可控硅调压器／调功器，输入信号为 ４－２０ｍＡ，负 载接线方式为三角形或星形不接零线，额定功率为 ６ ２ Ｋ Ｖ Ａ ，负载电压为三相３８０Ｖ，不带通讯。
可控硅元件选型与使用
仪元公司可提供 SS 水冷系列和 SF 风冷系列以及各类非标及组件散热器 为元件配套
使用
根据元件通态额定平均电流推荐配置的标准型散热器型号见下表
元件通态额定平均电流
100A-200A 300A 400A 500A-600A 800A 1000A
推荐散热器型号
水冷
风冷
SS11
SF12
SS12
SF13 SF13 SF14
SS12 SS13
SF15
SS13
SF16
SS14
SF17
1000A-3000A
SS14
其中 SF 系列风冷散热器是指在强迫风冷(风速 6m/s)条件下的推荐配置 用户在使用
时应根据实际散热条件并考虑可靠性要求进行选择 对于 1000A 以上元件一般不推荐使用
风冷散热器 若使用风冷散热器 则元件额定电流需降额使用
m 平整度小于或等于 30 m 安装时元件台面与散热器台面应保持清洁干净无 油污等脏物 3 安装时要保证元件台面与散热器的台面完全平行 同心 安装过程中 要求通过元 件中心线施加压力以使压力均匀分布在整个接触区域 用户手工安装时 建议使用 扭矩扳手 对所有紧固螺母交替均匀用力 压力的大小要达到数据表中的要求 4 在重复使用水冷散热器时 应特别注意检查其台面是否光洁 平整 水腔内是否有 水垢和堵塞 尤其注意台面是否出现下陷情况 若出现了上述情况应予以更换
器直流输入电压为 Ud 功率因数为 cos 则
VDRM/RRM= 1.5-2 Ud / 2cos 2 元件的额定通态电流 IT AV
考虑到元件在较高频率下工作时 其开关损耗非常显著
元件的额定通态电流应按实
际流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑 即
可控硅元件的合理选用
１４ 门 极 参 数 ．
１ 性能 参 数 的计 算和 元件 的 选 用
１１ 额 定 通 态 平 均 电 流 ．
这是 一项基 本参 数 。可控硅 和 其他 电子 元件 一样 ， 定其 允许 决
门极 参 数包 括触 发 电流 和 触 发 电压 。因为 可控 硅 的 门
注 ： 指 整流变压器次级输 出的交流电压 ； 代表 电感 负载 指代有 续流二极
管 的 电路 。
（ 在要 求 较 高的 单相 或三 相 全控 桥 可逆 系 统 中 ， ２ ） 大多 数采 用 由晶体 管组 成的 正弦波 或锯 齿波垂 直移相 的触 发 电路。 类触 发 电 这 路 可获得 宽脉 冲 ， 出功 率大 。 此 ， 输 为 我们 在使 用额 定 电流 １０ 以 ０Ａ 上 的 可控硅 元 件 时 ， 触 发 电路输 出电流 、 其 电压参 数 应 比可 控硅 元 件 的 门极 触 发 电流、 电压参 数 （ 出厂值 范 围） ２ 倍 ， 需要注 意 大 ～３ 但 其触 发 电路 的限定值 。 （） 多只 可控 硅 串 、 ３用 并联 工作 的 大功 率设 备 中通 常 采用 强 触 发 脉冲 电路 ， 也有 用 小功 率可 控硅 放 大脉 冲信 号 ， 它们 的优 点是 触 发 功率 大 ， 获得 宽脉 冲 、 可 工作 可 靠 。 选可 控 硅元 件 时 ， 了注 意 挑 除 Ｖ、 等值 外 ， 还要 注 意 门极 的触发 电流 、 电压 值均 应 在所 使 用
要求 可 以归 纳 为 ：
（）适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式 的触发 １
电路 ， 在单 相 、 或 三相 半控 桥 线路 获 得广 泛应 用 的单 结 晶体 管触 发
DQS201系列大功率可控硅动态投切开关产品选型手册
400
100+100+200
400
200+200
400
400
350
50+100+200
350
350
300
100+100+100
300
100+200
300
300
250
50+100+100
250
250
200
50+50+100
200
100+100
200
200
最大容量 (kvar) 640 640 640 640 640 560
使用条件
环境温度：-20℃～+40℃； 空气相对湿度在最高温度为 40℃时不超过 50％，在温度较低时允许有较高的相对湿度，例如＋20℃时为
90％； 电源应为 50Hz 正弦波，电压波动幅度不超过额定值的±20％，THDU≤30%； 大气压力：79.5~106.0kPa（海拔 2000m 及以下）； 振动条件：无剧烈震动及冲击； 无导电及爆炸性尘埃，无腐蚀性气体。
D QS 201 –
–
–
–
T：特殊工况，需定制
D1/g-角内共补
主电路接法
D2/g-角外共补 Y/g-星接共补 D/f-角接分补
Y/f-星接分补
组数/最大容量，
A：编码 B：等容
电压等级，
C：调谐 L：滤波
版本序号
投切开关
公司标志
选型表
典型推荐 DQS201-400C-4/400A DQS201-400C-4/400B DQS201-400C-3/400A DQS201-400C-2/400B
可控硅元件选型与使用
可控硅元件选型与使用首先，在选型可控硅元件时需要考虑其电气参数。
主要包括额定电流（IR），额定电压（VR），触发电流（IH），阻断电压（VDRM/VRRM）和耐冲击电流（ITSM）等。
这些电气参数决定了可控硅元件能承受的电流和电压范围。
根据实际电路的要求，选择合适的电气参数，避免超过可控硅元件的额定工作范围。
其次，需要考虑可控硅元件的封装类型。
常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-126等。
不同的封装类型具有不同的散热能力和安装方式。
在设计电路时，需要根据可控硅元件的功率损耗和散热要求来选择合适的封装类型，以确保可控硅元件能在正常工作温度下运行。
此外，还要考虑可控硅元件的响应速度和触发方式。
可控硅元件触发方式有电压触发和电流触发两种。
根据具体需求，选择合适的触发方式，并确保可控硅元件的响应速度能满足电路的要求。
如果需要快速切断电流，可以选择具有高响应速度的可控硅元件。
在使用可控硅元件时，还需要注意以下几点。
首先，要合理布置电路，避免可控硅元件直接暴露在高温环境或有害环境中，以防止可控硅元件过热或受到损坏。
其次，要防止可控硅元件在超过其额定电流或电压的情况下工作，以避免引起元件的热击穿或击穿，造成设备事故或故障。
同时，要注意可控硅元件的散热，合理选择散热器，确保可控硅元件能够在正常工作温度下运行。
可控硅元件的工作温度过高会导致其损坏或寿命缩短。
此外，还要注意可控硅元件的触发信号的保护。
在触发可控硅元件时，要确保触发信号的电压和电流不超过其额定值，以防止元件受到损坏。
最后，要定期检查和维护可控硅元件，及时更换老化或损坏的元件，以确保电路的正常工作和稳定性。
综上所述，可控硅元件的选型和使用需要考虑其电气参数、封装类型、响应速度和触发方式等因素。
同时，还要注意电路的布局、额定电流和电压、散热、触发信号的保护以及定期检查和维护等问题。
只有正确选型和使用可控硅元件，才能保证电路的正常工作和可靠性。
y65kphot可控硅参数解读
y65kphot可控硅参数解读摘要：1.可控硅的基本概念2.可控硅的参数分类3.解读可控硅参数：电压、电流、功率4.解读可控硅参数：触发方式、开关速度、光耦合器5.可控硅参数的选择与应用正文：一、可控硅的基本概念可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件。
它具有电压、电流可控特性，广泛应用于交流电源变换、逆变器、斩波器、调压器等领域。
二、可控硅的参数分类可控硅的参数主要分为两类：基本参数和性能参数。
基本参数包括电压、电流、功率等；性能参数包括触发方式、开关速度、光耦合器等。
三、解读可控硅参数：电压、电流、功率1.电压：可控硅的电压参数包括正向电压、反向电压和控制极电压。
正向电压是指可控硅正向导通时的电压；反向电压是指可控硅反向截止时的电压；控制极电压是指加在可控硅控制极上的电压。
2.电流：可控硅的电流参数包括正向电流、反向电流和控制极电流。
正向电流是指可控硅正向导通时的电流；反向电流是指可控硅反向截止时的电流；控制极电流是指流经可控硅控制极的电流。
3.功率：可控硅的功率参数包括额定功率、最大功率和峰值功率。
额定功率是指可控硅在正常工作条件下允许消耗的功率；最大功率是指可控硅在短时间内允许消耗的最大功率；峰值功率是指可控硅在瞬间允许消耗的最大功率。
四、解读可控硅参数：触发方式、开关速度、光耦合器1.触发方式：可控硅的触发方式包括直流触发、交流触发和脉冲触发。
直流触发是指通过直流电压触发可控硅导通；交流触发是指通过交流电压触发可控硅导通；脉冲触发是指通过脉冲电压触发可控硅导通。
2.开关速度：可控硅的开关速度是指可控硅在开关状态下，从一个状态切换到另一个状态所需的时间。
开关速度越快，可控硅的工作效率越高。
3.光耦合器：可控硅的光耦合器是指用于隔离控制极和主电路的器件。
光耦合器可以有效地抑制干扰信号，提高可控硅的工作稳定性。
五、可控硅参数的选择与应用在选择可控硅参数时，需要根据实际应用场景选择合适的电压、电流、功率等参数。
可控硅调功器如何选择使用
可控硅调功器如何选择使用可控硅（晶闸管）大量应用于各行各业。
在交流电源领域中，可控硅有两种控制方式：调功（调节功率P）与调压（调节电压V）。
相应的产品称之为：调功器与调压器。
调功、调压作为两个不同的概念，在使用中也是有所区别的。
调功器也称之为周波数控制器，可控硅在电压（或电流）过零点导通，也截止于电压（或电流）过零点，因此输出的波形为完整的正弦波。
如果设定一个固定的时间周期T，在这个周期时间内，通过控制导通时间TON与截止时间TOFF，就可以达到控制输出周波数（导通率）的目的。
富安时可控硅调压器则是通过控制移相角达到改变电压的目的。
因此输出端为移相缺角波。
由于调压器的输出电压为缺角的正弦波，含有高次谐波，不采取措施，对电网会产生一定的污染，这对同网上的用电器可能造成不良影响。
调功器作为可控硅电力开关设备，由于良好的操控性和经济耐用，被广泛地用于电加热的场合。
目前国内厂家生产很多种类型的调功器，北京富安时所研发制造的PA300B和PA400X系列调功器就是为了适应不同的应用场合。
1．按负载特性划分，有感性负载调功器与阻性负载调功器；2．按可控硅在主回路的介入方式划分，有三相二控调功器和三相全控调功器；3．按调功器主回路通断输出方式分，则有定周期、变周期、分时控制三种方式。
定周期一般情况下较多使用于三线制（无零线）方式接线的负载。
变周期有利于减少部分情况下通-断电流的低频影响，适用于三相四线制负载。
分时控制在多台调功器同网运行时，有较好的离散总电流的优点。
4．可以按负载方式选择控制方式:变压器、钼棒负载选用富安时可控硅调压器,变阻性性负载选用调功调压一体的控制方式，低温选用调压控制方式，高温选用过零控制方式；阻性负载可以选用PA400X所有的控制方式，不过在节能方面考虑最好选用过零调功控制方式。
可控硅的挑选方法
一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极A与阴极B间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。
三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是：用R×1k或R×10k 挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。
电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。
用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。
反向阻值应很大，但不能为无穷大。
三相70A~110A可控硅功率调整器使用说明(V5.1)
闪烁符号含义对照表
符号 含义
①
E--EA--
过载保护 A 相过载损坏
E-b- B 相过载损坏
② E--C C 相过载损坏
EAbC 过载损坏
EA-C A、C 过载损坏
E-bC B、C 过载损坏
⑦ LA
A 相开路
L-b- B 相开路
⑥ L--C C 相开路
LAbC ABC 相开路或热保护
地址号。多机使用时，同一线路上不允许有相同的地址。
点 SET 图 14
点 SET
波特率参数 bAud 本机波特率。同一系统中，上、下位机均应采用相同的波特率。
点 SET 图 15
点 SET
点 SET 图 16
点 SET
手动允许/禁止参数 StAt
StAt 参数值 2：禁止按键切换到手动操作模式；其它值：允许点按 SET 键切换手/自动操作模式； 操作权限参数 PLoc
输出上限设定参数 outH
输出上限值，采用百分比制。0-100%对应可控硅 0~最大导通角。导通角的百分数和主回路实际电压（或电流）的对应 关系，请在具体应用中获得。输出处于 outH 确定的最大值时 HAL 灯亮 软启动时间设定参数 tu 软启动功能在两种情形下起作用：1-触发器首次上电；2-外接启动/关断按钮控制后；
系列号 BTK
类型
A D
控制方式
C K
负载类型
1 2 3 4
控制输入
1 2 3 4 5 6
辅助 1
N J1
辅助 3 额定电流（A）
N R S
xxx
说明 悬挂式可控硅功率调整器 交流 直流 移相 过零 单相 两相 三相 Y 形不接零或△接法 三相四线制
可控硅元件的合理选用
可控硅元件的合理选用1.3 通态平均电压(简称正向压降)Vr这项参数是可控硅的质量指标之一，因为流过可控硅的正向电流与正向压降的乘积就是可控硅由阻断到导通、导通到阻断的过程中总损耗的主要部分。
同样电流下正向压降越小则损耗越小，可控硅的温升也越小。
这个对于大容量的可控硅整流器而言更不容忽视从减少可控硅损耗和发热的观点出发，应尽可能选择正向压降较小的。
可控硅正向平均压降，是生产厂根据合格的型式实验而自行规定的，一般在0.5～1.2V范围内。
对多只可控硅并联使用的线路中，每桥臂的可控硅正向压降值要选配的基本一致，以相差不超过4-0.5V为宜。
1.4 门极参数门极参数包括触发电流IGT和触发电压VGT。
因为可控硅的门极参数分散性很大，所以在选用可控硅时，必须根据触发电路的特点进行合理挑选。
若选用IGT、VGT偏小的元件，则容易受外界干扰而触发，反之则难以触发。
此外，可控硅的门极参数还受到外界环境温度的影响，当温度增加，IGT、VGT会显著降低，温度下降会骤然增大。
不同容量、不同用途的可控硅设备，其触发回路也各不相同。
目前，常用的几种触发电路对选择可控硅门极参数所提出的具体要求可以归纳为：(1)适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式的触发电路，或在单相、三相半控桥线路获得广泛应用的单结晶体管触发电路，此类触发电路输出功率小、脉冲宽度窄、线性度差，一般使用于KP-50型以下的可控硅。
应选择IGT≤30mA、VGT≤1.2v的可控硅元件，但是门极参数也不能选得太小，否则抗干扰能力差，易发生误触发。
(2)在要求较高的单相或三相全控桥可逆系统中，大多数采用由晶体管组成的正弦波或锯齿波垂直移相的触发电路。
这类触发电路可获得宽脉冲，输出功率大。
为此，我们在使用额定电流100A以上的可控硅元件时，其触发电路输出电流、电压参数应比可控硅元件的门极触发电流、电压参数(出厂值范围)大2～3倍，但需要注意其触发电路的限定值。
t0410可控硅参数
t0410可控硅参数
t0410可控硅是一种常用的功率电子器件，它可以实现对电流
的精确控制。
以下是一些t0410可控硅的常见参数：
1. 额定电压（Vdrm）：可控硅可以承受的最大电压值。
例如，t0410可控硅的额定电压可以为400V。
2. 最大额定电流（Itsm）：可控硅可以承受的最大电流值。
例如，t0410可控硅的最大额定电流可以为4A。
3. 门极电流（Igt）：在正向电压条件下，为了完全打开可控硅，所需要的最小门极电流。
例如，t0410可控硅的门极电流
可以为5mA。
4. 最小保持电流（IH）：在可控硅导通状态下，为了保持其
导通状态所需的最小电流。
例如，t0410可控硅的最小保持电
流可以为5mA。
5. 瞬时浪涌电流（ITM）：可控硅能够瞬时承受的最大电流。
例如，t0410可控硅的瞬时浪涌电流可以为40A。
需要注意的是，这些参数可以根据不同的型号和生产商有所差异。
因此，在选型和使用时，应该仔细参考相关的数据手册。