第八章-反应结晶
回复与再结晶
(1)温度 随T↑,晶粒长大 温度一定,晶粒达到一定尺寸后不再长大。 (2)杂质与合金元素 异类原子吸附晶界处,降低晶界能,减少驱动力,阻碍晶粒长大。
第八章: 回复与再结晶
8.4晶粒长大
8.4.1晶粒的正常长大 3.影响晶粒长大的因素 晶粒长大,是通过晶界处的原子扩散迁移实现
(3)分散相粒子 第二相粒子越细小,数量越多,则阻碍晶粒长大能力越强。
8.1.1 显微组织的变化
冷变形金属随加热温度升高组织变化示意图
再结晶后组织恢复到变形前的程度,性能也恢复到变形前的程度 晶粒长大:新晶粒逐渐相互合并长大.
第八章: 回复与再结晶
8.1 冷变形金属及合金在退火过程中的变化
8.1.2 储存能与内应力变化
随T↑,储存能逐渐释放. 再结晶后,形变储存能全部释放.
第八章: 回复与再结晶
8.5 金属的热加工(变形)
8.5.2热加工后的组织与性能
热加工对组织和性能有如下影响: 3.产生带状组织
未热轧的20钢组织:F+P
热轧后的20钢组织:F+P 带状分布
带状组织常在热轧板材、管材中 出现,性能上产生各向异性
第八章: 回复与再结晶
8.3再结晶(recrystallization)
8.3.2 再结晶动力学
第八章: 回复与再结晶
8.3再结晶(recrystallization)
8.3.3 再结晶温度及其影响因素 再结晶温度:经过严重冷变形的金属,在一个小时的退火保温时间内,能完成再结 晶的最低温度(T再).对纯金属T再=0.4T熔 再结晶速度:V再 若T再低,V再快,则再结晶易进行. 影响再结晶的因素如下: 1.加热温度(退火温度) : 退火温度越高,原子扩散越容易进行,V再↑,完成再结晶时间越短. 2.预先变形量 变形度越大,则T再越低 ∵储存能大,再结晶驱动力大.
《结晶学》第8章结晶化学
D
C
C D
B
A
A
B
可以求得
r r
0.732
结论 r 为 0.414 —— 0.732,6 配位 NaCl 式晶体结构。
r
当 r + 继续增加,达到并超过
r
围可容纳更多阴离子时,为 8 配位。r
0.732 Biblioteka ,即阳离子周离子半径比与配位数、晶体类型的关系
若 r + 变小,当
r r
0.414 , 则出现
2、离子化合物晶体(阳离子配位数)
离子晶体中,存在半径不同的阴阳离子。半径较大的阴离子 作最紧密堆积,而阳离子填充其空隙。实际晶体中,阳离子必 须与阴离子相接触晶体才稳定。
+-+ -+- +-+
+-+ -+- +-+
+
+
+
+
+
a 稳定
b介稳状态
c 不稳定
故阳离子是否能稳定填充该空隙,取决于两者的半径比值。 或者说,阳离子的配位数取决于阴阳离子的半径比值。
离子半径比与配位数的关系
从六配位的介稳状态出发, 探讨半径比与配位数之间的关系。
+
A
+
B
D
+
C
+
A
B
D
C
离子半径比与配位数关系
+
A+
+-+
D
C
-+-
+
B
+
+-+
如果r+ 再大些, 则阴离子同号相离, 异号相切的稳定状态.
第八章回复、再结晶和动力学金属热加工-Zhejiang
2. 晶界迁移规律
♥ 晶界向其曲率中心方向移动; ♥ 大晶粒吞食掉小晶粒。
原因: (1)由于晶界能力图降低,弯曲晶界总有自发变直趋势。 (2)为达到晶界张力平衡,三晶交界处总力图互成120°。 (3)多边形晶粒一般少于6条边的为小晶粒,多于6条边的一般为大晶粒。
详细分析(参考):
取椭球晶粒沿短轴方向中一扇形柱面,晶界表面 张力为,则界面作用力为l。
五、再结晶的应用 再结晶退火。 软化组织。在冷变形之间退火,便于进一步冷变形,称中间热处理。 细化组织。将铸态粗大枝晶通过变形再结晶得以细化,同时消除枝晶偏析。 去除应力。比去应力退火消除应力作用更有效。
§8-4 再结晶后的晶粒长大
在更高温度下,面缺陷获得了运动条件,大角晶界自发减少,造成晶粒长大。 晶粒长大驱动力:晶界能的降低。 一、正常长大 1. 组织变化
1
2015-11-7
二、再结晶温度 1. 理论再结晶温度 冷变形金属能够发生再结晶的最低温度,或能够使再结晶形核的温度。 无实际意义,因为无法检测到何处出现第一个再结晶晶粒。 2.实际再结晶温度 冷变形量大于70%的金属经1小时退火能完成95%以上再结晶的退火温度。 除特别指明外,一般情况下提及的再结晶温度均指实际再结晶温度。 3.估算再结晶温度 较强冷变形退火的工业纯金属可根据其熔点估算再结晶温度: T再≈(0.35~0.40)Tm (K)
晶粒长大阶段 组织变化:晶粒长大;再结晶织构;退火孪晶 性能变化:强度、硬度下降趋势变缓;塑性稍 有升高或保持不变,若晶粒粗化严重还会使塑性 下降;电阻率及密度基本不变或稍有升高。
§ 8-2 回复
回复:冷变形晶体加热时光学显微组织改变前的微观结构变化过程。
一、低温回复(0.1~0.3)Tm 主要表现:过饱和空位浓度下降(如何下降?)。 二、中温回复(0.3~0.5)Tm 主要表现:同一滑移面上的异号位错相互抵消,位错密度略有下降。 三、高温回复>0.5Tm 主要表现:位错运动,多边形化,形成亚晶。 四、回复的应用:去应力退火
第八章 结晶
第一节 概述
一、基本概念
结晶:使溶于液体中的固体溶质从溶液中析出晶体的单元操作。
二、结晶的应用
用于分离提纯,它不仅能从溶液中提取固体物质,而且能使溶质 和杂质分离,提高纯度。结晶产品外表美观,形状规则,便于包装、 运输和储存,生产装置方便、经济,在化工生产中有广泛应用。
三、与结晶联用的其他操作
控制过饱和度、控制温度、控制压力 控制晶浆固液比、缓慢控制平稳运行、防止结垢结疤
蒸发—满足结晶条件 过滤、沉降、离心分离—提纯、防止形成晶簇
第二节 结晶的基本原理 一、结晶相关基本概念
1.溶解度
在一定的温度压力下,物质在一定量溶剂中溶解的最大量。 •固体溶解度:在一定温度下于100g水(或其他溶剂)溶解溶质的最多克数。
2.饱和溶液
在一定温度下,溶质在溶剂中溶解的量达到最大时的溶液,即达到溶 解度的溶质,就是饱和溶液。
1、结晶的过程
溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤: 晶核形成:首先要产生微观的晶粒作为结 晶的核心,这个核心称为晶核。 晶体成长:晶核形成后,晶核长大,成为 宏观的晶体,这个过程称为晶体成长。
2、结晶的动力
成核过程和晶体成长过程,都以溶液的过饱和 度作为推动力。
3、成核形式
成核可分为三种形式:初级均相成核、初级非 均相成核及二次成核。 二次成核:在溶液中含被结晶物质晶体的条件 下出现的成核。二次成核主要是接触成核,在 工业结晶器中的成核大都属于接触成核。
主体是一敞口或闭式的长槽,底部半圆形。 槽外装有水夹套,槽内则装有长螺距低速 螺带搅拌器。全槽常由2~3个单元组成。
1—结晶槽;2—水槽(冷却水夹套)
3—搅拌器;4,5—接管
(2)工作原理
中科大《结晶化学导论》第8章——唐凯斌2015
具有该结构的化合物:AlPt, AuBe, CoGe, CoSi, FeGe, GaPd, GeMn, GeRh, HfSb, HfSn, RhS, SbZr, SiTc
2、FeS2(黄铁矿)结构
S2-占据Cl-位置, 空间群Pa3。
具有该结构的化合物: MgO2,CdO2,ZnO2等
3、CaC2结构
纤锌矿ZnS:S离子为A3最密堆积,Zn离子填在一半 的四面体空隙。堆积方式为:沿[001]方向:Aa Bb Aa
Bb Aa Bb…..
-闪锌矿或纤锌矿结构的AB型化合物。 -闪锌矿或纤锌矿无序或有序超结构的化合
物。
-闪锌矿或纤锌矿无序或有序缺陷超结构的 化合物。
-闪锌矿或纤锌矿结构的AB型化合物。
1、过渡金属硫化物、硒化物、碲化物,如TiS,FeS, VSe,NiSe,CrTe,MnTe等。
2、合金体系,如CuSn,MnBi,NiSb,PdSn等。
3、六方NiAs结构的正交变体结构,如CrP,FeP, MnP,MnAs,VAs,CoAs等。
4、NiAs型有序超结构化合物 1) 阳离子交替占据在阴离子层间,对称性由 P63/mmc降低为P3m1, 如LiCrS2 等。 2) 阳离子空位有序, 如Cr2S3,Cr5S6等。
LiInO2结构, 空间群I41/amd, aac, c 2ac
LiNiO2结构, 空间群R3m, a ac/21/2, c 2•31/2ac
- NaCl型结构衍生相 1、FeSi结构(空间群P213)
(0,0,0), (1/2,1/2,0), (1/2,0,1/23;x,1/2-x,-x), (1/2-x,-x,1/2+x), (-x,1/2+x,1/2-x)
第八章第二节结晶分离
在工业结晶器中,晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞,以及晶 体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。
添加晶种诱导晶核形成
通常方法: 现成的晶体,可将其研碎,加入少量的溶剂,离心除去大颗粒 ,再稀释使之处于低饱和状态,这时悬浮液中具有许多小晶 核,将其倒入到待结晶的溶液中,经过轻轻搅拌后放置一段 时间即有结晶析出。 少量的待结晶液体进行蒸发,待产生晶体后再行加入.
2. 晶核的形 成
当介质达到过饱和状态后,溶液中便产生细 小晶粒(称为晶核)。晶核的形成是晶体生 长过程必不可少的核心。
3.晶体的生长
在过饱和溶液中,溶质质点在过饱和度推动 力的作用下,向晶核或加入的晶种运动,并 在其表面有序堆积,使晶核或晶种不断长大 形成晶体。
1. 达到过饱和状态
在一定温度下,向一定量溶剂里加入某种溶质,当溶质 不能继续溶解时,所得的溶液叫做这种溶质的饱和溶液。
晶体生长过程
(1)待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液层, 从溶液中转移至晶体表面。
(2)到达晶体表面的溶质嵌入晶面,使晶体长大,同时放 出结晶热。
(3)放出来的结晶热传导至溶液中。
三、晶体形成的条件
1. 溶质的性质
各种有机酸、单糖、核苷酸、氨基酸、维生素、 辅酶等分子量子较小,结构比较简单的物质,当 其纯度达到一定程度后,一般都可以结晶成分子型 或离子型的晶体。
一次成核分为非均相和均相一次成核。
均相一次成核:是在均相过饱和溶液中自发产生晶核 的过程。
非均相一级成核:在非均相过饱和溶液中自发产生晶 核的过程。实际上溶液中有外来固体物质颗粒,如大 气中的灰尘或其他人为引入的固体粒子,这些外来杂 质粒子对一次成核过程有诱导作用.非均相成核可在 比均相成核更低的过饱和度下发生。
结晶学 第八章 面缺陷
图8.1.2 肖克莱位错
8
图8.1.3 负弗兰克位错
9
图8.1.4 正弗兰克位错
10
全位错与不全位错的区别: 全位错:位错的滑移矢量长度等于一个原子间距 不全位错:位错的滑移矢量长度小于一个原子间距 晶格畸变程度:层错<不全位错<全位错 层错的最近邻关系没有发生变化,只是次近邻 关系发生了变化,层错部位几乎不产生弹性形 变。
21
如果交界面是任意的(h k 0) 面,称为非对称的倾斜晶界。
这种晶界可由柏氏矢量分别为 b1 = [100]和 b2 = [010]的两组平 行的刃型位错来表示。
图8.2.2 非对称的倾斜晶界
22
另外由两组正交的 螺型位错线可以形成 扭转晶界,也满足关 系式)
图8.2.3 螺型位错形成的扭转晶界
滑移区 不 层错区 全 a a [110] 位 [ 21 1 ] 6 2 错
不 全未滑移区 位 错
夹在他们之间的区域为层错区。这种形式的两条不全位错称作扩 展位错。
图8.1.7 扩展位错
15
8.1.4 金刚石结构堆垛层错及不全位错的原子排布特点
金刚石结构可以看作是由两套面心立方子格子套构而成,正 常的堆垛次序为AA ́ 、BB ́、CC ́、AA ́……
δ
29
30
总之,晶界、相界、堆垛层错等二维面状晶体缺陷称为 晶体中的面缺陷。 在讨论面缺陷的形态和性能时,常把面缺陷化为一系列 的位错来处理。 因为: ① 人们对位错的形态、性能了解的比较透彻,研究方便; ② 小角晶界等面缺陷,经观测表明,的确是由一系列位错 排列而成。
31
如果相界两侧的晶格在夹角上有差异 δ ′ = 则相界面产生螺位错的间距为 D = b sin θ
第八章+食品的浓缩与结晶技术
1
6.87 0.855 11.2 1.4 575 126
28 536 690 270
蒸发效数
2
3
3.23
2.07
0.404
0.259
9.7
13.3
1.21
1.66
201
109
185
230
40
52
188
102
413
384
270
380
4
1.57 0.182 16.7 2.09
76 300 55 73 428 500
四、蒸发浓缩过程的节能与多效蒸发
单效真空蒸发广泛应用于食品浓缩。其最大优点就是容易操作 控制;可依据物料的粘性、热敏性等,控制蒸发温度和蒸发速率; 由于物料在单效蒸发器内停留时间长,会带来热敏性成分的破坏, 且物料在不断地浓缩,其沸点也随浓度的提高而增大,黏度也随 浓度和温度的变化而变化,因此浓缩过程要合理选择和控制蒸发温 度。由于液层静压效应,从而引起的液面下局部沸腾温度高于液 面上的沸腾温度,同时因料液黏度增大,物料在蒸发过程中湍动 小,更易增大温度差异,甚至加热面附近料液温度接近加热面温 度,引起局部结垢、焦化,严重影响热传递。
单效蒸发还存在热耗高,传热面积不能太大等特点,限制其蒸 发能力的提高。对于生产量很大的现代化大型食品加工厂,真空 多效蒸发显示出了其更大的优越性。
1.多效真空蒸发的特点
①在真空条件下,液体的沸点低,有利于增大加热蒸汽与液体 之间的温差,增大传热效率,减少传热面积; ②物料在较低温度下蒸发,可以减少对热敏性物料的破坏; ③便于采用低压蒸汽和废热蒸汽作为热源,降低能耗,提高生 产效率。 ④真空蒸发需要配备真空系统,会增大设备投资及动力消耗。
第八章-固相反应(1)
C0 V KC K (1 K / D)
1 1 1 V KC 0 DC0 /
(8-19)
12
讨论:
1 1 1 V KC0 DC0 /
(1)D>>K时,扩散快,相界面反应慢,δ/DC0很小, V= KC0=KC= VR (C≈C0)
属于界面反应控制范围(即化学反应动力学范围)。
(2)一级反应(n=1):
VR=dG/dt = KF(1-G)
对于球形颗粒
F= N4πR02(1-G)2/3
dG/dt= KN4πR02(1-G)2/3(1-G) =K1(1-G)5/3 (微分式 8-25)
积分式:
3K1 (1 G)5 / 3 dR0
dG
dt
当t=0时,G=0时,
得F(G)=
b)反应物分解AB(s)→A(g) +B(g)
例:ZnO(s)→ZnO(g) ;
ZnO(g) + Al2O3→ZnO·Al2O3
3
(2)按反应的性质分(有五种类型,如表7-3)。
(3)按反应机理分有: 扩散控制过程;化学反应控制过程;晶体长大控制过程; 升华速度控制过程等。
4
二.固相反应的基本特征 1.固相反应属于非均相反应,参与反应的固相相互接 触是反应物间发生化学反应和物质输送的前提; 2.固相反应一般需在较高温度下进行,但反应开始的 温度远低于反应物的熔点或系统低共熔点温度。这一温 度与系统内部出现明显扩散的温度一致,称为泰曼温度 或烧结开始温度。 泰曼(Tamman)温度——系统内部出现明显扩散的温度 ( 为固相反应开始温度)。 泰曼温度与熔点(TM)之间的关系: 一般金属: 0.3~0.4 TM ; 盐类:0.57 TM ; 硅酸盐:0.8~0.9 TM ; 海德华定律——反应物之一的多晶转变温度标志着固相 反应开始的温度。
第8章 相平衡与相图原理(Fe-C合金平衡结晶过程)-1精品PPT课件
F+ Fe3CⅢ。
室温下Fe3CⅢ
最大量为:
0 . 0 2 1 8 0 . 0 0 0 8 Q F e 3 C I I I 6 . 6 9 0 . 0 0 0 8 1 0 0 % 0 . 3 %
㈡ 共析钢的结晶过程
合金液体在 1-2点间转变
为g。到S点
发生共析转 变:
gS→aP+Fe3C, g 全部转变
共晶转变结束时,两相的相对重量百分比为:
Qg
6 .6 9 4 .3 1 0 0 % 6 .6 9 2 .1 1
5 2 .2 % ,
Q F e3C
4 7 .8 %
C点以下, g 成分沿ES线变化,共晶g 将析出Fe3CⅡ。
Fe3CⅡ与共晶Fe3C 结合,不易分辨。
1’
g
Fe3C
2
温度降到2点, g 成分达到0.77%, 此时, 相的相对重量:
过共晶白口铁 共晶白口铁 亚共晶白口铁
过共析钢 共析钢 亚共析钢
工业纯铁
⑶ 白口铸铁 (2.11~6.69%C) 铸造性能好, 硬而脆
① 亚共晶白口铸铁 (2.11~4.3%C)
② 共晶白口铸铁 (4.3%C)
③ 过共晶白口铸铁 (4.3~6.69%C)
㈠工业纯铁的 结晶过程
合金液体在1-2
冷却时发生包晶反应.
Ⅲ
A
H
B
J
以0.45%C的钢为例 合金在4点以前通过匀
晶—包晶—匀晶反应全
G S
P
a+Fe3C
部转变为g。到4点,由
g 中析出a 。到5点, g 成分沿GS线变到S点,g 发生
共析反应转变为珠光体。温度继续下降,a 中析出
第八章 结晶与干燥解读
晶坯
晶核
晶体
第一节 结晶基本原理
初级非均相成核是指由于灰尘的污染,发酵液中的菌体, 溶液中其它不溶性固体颗粒的诱导而生成晶核的现象 , 称为 初级非均相成核。 由于实际的操作中难以控制溶液的过饱和度,使晶核的 生成速率恰好适应结晶过程的需要。因此,在工业中,一般 不以初级成核做为成核的标准。 (2)二次成核 向介稳区(不能发生初级成核)过饱和 度较小的溶液中加入晶种,就会有新的晶核产生。我们把这 种成核现象称为二次成核。工业上的结晶操作均在有晶种的 存在下进行。因此,工业结晶的成核现象通常为二次成核。 在二次成核中有两种起决定作用的机理:液体剪切力成核和 接触成核。其中又以接触成核占主导地位。
第一节 结晶基本原理
(4)温度的影响 当温度升高时,成核 的速度升高。一般当温度 升高时,过饱和度降低。 因此,温度对成核速度的 影响要以 T 与 S 相互消长速 度决定。依实验,一般的 成核速度随温度上升达到 最大值后,温度再升高, 成核的速度反而下降。
第一节 结晶基本原理
(5)碰撞能量E的影响 大产生的晶粒数越多。 (6)螺旋浆的影响 螺旋浆对接触成核的影响最大,主 在二次成核中,碰撞的能量E越
第一节 结晶基本原理
在上述三个区域中,稳定区内,溶液处于不饱和状态, 没有结晶;不稳区内,晶核形成的速度较大,因此产生的结 晶量大,晶粒小,质量难以控制;介稳区内,晶核的形成速 率较慢,生产中常采用加入晶种的方法,并把溶液浓度控制 在介稳区内的养晶区,即AB线与C′D′线区域内,让晶体逐渐 长大。 过饱和曲线与溶解度曲线不同,溶解度曲线是恒定的, 而过饱和曲线的位置不是固定的。对于一定的系统,它的位 置至少与三个因素有关:①产生过饱和度的速度(冷却和蒸 发速度);②加晶种的情况;③机械搅拌的强度。冷却或蒸 发的速度越慢,晶种越小,机械搅拌越激烈,则过饱和曲线 越向溶解度曲线靠近。在生产中应尽量控制各种条件,使曲 线AB和C′D′之间有一个比较宽的区域,便于结晶操作的控制。
第八章 结晶
加入晶核后,溶质在晶核周围聚集、排 列,溶质浓度降低,并降至SS线。
不稳定区
在TT曲线的上半部的区域称为不稳定区,在 该区域任意一点溶液均能自发形成结晶,溶 液中溶质浓度迅速降低至SS线(饱和)。
影响晶体生长速度的因素
杂质:改变晶体和溶液之间界面的滞留层特 性,影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因 杂质吸附导致的晶体生长缓慢。
搅拌:适当的搅拌可增加晶体与母液的接触 机会,加速晶体生长;但过快,会增加溶质 的溶解。一般5-15r/min为宜。
温度:通常采用较高温度使溶质溶解,而后 缓慢冷却获得结晶。
晶体生长速度快,晶体尚未长大,溶质浓度 便降至饱和溶解度,此时已形成大量的细小 结晶,晶体质量差。
因此,工业生产中通常采用加入晶种,并将 溶质浓度控制在养晶区(饱和区),以利于 大而整齐的晶体形成。
晶体纯度的影响因素
溶液性质、杂质、溶剂和操作条件等 (1)母液在晶体表面的吸藏
指母液中杂质吸附于晶体表面,如果晶体生 长过快,杂质甚至会机械地陷入晶体。 (2)形成晶簇,包藏(Lnclusion)母液 细小晶体易形成晶簇,而晶簇中常机械地包 含母液的情况。 (3)影响晶习(晶体的外形)
晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时,晶格 不同也可能产生吸藏现象,杂质质点陷入产 品晶体中。
常用的结晶方法
热饱和溶液冷却(等溶剂结晶) 适用于溶解度随温度升高而增加的体系; 同时,溶解度随温度变化的幅度要适中。 自然冷却、间壁冷却(冷却剂与溶液隔 开)、直接接触冷却(在溶液中通入冷 却剂)
常用的结晶方法
无定形固体:析出速度快,粒子排列无规 则。
第八章结晶法
6
4、结晶的前提条件:溶液达到过饱和 5、晶核:最先析出的微小颗粒是以后结晶的中心,称为晶核 6、结晶的三个过程:形成过饱和溶液 晶核形成 晶体生长
2
7、饱和曲线和过饱和曲线
饱和曲线:溶解度和温度的关系曲线
过饱和曲线:开始有晶核形成的过饱和浓度与温度的关系曲线
浓 度 不稳区 过饱和曲线 E 饱和曲线
介稳区 C
D B A
稳定区 温度T
3
二、过饱和溶液的形成
1、将热饱和溶液冷却
2、将部分溶剂蒸发
3、化学反应结晶 4、盐析结晶
4
三、影响晶体质量的因素及控制方法
晶体质量是指:晶体大成速度和晶体生长速度之间的 对比关系。主要影响因素包括:过饱和度、温度、搅拌速
度和杂质。
(1)过饱和度:增加,晶体细小。 (2)温度:快速冷却得到细小晶体。 (3)搅拌:搅拌越快晶体越细小。 (4)晶种:加入大小均匀的晶种可得到均匀的成品晶体。
5
2、晶体的形状
结晶方法、溶剂、杂质、过饱和度、温度、搅拌、 温度都影响晶体形状。 3、晶体的纯度 夹带母液、灰尘、气泡
通过洗涤、重结晶等方法减轻。
第八章
结晶技术
沉淀(无定形),结晶(晶体),过程本质一样
结晶具有很好的选择性,是一种精制操作。 结晶主要用于小分子纯化。 设备简单、操作简单、成本低。
1
一、结晶的基本原理
1、饱和溶液:溶液的浓度等于溶质的溶解度(c*)
2、过饱和溶液:溶液的浓度大于溶质的溶解度(c)
3、过饱和度(S):
C S= C*
第8章回复及再结晶
8.3.2再结晶动力学曲线
材料科学基础
第八章
再结晶动力学:取决于形核率N和长大速率G的大小。 再结晶动力学曲线表示T—φR—τ关系曲线,其特点: (1) 恒温动力学曲线呈“S”形 (2) 有一孕育期 (3)等温下,再结晶速度呈现“慢、快、慢”的特点
8.3.3再结晶温度及其影响因素
材料科学基础
第八章
动态回复和动态再结晶示意图
材料科学基础
第八章
(二)动态再结晶
材料科学基础
第八章
1. 动态再结晶的应力应变曲线 如图为金属在一定温度下以不同应变速率变形并发生 动态再结晶时的s—e曲线,曲线分成三个阶段: 第一阶段—加工硬化阶段:应力随应变上升很快, 金属出现加工硬化(0<ε<εc)。 第二阶段—动态再结晶开始阶段:应变达到临界值 εc,动态再结晶开始,其软化作用随应变增加而上升的 幅度逐渐降低,当σ>σmax时,动态再结晶的软化作用超 过加工硬化,应力随应变增加而下降(εc <ε<εs)。 第三阶段—稳定流变阶段:随真应变的增加,加工 硬化和动态再结晶引起的软化趋于平衡,流变应力趋于恒 定。但当ε以低速率进行时,曲线出现波动,其原因主要 是位错密度变化慢引起。
材料科学基础
第八章
回复驱动力为形变储存能
1. 低温回复:点缺陷的迁移 2. 中温回复:位错滑移导致位错重新组合 3.高温回复:多边化。多边化的驱动来自应变能的下降。 多边化产生的条件: (1) 塑性变形使晶体点阵发生弯曲。 (2) 在滑移面上有塞积的同号刃型位错。 (3) 需加热到较高温度使刃型位错能产生攀移运动。 多晶体亚晶形成过程:多系滑移 — 位错缠结 — 位错胞 — 位错 网—亚晶界。
一些金属的再结晶温度
第八章第二节 结晶分离
挂线结晶养大法
3. 晶体的生长
晶体生长: 物质在一定温度、压力、浓度、介质、 pH 等条件下由气相、液相、固相转化, 形成特定维 度尺寸晶体的过程。 晶体生长机理: 在过饱和溶液中已有晶体形成(加入 晶种)后,以过饱和度为推动力,溶质质点会继续一 层层地在晶体表面有序排列,晶体将长大的过程。
晶体生长过程
3. 等电点结晶法 乙酰-DL-色氨酸的重结晶:2.5kg乙酰-DL-色氨酸 加 1.2-1.3升NaOH(5N)溶解 加50g活性碳脱色 过滤 取滤液用冰乙酸在10℃下调至pH3.0 缓慢搅拌至有大量 结晶出现。
4. 温差结晶法
此方法是利用溶液中各种溶质的结晶温度或熔点、凝固点 的差异 ,通过控制溶液的不同温度而将各溶质组分在不同的 温度下分别结晶而加以分离。
清华大学生命科学学院施一公教授研究组在《自然》(Nature)在线发 表题为《细菌能量耦合因子转运蛋白结构》的研究论文,首次报道了能量耦 合因子转运蛋白复合物四聚体的晶体结构,并通过结构信息阐述了该蛋白复 合物的工作的分子机制。
2. 溶质的纯度
溶质要形成晶体 , 必须要有一定的纯度。这是结晶 的必要条件之一。 杂质含量越低则溶质的纯度就越高 , 这样就有利于 结晶的形成和生长。 杂质的存在 , 有时会影响到结晶粒子在结晶面上的 定向排列以致使结晶进行得很慢甚至无法进行。而 有些杂质则会与结晶粒子形成络合物。
(二)晶体的形成过程
1. 达到过 饱和状态
晶体从溶液中形成,不论是通过减少溶剂量 还是通过降低温度,首先须使其介质达到过 饱和状态。
当介质达到过饱和状态后,溶液中便产生细 小晶粒(称为晶核)。晶核的形成是晶体生 长过程必不可少的核心。 在过饱和溶液中,溶质质点在过饱和度推动 力的作用下,向晶核或加入的晶种运动,并 在其表面有序堆积,使晶核或晶种不断长大 形成晶体。
反应结晶实验讲义
反应结晶实验一、 实验目的(1)考察间歇反应器内反应沉淀结晶过程操作条件(反应温度、搅拌速度、加料方式、陈化时间等)对产品形貌和粒度的影响。
(1)掌握间歇反应器的特性及操作方法。
(2)掌握工业上反应沉淀结晶过程的操作要点。
(3)认识反应沉淀结晶过程的成核过程和生长过程规律。
二、 实验原理粒子从液相析出过程,实质上是反应沉淀结晶过程,这个过程涉及到复杂的传质、传热过程,在不同的物质及化学环境下,沉淀形成的机理可能不同,但其一般由以下三步组成:(1)由反应过程产生过饱和度;(2)形成晶核;(3)晶核成长为可分辨的大小。
由反应结晶理论可知,粒子的形成可以分为晶核形成与晶体长大两个过程,该过程也是一个相变过程。
成核过程,相变驱动力为自由能变化:σππ2334r Vg r G +∆⋅-=∆ (1) 式中:△G :吉布斯自由能变化。
r :成核胚芽半径。
△g :摩尔相变吉布斯自由能变化。
V :摩尔体积。
Σ:比表面能。
由Gibbs-Thomson 关系式,临界晶核大小:SRT V r c ln σ2= (2) 式中:R :气体常数。
S :过饱和度。
成核过程可以看作是激活过程,成核所需的活化能为:ST R V G E c c 222321434ln ⋅⎥⎦⎤⎢⎣⎡=∆=σπ (3) S G E c c 21ln ∞∆= (4) 可见,提高溶液中反应结晶过程的物质的过饱和度S ,可以大大降低△G c 使r c 减小。
式中:r c :临界晶核半径。
△G c :临界自由能变化。
成核速率J 可以表示为:)/exp(kT G J ∆-Ω=,S T k V G 22223ln /βσ=∆ (5)上式可以写成:002201A A J S S A J )()]ln /[exp()ln /exp(Ω=-Ω=-Ω= (6)式中:ß:形状因子,J :核化速率,Ω:单位时间,单位速率的有效碰撞次数。
22230T k V A /βσ= (7)可见,成核速率J 对过饱和度非常敏感,过饱和度超过某一程度(临界过饱和度),成核速率迅速增大至极限。
【材料科学基础】必考知识点第八章
2020届材料科学基础期末必考知识点总结豆第八章回复与再结晶第一节冷变形金属在加热时的组织与性能变化一回复与再结晶回复:冷变形金属在低温加热时,具显微组织无可见变化,但其物理、力学性能却部分恢复到冷变形以前的过程。
再结晶:冷变形金属被加热到适当温度时,在变形组织内部新的无畸变的等轴晶粒逐渐取代变形晶粒,而使形变强化效应完全消除的过程。
二显微组织变化(示意图)回复阶段:显微组织仍为纤维状,无可见变化;再结晶阶段:变形晶粒通过形核长大,逐渐转变为新的无畸变的等轴晶粒。
晶粒长大阶段:晶界移动、晶粒粗化,达到相对稳定的形状和尺三性能变化1力学性能(示意图)回复阶段:强度、硬度略有下降,塑性略有提高。
再结晶阶段:强度、硬度明显下降,塑性明显提高。
晶粒长大阶段:强度、硬度继续下降,塑性继续提高,粗化严重时下降。
2物理性能密度:在回复阶段变化不大,在再结晶阶段急剧升高;电阻:电阻在回复阶段可明显下降。
四储存能变化(示意图)1储存能:存在于冷变形金属内部的一小部分(〜10%)变形功。
「弹性应变能(3〜12%)2存在形式J位错(80〜90%) 1I点缺陷j 是回复与再结晶的驱动力3储存能的释放:原子活动能力提高,迁移至平衡位置,储存能得以释放。
五内应力变化回复阶段:大部分或全部消除第一类内应力,部分消除第二、三类内应力;再结晶阶段:内应力可完全消除。
第二节回复一回复动力学(示意图)1加工硬化残留率与退火温度和时间的关系ln(x o/x)=C o texp(-Q/RT)x o原始加工硬化残留率;X—退火时加工硬化残留率;C0一比例常数;t—加热时间;T—加热温度。
2动力学曲线特点(1)没有孕育期;(2)开始变化快,随后变慢;(3)长时间处理后,性能趋于一平衡值。
3高温回复:位错攀移(+滑移)f 位错垂直排列(亚晶界)+多边化(亚(0.3~0.5Tm )晶粒)一►弹性畸变能降低。
三回复退火的应用去应力退火:降低应力(保持加工硬化效果),防止工件变形、开 裂,提高耐蚀性。
回复和再结晶讲解
下面分别详细介绍回复、再结晶、晶粒长大、 再结晶织构以及金属材料的热加工。
第二节 回复 在这一节,涉及的主要问题是:
一、回复的作用 二、回复的动力学 三、回复的机制 四、回复退火的应用
一、回复的作用
260º进行“去应力退火”,内应力能够大部分消除, 而强度、硬度基本不变。这样处理所发生的过程就是回 复。
4、在回复和再结晶的过程中,金属会释放出冷塑 性变形所储存的能量,同时性能也会发生相应的变化。
Δ P,mW Δ ρ ,10-6Ω ·cm HV
125 Δρ
100
HV
30
75
20
50 10
25
ΔP
0
100
200
300
400
温度,°C
图8-1 在室温经75%压缩变形的纯铝(纯度99.998%)以 6ºC/sec的加热速度加热时,热量差Δ P、比电阻的变化Δ ρ 及维
第八章 回复与再结晶
第一节 概述
问题:
1、金属或合金经塑性变形后,为什么要进行退火处理?
金属或合金经塑性变形后,强度、硬度、电阻率和矫 顽力等升高,塑性、韧性、导磁率和耐蚀性则下降,为使 经冷塑性变形的金属的机械性能恢复到冷塑性变形前的状 态,需要对金属加热进行退火。
2、为什么将加工硬化的金属加热到适当的温度能使其恢 复到冷塑性变形前的状态呢?
3、经冷塑性变形的金属加热时,经过那些阶段?各 阶段的特点?
依次经过回复、再结晶和晶粒长大三个阶段 (此三阶段有部分交迭)。如图1所示:
回复
再结晶
晶粒长大
0
T1
T2Biblioteka T3图1 回复、再结晶、晶粒长大过程示意图
反应结晶制备高质量的舒巴坦钠
(i Ql ni oi h r ae t a C . t. J a 2 0 0 , hn ) u—a t it s am cui l o Ld ,i n 5 1 5 C ia b cP c n
Ab t a t S l ca s dim sp e a e y ra tn r salz t n o uba tm c d a o i m c tt sr c : u ba tm o u wa r p r d b e ci g cy tlia i fs l c a a i nd s d u a eae o
酯
, 用异 辛酸 钠作 为 成 盐 剂 结 晶 所 得 产 品 色 采
酸液 A加至碱液 B 搅拌 05 至充分析晶, , .h 过滤 , 乙
醇洗 涤 ,5C真 空 干 燥 得 舒 巴 坦 钠 约 4 g 收 率 3 ̄ 0,
级稳 定性差 , 温放 置 颜 色加 深 明显 。本 文 以醋酸 常
i ta o . h u n i f u b ca s d u wa x el n n t s b l y w sg o t 0 ( . n eh n 1 T e q a l y o l a t m o im s e c l t d i t i t a o d a  ̄ t s e a s a i 6 2
12 实验方 法 .
舒 巴坦钠 与 B一内酰胺 类抗 生 素制 成联 合 注射
成盐剂 的 配制 : 酸 钠 2 g 纯化 水 3 m , 醋 4, 0 L 乙醇
制剂使用 , 效肯 定 。临床 常用 的联合 制剂有 : 疗 优力 新 ( nsn 、 U ay) 舒他 西林 ( ua cln 氨 苄西 林 钠/ St ii, mi l 舒
钠反应 结 晶 , 晶溶 剂 有 甲醇 、 醇 、 酮 、 酸 乙 结 乙 丙 乙
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混合过程与结晶过程
• 在离子溶液的反应结晶过程中,反应沉淀过程是非常快的。 一般来说,达到微观混合的时间是和反应沉淀过程是相同 的级别。甚至混合时间要大于反应沉淀时间, • 例如:双进料的硫酸钡反应结晶过程使用较低的反应物浓 度(4.5mmol/ml),喂料至搅拌桨上部并快速地搅拌,这 种过程达到微观混合的时间 τ w 是成核的特征τ 时间的九 n 倍,即 τ w ﹥﹥ τ n , • 这就意味着在喂料区域内,晶核的浓度大于在主体溶液晶 核的浓度。 • 这也是说成核过程绝大部分是在喂料附近而发生。在这样 的一个过程中,混合过程控制着反应结晶的过程,所以在 沉淀反应过程的模型中,混合过程的模型必须被考虑在内, 甚至用混合过程模型来描述反应结晶过程。
a ± = (x y )
Cf ±
f ± = (f zx f zy )1 (x + y)
• 活动系数的计算,文献中有很多不同的方法,一般对稀 溶液来说 0.5
log10 (f ± ) = −A DH zz'I
•
I为溶液的离子力,
I= 1 ∑ Ci z i2 2
• Ci为离子i的浓度,zi是它的电荷数 • ADH时随温度而变的常数,
– 喂料区域, 快速的反应产生很高的局部过饱和 度,因此可能产生初级成核。 – 搅拌浆区域:在这个区域,能量消耗速率比较 高,因此可能产生较多的二次成核 – 主体流动区域。
中间混合状态(Mesomixing
• 中间混合状态是宏观混合与微观混合之间 的一种混合状态,是从宏观混合过渡过微 观混合的一个过程,这种混合的机理非常 复杂,
xA z + + yBz '− ↔ A x By
(solid)
• 对电荷平衡 xz = yz’ • 在第二种情况下,热力学平衡用溶解积来表示, 一般来说溶解积为温度的常数
x y ka = a Ae aBe
• a Ae为阳离子 A z + 的活度,a Be 为阳离子B z '−的活度 (平衡状态) z+ z '−
A B e e
z'-
z+
x
y
• 平衡状态下 溶液的浓度积 • 其平衡摩尔浓度 • 对非常难溶的物质
Ka Kc = x y fz fz'
K C* = x C y x y
1 (x + y)
f ± = 1,
Ka = Kc
溶解度与颗粒尺寸的关系(Ostwald)
不同的加料位置
• 通过模拟计算以及实验验证如图所示,对一个半间歇式的 反应结晶器,如果其喂料点不同,其得到的产品的质量不 同。 • 第一种加料方式,如果喂料浓度相对较高,产品的平均粒 径随间歇操作时间,搅拌强度,反应物的喂料流率增加而 增加,在较低的喂料浓度下,以上这些参数对产品的颗粒 平均没有什么影响,但CV值随浓度的增加而增加。 • 第二种喂料方式,产品中颗粒的尺寸的变化趋势和上述的 第一种情况类似,但产品的平均粒径相对较小,其平均粒 径随操作条件的变化变敏感,甚至在较低的喂料浓度下, 操作条件对产品的粒度也会有明显的影响,从图中可以看 到,在不同的操作方式下,过饱和度随时间的变化曲线, 因此可见操作方式对结晶过程的影响。
反应结晶推动力
• • 溶解度 反应结晶过程可能有两种反应过程
– 化学反应导致了一种较小溶解度的物质P然后结晶,即
A + B ⇔ P ⇔ S ( solid )
反应过程可以在平衡状态或者以有限的速率进行反应。在这种情况下, 组分P的溶解度可以用在水溶液中的摩尔浓度来表示。一般来说是温 度的函数。 – 化学反应不生成任何微溶解度的物质,而反应后直接反应产生许 多离子反应,产生难溶物质的过程属于这一类
– 宏观混合(macromixing):流体的分散由速度 场产生。混合时间一般为1-10 秒。 – 中间混合状态(mesomixing), 混合时间约为 0.1 – 1秒。 – 漩涡的伸展与旋转,和分子扩散,
• 漩涡,0.02 -0.001 秒,扩散0.01-0.001 秒
宏观混合
• 宏观混合可以定义为整个流场的主体流动 对各物质浓度局部平均值的贡献。 从宏观 混合的角度考虑,结晶器可分为三个区域:
反应结晶过程
第八章
反应(沉淀)结晶
• 沉淀反应不同于一般的结晶过程。 沉淀反应不同于一般的结晶过程。其饱和度不 是用物理的方法而产生。(如蒸发、冷却等)。 。(如蒸发 是用物理的方法而产生。(如蒸发、冷却等)。 其饱和度的产生用由两个或两个以上的可溶性 物质的反应而产生一种难容物质, 物质的反应而产生一种难容物质,从而进行的 结晶过程沉淀结晶的特征: 结晶过程沉淀结晶的特征:
– 反应过程动力学, – 结晶过程动力学。
• 成核、成长、熟化 • 聚并及破碎。
反应动力学
• 对化学反应,生产难溶物质P的反应,可表 示为 ν A+ν B=ν P +ν R
A B P R
– A 和B为反应物,P为一种难溶物质,R也许是 一种可溶性物质。
• 对这样的化学反应,其反应速率可用γ来表 示: α β
– 大的涡流由提供能量的设备部分产生, – 大涡流的分离而形成小的涡流,是一个从宏观 尺寸为基础的大涡流转化成小涡流的过程, – 从而达到微观混合的状态。
微观混合
• 微观混合可以被认为是一个在涡流流体微团内或 在层流内不稳定分子扩散,溶解的反应物被加到 一个相对大的惯性流动的主体溶液的液流中,这 个惯性流动的涡流提供了一个微观混合的环境, 最初的溶液反应物在涡流中的浓度依赖于混料管 的直径和喂料速率和主体溶液的流速。 • 微观混合的时间可以用 Tw = 12(γ ) 来估算 ε ε 单位质量流体的能量消耗速率。 γ 动力学粘度 γ = µ
µ = xµA + yµB
µA = µA0 + RT ln(a A )
为Az+ 安定Bz‘-在溶液中的化学势。
µB = µB0 + RT ln(a B )
• 结晶过程的推动了,对离子固体而言
x y a Aa B ∆µ = x( µA -µ A *)+y(µB − µB *)=RT ln x y a*A a*B x y a Aa B ∆µ =RT ln Ka
• 反应结晶在结晶器内的发生过程
– 反应物的加入 – 反应物在溶液中的混合过程:只有在反应物的 离子(或分子)相接触时反应才能发生 – 反应过程 – 成核过程 – 成长过程
• 混合过程在反应结晶过程尤为重要
混合状态
• 在结晶其内的混合状态必须要加以考虑, 其过程的进程直接影响反应结晶过程。 • 就混合过程而言, 其可分为
沉淀反应结晶的操作方式
• 沉淀反应过程可以大致分为四种方式:
– 间歇:即在反应物A中一次加入全部的反应物B, 进行间歇操作。 – 半间歇:单反应物喂料,在反应物A中,逐渐 加入反应物B。 – 半间歇:在原有一定反应物A(或反应完成物R) 内逐渐加入反应物A和反应物B。 – 连续
混合状态对反应结晶的影响
γ = k r CA CB
• 一般,α、β、Kr由实验而测得
结晶动力学
• 关于结晶动力学的知识在前面已经介绍,这里仅 对反应结晶过程中结晶动力学的特征来介绍一下。 • 初级成核是反应结晶中最明显的特征,一般来说, 由冷却和其他的物理方法获得的最大过饱和度的 值都是非常小的,因此其初级成核的量相对也较 小,但在反应结晶过程中,因反应速率非常的快 导致局部过饱和度非常高,特别是在喂料点附近, 这些过饱和度都会大大超过一般意义上的临界过 饱和度,而发生局部非常多的初级成核。
1 2
ρ
反应时间,初级成核诱发时间
• 一般沉淀反应时间非常的快,因此反应的 进程主要是反应物混合时间的控制。 • 初级成核是从溶液中形成新晶体的过程, 一般来说需要一定的诱发时间,这一时间 一般也比较快,对离子反应,在1秒钟以内, 与反应物的浓度相关。 • 因此如果混合过程控制了反应过程,可以 控制成核速率。从而控制产品的粒度。
– – – – – – 一般反应过程非常迅速,产品物质的溶解度非常小 结晶过程的过饱和度非常高 结晶过程的进程非常快:成核、成长 一般会伴随其它过程。如ostward ,ripening(熟化过 程)和聚并过程。其过程都是同时进行。因此存在过 程的机理很难分清 成核一般为初级成核、二次成核的比率很小大量的细 小晶体产生成核过程起着很大的作用 反应物的混合物过程—微观混合;宏观混合过程等对 沉淀反应结晶存在很大影响
L小于1 微米,
过饱和度
• 定义:在反应结晶过程中的过饱和度的定 义是和一般的溶液结晶过程一样,
C S= C* or C-C* C σ= = −1 = S −1 C C*
C浓度在溶液中的浓解度 C*为平衡状态下的溶解度 • 其中的关键是我们怎样确定溶液中结晶物 质的浓度和平衡状态下的浓度。
• 一般来说在反应结晶器中的过饱和度非常高,相对过饱和 度一般用来计算初级成核,由此可见初级成核的速率非常 的高,在反应结晶过程中,由于反应的速度非常的快,局 部的过饱和度非常的大。成核也较高。 • 结晶过程的推动力是溶质在溶液中的化学势与溶质在固体 上的化学势差, • 在平衡状态下。这两种化学势是相等的,即在平衡状态下 溶质在固体上的化学势可以用平衡状态下溶质在溶液中的 化学是来表示 • 一般某种物质在溶液中的化学势可表示为
µ = µ0 + RT ln a
µ0 为结晶物质在标准状态的化学势,a 为活度。
• 因此,理论上的过饱和度, 应为以活度表示的过饱和度, 对“分子”结晶过程
µ − µ * = RT ln
a a*
• 但是,对离子晶体,正负离子在参与反应过程中的系数必 须要考虑 xA z + + yBz '− ↔ A x By (solid) 离子在溶液中的化学势可表示为: