华中科技大学 模拟电子技术 第2次作业
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
参考答案:∞，∞，02.放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
参考答案:反相，同相3.欲将方波电压转换为三角波电压，应选用。
参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用。
参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍，应选用。
参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
参考答案:正确7.在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
参考答案:错误9.在选择整流元件时，只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
参考答案:错误10.图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。
【图片】参考答案:+15V，-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件，且【图片】，就能产生自激振荡。
参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。
参考答案:1，216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。
参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是。
参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频，那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时，都不会产生自激振荡。
《模拟电子技术》试卷模电2答案.doc
华中科技大学考试卷课程：模拟电子技术基础专业 ____________ 班号__________ 姓名_______________ 学号 ________________一、选择填空（每空2分共24分）1.非线性失真与线性失真（频率失真）的最主要差别是 D 。
（A）非线性失真使信号波形中任一点的幅值没有得到同样倍数的放大，而线性失真则不然；（B）对于周期信号来说，非线性失真改变了信号的周期，而线性失真则没有;（C）对于周期信号来说，非线性失真改变了信号的相位，而线性失真则没有;（D）非线性失真使信号中出现了新的谐波分量，而线性失真则没有。
2.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带B □（A）变宽（B）变窄（C）不变（D）与单级放大电路无关3.差分放大电路共模抑制比的大小反映了 A 。
（A）抑制零漂的能力（B）带负载能力（C）差模增益的大小（D）共模增益的大小4.当有用信号的频率低于100Hz时，应采用A 滤波电路。
（A）低通（B）高通（C）带通（D）带阻5. ______________________________________________________ 放大电路如图1-1所示。
帯负载能力最强的放大电路是__________________________图1-16.在图1・2所示的两个电路中，它们的输入电阻Z间的关系是一C(A)尺|=Ri2=lkQ(B)/?u > R i2(C)R“ < 峙2(D)Rji = R[2 = oo图1-27. 场效应管放大电路如图1-3所示。
已知FET 的％】，设电容对交流信号呈现的阻抗 均很小，可视为短路。
(1) 该放大电路通频带内的电压增益为(2)该放大巾.路的输入巾阻为 B 8. RC 桥式正眩波振荡电路如图1—4所不。
(1) ________________________________________________ 当电路有稳泄的输出波形时，电阻&与尺2的关系应满足 _____________________________________________________ B(A) R2=R\(B) R 2=2R X(C) R2=3R\ (D) R 2 =*&(2) ____________ 当观察到电路的输出波形变成幅值约 为±12V 的方波吋，电路可能存在的故障 是 ___ 。
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH02-1
理想：ri≈∞ ro≈0 Avo→∞ vO＝Avo(vN－vP)
因此理想运算放大器需要采取一定措施 才能用于放大信号
27
2.3 基本线性运放电路
2.3.1 同相放大电路
2.3.2 反相放大电路
--两个单输入放大电路
28
2.3.1 同相放大电路
1. 基本电路 考察如图同相输入电路 开环放大时，vi输 入信号必须很小。 如果将vo输出引回到 vn端使vn上升。 使放大器的净输入vp-vn减 小，可使得vo脱离饱和 达到一个有限值 vo通过R2和R1分压将电压加载到vn端
所以由下图：
R1 vi vp vn vo R1 R2 vo R1 R2 R2 Av 1 vi R1 R1
（可作为公式直接使用）
闭环放大倍数与运放的开环放大倍数无关 仅与外接电阻相关
43
2.3.1 同相放大电路
4. 几项技术指标的近似计算 （2）输入电阻Ri
输入电阻定义 v Ri i ii 根据虚短和虚断有
13
2.1 集成电路运算放大器
三级放大的特点
差分电路输入电阻 大,抗干扰能力强,前 放的放大倍数不要 太大,要求低噪声.
图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图
使放大倍数达到要求
能够驱动负载一 般用跟随器适当 选择输出功率
正负电源 中点作为 参考电位
14
2.1 集成电路运算放大器
集成电路运算放大器的符号
问题：为什么增益等于1还有放大能力？
无电压跟随器时 负载上得到的电压 RL vo vs Rs RL
1 vs 0.01vs 100 1
电流由谁提供?
电压跟随器时
ip≈0，vp＝vs 根据虚短和虚断有
华中科技大学模拟电子技术试卷二
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（本科）及其参考答案试卷一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内） （共22分）1 .某放大电路在负载开路时的输出电压 4V ，接入12k 1的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（） a. 10kl ]b. 2kl 】c. 4kl 】d. 3 k 」2 .某共射放大电路如图1-2所示，其中Rb=4701 iR =21 ，若已知17V , 0.7V ,1.61' =50，则说明（）■V o V CE 7A V=10 a.V iV BE0.7- V o-I e R c-1 2 A V3b.V i V BE0.73 .为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 （）。
a. 共射电路5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放 通常工作在（）。
b. 深度负反馈状态 d.线性工作状态 ）情况下容易引起自激。
b. 反馈系数太小c.V iI b R iRR b〃「beA =Vo ,「氏--50= -62.5d.V ir be1.6b.共基电路c.共集电路d.共集-共基串联电路 4. 在考虑放大电路的频率失真时，若a.有可能产生相位失真c. 一定会产生非线性失真V i 为正弦波，则V o （）b. 有可能产生幅度失真和相位失真d.不会产生线性失真 a.开环或正反馈状态 c.放大状态6.多级负反馈放大电路在（a.回路增益人卩大A V =呂 上空=「空 J -62.5 图1-2c.闭环放大倍数很大 d.放大器的级数少 7. 某电路有用信号频率为 2,可选用（）。
a. 低通滤波器b.高通滤波器c.带通滤波器 d.带阻滤波器8. 某传感器产生的是电压信号 （几乎不能提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，这时放大电路应选（）。
a.电流串联负反馈b.电压并联负反馈c.电流并联负反馈 d.电压串联负反馈9. 正弦波振荡电路如图1-9所示，该电路（ ）。
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH01-1省公开课一等奖全国示范课微课金奖PPT课件
绝大部分电路使用 电压恒定，电流随负载改变
电流源
电路中恒流用
不能成为电路系统电源
18/7118
模拟电子电源表示： 电源在哪里？
图二
图一
图三
电源省略
19/71
电源是什么样：
20/71
模拟电路电源大小：
直流电压源：5V，±5V， ±12V ，±15V 直流电压源：1.8V，2.7V， 3.3V ， 特点：弱电
2/71 2
1.0 引言
我们生存自然界中存在大量物理量
温度 电量
压力 重量
光亮 流量
声音 风速 XX
速度 液位 XX
位移 转速 XX
3/71 3
1.0 引言
物理量改变就是信息
IT是什么？
信息技术
问题：怎样获取这些物理量改变？
传感器
4/71 4
1.0 引言
传感器怎样反应物理量改变？
温度 重量 压力 流量 光亮 液位 速度 转速 位移 XX 电压 XX
48/7148
1.4.3 放大电路模型类型
AS
Vo VS
AVO
RL Ro RL
Ri Rs Ri
源电压放大倍数是对信号纯放大，应该尽可能确保
信号源电阻会消耗一部分信号源电压造成开环放大倍数降低 为降低开环放大倍数降低，输入电阻应尽可能大
输出电阻会消耗一部分输出电压造成开环放大倍数降低 为降低开环放大倍数降低，输入电阻应尽可能小
模拟电路电源对电路电位限制：
普通情况下，电路中各点电位不会超出电源电压
21/71
放大器
信号源
电源 放大器
负载
n模电关键 n为何要放大？ n什么是放大？ n对放大有什么要求？ n怎样满足对放大要求？ n什么器件能够进行放大？ n怎样组成放大系统？
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH07-1
ID2=IO EF
两臂电流互相相等。 称为电流源是因为工作在饱和区
-VSS
iD2=iO ID2 1 斜率＝ ro 击穿
2.为什么采用这样的结构？
用T1管为T2提供稳定的VGS电压使 T2管工作在饱和区。
Rd ID2=IO + VDS2 -
(VGS2 VTN2 )2 ID2 (W2 / L2 )Kn2 (VGS1 VTN1 )2 IREF (W1 / L1 )Kn1
-VSS
iD2=iO 1 斜率＝ ro 击穿
IO I D2 W2 / L2 I REF I D1 W1 / L1
I B 2 rce
i C 2 1 ro ( ) vCE 2
R c1 T1
2IB c2 b1 b2
IC1
iC2=IC2 = IO= IREF T2 vCE
一般ro在几百千欧以上
－VEE
33
华中科技大学 刘勃
7.1.2 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
其他形式
＋VCC IREF IC1 T1 R c1
24
可用范围
0
VGS-VTN
VDS
VBR
vDS2
华中科技大学 刘勃
7.1.1 FET电流源电路
1. MOSFET镜像电流源
I O I D2 I REF VDD VSS VGS R
2
+VDD IREF d1 + VDS1 T1 g T2 + VGS R NMOS d2 d2
Rd ID2=IO ID2=IO + VDS2 -
最新-华工模拟电子第二学期作业答案
201405043963005 李实槟模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。
D D u O+- 图1图2答案u i u i5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。
u I2D 1图1图2u I1u答案t 1:D 1导通，D 2截止t 2:D 2导通，D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
U oCCU CCU (c)(d)-ou o2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k ΩV3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
(a)增加(b)减少 (c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。
并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
u o U CC 12V+-答案(1)当R B1开路时，偏置电路如图1所示： U BE ＝0，I B =0，I C =0，I E =0U B =0U C =U CC =12V U E =0此时晶体管处于截止状态。
模拟电子技术 课后习题问题详解 康华光等编
模拟电子技术习题答案第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A VR v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
华中科技大学模拟电子技术课件
《模拟电子技术》
4.1 反馈的基本概念
一、反馈的定义 二、反馈类型及判定方法 3、电压反馈与电流反馈
判断方法：负载短路法
反馈量为零。——电压反馈。
将负载短路，反馈量仍然存在。
电压反馈
将负载短路(未接负载时输出端对地短路),
——电流反馈。
电流反馈
华中科技大学文华学院
《模拟电子技术》
4.1 反馈的基本概念
华中科技大学文华学院
《模拟电子技术》
4.1 反馈的基本概念
一、反馈的定义
将电子系统输出回路的电量（电压或电流）， 送回到输入回路的过程。
反馈放大电路 基本放大电路的输入 假设信号的传输是 的输入信号 信号（净输入信号）
单向的。
反馈通路——信号反向传输的渠道 开环 ——无反馈通路 闭环 ——有反馈通路 输出信号
《模拟电子技术》
4.2 负反馈对放大电路性能的影响
3、展宽通频带
放大电路加入负反馈后，增益下降，通频带加宽， 如图所示。 无反馈时的通频带 f bw= f H－fL f H， 有反馈时 放大电路高频段的 放大倍数为
华中科技大学文华学院
《模拟电子技术》
4.2 负反馈对放大电路性能的影响
3、展宽通频带
X id X i X f 0
一、深度负反馈的特点
《模拟电子技术》
4.2 负反馈对放大电路性能的影响
2、影响输入电阻和输出电阻
UT IT AX id ro UT AFIT ro
闭环输出电阻
UT rof (1 AF )ro IT
电流负反馈
引入电流负反馈后，输出电阻增大了（1+AF）倍。 华中科技大学文华学院
模拟电子技术习题(部分).pptx
RL )
2 (vi1
) R谢谢e你的阅读
vi 2
)
288mV
36
4. Rid=2[rbe+(1+)Re1]=26K
Ric=[rbe+ (1+) Re]/2+(1+)ro=10M Ro=11.2K
2019年10-24
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2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)， RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
3. Vom=1.5V,
4. ibMAX=20µA
2019年10-24
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17
习题3.4.2
1. IBQ=0.04mA, ICQ=2mA, VCEQ=4V 2. H参数等效电路 3. rbe=300+26×β/ICQ=950 4. AV=-50×RL’/rbe=-105 5. AVS=-AVRi/(Ri+RS)=-68.8
2019年10-24
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42
第七章习题解答 反馈放大器
2019年10-24
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43
习题7.1.1, 7.1.2 (P314） (a): 电压并联交直流负反馈，反馈元件R2
2019年10-24
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44
习题7.1.1, 7.1.2 (P314）
(b)：Rf1 , Rf2 , C 电压并联直流负反馈 Re1 电流串联交直流负反馈
10
模拟电子习题3
P 140 3.1.1
解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正 向电压0.2——0.3V或0.6——0.7V)及集电极,就 可以知道管子的材料及类型。
华中科大模拟电子技术习题试卷及答案
试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一〔总分150分〕〔成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术根底试卷之一〕一、选择题〔本大题10个小题，每题4分，共40分。
在每题给出的四个选项中，只有一项为哪一项符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
〕1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，假设改用R ×1k 档，测量同一二极管，那么其正向电阻值〔 〕a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管〔 〕a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这说明该放大电路的输出电阻为〔 〕a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，那么在静态时该三极管处于〔 〕 a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,那么电路的电压增益为〔 〕a.L m R g 'b.s m L m 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为〔 〕a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反应是指〔 〕a. 存在于RC 耦合电路中的负反应b. 放大直流信号时才有的负反应c. 直流通路中的负反应d. 只存在于直接耦合电路中的负反应8. 负反应所能抑制的干扰和噪声是〔 〕a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反应环内的干扰和噪声c. 反应环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，那么电路的输出电压约为〔 〕a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，假设输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,那么差模输入电压△υid 为〔 〕a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题〔本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH10-3模板
4. 窗口比较器
如图能否符 合要求？ 左右两个区域中均 有高低电平同时输 出，能否用？ 加二极管！ 如果还想实现下面 波形电路应该如何 改造？
vI
习题 14 和 20
+ 5V
A1 -12V
vO1 D1 +6V R2 5.1k R1 D2 51k T =50 vO
+12V + 5V A2 -12V vO2
运算放大器开环使用
输入输出电阻维持原状。
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11
10.8.1 电压比较器
（2）.比较器的虚短问题 普通运放以VREF=0为例 虚短不成立？ 用什么方法分析比较器？ 观察放大区是什么区？ 比较区域 状态翻转区域 C
在该区域内：vp-vn~0 推出结论： 虚短在翻转比较的瞬间时刻是成立的
输出电压的高电平VOH和低电平VOL
门限电压 输出电压的跳变方向
令vP＝vN所求出的vI就是门限电压
vI等于门限电压时输出电压发生跳变 跳变方向取决于是同相输入方式还是反相输入方式
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44
4. 窗口比较器
vO
要求的输出波形如图所示： 如何用单门限比较器组 成如此输出波形
(b) vI + A -VEE +VCC vO
+12V
vI
- 5V
O
+VCC
5V
(a) vI + A
vO -VEE
-5V
VREF
5V
VREF
vO VOH
vO VOH VREF O VOL vI
VREF O VOL vI
华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH04-2
g
＋
VDSQ
)
VGSQ
s
VGG
) －
－
求得：
VGSQ=2V，IDQ=0.2mA，VDSQ=2.6V 满足饱和区工作条件：
VDSQ > VGSQ - VTN > 0 ，结果即为所求。
17
华中科技大学 张刘林勃
4.2.2 基本共源放大电路的工作原理
3. 放大电路的静态工作点估算
增强型NMOS管
iD/mA
s
－
直流电压源对交流相当于短路
15
华中科技大学 张刘林勃
4.2.2 基本共源放大电路的工作原理
3. 放大电路的静态工作点估算
Rd
直流通路
假设NMOS管工作于饱和区，则
d IDQ
＋
T
B
VDD
VGSQ = VGG
g
＋
VDSQ
IDQ Kn (VGSQ VTN )2
)
VGSQ
s
VDSQ = VDD - IDQ Rd
4.2 MOSFET基本共源极放大电路
4.2.1 基本共源极放大电路的组成 4.2.2 基本共源放大电路的工作原理 4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法
1
华中科技大学 张刘林勃
4.2.1 基本共源极放大电路的组成
1. 如何让MOS管工作在饱和区？
(1)如何建立沟道？
提供栅源电压使 vGS > VTN
VGG
) －
－
当已知VGG、VDD、VTN、Kn、和Rd 时，便可求得Q点（VGSQ、IDQ、 VDSQ）。必须检验是否满足饱和区工作条件：VDSQ > VGSQ - VTN > 0。 若不满足，则说明工作在可变电阻区，此时漏极电流为
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第二次作业
1.分别判断图l.1 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c) (d) (e)
图1.1 图A ，PNP 管，发射结正偏，集电结反偏，有可能工作在放大区；
图B ，NPNP 管，发射结正偏，集电结反偏，有可能工作在放大区；
图C ，PNP 管，发射结反偏，集电结零偏压；工作在截止区
图D ，NPN 管，发射结正偏，集电结正偏，工作在饱和区；
图E ，PNP 管，发射结正偏，集电结反偏，有可能工作在放大区；
2. 电路如图 1.2 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。
利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U （有效值）。
(a) (b)
图 1.2
解：空载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，
有效值约为3.75V 。
带载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，
有效值约为1.63V 。
如解图P2.2所示。
解图P2.2
图1.3
3. 在图 1.3所示电路中,已知晶体管的β=80, be r =1kΩ,20i U mV =,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。
判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。
(1)342002010u A -=-
=-⨯ (×) (2)4 5.710.7
u A =-=- (× ) (3)8054001u A ⨯=-=- (× ) (4)80 2.52001
u A ⨯=-=- (√ ) (5)20120i R k k =Ω=Ω (× ) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (× ) (8)1i R k ≈Ω (√ )
(9)5O R k =Ω (√ ) (10) 2.5O R k =Ω (× )
(11)20S U mV ≈ (× ) (12)60S U mV ≈ (√ )
4. 电路如图1.4所示，已知晶体管β=120，U BE =0.7V ，饱和管压降U CES =0.5V 。
在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？
(1)正常情况；(2)R b1短路；(3)R b1开路；(4)R b2开路；(5)R b2短路；(6)R C 短路；
图1.4 图1.5
5. 电路如图1.5所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。