石墨烯转移综述

黄曼1，郭云龙2*，武斌2，刘云圻2,付朝阳1*，王帅1*

1. 华中科技大学化学与化工学院，湖北武汉 430074

2. 中国科学院化学研究所有机固体重点实验室，北京100190

摘要目前化学气相沉积（CVD）法合成石墨烯得到了人们的广泛研究。其中如何将生长的石墨烯材料转移到与各种器件匹配的基底上是十分重要的科学问题。文章通过总结与分析目前CVD法石墨烯的几种主要转移技术，从方法、特点和结果等方面综述了转移技术的研究进展，并对转移技术的未来做出了展望。

关键词化学气相沉积法；石墨烯；转移

Research Progress in transfer techniques of graphene by chemical vapor deposition

Huang Man1, Guo Yunlong2*, Wu Bin2, Liu Yunqi2, Fu Chaoyang1*, Wang Shuai1* 1.School of Chemistry and Chemical Engineering, Huazhong University of Science

and Technology, Wuhan 430074, China

2.Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Organic

Solids, Institute of Chemistry Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

Abstract The growth of graphene by chemical vapour deposition (CVD) is being widely studied. The transfer of CVD-grown graphene onto a substrate for making devices is a very important area of research. In this paper, six main transfer techniques of CVD-grown graphene are analyzed. Also, the recent advances in the methods, characteristics and results of the transfer techniques of CVD-grown graphene are discussed. Finally, the future of transfer techniques is briefly introduced.

Keywords：Chemical vapor deposition; Graphene; transfer

_______________________________________

作者：黄曼（1988-），女，硕士，从事石墨烯的制备、表征及性能研究；*通讯作者：付朝阳（1968-），男，副教授，博士，电话-704，（电子信箱）；王帅（1974-），男，教授，博士，（手机），（电子信箱），国家自然科学基金项目（），跨世纪优秀人才和国家青年千人项目资助；郭云龙（1982-），男，助研，博士，（手机），（电子信箱）.

引言

自2004年英国曼彻斯特大学物理学教授Geim等发现石墨烯(graphene)1，便掀起了世界各国科学家研究石墨烯的热潮。石墨烯是由单层碳原子紧密堆积而成的二维蜂窝状晶体，同时也是构建不同维度结构碳材料的基本结构单元，它可以卷曲成零维富勒烯、一维碳纳米管和三维石墨2。石墨烯作为一种有独特电子性能的理想二维材料，引起了研究者们对于探索凝聚态物理学中基本问题如量子霍尔效应以及开发各种应用如透明电极等的广泛兴趣1-6。此外，石墨烯在晶体管、超级电容器和传感器等方面广泛的应用6-9，也得到了产业界的广泛关注。石墨烯俨然已经成为材料科学、凝聚态物理学及高科技产品生产领域中一颗冉冉升起的“明星”2。

可控制备高质量、大面积单层、单晶石墨烯是石墨烯合成的趋势。目前，石墨烯的主要制备方法有：机械剥离法1、化学剥离法10，11、SiC外延生长法12-14、化学气相沉积（CVD）法等。其中，CVD法7，15-17是目前获得大面积高质量、层数可控的石墨烯的主要方法。由于Cu极低的溶碳率15，以Cu为基体的石墨烯CVD 法已经发展成迄今为止最具前景的大面积单层石墨烯合成法18-23。另外，近年来，科学家们也对无需转移的CVD法合成的石墨烯做了相关研究24,25，它的突出优点是去除了传统转移石墨烯技术的繁琐和影响，可以直接用于后续制备器件；不过这些达到无需转移要求的CVD法制备石墨烯技术也有它的不足之处，比如生长条件苛刻以及制备出的石墨烯质量不高等。

中国科学院化学研究所在CVD法制备石墨烯方面做了大量研究，近两年来也在石墨烯的合成上取得了一定突破。Wu和Geng等21常压下在Cu箔表面可控地合成了大面积“等六角形”石墨烯，对进一步研究石墨烯的边缘/形貌机制等都有着重要的理论和实际意义；接着，他们又在“液态铜”上CVD法成功制备出了均一的六角石墨烯片和薄膜22，实验发现以“液态铜”为基体更能有效控制生长过程中的成核机制，得到均一、单层、自对齐、大面积、单一区域的六角石墨烯

绝缘基底上用CVD法直接合成了大面积多晶石墨烯，片。另外，Chen等23在SiO

2

此方法易与现代半导体加工技术相集成。

总之，基于金属催化剂为基体的CVD生长石墨烯是非常有前景的合成方法，然而，制备出高质量的石墨烯只是石墨烯合成上的发展与进步，要使石墨烯真正

在应用领域有所突破，石墨烯的转移技术是不可或缺的工艺手段。因为在将石墨烯应用于器件时，需要将其转移至与器件相匹配的目标基底上，由此得到的石墨烯的优劣必将影响器件的最终性能，这也就充分说明了石墨烯的发展前景与其转移技术的发展是密不可分的。但是，目前石墨烯的转移技术的发展还不尽如人意，这就在一定程度上限制了石墨烯的应用与发展。

本文将分析近年来发表的关于CVD法合成石墨烯转移技术的文章，通过学习与研究科学家们的成果，按转移原理分类予以阐述，并通过对比总结出每种转移技术的优缺点，为石墨烯转移技术的研究提供理论与实践指导，并展望了改进已有转移技术及探索新技术的重要性与迫切性。

1 CVD法石墨烯主要转移技术

“基体刻蚀”法

Reina等26运用“基体刻蚀”法6-8,15,20,26-31首次实现了CVD法合成石墨烯的转移。他们以Si片表面蒸镀Ni为基体生长少数层石墨烯（FLG），首先旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）后，用稀盐酸（~3%）刻蚀掉Ni，然后转移至目标基底上，最后用丙酮除去PMMA。但是这样得到的石墨烯容易破裂，原因可能是由于平整度的不同导致石墨烯与基底不能够完全接触。

Li等6在此基础上提出了一种改进方法，他们在用丙酮除去PMMA之前，再次滴加少量原PMMA溶液使PMMA膜溶解，形成新的PMMA膜，在室温下放半小时后再用丙酮将其除去。原有PMMA膜的部分或全部溶解，在此过程中使得石墨烯表面机械应力进一步优化，进而与基底接触更加完全，粘附力相对增强。这样转移得到的石墨烯薄膜裂缝和裂纹的密度均降低，而且具有高电导性和高光透过率，可以很好的应用于透明导电电极。

然而，即使这样的技术改进PMMA依然很难除去，石墨烯的表面仍有一定的PMMA薄膜存在，后续制备的器件得到的性能也会受到影响。为研究如何更好地除去残留的PMMA，Lin等32通过理论和实践分析证明，虽然离获得大面积干净石墨烯还有很长一段路要走，但是退火可以为去除石墨烯表面的聚合污染物（比如PMMA）提供一种简易的方法。