硅片检测
硅片接触角测量标准___概述及解释说明
硅片接触角测量标准概述及解释说明1. 引言1.1 概述硅片是一种广泛应用于电子、光电和半导体领域的重要材料，其表面特性对于材料性能和生产工艺具有重要的影响。
而接触角测量作为表征硅片表面润湿性质的方法，成为研究和评估硅片界面特性的重要手段。
1.2 文章结构本文旨在概述并解释硅片接触角测量标准，从而帮助读者更好地理解该标准的意义、需求以及相关规范。
文章将分为五个部分进行讨论。
首先，在引言部分我们将介绍本文的目的和结构，以便读者了解全文内容安排。
其次，在第二部分中，我们将概述硅片接触角测量标准，包括定义、意义以及应用领域等方面内容。
此外，还会对接触角测量方法的发展历程进行回顾，从而对该标准的背景进行阐述。
然后，在第三部分中，我们将详细探讨接触角测量标准的重要性，并解释目前缺乏统一标准化的原因。
同时，也会说明建立硅片接触角测量标准的必要性和重要性，以推动相关研究和应用的发展。
接下来，第四部分将对硅片接触角测量标准进行规范解读，包括测试设备和条件的规范要求说明、测试样品制备和处理的规范说明，以及测试步骤和数据处理的规范解释说明等内容。
通过清晰地阐述这些规范，我们希望为硅片接触角测量提供统一的准则。
最后，在结论与展望部分中，我们将总结文章主要研究发现，并展望未来硅片接触角测量标准研究的方向，从而为相关领域的学者和从业人员提供参考依据。
1.3 目的本文旨在介绍并解释硅片接触角测量标准的概述，并探讨其重要性及需求。
通过详细解读相关标准规范，我们目标是促进硅片接触角测量领域的研究与应用发展，并为该行业制定统一的评估与交流准则。
相信本文内容对于理解和推动硅片表面特性研究具有积极意义。
2. 硅片接触角测量标准概述：2.1 接触角测量的定义和意义：接触角是表征液滴在固体表面上接触形态的物理量，是指液体与固体界面处的夹角。
它可以用来描述液体在固体表面上的展开能力和渗透性，进而反映出固体表面的亲水性或疏水性。
硅片接触角测量标准旨在规定一种统一而可信的测量方法，以确保接触角数据具有可比性、可重复性和准确性。
硅片检测工作总结
硅片检测工作总结
硅片检测是半导体行业中非常重要的一环，它可以帮助我们确保生产出的硅片
质量符合标准，并且能够正常工作。
在这篇文章中，我们将对硅片检测工作进行总结，探讨其重要性和实施方法。
首先，硅片检测对于半导体行业来说至关重要。
硅片是半导体制造的基础材料，它们需要经过严格的检测才能保证其质量和稳定性。
任何一个缺陷或不合格的硅片都可能导致整个芯片的失效，因此硅片检测工作对于保证产品质量和客户满意度至关重要。
其次，硅片检测的实施方法多种多样。
常见的硅片检测方法包括光学显微镜检测、扫描电子显微镜检测、X射线衍射检测等。
这些方法可以帮助我们发现硅片上的缺陷、杂质和结构问题，从而及时进行修复或淘汰不合格的硅片，保证产品的质量。
此外，硅片检测工作还需要高度的自动化和精准度。
随着半导体工艺的不断发展，硅片上的特征和缺陷也变得越来越微小，传统的手工检测方法已经无法满足需求。
因此，我们需要借助先进的自动化设备和精密的检测工具，以确保硅片检测的准确性和效率。
总的来说，硅片检测工作是半导体行业中不可或缺的一环，它对产品质量和客
户满意度有着直接的影响。
通过不断改进检测方法和引入先进的技术，我们可以提高硅片检测的准确性和效率，从而为半导体制造业的发展提供更加可靠的保障。
希望未来硅片检测工作能够不断进步，为半导体行业的发展做出更大的贡献。
硅检检验标准培训
②根据<送检单>，查看已检数量和来料总数，确认待检数量。
38
2. 5S及工具交接 ①5S方面（ATM机器、地面、垃圾箱、桌面）是否干净整洁，各类物品 是否按规定区域有序摆放。 ②工具方面（推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、 同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其标准片、四探针测试 仪及其标准片，ATM机器校准片）是否完好无损，并且按规定区域 有序摆放。
2-2导电类型
导电类型：P型和N型； 目前我们执行的是P型工艺，N型为不合格； 测量仪器ATM机器。
10
2-3电阻率
电阻率： 用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 ρ 单位 为欧姆·厘米 （ohm*cm ）
（单晶 ） 合格：0.5-3 让步：3-6 不合格：＞6或＜0.5 （多晶 ） 合格：0.5-3 无让步 不合格：＞3或＜0.5 测量仪器：四探针测试仪或ATM自动分选机 注：测试硅片中心点。
A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
3
1-1边长
边长（规格）：125S 156S 156E
合格范围：±0.5mm 例:125合格范围124.50-125.50 让步范围：±0.6mm 例:125让步范围124.40-124.49或125.51-125.60 不合格范围：＜-0.6或＞0.6mm 例:125不合格范围＜124.40或＞125.60
孪晶 不合格
未加工好 不合格
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3-7其它不良
裂纹 不合格
针孔 不合格
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硅片检验要求
1.只接受掺硼片，不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步，否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶＜95%、多晶＜98%，作为批退处理；合格率 单晶≥95%、多晶≥98%，进行试投。 4.等外品片试检合格率＜85%（包括单晶、多晶），作为批退处理；合 格率≥85%，进行试投。 5.硅片试检抽样 来料数量 抽检数量 ≤50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs ＞100000pcs 10000-12000pcs
硅片体铁测试方法
硅片体铁测试方法
硅片体铁测试方法主要包括以下步骤：
1. 准备测试样品：选择需要测试的硅片，确保硅片表面干净、无杂质。
2. 制备测试溶液：将一定浓度的硝酸和氢氟酸混合，制备成测试溶液。
3. 浸泡硅片：将硅片放入测试溶液中，确保硅片完全浸泡在溶液中。
4. 静置一段时间：让硅片在测试溶液中静置一段时间，以便测试溶液与硅片充分反应。
5. 观察颜色变化：观察硅片表面的颜色变化，判断硅片体铁的含量。
6. 测量数据：通过测量硅片在测试溶液中的溶解速率或其它相关参数，计算出硅片体铁的含量。
7. 整理数据：整理测量得到的数据，并进行分析和评估。
需要注意的是，硅片体铁测试方法是一种较为复杂的测试方法，需要专业的测试设备和专业的测试人员来进行。
同时，由于硅片体铁的含量对硅片的质量和性能有重要影响，因此在进行测试时需要严格控制测试条件和测试步骤，确保测试结果的准确性和可靠性。
硅片检验标准2016-2-1资料
文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、无2、156-156.73、无4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限更改后内容及条款1、增加硅片黑色带状区域要求2、155.8-156.73、增加表面玷污定义4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
太阳能硅片检测工作技能经验
太阳能硅片检测工作技能经验（实用版）目录一、引言二、太阳能硅片的概述三、硅片检测的重要性四、硅片检测的工作技能五、硅片检测的经验分享六、结论正文【引言】随着环保意识的不断增强和可再生能源的广泛应用，太阳能光伏产业得到了快速发展。
其中，太阳能硅片作为光伏组件的关键原材料，其质量直接影响到光伏组件的性能和寿命。
因此，硅片检测工作在光伏产业中具有举足轻重的地位。
本文将为大家分享一些太阳能硅片检测的工作技能和经验。
【太阳能硅片的概述】太阳能硅片，又称为光伏硅片，是利用太阳能光伏效应将光能转化为电能的关键部件。
硅片表面具有光吸收层，通过吸收太阳光，产生电子与空穴，从而形成电流。
硅片的质量、表面粗糙度、杂质含量等因素都会影响其光电转换效率。
【硅片检测的重要性】硅片检测是在硅片生产和应用过程中的关键环节，其目的是确保硅片的质量符合标准，提高光伏组件的性能和寿命。
硅片检测主要包括表面质量、缺陷、厚度、电阻率、光电转换效率等方面的检测。
【硅片检测的工作技能】1.掌握检测仪器的使用方法：硅片检测涉及多种仪器，如光学显微镜、扫描电子显微镜、红外热像仪、光电性能测试仪等。
操作人员需要熟练掌握各种仪器的使用方法，以保证检测结果的准确性。
2.熟悉检测标准和方法：硅片检测需要遵循一定的标准和方法，操作人员应熟悉相关标准和方法，确保检测过程的规范性。
3.提高检测效率：硅片检测工作量大，操作人员需要提高检测效率，缩短检测时间，降低生产成本。
【硅片检测的经验分享】1.细致观察：在检测过程中，操作人员要仔细观察硅片的表面质量、缺陷、厚度等，发现问题及时处理。
2.沟通协作：硅片检测涉及多个环节，操作人员之间要进行有效沟通，确保检测工作的顺利进行。
3.不断学习：硅片检测技术不断发展，操作人员要关注行业动态，学习新知识，提高自己的技能水平。
【结论】总之，硅片检测工作对于保障太阳能硅片质量和提高光伏组件性能具有重要意义。
操作人员要具备一定的工作技能和经验，才能确保检测结果的准确性和可靠性。
硅片检测
1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
太阳能硅片隐裂检测 原理
太阳能硅片隐裂检测原理
太阳能硅片隐裂检测是指在太阳能电池片制造过程中对硅片进行隐裂的检测。
隐裂是指硅片表面或内部存在微裂纹或裂痕，这些裂纹在裸眼或常规光学显微镜下难以观察到，但会对硅片的性能和稳定性产生不利影响。
因此，隐裂检测对于确保太阳能电池片的质量和性能至关重要。
太阳能硅片隐裂检测的原理主要包括以下几个方面：
1. 光学显微镜检测，传统的方法是使用光学显微镜对硅片进行检测，通过放大和观察硅片表面的微观结构来判断是否存在隐裂。
然而，这种方法存在局限性，因为微裂纹可能非常细小，难以在显微镜下观察到。
2. 热成像检测，利用红外热成像技术，通过测量硅片表面的温度分布来判断是否存在隐裂。
由于裂纹会导致局部热量的不均匀分布，因此可以通过热成像技术来识别隐裂。
3. 激光扫描检测，利用激光扫描技术对硅片进行扫描，通过检测激光在硅片表面反射的特征来判断是否存在隐裂。
这种方法可以
快速、准确地识别硅片表面的微裂纹。
4. 声发射检测，利用声发射技术对硅片进行检测，当硅片表面存在隐裂时，裂纹会在外力作用下产生微小的位移和振动，从而产生特定的声波信号，通过检测这些声波信号来识别隐裂。
总的来说，太阳能硅片隐裂检测的原理是利用光学、热学、激光和声学等多种技术手段，通过对硅片表面或内部的微裂纹进行检测和识别，以确保太阳能电池片的质量和性能。
不同的原理和方法可以相互补充，提高隐裂检测的准确性和可靠性。
硅片尺寸检测工作原理
硅片尺寸检测工作原理
硅片尺寸检测是通过光学测量方法实现的。
工作原理如下：
1. 准备工作：首先，需要将需要测量的硅片样品放置在一个固定的位置上，并确保其表面处于水平状态。
2. 光学测量：使用一个光源照射到硅片的表面上，光线经过硅片表面时会发生折射和反射。
这些反射和折射会被捕捉并转化为电信号。
3. 接收和处理信号：通过使用一个光学传感器，将这些反射和折射信号捕捉并转化为电信号。
然后，使用一个数据处理系统对这些信号进行处理和分析。
4. 计算尺寸：通过分析和处理电信号，可以确定硅片的尺寸。
根据硅片的特定形状和边界特征，可以计算硅片的长度、宽度、厚度等尺寸参数。
5. 结果显示和记录：最后，通过一个显示器或计算机界面，可以将测量结果显示出来，并进行记录和存储。
总的来说，硅片尺寸检测通过光学测量的方式，利用光线的特性和反射折射的原理，实现对硅片尺寸的测量和分析。
硅片检验总结
硅片检验总结简介硅片是半导体行业中的重要组成部分，其质量直接影响着芯片制造的成本和可靠性。
硅片检验是确保硅片质量的关键环节，本文将总结硅片检验过程中的主要内容和注意事项。
检验内容外观检验外观检验是对硅片表面进行检查，确保硅片没有明显的损伤和污染。
主要包括以下几个方面：1.成品硅片外观：检查硅片表面是否平整，是否有划痕、裂纹或凹陷等缺陷。
2.硅片尺寸：通过测量硅片的长度、宽度和厚度，确保其尺寸符合要求。
3.表面污染：使用显微镜或其他仪器检查硅片表面是否有灰尘、油污等杂质。
光学检验光学检验是通过使用光学仪器对硅片进行检查，以确定其光学性能是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.反射率测量：使用反射光谱仪测量硅片在不同波长下的反射率，以确定其光学性能。
2.透明度测试：使用透射光谱仪测量硅片透射光谱，以确定其透明度。
3.表面平整度测量：使用表面平整度仪测量硅片表面的平整度，以确定其光学性能。
电性能检验电性能检验是通过对硅片进行电性能测试，以确定其电子行为是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.导电测试：使用导电测试仪测量硅片的电阻值，以评估其导电性能。
2.接触电阻测量：使用接触电阻测试仪测量硅片上金属电极与硅片之间的接触电阻。
3.PN结测试：使用PN结测试仪测量硅片上PN结的电流特性，以判断其质量。
检验注意事项1.检验设备的选择：根据不同的检验内容，选择合适的仪器设备进行检验，确保测试结果准确可靠。
2.检验环境的控制：硅片对污染特别敏感，因此在检验过程中要注意控制检验环境的洁净度，避免污染对检验结果的影响。
3.操作人员的技术要求：硅片检验需要操作人员具备一定的专业知识和技术水平，以确保检验过程的准确性和可靠性。
4.记录和存档：对每个硅片的检验结果进行详细记录，并建立完善的存档系统，以备后续追溯和查证。
总结硅片检验是确保硅片质量的关键环节，在半导体行业中具有重要的意义。
通过对硅片的外观检验、光学检验和电性能检验，可以有效评估硅片的质量，并采取相应的措施进行调整和改进。
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一，因此其检验标准至关重要。
以下是半导体硅片检验标准的详细说明。
1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。
在检查外观时，应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷，同时也应检查硅片的形状是否符合要求。
2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）等仪器来完成。
该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。
需要注意的是，有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显，因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。
3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。
在检查过程中，应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确，从而保证检验的可靠性。
4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。
在检测杂质时，可以使用玻璃齐墩试剂等方法，对硅片进行表面浸泡。
此外，还可以使用SIMS（二次离子质谱）等方法，对硅片内部的杂质进行检测。
5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中，电性能的检测是至关重要的。
可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法，对硅片的电性能进行检测。
总之，半导体硅片检验标准非常严格，因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。
只有通过科学的检验方法，才能确保半导体器件的品质和性能。
硅片检测材料
硅单晶方棒检验标准1目的：为了明确产品的质量要求，加强产品的质量控制，特制定本标准。
2范围：本标准适用于硅单晶切方后的晶棒检测。
3主要内荣：A 、检验项目、标准及抽检方案：（见下图及表格）B 、判定上端面 下端面1.对整根方棒进行检测后，若所有的项目满足检验要求，则判定整根晶棒合格。
2.若晶棒表面存在着明显的刀痕、锉痕等外观不良现象，或物理尺寸超出标准范围，则将该方棒进行返工或报废，返工后需从新检测。
3.检测时，若发现晶棒外观存在着裂纹、孪晶、孔洞等现象或部分段位到点型号呈N型或电阻率不在标准范围之内，或晶棒两截面崩边大于要求，则将该段位明确标识，判为返工，返工后重新进行检测4.检测时，若发现整根晶棒为N型，或整根晶棒电阻率不在标准范围内，则将整根晶棒作报废处理。
1.对进厂的多晶原料及时进行称重，分批次记录清楚并按来料品质进行分类，筛选，与库房统计员做好交接工作并妥善保管。
2.对进厂的圆棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、表面质量、电阻率和勺子寿命，察看有无崩边或磕碰，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
3. 对进厂的方棒按清单与送货人当面核对并及时检测，主要检测硅棒的长度、直径、边长、表面质量、电阻率和少子寿命，察看有无崩边、磕碰和未磨，有参数超标的硅棒单独放置，做好记录，及时向领导反映并与库房统计员交接清楚后妥善保管。
4.对开方厂家返还的边皮料要按清单和方棒一一对应，称过重量后做好记录工作与库房统计员交接清楚后妥善保管。
5.及时把检测合格的方棒按照线切车间要求的长度配刀并集中放置，放料时要与领料人员交接清楚，认真负责的填写硅棒随工单，不允许随意涂改。
6.整个仓库要按照材料的不同划分区域，不乱摆乱放，做到一目了然、井井有序。
7.平时在搬运硅棒过程中要轻拿轻放，安全堆放，避免人为的损毁和磕碰。
8.熟练掌握各种检测仪器的使用，正确开关机，不随意更改设备参数，平时注意对设备的维护和保养。
硅片弯曲度测试方法
硅片弯曲度测试方法硅片弯曲度测试方法是一种用于测量硅片的表面弯曲度的技术，常用于硅片制造和加工过程中的质量控制。
硅片是制造半导体器件的关键材料之一，其表面的弯曲度对于半导体器件的性能和制造工艺至关重要。
因此，了解并控制硅片的弯曲度是确保器件质量和性能的重要步骤之一。
硅片的弯曲度测试可以通过多种方法实现，以下将介绍几种常用的测试方法：1.检测针法：这是一种常见的检测硅片表面弯曲度的方法。
它使用针状探头在硅片表面进行扫描，并检测表面高度差异。
通过对比扫描过程中触点的移动距离和角度变化，可以计算出硅片的弯曲度。
2.光干涉法：这是一种基于光的测量技术，可以用于测量硅片表面的弯曲度。
该方法使用光源照射在硅片表面，并通过光的反射和干涉来测量表面的形状和高度变化。
通过分析干涉图案的变化，可以计算出硅片的弯曲度。
3.压力法：这种方法利用硅片在受到外力时的形变来测量其弯曲度。
通常使用一个刚性的支撑结构来支撑硅片，并施加适当的压力。
通过测量硅片在这种压力下的形变，可以计算出其弯曲度。
4.激光扫描法：该方法使用激光扫描仪对硅片表面进行扫描，并通过分析扫描数据来测量硅片的弯曲度。
激光扫描仪可以非常精确地测量硅片表面的形状和高度变化，因此可以提供准确的弯曲度测量结果。
5. X射线衍射法：这是一种基于X射线的测量方法，可以用于测量硅片的弯曲度。
该方法使用X射线照射硅片，并通过分析由硅片表面反射的X射线衍射图案来测量表面的形状和高度变化。
通过对衍射图案的分析，可以计算出硅片的弯曲度。
以上是几种常用的硅片弯曲度测试方法。
不同的方法适用于不同的测试需求和硅片类型，选择合适的测试方法可以提高测试的准确性和效率，确保硅片的质量和性能。
在实际应用中，可以根据具体情况选择合适的测试方法，并结合其他测试工具和技术来进行全面的硅片质量控制。
工业硅荧光检测国标
工业硅荧光检测国标
工业硅荧光检测国标指的是对工业用硅片在生产过程中进行荧光检测所遵循的国家标准。
该国标通常包括以下内容：
1.测试方法：国标规定了硅片荧光检测的测试方法和步骤，包括样品准备、测试设备和环境要求、测试步骤和数据分析等。
2.检测条件：国标规定了硅片荧光检测的检测条件，包括环境温度、湿度、光源强度等。
3.荧光指标：国标规定了工业硅片荧光指标的要求，如荧光颜色、荧光亮度、均匀度、背景值等。
4.分类标准：国标规定了硅片荧光测试结果的分类标准，将硅片分为不合格、一般、良好和优良等不同等级。
5.检测报告：国标规定了荧光检测报告的内容和格式，包括样品基本信息、检测结果、分析和说明等。
例如，我国的GB/T 26124-2010 《工业硅荧光检测》就是针对工业硅片在生产和质量控制过程中荧光检测所遵循的国家标准，其中规定了以上几个方面的标准和要求。
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1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。
这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。
制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。
因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。
P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。
去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。
若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。
PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。
因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。
通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。
等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。
等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。
活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。
六、镀减反射膜 抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。
现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。
PECVD即等离子增强型化学气相沉积。
它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。
这样厚度的薄膜具有光学的功能性。
利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。
七、丝网印刷 太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。
制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。
丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。
其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。
油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。
由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程 八、快速烧结 经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。
当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。
烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升；烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值；降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
太阳能电池板制作方法？首先，你想亲手做这个太阳能电池板是几乎很难实现的，因为他要有很多的仪器和设备才能完成。
其次，你连什么是太阳能电池板都不知道又怎么做？你下面所说的问题全是太阳能发电系统的内容，太阳能电池板只是系统工程中的一个主要部件。
太阳能发电系统（太阳能发电装置）是主要部件有以下几种，1。
太阳能电池板、蓄电池、太阳能充电控制器、逆变器。
当然还有其它很多的附件。
以下就是太阳能电池板的制作方法。
太阳能电池板（组件）生产工艺组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。
电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增强了电池的抗击强度。
产品的高质量和高寿命是赢得可客户满意的关键，所以组件板的封装质量非常重要。
流程：1、电池检测——2、正面焊接—检验—3、背面串接—检验—4、敷设（玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）——5、层压——6、去毛边（去边、清洗）——7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶）——8、焊接接线盒——9、高压测试——10、组件测试—外观检验—11、包装入库组件高效和高寿命如何保证：1、高转换效率、高质量的电池片；2、高质量的原材料，例如：高的交联度的EVA、高粘结强度的封装剂（中性硅酮树脂胶）、高透光率高强度的钢化玻璃等；3、合理的封装工艺4、员工严谨的工作作风；由于太阳电池属于高科技产品，生产过程中一些细节问题，一些不起眼问题如应该戴手套而不戴、应该均匀的涂刷试剂而潦草完事等都是影响产品质量的大敌，所以除了制定合理的制作工艺外，员工的认真和严谨是非常重要的。
太阳电池组装工艺简介：工艺简介：在这里只简单的介绍一下工艺的作用，给大家一个感性的认识.1、电池测试：由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其性能参数进行分类；电池测试即通过测试电池的输出参数（电流和电压）的大小对其进行分类。
以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。
2、正面焊接：是将汇流带焊接到电池正面（负极）的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。
焊接用的热源为一个红外灯（利用红外线的热效应）。
焊带的长度约为电池边长的2倍。
多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连3、背面串接：背面焊接是将36片电池串接在一起形成一个组件串，我们目前采用的工艺是手动的，电池的定位主要靠一个膜具板，上面有36个放置电池片的凹槽，槽的大小和电池的大小相对应，槽的位置已经设计好，不同规格的组件使用不同的模板，操作者使用电烙铁和焊锡丝将“前面电池”的正面电极（负极）焊接到“后面电池”的背面电极（正极）上，这样依次将36片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线。
4、层压敷设：背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。
玻璃事先涂一层试剂（primer）以增加玻璃和EVA的粘接强度。
敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。
（敷设层次：由下向上：玻璃、EVA、电池、EVA、玻璃纤维、背板）。
5、组件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷却取出组件。
层压工艺是组件生产的关键一步，层压温度层压时间根据EVA的性质决定。
我们使用快速固化EVA时，层压循环时间约为25分钟。
固化温度为150℃。
6、修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。
7、装框：类似与给玻璃装一个镜框；给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。
边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。
各边框间用角键连接。
8、焊接接线盒：在组件背面引线处焊接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。
9、高压测试：高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压，测试组件的耐压性和绝缘强度，以保证组件在恶劣的自然条件（雷击等）下不被损坏。
10、组件测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。