材料科学基础课件第三章 晶体缺陷

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《晶体缺陷》课件

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热稳定性
晶体缺陷可能影响材料在高温下的稳 定性,降低其使用温度范围。
比热容
晶体缺陷可能影响比热容,改变材料 吸收和释放热量的能力。
光学性能的影响
折射率与双折射
光吸收与散射
晶体缺陷可能导致折射率变化和双折射现 象,影响光学性能。
晶体缺陷可能导致光吸收增强或光散射增 加,改变光学透射和反射特性。
荧光与磷光
热电效应
某些晶体缺陷可能导致热电效应增强,影响 热电转换效率。
介电常数
晶体缺陷可能影响介电常数,改变电场分布 和电容。
电阻温度系数
晶体缺陷可能影响电阻温度系数,改变温度 对电阻的影响。
热学性能的影响
热导率变化
晶体缺陷可能降低材料的热导率,影 响热量传递和散热性能。
热膨胀系数
晶体缺陷可能影响热膨胀系数,影响 材料在温度变化下的尺寸稳定性。

韧性下降
晶体缺陷可能导致材料韧性下 降,使其在受到外力时更容易
脆裂。
疲劳性能
晶体缺陷可能影响材料的疲劳 性能,降低其循环载荷承受能
力。
强度与延展性
晶体缺陷可能影响材料的强度 和延展性,从而影响其承载能
力和塑性变形能力。
电学性能的影响
导电性变化
晶体缺陷可能改变材料的导电性,影响其在 电子设备中的应用。
传感器
基于晶体缺陷的原理,可以设计新型传感器,如压力传感 器、温度传感器和气体传感器等,以提高传感器的灵敏度 和稳定性。
在新能源领域中的应用
太阳能电池
在太阳能电池中,可以利用晶体 缺陷来提高光吸收效率和载流子 的收集效率,从而提高太阳能电
池的光电转换效率。
燃料电池
在燃料电池中,可以利用晶体缺陷 来改善电极的催化活性和耐久性, 从而提高燃料电池的性能和稳定性 。

上海交通大学 材料科学基础第三章 晶体缺陷ppt课件

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ppt课件 23
混合位错
混合位错:滑移矢量既不平行业不垂直于位错线, 而是与位 错线相交成任意角度。 一般混合位错为曲线形式, 故每一点的滑移矢量 式相同的, 但其与位错线的交角却不同。 ppt课件
24
各种位错的柏氏矢量
ppt课件
25
柏氏矢量的物理意义
1。反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度 和取向) 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移 的方向, 而该矢量的模表示畸变的程度称为位 错的强度。 (strength of dislocation)
ppt课件
G tm 0.1G 2
13
t m 0.01 0.1G
计算中的假设
• 1。完整晶体,没有缺陷 • 2。整体滑动 • 3。正弦曲线(0.01-0.1G)
问题出在假设1和2上!应是局部滑移!
日常生活和大自然的启示=〉
ppt课件 14
有缺陷晶体的局部滑动
小宝移大毯!
毛毛虫的蠕动
面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小
ppt课件 二维缺陷 (two-dimensional defect) 3
课程安排
点缺陷 课 程 安 排 (第1周)
位错几何 (第1、2周)
位错力学
(第2周)
位错运动、实际晶体中的位错(第3、4周) 表面与界面 (第4、5周) 课堂讨论 (第5周)
Ee e W
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《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

无机材料科学基础 第三章晶体结构缺陷

无机材料科学基础 第三章晶体结构缺陷
2、造成晶体结构缺陷的原因:
实际晶体温度总是高于绝对零度(热缺陷) 实际晶体总是有限大小(表面/界面缺陷) 实际晶体总是含有或多或少的杂质(外来缺陷)
缺陷就是对于理想晶体结构的偏离
第三章晶体结构缺陷一
3、缺陷对于晶体的影响
影响晶体的电学以及力学性能 影响晶体内部质点的扩散 影响晶体的烧结和化学反应活性 形成非化学计量物质,改变材料的物理化学性能
杂质原子(掺杂原子)其量一般小于0.1%,进入主晶格后,因杂 质原子和原有的原子性质不伺,故它不仅破坏了原子有规则的 排列,而且在杂质原子周围的周期势场引起改变,因此形成一 种缺陷。
特点: A 杂质原子又可分为间隙杂质原子及置换杂质原子两种。前者
是杂质原子进入固有原子点阵的间隙中;后者是杂质原子替代 了固有原子。杂质原子在晶格中随机分布,不形成特定的结构。 B 晶体中杂质原子含量在未超过其固溶度时,杂质缺陷的浓度 与温度无关,这与热缺陷是不同的。
点缺陷的名称→
□←点缺陷所带的 有效电荷
× 中性 ● 正电荷
' 负电荷
○←点缺陷在晶体中占的位置
第三章晶体结构缺陷二
( X原1)子空空位位:。用VM和Vx分别表示M原子空位和
(2)填隙原子:用Mi和Xi表示。 (3)错放位置:Mx表示M原子错放在X位置。 (4)溶质原子: LM表示L溶质处在M位置。 (5)自由电子及电子空穴:有些电子不一定
(1)弗伦克尔缺陷: 弗伦克尔缺陷可以看作是正常格点 离子和间隙位置反应生成间隙离子和空位的过程。
正常格点离子+未被占据的间隙位置〓间隙离子+空位
第三章晶体结构缺陷二
•例如在AgBr中,弗伦克尔缺陷的生成可写成:AgAg+Vi=Agi´+VAg · •由质量作用定律,

3.1晶体结构缺陷的类型——材料科学基础课件PPT

3.1晶体结构缺陷的类型——材料科学基础课件PPT
对高分子聚合物的影响:可改变高分子聚合物的结构,链会断 裂,聚合度降低,导致高分子聚合物强度降低。
五、辐照缺陷:材料在辐照下所产生的结构不完整性,如:色 心、位错环等;
对金属的影响:高能辐照可把原子从正常格点位置撞击出来, 产生间隙原子和空位; 降低金属的导电性并使材料由韧变硬变脆,退火可排除损失。
对非金属晶体的影响:在非金属晶体中,由于电子激发态可以 局域化且能保持很长的时间,所以电离辐照会使晶体严重损伤, 产生大量的点缺陷。 不改变力学性质,但导热性和光学性质可能变坏。
如:空位、间隙质点、杂质质点。除此以外,还有空位,间 隙质点以及这几类缺陷的复合体等均属于这一类。
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过 程有关。
二、线缺陷: 其特征是缺陷在两个方向上尺寸很小(与点 缺陷相似),而第三方向上的尺寸却很大,甚者可以贯穿 整个晶体,也称之为一维缺陷
属于这一类的主要是位错。
三、非化学计量缺陷:指组成上偏离化学中的定比定律所形 成的缺陷。 由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。 特征:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而改变。 如:Fe1-xO、Zn1+xO,半导体材料
四、电荷缺陷:指质点排列的周期性未受到破坏,但因电子 或孔穴的产生使周期性势场发生畸变而产生缺陷。 包括:导带电子和价带空穴
(b)单质中肖特基缺陷的 形成 离子晶体特点:正负离子空 位成对出现
二、杂质缺陷:组成缺陷,由外来杂质的引入而产生的缺陷 特征:当杂质的浓度在固溶体的溶解度范围之内时,杂志缺 陷的浓度与温度无关。 如:红宝石激光器,含Cr的Al2O3 微量杂质缺陷的存在,将极大地改善基质晶体的物理性质。
取代式
间隙式
本章目录:
3.1 晶体结构缺陷的类型 3.2 点缺陷 3.3 线缺陷 3.4 面缺陷 3.5 固溶体 3.6 非化学计量化合物

材料科学基础课件-ch3 晶体缺陷

材料科学基础课件-ch3 晶体缺陷
式中Qf=NAEv为形成1摩尔空位所需作的功,单位为J/mol;R=kNA为气体常数
(8.31J/mol·K)
点缺陷
间隙原子的平衡浓度为:
C′
=
n′ N′
=
A exp( − E ′v
/ kT )
式中N′为晶体中间隙位置总数;n' 为间隙原子数;E′v为形成一个间隙原子
所需的能量
在一般的晶体中间隙原子的形成能E′v较大(约为空位形成能Ev的3~4 倍)。因此,在同一温度下,晶体中间隙原子的平衡浓度C′ 要比空位的平衡 浓度C低得多。因此,在通常情况下,相对于空位,间隙原子可以忽略不计;但
1956年Menter 直接在电镜观察了铂钛花青晶体中位错的存在,Hirsch等应 用相衬法在电镜观察到位错的运动,位错理论就在更坚实的基础上发展了。
近几十年,随着实验设备和计算机的发展,研究位错核心的组态以及在复 杂结构中的位错方面取得很多很有成效的结果。
位错
位错的基本类型和特征
从位错的几何结构来看,可将它们分为两种基本类型,即刃型位错和螺型 位错。 1.刃型位错 刃型位错结构的特点:
Taylor注意到这种实验现象,根据设想的位错排列形状,计算了位错运动所产生 的晶体硬化曲线。
1939 年Burgers 提出描述位错的一个重要特征量提出描述位错的一个重要特征 量-柏氏矢量,同时引入了螺位错。
1940 年Peierls提出后来在1947年由Nabarro修正的位错点阵模型,它突破了一 般弹性力学范围,提出了位错宽度的概念,估算了位错开动的应力,这一应力正 是和实际晶体屈服应力的同一数量级
刃位错 螺位错
垂直 平行
混合位错
一定角度
畸变应力场
主要是正应力 纯剪应力 复杂

材料科学基础课件第三章晶体缺陷

材料科学基础课件第三章晶体缺陷
虽然从几何图象上,我们已经认识了诸 如空位、间隙原子等点缺陷。那么,你能 回答下面的问题吗?
(1)点缺陷形成的物理本质是什么? (2)点缺陷形成的驱动力来自何处? 下面将对这些内容进行阐述。
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动。
在第二章的学习中我们已经知道:晶体中 的原子在其所处的原子相互作用环境中受 到两种作用力:
第一节 概 述
一、缺陷(Defect)的概念 大多数固体是晶体,晶体正是以其特殊的构
型被人们最早认识。因此目前(至少在20世纪80年 代以前)人们理解的“固体物理”主要是指晶体。 当然这也是因为客观上晶体的理论相对成熟。在 晶体理论发展中,空间点阵的概念非常重要。
空间点阵中,用几何上规则的点来描述晶体 中的原子排列,并连成格子,这些点被称为格点, 格子被称为点阵,这就是空间点阵的基本思想, 它是对晶体原子排列的抽象。空间点阵在晶体学 理论的发展中起到了重要作用。可以说,它是晶 体学理论的基础。现代的晶体理论基于晶体具有 宏观平移对称性,并因此发展了空间点阵学说。
考虑一具有 N 个点阵位置的晶体,形成 n 个 空位后,系统的自由能的变化为:
F = nEv-TS S = Sc + nSv
(3-201) (3-202)
下面考虑组态熵的计算。热力学上有:
Sc = klnΩ
(3-203)
其中,k 为玻尔兹曼常数,k = 1.38 ×1023J/K;Ω为系统的微观状态数目。对于我们考虑 的体系,n 个空位形成后,整个晶体将包含 N+n 个点阵位置。N 个原子和 n 个点阵位置上的排列 方式为(N +n)! ,但由于N 个原子的等同性和 n 个 空位的等同性,最后可以识别的微观状态数为:
当这对矛盾达到统一时,系统就达到平衡。 因为系统都具有最小自由能的倾向,由此确定的 点缺陷浓度即为该温度下的平衡浓度。

苏州大学-材料科学基础-3:晶体结构缺陷PPT课件

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3.2 点缺陷的符号表征、反应方程式
1. 常用缺陷表示方法:
Az b
用一个主要符号表明缺陷的种类 用一个下标表示缺陷位置 用一个上标表示缺陷的有效电荷
如“ . ”表示有效正电荷; “ / ”表示有效负电荷;
“×”表示有效零电荷。
用MX离子晶体为例( M2+ ;X2-): (1)空位: VM 表示M原子占有的位置,在M原子移走后出现的空位; VX 表示X原子占有的位置,在X原子移走后出现的空位。
CaCl2
NaCl
Ca
• Na
Cli'
ClCl
⑶ NaCl形成肖特基缺陷;
0 VN•a VC•l
⑷ AgI形成弗伦克尔缺陷( Ag 进入间隙)。
0
Ag
• i
VA' g
3.2.3 热缺陷浓度的计算
在离子晶体中,可以把每种缺陷看作化学物质来处理,这 样,材料中的缺陷及其浓度就可以和一般的化学反应一样,用 热力学数据来描述,质量作用定律也适用于缺陷反应。
2. 高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷, 为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。
练习 写出下列缺陷反应式:
(1) MgCl2固溶在LiCl晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
MgCl2 (S)
LiCl
Mg
•. Li
VLi
2ClCl
(2) SrO固溶在Li2O晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
Sr O(S ) Li2O Sr •. V O
Li
Li
O
(3) Al2O3固溶在MgO晶体中(产生正离子空位,生成置换型SS)
Al
O2 3
(
S

材料科学基础 第三章_晶体缺陷资料

材料科学基础 第三章_晶体缺陷资料
特征:
1)有一额外原子面, 刃口处的原子列称为位错线。半原 子面在上,正刃型位错 ┻ ; 下为负刃型位错 ┳ 2)刃位错的位错线不一定是直线, 可以是折线, 也可以 是曲线, 但位错线必与滑移矢量垂直。 3)位错线垂直于滑移矢量,位错线与滑移矢量构成的面是 滑移面, 刃位错的滑移面是唯一的。 4)刃型位错周围的晶体产生畸变,上压, 下拉, 半原子 面是对称的, 位错线附近畸变大, 远处畸变小。 5)位错周围的畸变区一般只有几个原子宽(一般点阵畸变 程度大于其正常原子间距的1/4的区域宽度, 定义为位错 宽度, 约2~5个原子间距。) * 畸变区是狭长的管道, 故位错可看成是线缺陷。
线缺陷 (line defect) 在二个方向尺寸均很小
一维缺陷 (one-dimensional defect) 面缺陷 (plane defect) 在一个方向上尺寸很小 二维缺陷 (two-dimensional defect)
《材料科学基础》CAI课件-李克 3
3.1 点缺陷
• 点缺陷:空位、间隙原子、溶质原子、和杂质原子、 +复合体(如:空位对、空位-溶质原子对)
2019/3/7 《材料科学基础》CAI课件-李克 12
混合位错
滑移矢量既不平行也 不垂直于位错线, 而 是与位错线相交成任 意角度,一般混合位 错为曲线形式, 故每 一点的滑移矢量与位 错线的交角不同。 位错线不能终止于晶体内 部,只能露头于晶体表面
《材料科学基础》CAI课件-李克
2019/3/7
2019/3/7 《材料科学基础》CAI课件-李克 14
各种位错的柏氏矢量
2019/3/7
《材料科学基础》CAI课件-李克
15
2、柏氏矢量的物理意义
1、反映位错周围点阵畸变的总积累(包括强度和方向)

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节

材料科学基础课件第三章 晶体结构缺陷第一节第二节第三节第四节第五节第六节第七节
为中心的管道。 正刃型位错“┴”,负刃型位错“┬”。
位错:宏观看是线状,从微观看是管状 Figure 5.7
1) 棱位错(刃位错 Edge Dislocation) 位错线与滑移方向(柏格斯矢量)垂直
EF ⊥ BB’
压力、拉力
位错的结构
2、螺型位错 位错线与滑移方向平行,右螺旋位错(右手法
则),左螺旋位错(左手法则)
刃位错攀移示意图
(c)负攀移(半 原子面伸长)
位错的运动
例:如图,求(1)位错环的各边分别是什么位错? (2)如何局部滑移才能得到
这个位错环?(3)在足够大的切 应力τ作用下,位错将如何运动? 晶体如何变形?(4)在足 够大拉应力σ作用下, 位错环将如何运动?它 将变成什么形状?晶体 将如何变化?
1010~1012cm-2
第三章 晶体结构缺陷
第三节 位错的运动
位错的运动
位错运动产生晶体的范性变形,运动的难 易程度关系到晶体的强度。 运动形式:滑移和攀移 一、作用在位错上的力 位错的运动方向总是垂直于位错线。 由虚功原理导出作用在位错的假想作用力。 W1=(τLds)b,W1=Fds 由上两式推出:F=τLb,Fd=τb=F/L
第三章 晶体结构缺陷
理想晶体:绝对规则排列 实际晶体:某些区域不规则排列——晶体缺陷 缺陷类型:
(1)点缺陷:1个或几个原子间距——零维缺 陷,空位、间隙原子、置换原子等。
(2)线缺陷:一维方向上尺寸较大——一维缺 陷,位错。
(3)面缺陷:两维方向性上尺寸较大——二维 缺陷,晶体表面、晶界、相界和堆垛层错等。
错、晶界及外表面等晶体缺陷处而消失。 点缺陷运动造成的原子迁移正是扩散现象
的基础。 2、作用:
点缺陷

材料科学基础-第三章

材料科学基础-第三章

其中:A由振动熵决定的系数,取1-10,通常取1。T↑--C↑ 一般晶体中,间隙原子的形成能E`v较大(约为空位形成能的 3-4倍),因此,在同一温度下,晶体中间隙原子的平衡浓度C’ 比空位的平衡浓度低得多。
Ev对C的影响
金属 种类 Pb Al Mg Au Cu Pt W
Ev
× 10-8J 0.08 0.12 0.14 0.15 0.17 0.24 0.56
形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺
陷等
一、按缺陷的几何形态分类
1. 点缺陷(零维缺陷) 2. 线缺陷(一维缺陷,位错) 3. 面缺陷(二维缺陷,表面及界面)
3.1 点缺陷(零维缺陷)
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上, 即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 包 括 : 空 位 ( vacancy ) 、 间 隙 原 子 (interstitial particle)、异类原子(foreign particle),如图3-1所示。
(3)扩散:影响固态相变,化学热处理(chemical heat treatment)等。
过饱和点缺陷(supersaturated point defect)
在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低,系统最稳定。 当在一定的温度下,晶体中点缺陷的数目明显超过其平衡浓度 时,这些点缺陷称为过饱和点缺陷. 它的产生方式有三种: 淬火(quenching)\冷加工(cold working)\辐照(radiation) 淬火:高温时晶体中的空位浓度很高,经过淬火后,空位来 不及通过扩散达到平衡浓度,在低温下仍保持了较高的空 位浓度。 冷加工:金属在室温下进行压力加工时,由于位错交割所 形成的割阶发生攀移,从而使金属晶体内空位浓度增加。 辐照:当金属受到高能粒子(中子、质子、氘核(dao,氢的 同位素之一,用于热核反应。旧称重氢)、α粒子、电子等) 辐照时,晶体中的原子将被击出,挤入晶格间隙中,由于 被击出的原子具有很高的能量,因此还有可能发生连锁作 用,在晶体中形成大量的空位和间隙原子。
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由于(N + n)!/N!n!中各项的数目都很大 (N>>n>>1),可用斯特林(Stirling)近似公式: lnx ! = x lnx-x (x>>1时) 则有: Sc = k lnΩ= k ln[(N +n)!/N!n!] = k ln(N + n )!-kln N!-k lnn!= k (N +n )ln(N +n )- k(N +n)-kN lnN+kN -knlnn+kn = k(N +n)ln(N +n)-kN lnN -kn lnn (3-206) 将(3-206)式代入(3-201)式得: F = nEv -kT [(N +n) ln(N +n)-N lnN -nlnn]-nTSv (3-207)
第三节 位错 位错(Dislocation)是晶体中普遍存 在的线缺陷,它的特点是在一维方向的尺 寸较长,另外二维方向上尺寸很小,从宏 观看缺陷是线状的。从微观角度看,位错 是管状的。位错对晶体的生长、扩散、相 变、塑性变形、断裂等许多物理、化学性 质及力学性质都有很大影响。因此位错理 论是材料科学基础中一个重要内容。
在这个例子中,温度是使原子脱离平衡 位置的动力,是形成点缺陷的外界条件, 我们把它称之为点缺陷形成的驱动力。当 然,点缺陷形成的驱动力还可以是其他方 式,如:离子轰击、冷加工等等。值得说 明的是,在外界驱动力作用下,哪个原子 能够挣脱束缚,脱离平衡位置是不确定的, 宏观上说这是一种几率分布。每个原子都 有这样的可能。
第二节 点缺陷 在一般性了解缺陷的概念后,下面开 始对缺陷进行实质性的学习。最普遍、最 常见的便是这一节将要介绍的点缺陷。 一、点缺陷类型 点缺陷的种类有很多,但金属中常见 的基本点缺陷有两种类型:空位和间隙原 子。下面分别讨论。
二、点缺陷形成的物理模型 虽然从几何图象上,我们已经认识了诸 如空位、间隙原子等点缺陷。那么,你能 回答下面的问题吗? (1)点缺陷形成的物理本质是什么? (2)点缺陷形成的驱动力来自何处? 下面将对这些内容进行阐述。
由于空位的形成,内能的增加和熵变的增加 必然导致自由能随空位数的变化有一极小值。此 时,系统处于平衡状态,对应的空位浓度Cv 为平 衡空位浓度。Cv 由能量极小条件 dF/dn =0确定: dF/dn = Ev - kT ln[(N +n) / n] - TSv=0 (3-208) ln[(N + n) / n] = (Ev - TSv) / kT (3-209) 考虑到 n 远小于N ,则有: Cv = n/N = exp[-(Ev -TSv) / kT] = Aexp(-Ev / kT) (3-210) 其 中,A = exp(Sv / k),由振动熵决定,一般估计A 在1~10之间。
晶体缺陷的产生与晶体的生长条件, 晶体中原子的热运动以及对晶体的加工工 艺等有关。事实上,任何晶体即使在绝对 零度都含有缺陷,自然界中理想晶体是不 存在的。既然存在着对称性的缺陷,平移 操作不能复制全部格点,那么空间点阵的 概念似乎不能用到含有缺陷的晶体中,亦 即晶体理论的基石不再牢固。
幸运的是,缺陷的存在只是晶体中局部 的破坏。作为一种统计,一种近似,一种 几何模型,我们仍然继承这种学说。因为 缺陷存在的比例毕竟只是一个很小的量(这 指的是通常的情况)。例如20℃时,Cu的 空位浓度为3.8×10-17,充分退火后Fe中 的位错密度为1012m-2(空位、位错都是以 后要介绍的缺陷形态)。现在你对这些数 量级的概念可能难以接受,那没关系,你 只须知道这样的事实:从占有原子百分数 来说,晶体中的缺陷在数量上是微不足道 的。
一个滑移面和其面上的一个滑移方向组 成一个滑移系(Slip System)。当外界应力 达到某一临界值时,滑移系才发生滑移, 使晶体产生宏观的变形,将这个应力称之 为临界切应力。为了从理论上解释滑移现 象,弗兰克(Frenkel)从刚体模型出发,对 晶体的屈服强度进行了计算。假设晶体是 完整的简单结构,平行于滑移面的原子面 间距为 b ;该面上最密排方向上的原子间 距为 a 。平衡状态下,各原子面都处于势 能最低位置。
现在回到我们关心的内容:既然晶体已 可以认为是近乎“完整的”,那么建立缺 陷概念的意义何在?毫不夸张地说,缺陷 是晶体理论中最重要的内容之一。晶体的 生长、性能以及加工等无一不与缺陷紧密 相关。因为正是这千分之一、万分之一的 缺陷,对晶体的性能产生了不容小视的作 用。这种影响无论在微观或宏观上都具有 相当的重要性。
同理,可得到间隙原子的平衡浓度Cg: Cg = n / N = exp[-(Eg-TSg) / kT] = Aexp(-Eg / kT ) (3-211) Sg 是形成间隙原子引起的熵变;Eg 是间隙 原子的形成能。由于间隙原子的形成能 Eg 比空 位的形成能 Ev 大3~4倍。因而在同一温度下, 晶体中间隙原子的平衡浓度比空位的平衡浓度低 得多。一般情况下,相对于空位,间隙原子通常 可以忽略不计,只有在高能辐照条件下,才有可 “察觉”的数量。
三、肖脱基和弗仑克尔空位 脱离了平衡位置的原子,我们称为离位 原子。那么离位原子在晶体中可能占据的 位置有哪几种?不难想象,有如下一些情 况: (1)离位原子迁移到晶体内部原有的空 位上,此时,空位数目不发生变化。
四、点缺陷的平衡浓度 1.点缺陷平衡浓度的概念 点缺陷形成的驱动力与温度有关,对 此,我们深信不疑。在一定的温度场下, 能够使原子离位形成点缺陷,那么点缺陷 的数目会无限制增加吗?从理论上分析可 以知道:一定温度下,点缺陷的数目是一 定的,这就是点缺陷的平衡浓度。
严格地说对称性是一种数 学上的操作,它与“空间群” 的概念相联系,对它的描述不 属本课程内容。但是,从另一 个角度来理解晶体的平移对称 性对我们今后的课程是有益的。 所谓平移对称性就是指对 一空间点阵,任选一个最小基 本单元,在空间三维方向进行 平移,这个单元能够无一遗漏 的完全复制所有空间格点。考 虑二维实例,如图3-101所示。
F = nEv-TS S = Sc + nSv (3-201) (3-202)
下面考虑组态熵的计算。热力学上有: Sc = klnΩ (3-203) 其中,k 为玻尔兹曼常数,k = 1.38 ×1023J/K;Ω为系统的微观状态数目。对于我们考虑 的体系,n 个空位形成后,整个晶体将包含 N+n 个点阵位置。N 个原子和 n 个点阵位置上的排列 方式为(N +n)! ,但由于N 个原子的等同性和 n 个 空位的等同性,最后可以识别的微观状态数为: Ω = (N + n)! / N ! n! (3-204) 即有:Sc = klnΩ = kln[(N + n)! / N ! n!] (3205)
第三章 晶体中的缺陷 (Defects in crystals) 本章要讨论的主要问题是: (1)晶体中有哪些常见的缺陷类型? (2)缺陷的数量和类型可以被控制吗? (3)缺陷对材料的性能有何影响? (4)缺陷一定是有害的吗?
第一节 概 述 一、缺陷(Defect)的概念 大多数固体是晶体,晶体正是以其特殊的构 型被人们最早认识。因此目前(至少在20世纪80年 代以前)人们理解的“固体物理”主要是指晶体。 当然这也是因为客观上晶体的理论相对成熟。在 晶体理论发展中,空间点阵的概念非常重要。 空间点阵中,用几何上规则的点来描述晶体 中的原子排列,并连成格子,这些点被称为格点, 格子被称为点阵,这就是空间点阵的基本思想, 它是对晶体原子排列的抽象。空间点阵在晶体学 理论的发展中起到了重要作用。可以说,它是晶 体学理论的基础。现代的晶体理论基于晶体具有 宏观平移对称性,并因此发展了空间点阵学说。
当然不能否认当缺陷比例过高以致于 这种“完整性”无论从实验或从理论上都 不复存在时,此时的固体便不能用空间点 阵来描述,也不能被称之为晶体。这便是 材料中的另一大类别:非晶态固体。对非想 上都存在着很大差异,有兴趣的同学可以 借助于参考书对此作进一步的理解。
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动。 在第二章的学习中我们已经知道:晶体中 的原子在其所处的原子相互作用环境中受 到两种作用力: (1)原子间的吸引力。 (2)原子间的斥力。 这两个力的来源与具体表述,请同学 们回忆学过的知识。在这对作用力的平衡 条件下,原子有各自的平衡位置。重要的 是原子在这个平衡位置上不是静止不动, 而是以一定的频率和振幅作振动,这就是 原子的热振动。
对点缺陷的平衡浓度如何来理解?从热力学 的观点:点缺陷平衡浓度是矛盾双方的统一。 (1)一方面,晶体中点缺陷的形成引起了点阵 的畸变,使晶体的内能增加,提高了系统的自由 能。 (2)另一方面,由于点缺陷的形成,增加了点 阵排列的混乱度,系统的微观状态数目发生变化, 使体系的组态熵增加,引起自由能下降。 当这对矛盾达到统一时,系统就达到平衡。 因为系统都具有最小自由能的倾向,由此确定的 点缺陷浓度即为该温度下的平衡浓度。
如果在外应力 τ 作用下,使滑移面上下 两部分的晶体整体地滑移一距离 a ,而达 到另一平衡位置时,则必须翻越势垒。上 部晶体受了两个力,一个是作用在滑移面 上沿滑移方向的外加切应力 τ (这是引起滑 移的力),另一个是下部晶体对上部晶体 的作用力 τ' (这是阻止滑移的内力),要 能维持一定的位移,要求τ ≥ τ',显然,τ' 是 位移 x 的函数。
温度场对这一振动行为起主要作用。温 度越高,振动得越快,振幅越大。而且, 每个原子在宏观统计上表现出不同的振动 频率和振幅,宏观表现上是谱分布。这种 描述相信能在同学思维空间里建立明确的 图象:原子被束缚在它的平衡位置上,但 原子却在做着挣脱束缚的努力。
现在我们设想这样一种情况:当温度足 够高使得原子的振幅变得很大,以致于能 挣脱周围原子对其的束缚(请读者考虑为什 么振幅大,原子可以脱离平衡位置)。因此, 这个原子就成为“自由的”,它将会在晶 体中以多余的原子方式出现?如果没有正 常的格点供该原子“栖身”,那么这个原 子就处在非正常格点上即间隙位置。显然, 这就是我们前面所说的间隙式原子。由于 原子挣脱束缚而在原来的格点上留下了空 位。这就是点缺陷形成的本质。
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