模拟电子技术习题答案.pptx

合集下载

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模电习题讲解与解析(第6版)2020

模电习题讲解与解析(第6版)2020

vi2
∵i3=i4,
0
vn R3
vn vo R4
vo
(1
R4 R3
)vn
vo表达式
vo
(1
R4 R3
)(
R2 R1 R2
vi1
R1 R1 R2
vi2 )
当R1=R2 =R3 时, vo vi1 vi2
分析:A1、 A2 电压跟随器
A3: vo1“”端 ,vo2“+”端, 加减电路
R2 R1
)
2

(1
6V
20 ) 10
2
0 2 2 vo 10 20
vO =6V
in=0
in=0
(c) vn = vp =0 , in=0
vo vn= 2V
vo = 2V
(d) vn = vp =2V, in=0
vo = vn = vp =2V
方法一:公式法 vi“+”端 ,同相放大电路 同相放大电路通用公式:
vo vo vo =0.6+1.2V =1.8V
vp1
vp2
方法二:虚短虚断法 : vp = vn, ip=in=0
A1: i1=i21 , vn1=vp1=0
vi1 vn1 R1
vn1 vo1 , R21
vo1
R21 R1
vi
100 0.6=1.2V
50
A2:i2=i22 ,
vo1 vn2 vn2 vo ,
工 作 区 ③
+
DZ
符号

(b) 伏安特性
稳压管, RL//DZ ,VO =VZ
解: (1) VO = VZ , IR = IO + IZ , VI = VR + VO

《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案

《模拟电子技术》期末复习 全书课后习题+参考答案

晶体二极管及应用电路1 图(a)和图(b)分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v的波形。

2在T=300K时,某Si管和Ge管的反向饱和电流分别是0.5pA和1μA。

两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V和Ge V。

图P1-23在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下的估算:I=μA,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。

(1)若反向饱和电流10S(2)当反向电流达到反向饱和电流的90%时,反向电压为多少?(3)若正反向电压均为0.05V,求正向电流与反向电流比值的绝对值。

1 图(a )和图(b )分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。

假设二极管为理想开关,试分析对于输入信号的正半周和负半周,每支二极管的状态,并画出输出电压O v 的波形。

[解]图P1-8输入正半周时,D 1导通,D 2截止。

输入正半周时,D 1D 3导通,D 2D 4截止。

输入负半周时,D 2导通,D 1截止。

输入负半周时,D 2D 4导通,D 1D 3截止。

(a )(b )两整流电路0v 波形相同(图P1-8-1):2 在T=300K 时,某Si 管和Ge 管的反向饱和电流分别是0.5pA 和1μA 。

两管按如图所示的方式串联,且电流为1mA 。

试用二极管方程估算两管的端电压Si V 和Ge V 。

[解]S I I >>,两管已充分导通,故VA 关系为/T V V S I I e =,由此lnT S IV V I =,取26T V =mV (T=300K )∴10000.026ln0.181Ge V ==V 图P1-29100.026ln 0.5570.5Si V ==V 。

O图P1-8-13在T=300K时,利用PN结伏安方程作以下的估算:(1)若反向饱和电流10SI=μA,求正向电压为0.1V,0.2V和0.3V时的电流。

新版模拟电子技术 部分参考答案(二)

新版模拟电子技术 部分参考答案(二)

习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示,已知1250ββ==,BEQ 0.7V U =,指出每级各是什么组态的电路,并计算电路的输入电阻i R 。

u S图5.1 习题5.1电路图解: 第一级为共集放大电路,第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示,设两管的β=100,U BEQ =0.7V ,求:(1)I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2;(2)A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。

u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解: (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===,u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示,设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析报告版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析报告版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a )三极管已损坏,发射结开路 (b )放大状态 (c )饱和状态(d )三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模拟电子技术教程习题答案

模拟电子技术教程习题答案

模拟电子技术教程习题答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】第6章习题答案1. 概念题:(1)由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈,电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。

(2)反相比例运算电路的输入阻抗小,同相比例运算电路的输入阻抗大,但会引入了共模干扰。

(3)如果要用单个运放实现:A=-10的放大电路,应选用 A 运算电路;将u正弦波信号移相+90O,应选用 D 运算电路;对正弦波信号进行二倍频,应选用F 运算电路;将某信号叠加上一个直流量,应选用 E 运算电路;将方波信号转换成三角波信号,应选用 C 运算电路;将方波电压转换成尖顶波信号,应选用 D 运算电路。

A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法 F. 乘方(4)已知输入信号幅值为1mV,频率为10kHz~12kHz,信号中有较大的干扰,应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。

(5)在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗(不会)加1000V的交流电压呢(不会)(6)有源滤波器适合于电源滤波吗(不适用)这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。

(7)正弦波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗(一定)矩形波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗(不一定)(8)作为比较器应用的运放,运放一般都工作在非线性区,施密特比较器中引入了正反馈,和基本比较器相比,施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。

(9)正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同,是因为反馈耦合端的极性不同,RC正弦波振荡器频率不可能太高,其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。

(10)非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。

(11)当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时,石英晶体呈阻性;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈感性;其余情况下石英晶体呈容性。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u与u O的波形,并标出幅值。

i图P1.1 解图P1.1解:波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

图P1.2解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ~I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。

(1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.4解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。

(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

(×)2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

(√)3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(×)4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

(×)5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

(√ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

(×)7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(×)三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压;V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦,则)V (2.11594TV T,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TVV,于是TV Vs eI I,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V ,于是s I I,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

西安交通大学赵进全模拟电子技术基础.pptx

西安交通大学赵进全模拟电子技术基础.pptx

谐振频率
式中 由于 故
C
T1
L
C0
RC
RE C2
R
C
第65页/共186页
(2) 串联型晶体振荡器
RB1 CB+ RB2
RC1 T1
R RE1
谐振频率
+VCC
T2
+C
+
RE2
uo –
第66页/共186页
思考题 1. 在正弦波发生器中,如果没有选频网络或没有稳幅 环节,那么电路将分别会出现什么情况? 2. 电容三点式与电感三点式正弦波振荡电路相比,哪 个电路输出的波形更好,为什么?
U·i
第46页/共186页
e后. 电U流o·9I0·L°C滞
T
·
U·o
L
I·LC f. 电IL·压C9U0·°f滞后
U_+·f
U·o
相量图
I·LC U·f U·i
U·f与U·i同相,满足相位平衡条件
第47页/共186页
(2) 幅度条件
T
反馈电压取自C2, 改变
L
C1/ C2,调整反馈强弱
和电路的放大倍数,容
R
C RC
+
A

RW

Uo D
1
R 1
D 2
第19页/共186页
(2) 利用非线性热敏电阻稳幅
C
R
+A


Uo
R
C RW Rt
Rt为负温度系数的热敏电阻
第20页/共186页
8.1.3 LC型正弦波信号发生器
主要特点 a. 用LC并联谐振回路作为选频网络 b. 主要用来产生1 MHz以上的高频信号 c. 频率稳定性较好

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

模拟电子技术课后习题及答案

模拟电子技术课后习题及答案

模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P 型半导体。

( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。

( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。

(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S -TU U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。

模拟电子技术例题习题ppt课件

模拟电子技术例题习题ppt课件
IBQ V BB R U bBE Q 1 V 5 K 0 .7 V60 A
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示,晶体管导通时 UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行,说明RC无变化,由于负载线变陡, Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4? 2. 从输出电压上看,哪个Q点下最易产生截止失真?哪 个Q点下最易产生饱和失真?哪个Q点下Uom最大? 3. 设计放大电路时,应根据什么选择VCC?
静 态工作点Q(直流值):UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 ( RL=∞ )
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行,说明RC无变化,由于负载线变陡, Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ

V
BB
-U Rb
BEQ
I CQ I BQ

模拟电子技术习题及解答

模拟电子技术习题及解答

模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示,已知)5sin i u t V ω=,二极管导通电压降D 0.7V U =。

试画出i u 和o u 的波形,并标出幅值。

解:通过分析可知:(1) 当37V i u .>时,37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时,o i u u = (3) 当37V i u .<-时,37o u .V =- 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。

(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解:对于(a )来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,6V AO U =- 采用恒压降模型来说,67V AO U .=-对于(c )来说,二极管1D 是导通的,二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说,0AO U = 采用恒压降模型来说,07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解:(b )先将二极管断开,由KVL 定律,二极管左右两端电压可求出:25101515V 182255U .-⨯+⨯++左==10151V 14010U ⨯+右==故此二极管截止,流过的电流值为0D I =(c )先将二极管断开,由KVL 定律,二极管左右两端电压可求出:151525V 255U .⨯+左==,2252005V 182U ..-⨯+左==10151V 14010U ⨯+右==由于05V U U .-=右左,故二极管导通。

运用戴维宁定理,电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: T1: 硅管,PNP ,11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管,NPN ,3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管,NPN ,12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管,PNP ,12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管,PNP ,14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管,NPN ,12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路(L R =∞)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻o r 。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
3 欲实现 Au=-100 的放大电路,应选用 A 。
4 欲将方波电压转换成三角波电压,应选用 C 。
5 A 中集成运放反相输入端为虚地,而 B 中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
2. 集成运放在作放大电路使用时,其电压增益主要决定于( A )。
A. 反馈网络电阻
B. 开环输入电阻
C. 开环电压放大倍数
R1
R2
v4
R2 v R1
i
5.1v
i
vo 3v4 15.3v i
(3)
R
R1 //
R 2
R
/3/
R
4
R
//
3
1
R 2
82.84kΩ
2.电路如图所示,图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V,试将计算结果填如表 2.1 中。
解 : vO1= (- Rf /R) vI=- 10 vI, vO2 = (1+Rf /R ) vI= 11 vI。
(32dB)
Ai
io ii
1V/4kΩ 10 μA
25
(28dB)
Ap Av Ai 40 25 1000
(30dB)
六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示,放大电路的带宽是多少?半功率点是哪两个点?半功率点 处的增益较中频区的增益下降了多少分贝?折合百分比为多少?
3
书山有 路
答:带宽 = fH - fL =2×104-20≈2×104Hz 半功率点指增益较中频区增益下降 3dB 的频率点(即对应 fH、fL),其输出功率约等于中频区输出功率
当集成运放工作到非线性区时,输出电压不是+14V,就是-14V。
vI/V
0.1
vO1 / V
-1
vO2 / V
1.1
3.求解图示电路中 vO与 vI之间的运算关系。
表 2.1 0.5 -5 5.5
1.0 - 10
11
1.5 - 14
14
5
书山有 路
解:图示电路的 A1 组成同相比例运算电路,A2组成差动运算电路。先求解 vO1,再求解 vO。
在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示
2
山有 路
Vi
Ri Rs R
i
Vs
1MΩ 1V 0.5V 1MΩ 1MΩ
扬声器上的电压 Vo
RL RL R
AvVo i
o
10Ω 1 0.5V 0.25V 10Ω 10Ω
四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可
二、某放大电路输入信号为 10pA 时,输出为 500mV,它的增益是多少?属于哪一类放大电路?
解:
Ar
vo ii
500 mV 10pA
0.5V 10 11 A
51010Ω
属于互阻放大电路
三、某电唱机拾音头内阻为 1MΩ,输出电压为 1V(有效值),如果直接将它与 10Ω 扬声器连接,扬声器上
10.微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压;
积分 运算电路可将方波电压转换成三
角波电压。
二、选择题:
1. 现有电路:
A. 反相比例运算电路
B. 同相比例运算电路
C. 积分运算电路
D. 微分运算电路
E. 加法运算电路
选择一个合适的答案填入空内。
1 欲将正弦波电压移相+90O,应选用 D

2 欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用 E 。
的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻 Ri=1MΩ,输出电阻 Ro=10Ω,
电压增益为 1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便?
解:直接将它与 10Ω 扬声器连接,
扬声器上的电压Vo
10Ω 1MΩ 10Ω
1V
10Ω 106 Ω
1V
10 5 V
电 压 增 益 20lg Av dB 、 电 流 增 益 20lg Ai dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
三、计算题:
4
书山有 路
1.电路如图所示,其中 R1=10kΩ ,R2= R3= R4=51kΩ 。
试求:
1 输入电阻 Ri; 2 vo 与 vi 之间的比例系数。 3 平衡电阻 R 。
解:(1)
Ri=R1=10kΩ
(2)
vn v4
R2
0 v4 v4 vo
R4
R3
vi vn vn v 4
A.正向
B.反向 C.击穿
10.某只硅稳压管的稳定电压 Vz = 4v,其两端施加的电压分别为+5V(正向偏置)和-5V(反向偏置)时,
稳压管两端的最终电压分别为 D 。
A. +5V 和-5V
B. -5V 和+4V C. +4V 和-0.7V
D. +0.7V 和-4V
11.PN 结的结电容包括 扩散电容 和 势垒电容 。当在PN 结两端施加正向电压时,空间电荷区

A. 多数载流子浓度增大
B. 少数载流子浓度增大
C. 多数载流子浓度减小
D. 少数载流子浓度减小
6.半导体 PN 结中内电场 E,是由 空间电荷区 产生的,当将 反向 电压加在 PN 结两端时,其 PN 结内
电场 E 增强。PN 结 不易 (不易/容易)导通。
7.二极管导通时,其正向电压应该比门坎电压 高 (高/低),硅管的正向导通电压约为 0.7 V,锗管的
解:(1)同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
vo1 3vi1
vo2 vi2 2vi3
(2) v o 2v
o1
1
100 100 v 50 150
o2
2(vo1
vo2 )
2(3vi1
vi2 2vi3 )
6.试写出图示加法器对vI1、vI2、vI3 的运算结果:vO = f (vI1、vI2、vI3)。
3. 本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。P 型半导体中的少子是 电子 ,多子是 空
穴 , N 型半导体中的少子是 空穴 ,多子是 电子 。 4.半导体中参与导电的有 两 种载流子,分别是 电子 和 空穴 ,导体中参与导电的有 一 种载流
子,是 电子 。
5. 当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流 IS 将增大,这是因为此时 PN 结内部的 B
正向导通电压约为 0.2 V。
8.稳压管是一种 特殊工艺制造的面接触型硅二极管 二极管。除了用于限幅电路之外,主要用于稳压电
路,其稳压性体现在电流增量 很大 ,只引起很小的 电压 变化,此时稳压管应工作于 反向电击穿 区。
9. 发光二极管正常工作时,外加 A 电压;而光电二极管正常工作时,外加 B 电压。
以测量放大电路的哪些性能指标?
答:因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时,信号中就不再含有任何未知信息。并且任何
信号都可以展开为傅里叶级数表达式,即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此,正弦波信号常
作 为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频
的 电流。
6.
同相
运算电路的电压增益 Au≥1; 反相 运算电路的电压增益 Au<0。
7. 反相求和运算电路中集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流等于各输入端电流的 和 。
8. 同相 比例运算电路的输入电阻大,而 反相 比例运算电路的输入电阻小。
9. 反相求和 运算电路可实现函数 Y=aX1+bX2+cX3,a、b 和 c 均小于零。
将 变窄 , 扩散 电容将增大。
12. 发光二极管是将 电能转换成光能 的器件;而光电二极管是将 光能转换成电能 的器件。
二、已知 uI=5sinωt (V),二极管导通电压 UD=0.7V。试画出 uI与 uO的波形,并标出幅值。
解:A2 的输出 vO2=-(10/5)vI2-(10/100)vI3=-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20)vI1-(100/100)vO2=-5vI1+2vI2+0.1vI3
7.在 图 示 电 路 中 , 已 知 输 入 电 压 vi 的 波 形 如 图 ( b ) 所 示 , 当 t= 0 时 , 电 容 C 上 的 电 压 vC= 0。 试 画 出 输 出 电 压 vo 的 波 形 。
的一半。增益较中频区增益下降所折合的百分比为 70.7﹪。
第二章 运算放大器
一、填空题: 1.理想运算放大器的性能参数均被理想化,即输入电阻为 无穷大 ,输出电阻为 零 ,开环电压增
益为 无穷大 ,输出电压为 接近正负电源值 。
2. 运算放大器有两个工作区。在 线性 区工作时,放大器放大小信号;当输入为大信号时,它工作在
7
书山有 路
vo
1 RC
t2 t1
vi
dt
vC
(
t1
)
解: 当 vi为常数时
1 vo RC vi ( t2 t )1 v C( t )1 -100 v (i t -2t ) 1 v ( Ct ) 1
若 t1 0, vC 0, t2 5ms 时
3
vo 100 5 5 10 2.5V
非线性 区,输出电压扩展到 饱和值 。 3.运算放大器工作在线性区时,具有 虚短 和 虚断 两个特点,凡是线性电路都可利用这两个概念
来分析电路的输入、输出关系。
相关文档
最新文档