2018年液晶面板行业分析报告

目录

1.从TN-LCD到OLED，面板技术进步不息 (3)

1.1LCD市场多技术并存，LTPSTFT-LCD是发展趋势 (3)

1.2OLED性能优异，柔性AMOLED最受欢迎 (9)

2.大陆面板市场历经风雨，终见彩虹 (12)

2.1.面板行业崛起：从贸易逆差到世界第一 (12)

2.2.受益于LCD产能转移，大陆面板产业行业地位快速提

升 (15)

2.3.OLED普及加速，国内厂商已做好准备 (19)

3.LCD市场仍未见顶，OLED发展前景广阔 (28)

3.1..大尺寸和全面屏推动之下，LCD仍有成长空间 (28)

3.2全面屏手机+OLED电视热卖，OLED需求爆发 (35)

4.行业内重点公司介绍 (43)

4.1..京东方A (43)

4.2..深天马A (45)

5.风险提示 (47)

1.从TN-LCD到OLED，面板技术进步不息

1.1LCD市场多技术并存，LTPSTFT-LCD是发展趋势

1888年，奥地利植物学家莱尼茨尔在做胆甾醇苯酸酶加热实验时发现，这种晶体在温度超过145.5℃时会融化成浑浊的液体，继续加热到178.5℃时，浑浊的液体透明化了。同年，莱尼茨尔的朋友莱曼使用自制的偏光显微镜观察发现，这种液体看似像液体，但是显示出与晶体类似的双折射性，因此与莱曼将其命名为“液态晶体”（liquidcrystal），即后来所谓的液晶。液晶被发现后很长一段时间没有得到应用，直到1968年才被制作成液晶显示器。

图表1：电子显微镜下的液晶分子形态电子显微镜下的液晶分子形态

从第一块液晶屏被发明后，LCD技术发展大致经历了五个阶段，从实验室中的科研产品到走进千家万户的大众消费

品，LCD液晶显示器已经成为了我们生活中的必需品。

图表2：液晶显示器发展

LCD液晶显示器分类标准比较多，按控制方式的不同可分为被动矩阵式LCD和主动矩阵式LCD。被动矩阵式LCD 又可分为TN-LCD(扭曲向列LCD)、STN—LCD(超扭曲向列LCD)和DSTN-LCD(双层超扭曲向列LCD)。主动矩阵式LCD 也被称为TFT-LCD，全称为ThinFilmTransistorLCD（薄膜晶体管液晶显示器），是目前应用最广泛的LCD技术。

图表3：LCD按控制方式分类

TN-LCD、STN-LCD和DSTN-LCD这几种被动矩阵式

LCD原理类似，接下来以TN-LCD为例，简单介绍被动式矩阵LCD的原理。在TN-LCD面板中，最外面的是偏光片，用来规范光的前进方向和光通量的最大值；再往内是玻璃基板，两个基板内部夹着彩色滤光片、配向膜等，彩色滤光片是制作在玻璃基板上，拥有红绿蓝三种颜色；再往内就是双电极以及双电极夹着的液晶。

当有光线照射时，先经偏光片矫正然后进入夹层内，如果电极层没通电，液晶会保持原本状态，入射光会被液晶扭转90度方向，从而可以全部通过下偏光板，显示屏显示为白色；当加了电压后，液晶分子会调整初始状态，变成竖直的状态，光线会被下层偏光片吸收，进而屏幕呈现出黑色。

图表4：被动矩阵式LCD基本结构

图表5：液晶分子的扭转

被动矩阵式LCD由于可视角度小、色彩还原能力有限等多种缺陷已经被逐步淘汰，目前最主流的LCD技术是TFT-LCD。

TFT-LCD中文全称是薄膜晶体管液晶显示器,其与被动矩阵式LCD的结构基本相同，只是把被动式LCD上夹层电极变为FET晶体管，下夹层改为共通电极。在工作原理上，两者却差别较大。与被动LCD不同的是，TFT-LCD采用“背透式”照射方式，光线从面板底部向上照射。

图表6：TFT-LCD切面结构

TFT-LCD具有更快的响应时间和更丰富的色彩。液晶层需要电压来控制偏转角度，从而控制显示器的灰阶，被动式LCD电压由电极施压，而TFT-LCD电压由薄膜晶体管控制。TFT-LCD的每个子像素都配置了一个这样的晶体管开关，都可以通过点脉冲直接控制。这样的设计不但缩短了显示屏的反应时间，同时也可以精确控制显示灰度，因此TFT-LCD 显示效果比被动式LCD更加丰富逼真。

目前TFT的基底材料主要有三种，分别是a－Si、IGZO 和LTPS。a－Si指的是非晶硅，早期的TFT－LCD都是采用a－Si作为基底材料。a－Si成本低廉，技术含量较低，初期普及速度很快，但是a－Si电子迁移率低，而屏幕的PPI（像素密度）与电子迁移率成正比，因此采用a－Si作为基底材料的LCD面板分辨率偏低。同时，a－Si晶体管开关本身面

积过大，导致面板的亮度无法做高，这也限制了a－Si面板的发展。现代消费者对数码产品显示屏的要求在不断提高，更高的分辨率、更快的响应速度、更轻薄的体积和更丰富的色彩是面板技术永恒的追求。因此，IGZO与LTPS技术孕育而生，大大拓宽了LCD的发展空间。

IGZO（indiumgalliumzincoxide）是铟镓锌氧化物的缩写，用作新型薄膜晶体管中的沟道材料。IGZO是金属氧化物（Oxide）面板技术的一种，具有电子迁移率高、透明、均一性好和易于制造的优点。与a－Si相比，IGZO的光稳定性好，且具备很强的弯曲性能，能用于柔性显示。然而IGZO也有使用寿命短、对水和氧敏感等缺点，因此需要覆盖一层保护层，对量产有阻碍。

LTPS技术优势明显，高端产品使用率高。a－Si和IGZO 技术都存在或多或少的缺点，目前发展最为迅速的技术是LTPS技术。LTPS（LowTemperaturePoly－silicon）中文全称是低温多晶硅，它是由非晶硅经过镭射光均匀照射后非晶硅吸收内部原子发生能级跃迁形变成为多晶结构而形成的。相比于a－Si和IGZO技术，LTPS的电子迁移率更高，从而可以支持更高的分辨率，且其反应速度更快、亮度更亮。更重要的是，LTPS技术是OLED面板的完美搭配，OLED 面板堆基板的导电性要求很高，只有LTPS才能符合要求。

图表7：薄膜晶体管基底材料技术特点比较