发光二极管物理实验报告
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项目说明书
张益鑫39032517 赵正39032510 王冬39032526
第一部分:发光二极管特性的研究
摘要:
在我们的生活中,随处可见到各种各样的发光二极管,包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管,在众多类型的发光二极管中,我们选择了使用较为普遍的红色LED(图1)做为重点,研究了它的内部结构,电学特性,发光特性。
图 1 我们重点研究的二极管
实验原理
一、发光二极管结构
以红色发光二极管为例,我们将其切开,可以清楚的看到其内部结构,它的核心是PN 结,正是由于PN结的单向导电性,所以发光二极管只有通以正向电压时才可以发光,当PN 结承受反向电压时,电阻趋于无穷大,二极管截止,不会发光。
图 2 剖开的红色LED
二、 LED发光原理
-Ⅳ族化合物,如砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N
在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流(多子)复合而发光,如下图所示:
图 3 LED发光原理图
三、 LED的电学特性
1.LED的常见电学参数
通过查找资料,我们找到了LED的一些常用参数:
1.1允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
1.2最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
1.3最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。
1.4正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根
据需要选择IF在0.6·IFm以下。
1.5正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是
在 IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF 将下降。
2.LED的伏安特性
在LED两端加上不同的电压,测得多组(U—I)值,可以得到LED的伏安特性曲线,从实验得出的伏安特性曲经可以看出,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光,而当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,二极管发光。由V-I
曲线可以得出发光管的正向电压,反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电
流IR<10μA以下。
图 3 伏安特性曲线
四、发光二极管的光强分布规律
下图给出的发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发
光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。
图 4 理论光强分布图
实验仪器
发光二极管、直流稳压源、万用表、电阻箱、导线、开关、光功率计。
本板,面包板,导线
图4 伏安特性测试装置
图5 光强测试装置
实验步骤
测量发光二极管的伏安特性
按照下图连接实验电路,其中滑动变阻器用变阻箱代替。由于电流的测试不方便,如前所述,PN 结正向导通时电阻很小,如果我们串接万用表在电路里,万用表的内阻会对实验结果造成较大的影响,并且万用表进行电流、电压测量需要改换插头,对于测量会造成一定的不便,因此我们选择采用间接测量的方法,在此法中总电压保持
5E V =不变,测量变阻箱电压0U ,由于电阻箱阻值和其两端的压降测量都是相对精确的,我们进而测得二极管电压
U E U =-,电路中电流由
0/I U R =变
求得,即可得到
二极管的电流—电压关系,画出相应的伏安特性曲线,为保证二极管在串接较低电阻时也不会烧坏,我们加入了470欧姆的限流保护电阻。
图6 伏安特性测试电路
1.改变变阻箱的阻值,记下多组(R,U)的值,此过程中保持电源总电压不变。
2.由记录的数据算出二极管两端的电压和电流并列表。
3.对数据进行处理,画出伏安特性曲线并进行分析。
测试二极管的光强分布
1.测量发光二极管法线方向光强与距离的关系。
如图8所示,在本次测量实验中,我们通过电学特性测量与查找资料,在保持
电源电压5V的情况下,串入150欧姆电阻,使得二极管的工作电流为20mA,这
样的工作电流是二极管的正常工作电流,连好线路后,我们保持单一变量是发
光二极管中心到光功率计接收孔的距离,使发光二极管正对光功率计,改变接
收器的位置,记录光源到接收器原位置和光功率计的读数,在这里为了使实验
现象更为明显,我们选择了光功率计的200uw量程,与直径为6mm的接收孔,
从较近位置到较远位置合理选择了一系列的测试点,得到光强与距离的关系。
图 7 发光二极管法线方向光强与距离的关系测试仪器
2.同图8装置,固定光源到接收器的距离,这里我们选择在测量光强与距离
关系实验中的一个适中位置(65mm),在这个位置处,光强实数较大,距离
适中,符合一般二极管的使用情况,具有较强的代表性。旋转发光源,改变
发光中心与导轨的夹角,观察光功率计的读数变化,在此过程中保持LED电
压各距离不变。
3.记录和分析实验数据,并注意发光二极管中心与滑块中心的偏差,测量修正
值,在数据处理中使用修正值使得结果更为精确。
数据处理和误差分析
一、发光二极管的伏安特性
1.伏安特性数据记录(变阻箱电压和电阻)