提高内量子效率IQE
内量子效率计算公式
内量子效率计算公式内量子效率（Internal Quantum Efficiency，IQE）是半导体物理和光电子学中一个非常重要的概念。
它反映了在半导体材料中，产生的电子-空穴对中能够成功参与发光过程的比例。
内量子效率的计算公式通常可以表示为：IQE = （发射的光子数 /产生的电子-空穴对数）× 100% 。
要理解这个公式，咱们先来说说半导体中的发光过程。
就拿发光二极管（LED）来说吧，当电流通过时，会在半导体材料中产生电子-空穴对。
这些电子和空穴在复合的过程中，如果以光的形式释放出能量，那就算是成功的发光过程啦。
可实际情况没那么简单，因为在这个过程中，有好多因素会影响内量子效率。
比如说，有些电子-空穴对可能会因为材料中的缺陷或者杂质而发生非辐射复合，就是说它们的能量不是以光的形式释放出来，而是变成了热能啥的，这可就降低了内量子效率。
我记得有一次在实验室里，我们正在研究一种新型的半导体材料，想要提高它的内量子效率。
大家都特别专注，眼睛紧紧盯着各种仪器的数据。
有个小伙伴因为太紧张，操作的时候手都有点抖。
经过反复的实验和调整，我们终于找到了一些关键的因素，比如优化材料的生长条件，减少缺陷的数量等等。
通过不断地努力，我们成功地提高了这种材料的内量子效率，那一刻，大家脸上都洋溢着兴奋的笑容。
再回到内量子效率的计算公式，要准确测量发射的光子数和产生的电子-空穴对数可不容易。
这需要用到一些专门的仪器和技术，比如光致发光谱（Photoluminescence Spectroscopy）和电学测量方法。
而且，不同类型的半导体材料，其内量子效率的特点和影响因素也不太一样。
比如，无机半导体材料和有机半导体材料就有很大的差别。
无机半导体通常具有较高的内量子效率，但制备工艺相对复杂；有机半导体则具有柔韧性好、成本低等优点，但内量子效率往往相对较低。
在实际应用中，提高内量子效率对于提高光电器件的性能至关重要。
荧光材料光致发光量子效率绝对测量通用检测方法-最新国标
荧光材料光致发光量子效率绝对测量通用检测方法1 范围本文件规定了荧光材料光致发光内/外量子效率绝对测量的通用办法。
本文件适用于荧光光谱范围在紫外、可见与近红外波段（200nm~1100nm），激发光波长范围在紫外和可见波段（200nm~780nm）的固体和液体荧光材料。
2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 5838.1—2015 荧光粉第1部分：术语3 术语和定义GB/T 5838.1-2015界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
内量子效率 internal quantum efficiency荧光材料受到激发时，向空间各方向发出的荧光总光子数与激发光被发光材料吸收总光子数的比值。
[来源：GB/T 39492-2020，3.2，有修改]外量子效率 external quantum efficiency荧光材料受到激发时，向空间各方向发出的荧光总光子数与激发光入射总光子数的比值。
[来源：GB/T 39492-2020，3.1，有修改]样品仓 cell待测样品，参比样品如硫酸钡等的填充用容器，或配有聚四氟乙烯壁套的薄无荧光比色皿。
适于在积分球体凹处或缺处放置，保存试样的平板型器皿，以及分光光度计用器皿的总称。
参比样 reference用于激发光的光谱测定的具有高反射率的白色标准粉末或无色溶剂，白色标准粉末通常选用硫酸钡或氧化铝粉体，对于溶液，选择无荧光的溶剂，该溶剂且适合荧光材料分散。
白色漫反射板 white reflecting plate用于激发光光谱测定，氧化铝，聚四氟乙烯标准白板等高反射率白板。
[来源：GB/T 39492-2020，3.5，有修改]自吸收 self-absorption样品发出的光有部分会被自身吸收。
Cr3+掺杂的宽带近红外荧光粉研究进展
第41卷2024 年 3 月应用化学CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY第3期328⁃339Cr 3+掺杂的宽带近红外荧光粉研究进展卢紫微1，2刘永福1* 罗朝华1 孙鹏1 蒋俊1*1（中国科学院宁波材料技术与工程研究所， 宁波 315201）2（宁波大学材料科学与化学工程学院， 宁波 315211）摘要 荧光转换型近红外发光二极管（NIR pc -LED ）具有体积小、谱带宽和峰位易调谐等优点，是新一代NIR 光源发展的前沿，其关键在于研发可被蓝光有效激发的高效率宽带近红外荧光粉。
面向广泛研究的Cr 3+激活近红外发光材料，本文综述了发射峰在800~900 nm 波段材料发展现状。
基于磷酸盐、硼酸盐和硅锗酸盐等体系，阐述了其结构特征与近红外发光峰位、谱带宽度的关系，以及采用工艺优化、组分调节和共掺杂等方法调控近红外发光效率、热稳定性能的效果。
关键词 近红外荧光粉；800~900 nm ；Cr 3+；Yb 3+；磷酸盐；硼酸盐；硅锗酸盐中图分类号：O644 文献标识码：A 文章编号：1000-0518（2024）03-0328-12近红外光谱技术具有无损伤、穿透性好等优点，在无损检测、食品安全、夜视与医疗成像等领域具有广泛应用［1-5］。
近红外光谱技术与便携式智能设备的快速发展对近红外光源提出了器件小型化、光谱宽带化的要求。
传统近红外光源，如白炽灯、卤素灯和近红外激光器，谱带宽、体积大和能耗高。
近红外发光二极管（Near -infrared light -emitting diode ， NIR LED ）体积小、能耗低，但其发光范围窄（＜50 nm ）［6-7］。
为此，研究者们提出荧光转换型（Phosphor -converted ， PC ）近红外发光二极管（NIR pc -LED ）技术方案：在蓝光芯片上涂覆近红外荧光粉实现近红外光发射，其具有体积小、节能环保、谱带宽和寿命长等优点［8-9］。
氮化镓基Micro-LED_侧壁对外量子效率的影响及侧壁处理技术综述
文章编号 2097-1842（2023）06-1305-13氮化镓基Micro-LED 侧壁对外量子效率的影响及侧壁处理技术综述邝 海*，黄 振，熊志华，刘 丽（江西科技师范大学 江西省光电子与通信重点实验室, 江西 南昌 330038）摘要：氮化镓基Micro-LED 具备高亮度、高响应频率、低功耗等优点，是未来显示技术和可见光通信系统的理想选择，但是目前外量子效率（EQE ）低下这一问题严重影响其规模化量产及进一步应用。
为了突破EQE 低下这一瓶颈，通过分析Micro-LED 外量子效率的影响因素，得知EQE 下降的主要原因包括侧壁缺陷引起的载流子损耗及非辐射复合。
总结了侧壁缺陷对载流子输运及复合的影响。
综述了目前常用的侧壁处理技术及修复方法，指出现有侧壁处理方法较为笼统、针对性不足且载流子与侧壁缺陷的作用机理并不十分清楚。
提出应深入系统地研究侧壁缺陷种类和分布、载流子与侧壁缺陷作用机制及侧壁处理过程中的缺陷修复模式。
本文为提高外量子效率、加快Micro-LED 商业化量产进程提供设计思路和理论依据。
关 键 词：侧壁缺陷；微发光二极管；外量子效率；载流子；侧壁钝化中图分类号：TN312 文献标志码：A doi ：10.37188/CO.2023-0091A review of the effect of GaN-Based Micro-LED sidewall on externalquantum efficiency and sidewall treatment techniquesKUANG Hai *，HUANG Zhen ，XIONG Zhi-hua ，LIU Li（Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province ,Jiangxi Science Technology Normal University , Nanchang 330038, China ）* Corresponding author ，E-mail : haizi 411@Abstract : Micro-LEDs offers the benefits of high brightness, high response frequency, and low power con-sumption, making them an attractive candidate for future display technologies and Visible Light Communica-tion (VLC) systems. Nonetheless, their low External Quantum Efficiency (EQE) currently impedes their scaled mass production and further applications. In order to break through the bottleneck of low EQE, we conducted an analysis of Micro-LED external quantum efficiency’s contributing factors. The influencing收稿日期：2023-05-15；修订日期：2023-06-02基金项目：江西省教育厅科学技术研究项目（No. GJJ2201338)；国家自然科学基金（No. 12364013)；江西科技师范大学博士科研启动基金项目（No.2019BSQD020)；中央引导地方科技发展资金项目（No. 2022ZDD03088)Supported by Science and Technology Research Project of Jiangxi Education Department (No. GJJ2201338);National Natural Science Foundation of China (No. 12364013); Doctoral Research Foundation of Jiangxi Sci-ence and Technology Normal University (No. 2019BSQD020); Government Guides Local Science and Techno-logy Development Funds(No. 2022ZDD03088)第 16 卷 第 6 期中国光学（中英文）Vol. 16 No. 62023年11月Chinese OpticsNov. 2023factors for EQE are analyzed. It is concluded that the carrier loss and non-radiative recombination caused by sidewall defects are the main reasons for the decrease in EQE. In addition, we summarized the impact of sidewall defects on carrier transport and composites, and we also reviewed the commonly used sidewall treat-ment technology and repair methods, and pointed out that the existing sidewall treatment methods are helpful but insufficient for improving EQE, and the mechanism of carrier interaction with sidewall defects is not very clear. It is suggested to carry out a thorough and systematic study on the types and distribution of sidewall de-fects, the mechanism of carrier and sidewall defects, and the defect repair mode in the sidewall treatment pro-cess. Finally, future development trends are projected. This paper offers design ideas and theoretical founda-tions to enhance the external quantum efficiency and accelerate the process of commercialization and mass production of Micro-LEDs.Key words: defects on sidewall；micro-LED；external quantum efficiency；carriers；surface passivation1 引 言微发光二极管（Micro-Light-Emitting diode，Micro-LED）因具有其他光源不可比拟的优势而备受关注[1-6]。
太阳能电池量子效率
太阳能电池量子效率,Quantum efficiency of a solar cell太阳能电池的量子效率是指太阳能电池的电荷载流子数目与照射在太阳能电池表面一定能量的光子数目的比率。
因此，太阳能电池的量子效率与太阳能电池对照射在太阳能电池表面的各个波长的光的响应有关。
太阳能电池的量子效率与光的波长或者能量有关。
如果对于一定的波长，太阳能电池完全吸收了所有的光子，并且我们搜集到由此产生的少数载流子（例如，电子在P型材料上），那么太阳能电池在此波长的量子效率为1。
对于能量低于能带隙的光子，太阳能电池的量子效率为0。
理想中的太阳能电池的量子效率是一个正方形，也就是说，对于测试的各个波长的太阳能电池量子效率是一个常数。
但是，绝大多数太阳能电池的量子效率会由于再结合效应而降低，这里的电荷载流子不能流到外部电路中。
影响吸收能力的同样的太阳能电池结构，也会影响太阳能电池的量子效率。
比如，太阳能电池前表面的变化会影响表面附近产生的载流子。
并且，由于短波长的光是在非常接近太阳能电池表面的地方被吸收的，在前表面的相当多的再结合将会影响太阳能电池在该波长附近的太阳能电池量子效率。
类似的，长波长的光是被太阳能电池的主体吸收的，并且低扩散深度会影响太阳能电池主体对长波长光的吸收能力，从而降低太阳能电池在该波长附近的太阳能电池量子效率。
用稍微专业点的术语来说的话，综合器件的厚度和入射光子规范的数目来说，太阳能电池的量子效率可以被看作是太阳能电池对单一波长的光的吸收能力。
太阳能电池量子效率，有时也被叫做IPCE，也就是太阳能电池光电转换效率(Incident-Photon-to-electron Conversion Efficiency)。
通常被提到的两种太阳能电池量子效率：外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)，太阳能电池的电荷载流子数目与外部入射到太阳能电池表面的一定能量的光子数目之比。
相机量子效率和能量的关系
相机量子效率和能量的关系
相机量子效率是指在光子照射下，相机所产生的电子与入射光子数的
比值。
量子效率（Quantum Efficiency，QE）通常用百分比表示，表征了相机从光子中获得的能量的效率。
相机量子效率的高低直接影响
相机的灵敏度及画质表现。
相机量子效率与光子能量的关系是一个非常重要的问题。
在光敏元件中，光子能量越大，所激发出的电子能量也就越大，因此量子效率也
就越高。
光子能量与波长之间是有对应关系的，波长越短，能量越大。
因此，可以通过调整光子波长来调整相机量子效率。
在相机的组成部分中，光敏元件是非常重要的一部分。
以CCD （Charge-coupled Device）传感器为例，它可以将一个光子转换为
一个电子，对应光电转换率，即量子效率。
CCD的光电转换率一般为30% ~ 70%之间，其中IR（Infrared，红外线）光线的光电转换率较低。
专业一点的相机则会采用BSI（Back Side Illumination）技术，
使得元件的面积达到90%以上，同时能够感受到波长更长的红外线和
更多的光子。
这种相机十分适合夜晚拍摄或弱光环境下进行拍摄。
而
对于量子效率高的相机，能够更好地捕捉到图像细节，图像质量也会
相应地更高。
总之，相机量子效率与光子能量之间存在着密切关系，通过调整光子
波长以获得更高的量子效率，可以提高相机在低光环境下的拍摄表现。
因此，在选购相机时，量子效率是一个重要的性能指标。
iqe内量子效率
iqe内量子效率摘要：本文主要介绍了IQE内量子效率的概念、原理及其在光电器件和太阳能电池领域的应用。
通过对IQE内量子效率的深入研究和优化，可以提升光电器件和太阳能电池的性能，推动相关领域的发展。
一、引言IQE内量子效率（Internal Quantum Efficiency, IQE）是一种衡量光电器件性能的重要参数。
它反映了光电器件将入射光子转化为电子-空穴对的能力，对于评估器件性能、优化设计和提升器件性能具有重要意义。
二、IQE内量子效率的原理IQE内量子效率是指光电器件在单位时间内，单位面积上产生的电子-空穴对数量与入射光子数量的比值。
其值受到多种因素的影响，如材料类型、器件结构、光照条件等。
通过提高IQE内量子效率，可以提升光电器件的转换效率和性能。
三、IQE内量子效率的应用1. 光电器件领域：IQE内量子效率在光电器件领域有着广泛的应用。
例如，在太阳能电池中，IQE内量子效率越高，太阳能电池的转换效率就越高。
通过优化材料和结构设计，可以提高太阳能电池的IQE内量子效率，从而提升其性能。
2. 太阳能电池领域：太阳能电池是一种利用太阳能将光能转换为电能的器件。
在太阳能电池的研究中，IQE内量子效率是一个重要的参数。
通过提高IQE内量子效率，可以提升太阳能电池的转换效率和稳定性，降低成本，促进太阳能电池的广泛应用。
四、结论IQE内量子效率是评估光电器件和太阳能电池性能的重要参数。
通过深入研究和优化IQE内量子效率，可以提升光电器件和太阳能电池的性能，推动相关领域的发展。
未来，随着材料科学和微纳制造技术的不断发展，IQE内量子效率的研究和应用将取得更大的突破。
提高内量子效率IQE
晶格匹配：晶格不匹配增大，晶格位错线
呈现黑色，导致IQE下降。虽然GaAs和InP中 晶格匹配与IQE有很强的关系，但GaN中这 种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电 学活性很低，另外，载流子在GaN的扩散长 度很短，如果位错间的平均距离大于扩散
复合的类型
• 辐射型复合，伴随光 的辐射复合，电子与
空穴复合释放的能量 产生光子。
• 非辐射型复合，不伴 随光辐射的复合，电
子与空穴复合释放的 能量转变为热量。
常见的复合方式：
常见的复合方式：
1、电子与空穴的碰撞复 1、伴随多数声子的复合、
合、
2、俄歇复合、
2、通过杂质能级的复合、3、器件表面的复合。
活性层（Active Layer）
• 活性层（Active Layer）厚度也对IQE有很
大影响，不能太厚，也不能太薄，每种材 料有其最佳范围。
• 活性层参杂：活性层绝对不可以重参杂，
要么轻参杂，低过覆层（Cladding Layer ）的参杂浓度，每种材料有其最佳范围，
活性层经常也不参杂。
• 活性层使用p型参杂多过使用n型参杂，p型 参杂可以确保载流子在活性层内的均匀分布 。
• 直接带隙和间接带 隙半导体，选择哪 一类半导体更能提 高内量子效率呢？
• 直接带隙材料的导带 底与价带顶在同一K空 间，电子与空穴可以 有效地再复合，跃迁 复合发光概率大。发 光复合发光概率大对 提高发光效率是必要 的，因此发光二极管 经常用直接跃迁型能 带结构的晶体制作。
图1.直接带隙 图2.间接带隙
LED对外延片的技术要求
禁带宽度适合，LED的波长取决于外延材料的 禁带宽度Eg。
外量子效率eqe
外量子效率eqe
外量子效率（External Quantum Efficiency，简称EQE）是指光伏器件在外部环境中的光转换效率。
它表示光伏器件从外部环境中接受的光照射所产生的电流与照射在器件表面的光照度之比。
用公式表示为：
EQE = J/E
其中，J表示光伏器件从外部环境中接受的光照射所产生的电流，单位是安培（A）；E表示照射在器件表面的光照度，单位是瓦特/平方米（W/m^2）。
外量子效率是衡量光伏器件外部转换效率的重要参数。
它可以帮助我们了解光伏器件在外部环境中的工作状态，并指导器件的设计和改进。
外量子效率的高低受到多种因素的影响，包括光伏器件的结构、材料、工艺、环境等。
外量子效率常用于光伏器件的评估和测试，其单位通常为百分比（%）。
通常情况下，光伏器件的外量子效率越高，其转换效率就越高，因此，在设计和改进光伏器件时，通常会致力于提高外量子效率。
太阳能电池 光谱响应 iqe
太阳能电池的光谱响应与IQE1. 引言随着全球对可再生能源的需求日益增长，太阳能电池在能源领域的重要性也日益凸显。
作为一种清洁、无污染的能源转换方式，太阳能电池的研发和应用都受到了广泛的关注。
太阳能电池的光谱响应和IQE（内部量子效率）是评价其性能的重要参数，对于提高电池的能量转换效率具有关键作用。
本文将详细探讨太阳能电池的光谱响应与IQE的概念、原理及其应用。
1.1 太阳能电池的重要性太阳能电池作为一种将太阳能转换为电能的装置，对于解决全球能源需求、减少环境污染以及应对气候变化等问题具有重大意义。
此外，随着技术进步和规模经济效应的实现，太阳能电池的成本不断降低，使得这一清洁能源在经济上更具竞争力。
1.2 光谱响应与IQE的概念光谱响应是指太阳能电池对不同波长光的响应能力。
不同的太阳光谱分布对应不同的能量分布，因此光谱响应能力决定了太阳能电池在特定环境下的能量转换效率。
IQE，即内部量子效率，是衡量太阳能电池在特定波长光照射下产生电流能力的参数。
它反映了太阳能电池在特定波长范围内的光谱响应能力，是评价电池性能的关键指标。
2. 太阳能电池的光谱响应2.1 太阳光谱分布太阳作为一个高温、高压的恒星，其发出的光具有连续的能量分布。
太阳光谱包括了从紫外到红外的广泛波长范围，其中紫外和可见光的能量较高，而红外光的能量较低。
2.2 太阳能电池光谱响应原理太阳能电池主要利用半导体材料的光电效应来将太阳光转换为电能。
具体来说，当太阳光照射在半导体材料上时，材料中的电子吸收光能并跃迁到激发态，形成光生载流子。
这些载流子在外加电场的作用下定向移动，从而产生电流。
2.3 光谱响应与电池效率的关系光谱响应能力决定了太阳能电池在特定环境下的能量转换效率。
理想的光谱响应曲线应与太阳光谱分布相匹配，以便最大化对太阳光的利用率。
实际中，通过优化半导体材料的能带结构和缺陷态密度等参数，可以提高电池的光谱响应能力。
3. IQE在太阳能电池中的应用3.1 IQE定义及测量方法IQE是衡量太阳能电池性能的重要参数，它定义为在特定波长光照射下太阳能电池产生的电流与入射光强度的比值。
pmt 量子效率
pmt 量子效率PMT量子效率是指光电倍增管（Photomultiplier Tube，简称PMT）对入射光的能量转换效率。
PMT是一种能够将光信号转换为电信号的光电转换器件，广泛应用于光学测量、光谱分析、医学成像等领域。
PMT量子效率的高低直接影响着PMT的灵敏度和信噪比，因此对PMT量子效率的研究具有重要意义。
PMT量子效率的计算是通过比较PMT输出信号的强度与入射光功率之间的比值得出的。
通常，PMT量子效率是以百分比的形式表示的，表示PMT将入射光转换为电信号的能力。
PMT量子效率的计算需要考虑到PMT的结构、工作原理以及材料的光学特性等因素。
PMT量子效率的决定因素之一是PMT的光阴极材料。
光阴极是PMT 中的关键部件，它主要负责将入射光转换为光电子。
常见的光阴极材料包括碱金属化合物、半导体和光敏电阻等。
这些材料对不同波长的光具有不同的响应特性，因此PMT的量子效率也会受到入射光波长的影响。
另一个影响PMT量子效率的因素是光电倍增过程中的损耗。
在PMT 中，光电子经过光阴极的激发后，通过一系列的倍增过程，最终产生输出电信号。
在这个过程中，光电子可能会因碰撞、散射等原因丧失能量，从而导致PMT量子效率的降低。
因此，减小倍增过程中的损耗是提高PMT量子效率的关键。
除了材料和倍增过程的影响外，PMT量子效率还受到其他一些因素的影响。
例如，PMT的工作温度会影响光阴极材料的发射效率，因此需要在适当的温度下工作以保证较高的量子效率。
此外，入射光的角度和入射光强度也会对PMT量子效率产生影响。
为了提高PMT的量子效率，研究者们采取了多种方法。
一种常见的方法是通过优化光阴极材料的选择和制备工艺，以获得更高的量子效率。
另外，改进倍增过程中的设计和材料选择也可以提高PMT的量子效率。
此外，还有一些技术，如表面增强拉曼散射（SERS）和增强荧光（SEF），可以在一定程度上提高PMT的量子效率。
PMT量子效率是评估PMT性能的重要指标之一。
积分球法测量子效率
积分球法测量子效率积分球法是一种广泛应用于光学、光电子学和光子学领域的测量技术。
其主要作用是测量子效率，即光源、光纤或光电器件的输出效率。
本文将介绍积分球法测量的原理、步骤、注意事项以及提高子效率的方法。
一、积分球法测量原理积分球法测量子效率的原理是基于朗伯-比尔定律。
该定律表明，一个均匀散射的物体在某个方向上的辐射强度与入射光的强度成正比，比例系数即为散射体的光学厚度。
通过测量散射体在不同角度的辐射强度，可以计算出其光学厚度，从而得到子效率。
二、积分球法测量步骤1.准备仪器：积分球、光源、光纤、光探测器、数据采集系统等。
2.校准仪器：对光源、光纤和光探测器进行校准，确保测量数据的准确性。
3.测量数据：将光源发出的光通过光纤传输至积分球，光在积分球内进行多次散射，最后由光探测器接收并记录散射光的强度。
4.数据处理：根据测量数据，利用朗伯-比尔定律计算子效率。
5.结果分析：分析测量结果，判断子效率是否符合预期。
三、积分球法测量注意事项1.确保光源稳定：测量过程中，光源稳定性对测量结果影响较大，需定期检查光源状态。
2.光纤接头清洁：光纤接头处的污垢会影响光信号的传输效率，测量前需进行清洁处理。
3.环境温度控制：环境温度的变化会影响光源的亮度，测量时应保持室内温度稳定。
4.避免光学元件损伤：在测量过程中，避免对光学元件造成损伤，以免影响测量结果。
四、提高积分球法测量子效率的方法1.选择合适的积分球：根据测量对象的特点，选择合适尺寸和材质的积分球，以提高测量精度。
2.优化光源参数：根据测量需求，调整光源的波长、功率等参数，以提高子效率的测量精度。
3.优化光纤传输性能：选用高传输效率、低损耗的光纤，提高光信号的传输效率。
4.加强数据处理与分析：采用更精确的数据处理方法，提高子效率的测量精度。
总之，积分球法测量子效率是一项重要的工作，需要掌握正确的测量方法和注意事项。
量子效率优化
量子效率优化
基于量子计算的优化策略
基于量子计算的优化策略
▪ 基于量子计算的优化策略概述
1.量子计算优化策略是利用量子计算机的并行性和量子算法的 高效性，解决复杂优化问题的新型方法。 2.相较于传统优化方法，量子计算优化策略在解决一些NP难问 题方面具有优势，能够在更短的时间内找到更优的解。 3.量子计算优化策略目前仍处于研究阶段，但已在一些领域展 现出广阔的应用前景，如化学、物流、金融等。
量子优化算法性能评估
▪ 量子优化算法性能评估的结果分析和解读
1.结果分析的方法和技巧：介绍结果分析的方法和技巧，包括数据可视化、统计分 析等。 2.结果解读的注意事项：提醒结果解读时需要注意的事项，避免误读和误解评估结 果。 3.结果分析和解读的实例：给出具体的实例，演示如何对量子优化算法的性能评估 结果进行分析和解读。
▪ 量子优化算法性能评估的局限性和挑战
1.现有的评估方法的局限性：讨论现有的评估方法的局限性，包括模拟器的限制、 实验条件的限制等。 2.面临的挑战和未来的发展方向：分析当前面临的挑战和未来的发展方向，提出改 进和发展性能评估方法的建议。
量子优化算法性能评估
量子优化算法性能评估的应用场景和 案例
1.介绍量子优化算法在不同应用场景中的性能评估案例，包括 化学计算、组合优化等。 2.分析具体案例中性能评估的方法和结果，说明评估结果对于 应用场景的重要性和意义。 3.总结不同应用场景中性能评估的共性和差异，为提高量子优 化算法的应用效果提供参考。
量子效率优化原理及方法
▪ 量子效率优化的实验技术
1.介绍常用的量子效率测量技术，包括光谱分析、时间分辨测 量等。 2.介绍量子效率优化的实验手段，包括化学合成、物理沉积等 。 3.介绍实验数据的处理和分析方法，包括数据拟合、误差分析 等。
浅析LED三要素：IQE、LEE与EQE
浅析LED三要素：IQE、LEE与EQE一.IQE、LEE 与EQE 定义首先给出内量子效率(IQE：Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE：Light Extraction Efficiency)与外量子效率(EQE：External Quantum Efficiency)参数的定义与表达如下：IQE=单位时间内有源层发射的光子数/单位时间内注入到有源层的电子子数=(Pint/(hv))/(I/e) (1.1)LEE=单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内从有源层内出射的光子数=(P/(hv))/=(Pint/(hv)) (1.2)EQE=单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内注入到有源层的电子子数=(P/(hv))/(I/e)=IQE*LEE (1.3)其中，Pint 是有源区内发射出的光功率，I 为注入电流，P 是发射到自由空间的光功率。
内量子效率表征了LED 有源区将注入的电能转化为光能的能力;光提取效率表征了LED 有源区将产生的光能发射出去的能力;外量子效率表征了LED 将电能转化为外界可见光能的能力，外量子效率越高则发光效率越高。
对于理想LED 器件，此三个参数均为1，即可将注入的电能完全转化为外界可见的光能。
二.影响IQE、LEE 与EQE 因素外延层中的缺陷限制了LED 的IQE。
从发光二极管的工作原理我们得知，发光二极管是靠电子与空穴的辐射复合发光。
但电子与空穴还存在另外一种复合机制——非辐射复合，见非辐射复合与外延层中的缺陷有关。
当外延层中存在缺陷时，在缺陷处会形成复合中心，在该复合中心处更容易发生非辐射复合。
缺陷密度越高，此种复合中心也越多，则会有更多的复合载流子发生非辐射复。
内量子效率,激子利用率
内量子效率,激子利用率内量子效率（Internal Quantum Efficiency，简称IQE）和激子利用率（Exciton Utilization Efficiency，简称XUE）是光电器件中两个重要的性能参数。
本文将详细介绍这两个概念，并探讨它们在光电器件中的意义和影响因素。
内量子效率是指在光电器件中，能够产生激子（exciton）的光生成效率。
激子是指电子和空穴形成的一种束缚态（bound state），在光和电场的共同作用下会发生辐射或非辐射复合，从而产生光电子效应。
内量子效率是衡量这一复合过程的效率的指标，通常用百分比进行表示。
激子利用率是指在光电器件中，能够有效利用产生的激子的比例。
激子的产生是通过光吸收过程实现的，但并不是所有的激子都能够发生有效的光电转换，部分激子会发生非辐射复合或再次复合成束缚态。
激子利用率是衡量这一转换效率的指标，也通常用百分比进行表示。
内量子效率和激子利用率在光电器件中起到关键作用。
高的内量子效率意味着光吸收后能够产生更多的激子，从而提高器件的光电转换效率。
而高的激子利用率则意味着产生的激子能够更有效地转化为光电能，提高光电器件的输出效率。
因此，提高内量子效率和激子利用率是光电器件研发的重要目标之一。
影响内量子效率和激子利用率的因素有很多。
首先是材料的能带结构和光学特性。
材料的能带结构决定了光电势垒和载流子复合的方式，从而影响激子的产生和利用。
此外，材料的光折射率、吸收系数等光学特性也会影响光的吸收和转换效率，进而影响内量子效率和激子利用率。
其次是器件的结构和工艺参数。
器件的结构设计需要考虑光的吸收深度、电子和空穴的运输路径等因素，以最大程度地提高内量子效率和激子利用率。
而工艺参数如生长温度、厚度控制等也会影响材料的结晶度和界面质量，进而影响器件的性能。
最后是外部光源的特性和环境条件。
外部光源的光谱特性和功率密度会直接影响光的吸收和激子的产生。
此外，环境条件如温度、湿度等也会对器件的性能产生影响，尤其是一些有机光电器件对环境条件的稳定性要求较高。
iqe内量子效率 -回复
iqe内量子效率-回复什么是iqe内量子效率？内量子效率（Internal Quantum Efficiency，简称IQE）是指半导体材料或器件中发光效率的度量。
它衡量了注入的电子与空穴对转化为光子的效率。
在半导体发光器件中，光的产生是通过电子和空穴的复合来实现的。
当一个电子从导带跃迁到价带时，会释放能量激发价带中的电子和导带中的空穴，当这些电子和空穴复合时，就会产生光子。
而IQE指数则是用来衡量这个过程中的效率。
IQE的测量方法测量IQE需要运用特定的实验装置。
常见的方法包括电流-电压-光谱分析法（Current-Voltage-Spectra analysis，简称IVS法），和电子-光子关联法(Electron-Photon Correlation，简称EPC法)。
在IVS法中，通过测量器件的电流-电压特性以及其发射的光谱，可以计算出IQE。
而EPC 法则通过测量电子和光子之间的统计相关性，来推导出IQE。
优化IQE的方法要提高IQE，需要从多个方面进行优化。
首先，选择合适的发光材料非常关键。
常见的发光材料包括氮化镓（GaN）、磷化铟镓（InGaP）和砷化铝镓（InGaAs），不同材料的IQE在不同波长范围内有所差异。
其次，优化器件的结构设计也非常重要。
例如，在LED器件中，通过调整发射层和载流子注入的方法，可以增强IQE。
制备过程也会对IQE产生影响，提高材料的质量和纯度，避免缺陷和杂质的存在，可以显著提高IQE。
研究IQE的意义研究IQE对于发光器件的应用和发展具有重要意义。
高IQE的发光器件可以提高能源的利用效率，减少能量的浪费。
在LED照明应用中，高IQE 的LED可以提供更亮、更接近自然光的照明效果，同时具有更低的功耗。
此外，IQE的研究也有助于改进光电器件的性能。
例如，在太阳能电池中，提高IQE可以提高光电转换效率，增加电池的输出功率。
因此，研究和提高IQE可以推动发光器件领域的进步和创新。
量子机器学习如何提升人工智能能力
量子机器学习如何提升人工智能能力在当今科技飞速发展的时代，人工智能已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。
从智能手机中的语音助手，到自动化的生产线，人工智能的应用无处不在。
然而，为了进一步提升人工智能的能力，科学家们正在探索新的领域，其中量子机器学习就是一个备受关注的前沿方向。
要理解量子机器学习如何提升人工智能能力，首先我们需要了解一下什么是量子力学和机器学习。
量子力学是一门研究微观世界中粒子行为的科学。
在微观世界里，粒子的行为常常表现出与我们日常生活经验截然不同的特性，比如叠加态和纠缠态。
这些奇特的现象为信息处理提供了全新的可能性。
机器学习则是让计算机通过数据和算法进行学习，从而能够自动地识别模式、做出预测和决策。
传统的机器学习算法在处理大规模数据和复杂问题时，往往会遇到计算能力和时间上的限制。
那么，当量子力学与机器学习相结合，会碰撞出怎样的火花呢？量子机器学习能够显著提升人工智能的数据处理能力。
在传统的计算中，处理大规模的数据需要耗费大量的时间和计算资源。
而量子计算利用量子比特的叠加态和纠缠态，可以同时处理多个数据，从而大大提高了数据处理的速度。
这意味着在相同的时间内，量子机器学习可以处理更多的数据，挖掘出更深层次的信息和模式。
例如，在图像识别任务中，量子机器学习可以更快地分析大量的图像数据，提取出更准确的特征，从而提高识别的准确率。
对于语音识别等需要实时处理大量数据的应用，量子机器学习的优势更是明显。
量子机器学习还能增强人工智能的模型优化能力。
在训练机器学习模型时，找到最优的参数组合是一个关键的问题。
传统方法可能会陷入局部最优解，导致模型性能不佳。
而量子算法可以在更大的参数空间中进行搜索，更有可能找到全局最优解，从而优化模型的性能。
想象一下，在预测股票价格的模型中，找到最优的参数组合对于准确预测至关重要。
量子机器学习能够帮助我们更有效地探索参数空间，提高预测的准确性，为投资者提供更有价值的决策支持。
阴极量子效率
阴极量子效率1. 介绍阴极量子效率是指阴极表面电子发射的效率，即阴极表面上光照照射下所释放的光电子数量与入射光子数量的比值。
在电子器件中，阴极量子效率是一个重要的指标，它对器件的性能和寿命有直接影响。
本文将从基本原理、测量方法、影响因素和应用等方面来深入探讨阴极量子效率。
2. 基本原理阴极量子效率是由光子可以激发起电子的能力决定的。
当光子照射到阴极上时，光子与阴极表面的物质发生相互作用，光子的能量被转移到阴极表面的电子上，当电子的能量超过逸出功时，就可以从阴极表面发射出去。
阴极量子效率可以通过以下公式来计算：阴极量子效率 = 发射光电子数 / 入射光子数3. 测量方法测量阴极量子效率的方法有多种，下面将介绍两种常用的方法。
3.1 电流比法电流比法是通过测量阴极发射电流与光源光强之间的比值来计算阴极量子效率的方法。
在实验中，光源照射到阴极上，测量阴极发射的电流，然后将测得的阴极发射电流与光源光强之间进行比较，即可得到阴极量子效率。
3.2 光电倍增管法光电倍增管法是通过使用光电倍增管来测量发射光电子数和入射光子数的比值来计算阴极量子效率的方法。
在实验中，利用光电倍增管将入射光子转化成光电子，然后测量光电倍增管的输出电子数，最后将光电倍增管的输出电子数与入射光子数进行比较，即可得到阴极量子效率。
4. 影响因素阴极量子效率受到多种因素的影响，下面将介绍一些常见的影响因素。
4.1 材料属性阴极材料的选择对阴极量子效率有很大影响，不同的材料对光子的吸收和电子的发射都有不同的特点。
一般来说，选择能够有效吸收入射光子，并且逸出功较低的材料可以提高阴极量子效率。
4.2 光照条件光照的强度和波长对阴极量子效率都有影响。
较高的光照强度和合适的光照波长可以增加光子和阴极之间的相互作用，从而提高阴极量子效率。
4.3 表面状态阴极表面的粗糙度、污染物和氧化层等都会影响阴极量子效率。
较光滑的表面和良好的清洁度可以提高阴极量子效率。
材料量子效率铜
材料量子效率铜量子效率是指在光学或电子器件中，能量输入与输出之间的转化效率。
在材料科学领域中，量子效率通常用于衡量材料对光能的吸收和发射转化效率。
铜是一种常见的金属材料，在许多不同领域中都有广泛应用，因此研究铜的量子效率对于了解其在光学和电子器件中的性能非常重要。
量子效率与光的吸收和发射过程密切相关。
在光学器件中，材料对光的吸收能力对能量的转换效率产生重要影响。
铜是一种良好的光吸收材料，具有较高的吸收系数和较低的反射能力。
这使得铜在太阳能电池、光学传感器和光电子器件等领域中具有广泛的应用潜力。
为了提高铜的量子效率，可以采取一系列方法。
首先，可以通过使用纳米结构或表面修饰来增加材料的吸收截面积，从而增强光的吸收。
其次，可以通过控制材料的晶格结构和纯度来减少散射和退火过程，从而减少能量损耗。
此外，控制材料的表面形貌和界面特性也可以改善光的吸收和发射性能。
在光电子器件中，铜也广泛应用于光伏电池和光电探测器等领域。
在太阳能电池中，铜常用作电接触层或电极材料。
通过改变铜的物理性质和电子结构，可以调节电子的传输和光的吸收性能，进而提高太阳能电池的转换效率。
此外，铜还用于制造红外光电探测器，其高吸收系数和灵敏度使其成为探测红外辐射的理想材料。
除了光学器件外，铜还广泛应用于电子器件中。
在电子器件中，量子效率通常指电子注入材料后的电流输出与注入电流之间的比例。
在此意义上，铜的量子效率与其导电性能和电子迁移率有关。
铜具有较高的电导率和良好的电子迁移特性，使其成为集成电路和电子线路中的重要材料。
总之，量子效率是衡量材料在光学和电子器件中能量转换效率的重要参数。
铜作为一种常见的金属材料，在光学和电子器件中有广泛的应用。
通过改善铜的吸收、发射和电子迁移性能，可以提高其量子效率，从而促进其在光学和电子器件领域的应用。
对于铜材料量子效率的研究，有助于我们深入理解和探索其材料特性和应用潜力。
阴极量子效率
阴极量子效率阴极量子效率（Cathode Quantum Efficiency，CQE）是在光电倍增管等光电器件中，指单位时间内进入光阴极的光子数与进入光电子倍增层的光子数之比。
CQE是衡量光电器件性能优劣的一个关键指标。
典型的光阴极CQE可达0.3%至1%，而经过优化的光阴极则可以达到8%至20%。
以下将对如何提高光阴极CQE进行探讨。
一、制备光阴极在光阴极制备时，首先要选择合适的材料。
钨、铜和金是常见的光阴极材料，钨阴极常常被用于高能物理实验中。
在光阴极材料的选择方面，其表面属性、电子亲和能、热电子发射特性以及光电效应的强度都应成为考虑的因素。
目前，研究人员尝试使用新型材料，如氢化硼、氮化硅和碳化硅等，来制备更高效率的光阴极。
二、调整波长和光强另一方面，光子能量也对CQE有很大影响。
对于光电倍增管，光子能量应该略高于材料的工作函数。
通过调整光源的波长和光强，可有效地提高CQE，从而进一步提高光电器件的输出信号。
三、改善表面状态光阴极的表面状态也是影响CQE的重要因素。
表面光洁度是影响反射光和散射光的主要因素，而表面污染会影响光电子逸出，最终影响CQE。
因此，必须保证光阴极表面的光洁度和清洁度。
四、优化电子传输电子在光电倍增管中的传输过程中还会产生空间电荷效应。
为了减小这种效应的影响，可通过优化光电倍增管的结构和应用顶置阴极等方式来增加电子流动的空间，并提高CQE。
总之，提高光阴极CQE可以通过多种方式来实现。
在设计和优化光电器件方面的技术创新，可以极大地推动光阴极CQE的提高和光电器件的性能优化。
这有助于推动诸如高亮度加速器、高能物理实验等领域的发展。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体材料的选择
• 右图示出了Ⅲ-Ⅴ及 Ⅱ-Ⅵ族元素的带隙 (Bandgap)与晶格常 数(Lattice Constant) 的关系。
• 直接带隙和间接带 隙半导体，选择哪 一类半导体更能提 高内量子效率呢？
• 直接带隙材料的导带 底与价带顶在同一K空 间，电子与空穴可以 有效地再复合，跃迁 复合发光概率大。发 光复合发光概率大对 提高发光效率是必要 的，因此发光二极管 经常用直接跃迁型能 带结构的晶体制作。
活性层（Active Layer）
• 活性层（Active Layer）厚度也对IQE有很 大影响，不能太厚，也不能太薄，每种材 料有其最佳范围。 • 活性层参杂：活性层绝对不可以重参杂， 要么轻参杂，低过覆层（Cladding Layer） 的参杂浓度，每种材料有其最佳范围，活 性层经常也不参杂。
i t 0 l t l
t
﹜ ]
t
l
l
由内量子效率的表达式可以显而易知，发光 中心密度大，非辐射复合中心密度小，发光 中心浅，自由电子密度越大，则内量子效率 越高。 制作发光二极管的原材料和各道加工工艺均 要避免非辐射复合中心如位错和深能级杂质 的引入，这是提高内量子效率的重要措施。
异质结构
• 异质结是由两块不同 带隙能量的单晶半导 体连接而成的。
辐射型复合
直接带隙材料中，电子和空穴复合时，其发光跃迁有多种可能性， 如图所示，图7与图8是一般AlGaInP红光LED产生光的原理，而图9 是AlGaInN的蓝光及绿光LED的产生原理
a.带间复合
b.自由激子相互抵消
c.在能带势能波动区， 局部束缚激子的复合
• 因杂质而产生的发光再复合过程
a.受主与导带复合
• 理想的异质结是由晶 格参数失配很小（小 于0.1%）的材料制成。
双异质结构
• 双异质结是由一层窄 带隙P型有源层夹在n 型和p型的宽带隙导电 层中。
• 双异质结增加了有源 区中过剩载流子的浓 度，从而增加了辐射 复合的概率。
双异质结LED的能带图
• 利用异质结构，会使得材料组分的变化 引起带隙的变化。 • 当然，单异质结构和双异质结构都要求 材料之间具有较好的晶格匹配。晶格常 数相差较大，异质界面上会产生很高的 缺陷（通常是位错）密度，晶格缺陷会 导致非辐射复合。 • 双异质结构中的有源层变薄能增加辐射 复合概率和减小再吸收。
覆层参杂
覆层（Cladding Layer）参杂：覆层的电
阻率是决定覆层浓度的重要参数，浓度一 定要低到不足以在覆层中产生热效应，但 是覆层参杂又必须高过活性层（AL）用来 定义PN结的位置。每种材料有其最佳范围。 但是p型浓度典型要高过n型。覆层中p型杂 质浓度过低将使电子从AL中逸出，从而降 低IQE。
量子阱
• 量子阱结构（QW）： 有源层的厚度可以和 晶体中电子的德布罗 意波长相比拟或比它 小，载流子会被量子 限域。量子阱结构是 异质结构的一种特殊 结构。
量子阱能带图
电子阻挡层的量子阱
• 在量子阱和P型导电层 之间以带隙更宽的P型 材料（Eg3＞Eg1＞Eg2） 制作电子阻挡层，防 止电子漏入P型导电区 来提高注入效率。 • 有源层是一个右边和 左边势垒为U1和U2的 非对称QW
从上式可见，提高内量子效率主要在于提高材 料的纯度、完整性和改进PN结制作工艺的完美 性，以降低非辐射复合中心的浓度。
间接跃迁的复合辐射过程是通过一些发光中心来实 现的，这就使得过程复杂化，间接跃迁过程的内量 子效率可粗略地表示为
• 恰当选择发光中心，使它具有较高的浓度及适当 的电离能和大的复合截面，并尽可能提高材料纯 度和完整性，以降层缓冲层可以减少因外延层 与衬底间晶格失配引起的大量位错。 例如在蓝宝石衬底上生长简单GaN缓冲层其位 错密度仍在10^8~10^9个每平方厘米，但是 通过侧向过生长外延GaN缓冲层，改进缓冲 工艺，可以把位错密度降低到10^6~10^7个 每平方厘米。
LED对外延片的技术要求
复合的类型
• 辐射型复合，伴随光 • 非辐射型复合，不伴 的辐射复合，电子与 随光辐射的复合，电 空穴复合释放的能量 子与空穴复合释放的 产生光子。 能量转变为热量。 常见的复合方式： 常见的复合方式： 1、电子与空穴的碰撞复 1、伴随多数声子的复合、 合、 2、俄歇复合、 2、通过杂质能级的复合、 3、器件表面的复合。 3、通过相邻能级的复合、 4、激子复合。
提高内量子效率(IQE)
成员：安如阳、易小斌、陈荣昌、 叶武海、何超文
LED外延结构的内量子效率(IQE)对 芯片的发光亮度有着决定性的影 响。 有些人误解为IQE由MOCVD工艺决 定，其实IQE应该是由外延材料的 设计决定。
而国内缺少的恰恰是外延结构的 设计人才，只会用设备的人不一 定能够长出高质量的材料。
• 活性层使用p型参杂多过使用n型参杂，p型 参杂可以确保载流子在活性层内的均匀分布。
• 活性层参杂有好处也有坏处，参杂浓度增加， 辐射载流子的寿命缩短，导致辐射效率增加。 但是，高浓度参杂也引入缺陷。有趣的是 MOCVD生长在有些时候还依赖于参杂，杂质 可以作为表面活化剂，增加表面扩散系数， 从而改善晶体质量。例如，InGaN使用Si参杂 可以改善晶体质量。
光子循环
• 光子循环是自发的光没有被吸收而被活性 层吸收再变成载流子，可以节省电流、增 加内量子效率。 • 光子循环有个局限性，就是大面积才会有 明显的效果。
改进内部结构
• 1.改善电流分布
简单介绍一下 材料参数和结构对IQE的影响
• 双异质结结构：两侧的覆层（Cladding Layer）的禁带宽度要大于活性层 （Active Layer），AL采用量子阱结构 能更好的限制载流子，提高IQE。然而， 采用量子阱AL，阻碍载流子在相邻阱 的移动，所以采用多量子阱结构， Barrier需要足够透明（低和薄）以 防止载流子在每个阱内的不均匀分配。
晶体中杂质和缺陷
红外辐射复合中心：禁带中形成深能级 的Au、Cu、Cr等重金属，Na、Li等碱金 属，以及O、C等元素。 非辐射复合中心:晶体中的位错是PN结面 不平而导致辐射不均匀或者使杂质向 位错线集结。
PN结移位：PN结移位会影响IQE，特别 是Zn、Be等小原子，可以轻易扩散过 活性层(AL)，到下覆层(CL)。同时，Zn、 Be的扩散系数非常依赖浓度，当浓度 超过极限，扩散速度大大提高，所以 制造时必须格外小心。
禁带宽度适合，LED的波长取决于外延材料的 禁带宽度Eg。 制得电导率高的P型和N型材料，选择适当的 外延工艺和掺杂材料。 完整性好的优质晶体，影响到复合质量。 要求发光复合概率大，一般用直接跃迁型半 导体。合理的结构设计，更好提高发光效 率。
材料中存在红外辐射复合中心和非辐射 复合中心会减低可见光的发光效率。
晶格匹配：晶格不匹配增大，晶格位错线 呈现黑色，导致IQE下降。虽然GaAs和InP中 晶格匹配与IQE有很强的关系，但GaN中这 种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电 学活性很低，另外，载流子在GaN的扩散长 度很短，如果位错间的平均距离大于扩散 长度，特别是空穴的扩散长度，那么位错 上的非辐射复合就不严重。另外一种解释 是，InGaN之所以具有高效率是因为化合物 的成分波动限制了载流子扩散到位错线。
b.施主与价带复合
c.施主与受主复合
d.激子的再复合
辐射和非辐射之间的竞争决定了LED的内量子效率：
﹙ η 1 /﹛[1 ﹙N α p ﹚/﹙ N βn ﹚exp [- E E ﹚ / ﹙KT﹚ 式中，N ——非辐射复合中心密度 E ——非辐射复合中心能级密度 N ——辐射复合中心密度 E l ——辐射复合中心能级密度 N 0 ——非辐射复合概率 ——辐射复合概率 n、p ——自由电子和空穴浓度
图1.直接带隙
图2.间接带隙
内量子效率的定义
内量子效率（ηint）是一个微观过程 复合载流子产生的光子数与复合载流 子总数之比。因为无法去计数复合载 流子总数和产生的光子总数。因此一 般是通过测量LED输出的光功率来评 价这一效率。
直接跃迁过程比间接跃迁过程简单，其内量子效 率取决于少数载流子的辐射复合与非辐射复合的 寿命。直接跃迁的内量子效率可以表示为
多量子阱
• 多量子阱：两种不同 半导体材料薄层交替 生长形成的多层结构， 势垒层足够厚，相邻 势阱之间载流子波函 数之间耦合很小，多 层结构形成许多分离 的量子阱。简单而言， 就是由多个势阱构成 的量子阱结构。
• 上图是双异质结构 • 下图是多量子阱结构
比较4个500埃厚的量子阱， 2000埃厚及7500埃厚的DH 在室温，592nm时的发光效率 与电流的关系。