非线性电路分析-蔡氏电路仿真
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基于Multisim的蔡氏电路 混沌现象仿真研究
混沌现象
自治电路：不包含随时间变化的激励信号的电路 非自治电路：包含随时间变化的激励信号的电路
混沌是一种确定系统中出现的貌似不规则的有序运动
混沌电路：由确定性运动方程所描述的确定性电路，由直流或确定 性信号所激励，其输出波形中包含一段或多端连续频谱的电路
谢谢观看
根据文献[1]， 图 1 中非线性电阻 R 的等效电路可由图 3 所示的电路并 联得到， 等效电路如图 5 所示，为 有源负阻非线性电阻，其作用是使 振动周期生分岔和混沌等一系列非 线性现象。
根据上述电路结构，利用Multisim搭建蔡氏电路仿真系统，如下所示：
电路中元件参数为:
L1 = 18 mH， C1 =10 nF， C2 = 100 nF， R1 = 3.3 kΩ， R2 = R3 = 22 kΩ， R4= 2.2 kΩ， R5 = R6 = 220 Ω
蔡氏电路
电路由 1 个线性电感 L、 2 个线性电容 C1、 C2，1 个线性电阻 R0，1 个非线性电阻 R 构成，为三阶自治动态电路， 即分为 LC 振荡电路、 RC 分相电路和非线性元件三部分。电阻 R0 起调节 C1、 C2 的相位差。 非线性电阻 R 为分段线性电阻， 伏安特性 iR= g( uR) ，如图 2 所示。
先将 R7 调到最大(2kΩ)，然后逐渐减小 R7 的值，观察 R7 在减小的过程 中各个示波器的波形Fra Baidu bibliotek化。
单周期，R7=1960Ω
双周期，R7=1760Ω
单漩涡，R7=1680Ω
双漩涡，R7=1520Ω
极限环，R7=1320Ω
总结：利用Multisim可以直观的观察电路结构，更好的分析仿真结果
参考文献
[1]吴淑花, 孟玮德, 马志春. 蔡氏电路的实验与仿真研究[J]. 石 家庄学院学报, 2019(6). [2]戚慧珊, 杨明健, 刘百钊,等. 蔡氏混沌电路实验的改进设计 [J]. 大学物理实验, 2019, 32(02):69-7 [3]吕恩胜, 黄双成. 蔡氏电路的等效电路设计及其应用[J]. 电子 器件, 2014, (5):891-895.4.
混沌现象
自治电路：不包含随时间变化的激励信号的电路 非自治电路：包含随时间变化的激励信号的电路
混沌是一种确定系统中出现的貌似不规则的有序运动
混沌电路：由确定性运动方程所描述的确定性电路，由直流或确定 性信号所激励，其输出波形中包含一段或多端连续频谱的电路
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根据文献[1]， 图 1 中非线性电阻 R 的等效电路可由图 3 所示的电路并 联得到， 等效电路如图 5 所示，为 有源负阻非线性电阻，其作用是使 振动周期生分岔和混沌等一系列非 线性现象。
根据上述电路结构，利用Multisim搭建蔡氏电路仿真系统，如下所示：
电路中元件参数为:
L1 = 18 mH， C1 =10 nF， C2 = 100 nF， R1 = 3.3 kΩ， R2 = R3 = 22 kΩ， R4= 2.2 kΩ， R5 = R6 = 220 Ω
蔡氏电路
电路由 1 个线性电感 L、 2 个线性电容 C1、 C2，1 个线性电阻 R0，1 个非线性电阻 R 构成，为三阶自治动态电路， 即分为 LC 振荡电路、 RC 分相电路和非线性元件三部分。电阻 R0 起调节 C1、 C2 的相位差。 非线性电阻 R 为分段线性电阻， 伏安特性 iR= g( uR) ，如图 2 所示。
先将 R7 调到最大(2kΩ)，然后逐渐减小 R7 的值，观察 R7 在减小的过程 中各个示波器的波形Fra Baidu bibliotek化。
单周期，R7=1960Ω
双周期，R7=1760Ω
单漩涡，R7=1680Ω
双漩涡，R7=1520Ω
极限环，R7=1320Ω
总结：利用Multisim可以直观的观察电路结构，更好的分析仿真结果
参考文献
[1]吴淑花, 孟玮德, 马志春. 蔡氏电路的实验与仿真研究[J]. 石 家庄学院学报, 2019(6). [2]戚慧珊, 杨明健, 刘百钊,等. 蔡氏混沌电路实验的改进设计 [J]. 大学物理实验, 2019, 32(02):69-7 [3]吕恩胜, 黄双成. 蔡氏电路的等效电路设计及其应用[J]. 电子 器件, 2014, (5):891-895.4.