有机硅单体分离系统工艺流程模拟分析
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
塔釜一个出 纯度, 外一 料由 可以 料的 而另 个出 于
返回相应的塔进行循环加工,这样使得塔的操作 和控制较为灵活,即使进料条件发生改变也可以 得到合格的产品。而 7 塔流程中二甲基二氯硅烷 与一甲基三氯硅烷要在二元塔中实现清晰分割, 并且二甲基二氯硅烷与一甲基三氯硅烷产品纯度 要求分别为 99 9 %与 9 .5%,这就要求进料条件 . 5 相对稳定,对塔的控制要求很严格。但实际上进 料条件并不稳定, 所以对操作和控制的要求更高, 实际生产过程中产品的纯度有一定的波动,不合 格产品的量会增加、 (3 采用 1 塔流程对有机氯硅烷粗单体进行 ) 0 加工的产品纯度高。由于存在沸点介于二甲 基二氯 硅烷与高沸物之间的杂质,杂质与二甲基二氯硅烷 的沸点差更小, 使得分离难度增大。 采用 1 塔流程 0 进行分离和纯化,通过增加优二甲 塔可以有效的去 除二甲基二氯硅烷中的杂质,从而提高二甲 基二氯 硅烷产品纯度。 (4) 两个 1 塔流程中对各塔均容易进行控制 0 与操作, 塔流程中的二元塔不容易控制与操作。 而7 1 2 两种 1 塔流程 1 和2 的能耗对比 0
220 .
2007 年第 26 卷 表 1 有机氮硅烷粗单体的组成
名称
分子式
CH3C I
常压沸点 /℃
一2 3 8
组成(质量分数)/ %
氛甲烷 四甲基硅烷 三氯氢硅
C4H12Si
HSIC 1 3
6‘ 2气, l 3
n 己
< 10 < 1.0
< 10 3~ 5
二甲基一氯硅烷
一甲纂二氯硅烷
四氯化硅
CZ H汇1 51
流程与反式切割的 1 塔流程的产品纯度相当,而能耗较低, 0 但设备投资较大。
关 键词: 有机硅; 二甲 基二氛 硅烧; 精馏模拟; As e Plu Pn s
Simulation analysis of organosilicon Purif cation Pr cesses i o
恻 八 Bi l, Z n G
e K y words: or a osilicon; diPhenyldichlorosila e; distilla ion simula ion; AsPen Plus gn n t t 有机硅是一类性能优异、功能独特的新型材 料, 它不仅可以作为一种基础材料、 结构材料在一 些大工业中应用, 而且可以作为功能性材料加入其
术壁垒主要存在于单体生产阶段, 工艺复杂、 流程 长、技术含量高、投资大是单体工业的主要特点, 因而单体生产技术水平也直接体现了一个国家有 机硅工业的整体水平。 不管采用何种方法生产有机氯硅烷单体,得 到的均为多组分的混合产物,混合单体的分离与 纯化,在有机硅工业及其投资比例中占有重要的
地位【 本文主要对目 ’ 】 。 前有机硅混合单体分离流
困难。
有机氯硅烷粗单体中最有价值的组分是含量最 高的二甲基二氯硅烷,其次一甲基三氯硅烷、三甲 基一氯硅烷和一甲基二氯硅烷等均是具有很高附加 值的 产品。因为制备聚硅氧烷产品时,需要较高纯 度的单体为原料,所以需要对单体混合物进行分离 纯化。通过分离有机氯硅烷粗单体可以得到二甲基 二氯硅烷、一甲基三氯硅烷、二甲基一氯硅烷和一 甲 基二氯硅烷等组分。工业上对有机氯硅烷单体的
脱高塔 脱低塔 轻分塔 含氢塔 共沸塔 三甲塔
三甲产品
工~
一甲含氢产品
谈 丛
代 曰 一 1 阵 岁
一 卜
匡习
一 | 一 卜 卜 、
匕 』 L 一 卜 、 一
一 」 }
卜 卜 卜 r 』
』
纯 求见 度要 1 表2。 ] 5
表2 有机氮硅烷单体纯度要求
单体名称
曰 川 一 一
一
少 创 .
日 毯一
卜 卜 代 卜
他材料以改善其工艺性能,因此获得了 “ 业味 _ 上 精”“ 、 科技发展催化剂” 的美誉。 有机硅材料是有 机硅聚合物的总称,其基本单体都是有机氯硅烷 (包括甲基氯硅烷、 苯基氯硅烷、甲基乙烯基氯硅 烷和乙烯基三氯硅烷等乙烯基单体) ,其中甲基氯 硅烷的用量.」 1整个单体生产总量的90%以上, ‘ 它是 有机硅工业的支柱。 该行业的发展是以有机硅下游 产品开发为主, 从而带动单体合成技术的发展, 具 有单体集中生产、卜 一游分散深加工的特点。 在单体 合成中, 以非金属硅粉和氯代烃为原料, 采用直接 合成法生成的粗硅烷中含有多种组分, 将粗硅烷蒸 馏分离可得到二甲基氯硅烷等少 具有工业价值 的单体,进而制成有机硅材料的中间体聚硅氧烷, 这是有机硅工业最关键的中间体。 有机硅行业的技
J ‘. 曰 1 4
. 八 0
CH C1 4 2Si
SIC1 4
7U 5月‘ 7 5 6 0 7
C , J 件 , ‘ 〕
二 甲基一氯硅烷
一甲基三氯硅烷 二甲基乙氯硅烷
高沸物
C, H汇151 CHJCI, 51 CZ 氏CIZ Si
6 5 ~ 80
目前工业上多采用流化床工艺生产有机硅单 体, 反应在流化床反应器中进行, 随着反应的进行, 催化剂活性逐渐降低,导致反应产物有所变化,以 致反应产物的组成随着生产的进行有所变化。 从表 1可以 看出,混合单体中组分较多,沸点 差距小,并且组分四氯化硅与三甲 基一氯硅烷之间 存在共沸,因此有机氯硅烷单体的分离纯化相当
.
。 一
户
: !
厂 竺~ , 于 一 。
纯度要求(质遥分数) % l
) 99夕5
〕99 5
二甲基二抓硅烷 一 甲基三氯硅烷 _ 甲基 氯硅烷 三
一甲基二氯硅烷
; 朴 味 .
一 一 、 1 『 』 牛州 川 1 !
{ 二_日
〕99 5 ) 99 .5
位 高 物丫 _ 沸
高沸物塔 一甲塔
2 有机氯硅烷粗单体精馏流程
G ro a Jia China; , ,lalznou 225300, la g u, r ouP T izhou 乙 ) j VU, n g u , 艺 J n s 七
n e a d T chnolog ,Tia in Universit , a in 300072 ,C h in a ) y j n y Tn i j
Pr cess. The tr ns一 t ing l0 column Pr cess syst m had lo讹r consumPtion comPar d with cis一 t ing o a cut o e e cut
10 columns Pr cess system, the equiPment investment was higher. o but
高沸物塔釜物料排出系统。
脱高塔 二甲塔 脱低塔 轻分塔 含氢塔 共沸塔 三甲塔
入脱高塔,塔顶物料进入脱低塔,塔釜物料排出系 统; 脱低塔塔顶物料进入轻分塔,主要为一甲基三 氯硅烷和二甲基二氯硅烷的脱低塔塔釜物料进入二 元塔; 二元塔塔顶出合格的一甲基三氯硅烷产品, 二元塔塔釜出合格的二甲基二氯硅烷产品; 轻分塔、 含氢塔与共沸塔流程与顺式切割 1 塔流程相同: 三 0 甲 塔塔顶出合格的三甲基一氯硅烷产品,三甲塔塔 釜物料排出系统。
以‘盯 n 伙刃 g
, 刀 物毋 馆 c o y 卿unZ 双/ c 动i nZ 2百‘ 口 2, o 灯 , h 寸 A a
ZSchool of Chemical Engineering
i ( I Slilicon Ma eria Ltd. of j ia gsu M e i la ll t l n t Meila n
程进行模拟分析,比较了各种工艺流程之间的优
缺点。
1 有机氯硅烷粗单体的性质
有机氯硅烷是以氯甲 烷和硅粉为原料, 在高温 和催化剂的作用下合成的。典型的生成物的组成和
性 1 ‘ 表1所示。 质2一如 1
第一作者简介 工斌 ( 196 一),男. 工程师。联系人 许春建。电 8
话 022 一 27404440; E 一 c xu@t u.edu.cn。 mail j j
. 2 2 反式切割1 塔分离工艺流程 0 反式切割 r 塔分离」 o _ :艺流程如图2 所示。 原料 粗单体进入脱高塔,塔顶物料进入二甲 塔, 塔釜物 料进入高沸物塔; 带有少量二甲 基二氯硅烷的二甲 塔塔顶物料进入脱低塔,土要为二甲 基二氯硅烷的
增刊
卜 斌等: 有机硅一 单体分离系统工艺流程模拟分析
分离有机氯硅烷粗单体的方法有物理分离法和 化学分离法,_ 业上主要采用精馏的方法分离。日 毛 前国内 有多套生产甲基氯硅烷的装置,并且都采用 了精馏分离_ 艺流程, _ f 其中第一个塔均为脱高塔, 但从第二个塔往后加工顺序各家有所不同。根 其
图 1 顺式切割
’ “ 一育产 。 卜 川口 司。 . 价 一 扭仲 一
. 22 ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ .
三甲 塔塔釜物料进入优二甲塔; 优二甲 塔塔顶出合 格的二甲基二氯硅烷产品,优二甲塔塔釜物料返回 脱高塔; 带有少量一甲基三氯硅烷的脱低塔塔顶物 料进入轻分塔,主要为一甲基三氯硅烷的脱低塔塔 釜物料进入一甲 塔; 一甲 塔塔顶出合格的一甲基三 氯硅烷产品, 一甲塔塔釜物料返回二甲塔; 轻分塔、 含氢塔与共沸塔流程与顺式切割 1 塔流程相同; 二 0 甲塔塔顶出合格的三甲基一氯硅烷产品,三甲塔塔 釜物料返回二甲塔;高沸物塔塔顶物料返回脱高塔,
Abst ct: T r e sePar ion Pr c sses f r t e Purif ca ion of o电 osilicon comPonent t ns一 t ing lo a r h e t a oe o h i t n a s r a cut columes Process,cis一 t ing l0 columes Pr cess a d 7 columes Pr cess a introduced in this Pa er cut o n o e r P . Asp n Plus was 耐oPted t simula t e Pr cesses a d t e simula ion results Pr ved tha bO t e l0 e o e t h o n h t o t t h h columns Processes ha a vanta es of lower ener y consumPtion a d hig er yield tha the 7 column d d g g n h n
化
2007 年第26 卷增刊
_L
进
展
2 19
CH EM ICA L IN DU STRY AN D EN G I EER 1 G P ROG R ES S N N
有机硅单体分离系统工艺流程模拟分析
王 斌‘ 杨 , 成勇’ 宪 ,曾 友2, 咏军2, 春建2 曹 许
(’ 泰州梅兰集团硅材料有限公司, 江苏 泰州 22530 : 2天津大学化工学院, 0 天津3 0072 0 )
摘 要: 介绍了 有机硅单体分离系 统的3 种工艺流程,即顺式切割的 1 塔流程、 0 反式切割的 1 塔流程和7 塔流 0
程. 并 用化工 程模拟软件As e P u: 进行了 采 过 Pn l 模拟计算, 种工艺流 能 对3 程的 耗做了 对比, 表明: 1 详细 结果 0 塔流 程在能 耗和主产品二甲 基二氛硅烷的收率方面均优于7 塔流程. 两 1 塔流程各有优劣, 种0 顺式切割的1 塔 0
州 今一 ;
一一 , 1 以 月勺 月
甲 生
3 工艺模拟结果与讨论
. 31 三 种工艺流程分 离结果比 较
为了对有机硅单体的精馏分离过程进行研究和
口 一
勺 侧 1
对 , 用A e P u 化L流 模 软 对 过 比 采 sp l s n 程拟件该程
进行了模拟计算,模拟计算结果表明: ( 1 两个 1 塔流程中有机氯硅烷中关键组分 ) 0 二甲 基二氛硅烷的收率较高,能达到9 . 4%左右, 99 而7 塔流程中二甲基二氯硅烷的收率只有 9 . 8%。 5 (2) 两个 1 塔流程能够适应进料条件的较 0 大波动。 两个 1 塔流程中,各塔均只保证塔顶或 0
加工顺序可将有机氯硅烷粗单体精馏分离工艺流程 分为 3 种: 顺式切割的 1 塔流程、反式切割的 1 0 0 塔流程和 7 塔流程。 2.1 顺式切割的 1 塔分离工艺流程 0 顺式切割的 1 塔分离工艺流程如图 1 所示。 0 原料粗单体进入脱高塔,塔顶物料进入脱低塔, 塔釜物料进入高沸物塔; 带有少量一甲基三氯硅 烷的脱低塔塔顶物料进入轻分塔,主要为一甲基 三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的脱低塔塔釜物料进 入一甲塔; 一甲塔塔顶出合格的一甲基三氯硅烷 产品,一甲塔塔釜物料进入二甲 塔; 二甲塔塔顶 物料返回一甲塔,主要为二甲基二氯硅烷的二甲 塔塔釜物料进入优二甲塔; 优二甲塔塔顶出合格 的二甲基二氯硅烷产品,优二甲 塔塔釜物料返回 脱高塔; 轻分塔塔顶物料排出系统,其主要为比 一甲基二氯硅烷沸点低的物质,轻分塔塔釜物料 进入含氢塔; 含氢塔塔顶出合格的一甲基二氯硅 烷产品,含氢塔塔釜物料进入共沸塔; 共沸塔塔 顶物料排出系统,共沸塔塔釜物料进入三甲 塔; 三甲 塔塔顶出合格的三甲基一氯硅烷产品,三甲 塔塔釜物料返同脱低塔; 高沸物塔塔顶物料返回 脱高塔,高沸物塔釜物料排出系统。