最新工程电磁场第二章静电场二

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工程电磁场(清华大学出版社)课后题解

工程电磁场(清华大学出版社)课后题解

l 2 + 4l 25 a 2 ⎭ ⎭ 2l α 0 ⎝ 0 0 2x0 r 0r 0l 0 第二章 静电场(注意:以下各题中凡是未标明电介质和导体的空间,按真空考虑) 2-1 在边长为a 的正方形四角顶点上放置电荷量为q 的点电荷,在正方形几何中心处放置电荷量为Q 的点电荷。

问Q 为何值时四个顶点上的电荷受力均为零。

解 如图建立坐标系,可得q ⎛ 12 1 ⎫ Q 2 1 E x e x = 4πε + 2 ⨯ 2a 2 ⎪e x + 4πε ⨯ 2 ⨯ a 2 / 2 e x q ⎛ 1 2 1 ⎫ Q 2 1 E y e y =+ 4πε 0 ⎝ 2 ⨯ 2a 2 ⎪e y + 4πε ⨯ 2 ⨯ a 2 / 2 e y ⎛ 2 ⎫ ⎛ 2 ⎫据题设条件,令 q 1 + ⎪ + Q 4 ⎪ = 0 ,2 ⎝ 解得 Q = - q(1 + 2 2)4⎭ ⎝ ⎭2- 有一长为2l ,电荷线密度为τ 的直线电荷。

1) 求直线延长线上到线电荷中心距离为2l 处的电场强度和电位; 2) 求线电荷中垂线上到线电荷中心距离为2l 处的电场强度和电位。

解 1)如图(a )建立坐标系,题设线电荷位于 x 轴上l ~ 3l 之间,则 x 处的电荷微元在坐标原点产生的电场强度和电位分别为d E = τd x (-e ), d ϕ = τd x4πε 0 x 4πε 0 x由此可得线电荷在坐标原点产生的电场强度和电位分别为 E (0) = 3l d E3lτd x(- e ) =τ(- e )⎰l⎰l4πε 0xx6πε lxϕ (0) = ⎰3ld ϕ = ⎰3lτd x =τln 3ll4πε 0 x 4πε 02)如图(b )建立坐标系,题设线电荷位于 y 轴上- l ~ l 之间,则 y 处的电荷微元在点(0,2l ) 处产生的电场强度和电位分别为d E = τd y (-e ), d ϕ = τd y4πε 2r 4πε 0 r 式中, d y = 2l d θ cos 2 θ , r = , sin α = l cos θ = 1 ,分别代入上两式,并考虑 对称性,可知电场强度仅为 x 方向,因此可得所求的电场强度和电位分别为 E (2l ,0) = α = 2eα τd ycos θ = τe x cos θd θ = τe x sin α = τe x 2⎰0 d E x ⎰0 4πε 2 4πε ⎰0 4πε 0l 4 5πε 0l ϕ (2l ,0) = α ϕ = τ α d θ = τ ⎡ ⎛ 1 tan -1 1 + π ⎫⎤ = 0.24τ 2⎰0 d 4πε ⎰0co s θ 2πε ln ⎢tan 2 2 4 ⎪⎥ πε 0 0 ⎣ ⎝ 2-3 半径为a 的圆盘,均匀带电,电荷面密度为σ 。

最新工程电磁场第二章静电场小结只是课件精品课件

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S2
f2 (s2 )
第一类边值 问题
第二类边值 问题
第三类边值 问题
混合(hùnhé) 边值问题
唯一性定理(dìnglǐ)的证明
第十一页,共29页。
唯一性定理(dìnglǐ)的证明
在静电场中,满足给定边界条件 的电位微分方程(泊松方程或拉普拉 斯方程)的解是唯一的,称之为静电场 的唯一性定理(UniqunessTheorem)
无旋场一定是保守场,保守场一定是无旋场。无旋必然(bìrán)有位
E0 。可检验场域每点E 的涡旋源分布。
D 0 E P 0 E e 0 E 0 ( 1 e ) E r 0 E E
辅助方程,媒质性能方程,它反映了所研究的静电场所处的客观环境
l 从这三个方程可以导出静电场的电位 的(基本方程)—泊松方程
点电荷群 连续(liánxù)分布电荷
(r) 1 N qi C
40 i1 rri'
d:qd,Vd,Sdl
(r) 1
dq C
40 v' rr'
若无限远处为电位(diàn wèi)参考点(场源有限)上式中的C为
(零2)。先求场量 后求E: E
(3)对称性的场用高斯定理求场量:
a)分析(fēnxī)给定场分布的对称性,判断能否用高斯定律求解。
( u u ) d V u u d S ( u ) 2 d V
V
s
V
S为体积V的边界面,
即SS0 S,SS1S2 Sn,
由于在无穷远S0处电位为零,因此有
图 1 .4 .6证 明 唯 一 性 定 理 用 图
u u d S u u d S ( u ) 2 d V
s
S
V

工程电磁场第二章

工程电磁场第二章

29
R远大于d
电偶极子产生的电场与单个点电荷产生的电场的空间分布规律有明显不同。点电荷 的电位与R成反比,而电偶极子的电位与R2成反比。
30
31
3.电偶极子的电场强度 在球坐标系中,电偶极子的电场强度
32
33
2 .5导体和电介质 1. 静电场中的导体 在静电平衡条件下,导体内部电位的梯度为零,导体内部电位各处相等,即导 体是一个等电位体,导体表面是一个等位面。导体外表面电场强度只有法向分量, 其切向分量为零,即导体外表面上电场强度的方向与外表面垂直。
2.电位与电场强度的关系 由电位计算电场强度,是求梯度的运算,也就是求微分的运算
由电场强度计算电位,是相反的运算,也就是求积分的运算。考虑电场强度的线积分
Q点电位已知
Q点为参考电位, 且=0,则
这就是说,P点的电位等于电 场强度从P点到参考点的线积 分。电场强度是单位电荷受 到的电场力。所以,P点的电 位表示将单位电荷从P点移动 到参考点,电场力所做的功。 电位和电压的单位是伏,V。
体密度
电荷元产生的电场强度与点 电荷相同,是一个无穷小的 量,积分可得整个源区所有 电荷产生的电场强度
5
线电荷、面电荷、体电 荷产生的电场强度
例2-1-1真空中长度为2l的直线段,均匀带电,电荷线密度为τ。求线段外任一点P的 电场强度。 解 根据对称性分析,采用柱坐标系分析比较方便。
坐标的源点位于线段的中心,z轴与线段重合。场点P 的坐标为(r, α, z),取电荷元τdz’,源点坐标为 (0, α’, z’)
可见,R与(x, y, z) 和(x`, y`, z`)都有关系。当源点不变,场点变化时, 的梯度表示为 。当场点不变,源点变化时, 的梯度表示为

武汉工程大学工程电磁场第2章 静电场(二)

武汉工程大学工程电磁场第2章 静电场(二)

球心至点电荷的距离为d。在点电荷的电场中,引入一中 性导体球后,球面两侧将分别出现等量而异号的感应电荷 +q′与-q′。其数值必较电荷q为小,即q>q′。
球形导体面的镜象
一半径为a的接地导体球,在与球心O相距 d1 的 P1 点有一点电荷 q1 , 求球外的电位分布。 ● 球外区域任意一点的电位由点电荷 P 和导体球表面的感应电荷决定。 R1 R2 ● 在求解区域外(球内)用一点电荷 q2 r P1 (像电荷)代替球面上感应电荷的影响。 a o P2 q1 ● 像电荷的位置及大小由以下原则决 S q S2 1 2 定:点电荷与像电荷的共同作用应使球面的 电位为零。 d2 1 q1 q2 球外任意一点P的电位: 4 0 R1 R2 d1 为确定像电荷的位置及大小,可在球 面上取两个特殊点 S1 、S2 。它们的电位 均为零。
由唯一性定理可获得的重要概念:
1. 明确哪些条件可以完全而且唯一地确定静电场的解, 从而使我们在求解静电场问题时能正确地提出边界条件。 在处理实际问题时,就能根据所提条件判明问题是否有解 如何正确提供条件才能有解。 2. 在许多实际问题中,往往不能对泊松方程或拉普拉 斯方程直接求解,而要借助于其它解法。其它解法所得之 解是否正确唯一,要看它是否满足唯一性定理所要求满足 的条件来进行判定。 3. 有许多实际问题,由于采用不同的方法求解,其解 的形式可能不一样,如果求得的解都满足唯一性定理所要 求满足的条件,则可以判定这些不同形式的解彼此相等且 均为有效。
应用2 (a)特殊角 (2π/α偶数)区域的点电 荷 (b)图(a)的镜象电荷
无限大导电平面的镜象法
应用3
(a)大地上方h处平行放置长直圆柱导体; (b)图(a)的镜象

工程电磁场第二章静电场二精品文档8页

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第2章 静电场(二)2.1 静电场的唯一性定理及其应用静电场中的待求量:电场强度E ,静电力F 。

静电场求解方法:(1) 直接由电场强度公式计算;(2) 求解泊松方程(或拉普拉斯方程)→电位→电场强度E 。

唯一性定理的重要意义:确定静电场解的唯一性。

2.1.1 唯一性定理静电场中,满足给定边界条件的电位微分方程(泊松方程或拉普拉斯方程)的解是唯一的。

2.1.2 导体边界时,边界条件的分类(1) 自然边界条件:有限值参考点=∞→ϕr r lim(相当于指定电位参考点的值)(2) 边界衔接条件:σϕεϕεϕϕ=∂∂-∂∂=nn 221121 (该条件主要用于求解区域内部)(3) 导体表面边界条件(a) 给定各导体表面的电位值。

(第一类边界条件)(b) 导体表面为等位面,给定各导体表面的电荷量。

该条件相当于给定了第二类边界条件。

在求解过程中,可通过积分运算确定任意常数。

Sn ∂∂-=ϕεσ,(注:n 的正方向由介质导向导体内部) (c) 给定某些导体表面的电位值及其它每一导体表面的电荷量。

相当于给定了第三类边界条件。

思考?为什么条件(a),或(c)可唯一确定电位函数,而条件(b)确定的电位函数相关任一常数? 答:边值问题的求解所需的边界条件有:自然边界条件、衔接条件和区域边界条件。

条件(a),(c)中,同时给定了边界条件和自然边界条件,与条件(2)结合,可唯一地确定场解;而条件(c)没有指定自然边界条件(电位参考点的值),因而,其解相差一个任意常数。

2.1.3 静电场唯一性定理的意义唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、解析解等)提供了思路及理论根据2.1.4 等位面法1 等位面法:静电场中,若沿场的等位面的任一侧,填充导电媒质,则等位面另侧的电场保持不变。

2 等位面法成立的理论解释:等位面内填充导电媒质后,边界条件沿发生变化:(1)边界k 的等位性不变;(2)边界k 内的总电荷量不变。

(相当于给定了第二类边界条件)3 等位面法在解释静电屏蔽现象中的应用现象一、接地的封闭导体壳内的电荷不影响壳外的电场。

电磁场与电磁波理论基础 第二章 课后答案

电磁场与电磁波理论基础 第二章 课后答案

u=0
∂u 1 ∂u ∂u E = −∇u = − e ρ + eϕ + e z ρ ∂ϕ ∂z ∂ρ
得到 题 2-9 图
E = −∇u = 0, ρ ≤ a
a2 a2 E = − A 1 + 2 cos ϕ e ρ + A 1 − 2 sin ϕ eϕ , ρ ≥ a ρ ρ
代入得到
2 2
r1
-2 q
Y
S1 (-a, 0 , 0)
X
S 2 (a, 0, 0)
题 2-7 图
u (r ) =
q 4πε 0
1
( x + a)
2
+ y2 + z2

2 2 2 ( x − a) + y + z 2
电位为零,即令
q u (r ) = 4πε 0
∂u2 =0 ∂x
代入,得到
ρ S下 = −ε 0
∂u1 ∂x
=
x =0
ρd ρd ε U ε U x2 − 0 0 + 0 = − 0 0 + 0 2d 6 x =0 6 d d
ρ0
对于上极板,导体中的电位为常数
u1 = U 0

∂u1 =0 ∂x
上极板下表面电荷密度为
l
场分布具有柱对称性,电通密度矢量 D 仅有 e ρ 分量,由 高斯定理 题 2-15 图
D ⋅ dS = ρ
(S ) (V )
V
dV
取圆柱面为高斯面,有

Dρ ρ ldϕ = 20 ρ e
0 0 0

武汉工程大学工程电磁场第2章 静电场(二)

武汉工程大学工程电磁场第2章 静电场(二)

D 2 2 2 2 x0 R0 x0 R0 2
2
x0 -x0 d
2 R 0 R0 d x0 2d
静电场的唯一性定理及其应用
第二种情形:设封闭导体壳的内 表面为S2,对于壳内区域而言它是 一个边界面。首先,S2是一个等位 面。其次,如在壳内紧贴S2作一高 斯面S,则有
S n dS q1
(电位移矢量 D 的通量为q1)
以S2作为导体壳内电场的一个边界面,通过它的电通量仅仅 决定于导体壳内的电荷,而与壳外的电荷分布是无关的。根据唯 一性定理,当导体壳内带电导体都是给定电荷量时,电位函数可 以相差一个常数,但是电场强度是唯一确定的。它不受导体壳外 电荷q2的影响。有时甚至壳内的电位函数也是唯一确定的。
2.1
静电场的唯一性定理及其应用
1、唯一性定理
唯一性定理可叙述为:对于任一静态场,在边界条件 给定后,空间各处的场也就唯一地确定了,或者说这时拉 普拉斯方程的解是唯一的。
◇ 可以证明在每一类边界条件下泊松方程或拉普拉斯方 程的解都是唯一的。这就是边值问题的唯一性定理 ◇ 唯一性定理的意义:是间接求解边值问题的理论 依据。
§2-2 平 行 双 电 轴 法
一、平行双电轴电场
平行双电轴电场是一个平行 平面场,在垂直于电轴的各个平 面上,场有完全相同的分布图形 设介质电容率为ε0的空间有两无限长平行电轴,两电轴 所带有的电荷线密度分别为 ,
E
由高斯定理可得两电轴分别产 生的电场强度表达式为
E
0
h
R'
q

q 1 1 4 0 R R '

电磁场与电磁波 ppt 第二章:静电场2

电磁场与电磁波 ppt 第二章:静电场2

取向极化: 在电场作用下,分子的电矩克服热运动,而使分子电矩向电场方向移动,产生合 成电矩
在本课程中,我们并不关心介质极化的微观机理,而主要研究介质极化对静电场的 宏观影响,即电场的本构关系。
2、极化强度
介质极化可看成一个个偶极矩的集合,每一个偶极矩的电矩可认为P,则在电场的
P lim p 作用下,介质中某体积元 内的合成电矩为ΣP,有:
夹角关系
由 和
由此得到介质两则电场的夹角(折射)关系:
Example 2.13
半径分别为a和b的同轴线.外加电压U,如图所示。圆柱面电极间在图示θ1角部分 充满介电常数为ε的介质.其余部分为空气,求介质与空气中的电场和单位长度上 的电容量。
解:1
介质与空气中的电位必须既满足拉普拉斯方 程,又满足导体表面的边界条件
表面电流为
线电流
当电荷在一根很细的导线中流过时,或电荷束的横截面很小时,可考虑线电流的概念。
线电流定义为
其中,α是电荷运动方向的单位矢量。
3、恒定电场的基本方程
(1).电流连续性方程
由电荷守恒出发,在导体中任取一个闭合面S包围体
积τ,显然,从闭合面流出的电流表示每秒从体积内 穿过S到外面去的电量。由于电荷是守恒的,所以穿
实验指出:导体中任一点的电流密度与该点的电场强度成正比,即:
无极分子:当外电扬不存在时,电介质中正负电荷的“重心”是重合的,没有
等效电偶极矩.
有极分子:当外电场不存在时,电介质中的正负电荷‘重心”不重合,因
此每个分子可等效为一个电偶极子.
然而,由于分子的无规则热运动,各个分子等效电矩的方向是凌乱的,所以无论是整 块介质或介质中的某一部分,其中分子等效电偶极矩的矢量和都等于零.

工程电磁场-第二章恒定电场

工程电磁场-第二章恒定电场

ax
0, 0, U sin x , 0 x0
a 0 yb
y0 0 xa
yb
0
0 xa
xa 0 yb
2023/10/15
32/54
例3 试用边值问题求解电弧片中电位、电场及面电荷的分布?
解:选用圆柱坐标,边值问题为: 0
0
21
1
(
1 )
1
2
21 2
21
z 2
0
( 1区域)
2 2
欧姆定律 导体内流过的电流与导体两端的电压成正比。
U RI I GU
设小块导体,在线性情况下
R 1 dl U E dl
ds I J dS
J 与 E 之关系
J E
Ohm’s Law 微分形式
说明 ① J 与 E 成正比,且方向一致。
① 上式也适用于非线性情况。
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tan 1 1 tan 2 2
γ1
γ2
J2
α2 α1
除α1=90°外,无论α1为多大,
J1
α2都很小。
结论:电流由良导体进入不良导体时,电流密度线 与良导体表面近似垂直,可将分界面视为等位面。
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b.良导体和理想介质分界面衔接条件 理想介质 γ2 =0,J2=0
导体侧, J1n =J2n=0, E1n =0
三种电流: 传导电流——电荷在导电媒质中的定向运动。 运流电流——带电粒子在真空中的定向运动。 位移电流——随时间变化的电场产生的假想电流。
定义 单位时间内通过某一横截面的电量。
I dq A dt
2023/10/15
6/54

电磁场与电磁波第二章讲义

电磁场与电磁波第二章讲义

(r )
第二章 静 电 场
当r<a时,
Er 4r2

0 0
4
3
r3
所以
Er

0r 30
(r )
第二章 静 电 场
例 2 - 3 已知半径为a的球内、 外的电场强度为
E

er E0
a2 r2
(r a)
E

er E0 5

r 2a

3
r3 2a3

(r a)
们的连线, 同号电荷之间是斥力, 异号电荷之间是引力。点电
荷q′受到q的作用力为F′,且F′=-F,可见两点电荷之间的作用力 符合牛顿第三定律。
第二章 静 电 场
库仑定律只能直接用于点电荷。所谓点电荷,是指当带电体 的尺度远小于它们之间的距离时,将其电荷集中于一点的理想化 模型。 对于实际的带电体, 一般应该看成是分布在一定的区域 内,称其为分布电荷。用电荷密度来定量描述电荷的空间分布情 况。电荷体密度的含义是,在电荷分布区域内,取体积元ΔV, 若其中的电量为Δq,则电荷体密度为
(r)

P(r' )V '
4 0

r r' r r' 3
整个极化介质产生的电位是上式的积分:
(r) 1
4 0
V
P(r' ) (r r r' 3
4 0R2
R

q' q
4 0
R R3
式中:R=r-r′表示从r′到r的矢量;R是r′到r的距离;R°是R的单
位矢量;ε0是表征真空电性质的物理量,称为真空的介电常数,
其值为

电磁场与电磁波 第2章静电场

电磁场与电磁波 第2章静电场
如果电场由点电荷q单独产生
如果是一个闭合路径,则W=0 电场强度的环路线积分恒为零,即
应用斯托克斯定理
因此,静电场的电场强度 可以用一个标量函数 的梯度来表示,即定义
单位正实验电荷在电场中移动电场力做功
两点间的电位差定义为两点间的电压U,即
单位:V
电位函数不唯一确定,取
故可选空间某点Q作为电位参考点,空间任一点P的电位为 通常选取无限远作为电位参考点,则任一P点的电位为
在交界面上不存在 时,E、D满足折射定律。
D 1 n D 2 n 1 E 1 c1 o 2 E s 2 c2 os
E 1 t E 2 t E 1 si1 n E 2 si2n
图2.3.3 分界面上E线的折射
t电位函数 表示分界面上的衔接条件
Ax Ay Az
对应静电场的基本方程 E 0 ,矢量 A 可以表示一个静电场。
能否根据矢量场的散度来判断该矢量场是否是静电场?
2.3.2 分界面上的边界条件
1、 电位移矢量D的衔接条件 以分界面上点P作为观察点,作一
小扁圆柱高斯面( L 0)。
图2.3.1 在电介质分界面上应用高斯定律
根据 DdSq
V ' P d ' V S 'P e n d ' S 0
• 在均匀极化的电介质内,极化电荷体密度 p 0。
• 有电介质存在的场域中,任一点的电位及电场强度表示为
(r) 4 1 0 V '( r f r 'p )d' V S '( r f r 'p )d' S E (r ) 4 1 0 V '( f r p r )'3 r( r ')d' V S '( f r p r ) '3 r( r ')d' S

静电场2

静电场2

M r F r F qr E ( q )r E q( r r ) E ql E

M p E
例3:均匀带电直线的电场。设直导线AB均匀带电,单 位长度上所带的电量为,求空间一点P处的场强。设P 点与A、B的连线与AB的夹角分别为q1和q2,P点与直导 线的垂直距离为a。 解: 本题是矢量积分的典型例题。 y 先建立坐标如图,设 >0 。在带 dE 电直线段上取一个线元 dl,它的坐 dE y 标为l,带电量为dl,当dl取得足够 P dE x 小时,可以把它看成是点电荷,它 在P点产生的场强 dE可以分解成x分 q1 r q a q2 dl 量dEx和y分量dEy,而 l O B A dl
d q 电荷密度 电荷面密度 dS 电荷线密度 dq dl
dq E dE e 2 r 4π 0 r dq 电荷体密度 dV
dq
dV
r
dS
dE
P
dl
p ql 电偶极矩 qr qr 解: (1) E E P 3 3 E 4 π 0 r 4 π 0 r r r r r r E 当 l r 时, r 且 r r l r r q O l E E E ( r r ) 3 q l q 4π 0 r ql p 3 4 π 0 r 4 π 0 r 3 方向与电偶极矩的方向相反
dE 2
P2 d2 q b O x dx
y
d1 P1
dE2 y dE2 cosq d x d2 1 1 2 2 2 2 2 2 2π 0 d 2 x d 2 x d 2 dx 2 2π 0 d 2 x2

电磁场第2章 静电场

电磁场第2章 静电场
6
E
i 1
N
4 0 Ri
qi
e 2 Ri
线分布电荷
E
S
E
l
2015/10/9
电磁场与电磁波
5
2015/10/9
电磁场与电磁波
1
静电场的高斯定理
电位移矢量D
静电场的高斯定理
真空中静电场的高斯定理 在真空中,通过任意封闭面的电通量等于面 内所有电荷的代数和,即
D 0E
通过任意曲面S的电通量为
18
3
电位及电位梯度
以无穷远为零电位参考点时,点电荷在均匀介质中 的电位:
电荷分布形成的电位
体电荷分布形成的电位
(r )
r

q 4 R
2
er dl
r

(r )
面电荷分布形成的电位
qdR q 1 4 R 2 4 R
4 1 4
1 4
1
V dV
电磁场与电磁波
z0 z0
22
4
上式中闭合线l是任意的,则
E = 0
2015/10/9
E dl 0 l E =0
15 2015/10/9
电磁场与电磁波
电磁场与电磁波
16
电位及电位梯度
静电场是保守场(位场),引入位函数—— 电位 电位
电位及电位梯度
将单位正电荷从P点移到参考点(如Q点)电场力所 作的功定义为P点的电位
e D dS
S
D dS q
S
曲面法线的正方向:封闭曲面,外法线为正 方向。一般曲面,法线正方向与曲面边缘绕 向成右手螺旋关系
2015/10/9

电磁场课件第2章 电场、磁场与麦克斯韦方程

电磁场课件第2章 电场、磁场与麦克斯韦方程

S
I l'
24
计算 B 在回路 l上的闭合线积分有
B d l
l
[ 0I l 4
d l' R l' R3 ]d l
0I
4
[
l l'
R R3
(dl
dl
')]
因此,由上式可得
B dl 0I d 4
为角
d
dS 所 张
'
的 积 分


根据势函数与有势场的对应关系,可得到空间一点P处的
ic s Jcds
36
运流电流
电荷在无阻力空间作有规则运动而形成
形成运流电流的电荷在运动时并不受到碰撞阻滞作用, 即使存在与其它粒子发生碰撞的机率,其作用也微乎其微, 可忽略不计,因此运流电流不服从于欧姆定律。
假设存在一个电荷体密度为 的区域,在电场作用下,
电荷以平均速度v 运动,在dt 时间内,电荷运动的距离为dl 则
q
4 0
(d
cos
r2
)
pe r
4 0r3
23
2.5 磁偶极子
在定义磁偶极子之前,首先来分析一个闭合电流回路在空间 所产生的磁场。正如电偶极子是常见的电场源的存在形式一样, 闭合电流回路是磁场源的最常见形式。
B
0
4
Id l' eR
R l '
2
0I
4
d l' R
R l '
3
M
d
dl P
n
l
R
法拉第电磁感应定律 感应电动势
闭合路径所包围的磁通
e dm dt
e l E d l

静电场二(场强计算)PPT课件

静电场二(场强计算)PPT课件
讲师:XXXXXX XX年XX月XX日
(5)
对(5)式的讨论: 1)、由(5)式知:圆环轴线上每点E的大小是逐点不同的。 2)、在x=0 处,E0 =0
3)、当
x>>R时,E
q 。(点电荷的场) 4 0 x 2
推广:均匀带电圆盘在垂直于盘面轴线上任一点P的场强。(带电面密 度σ,圆盘半径R,场点到盘心的距离为x)
y
dq 2ydy
+
无限大均匀带电平面的场为匀强场


+
-
A +
-
B
+
-
若无限大均匀带电平面处于介电系数为εr的电介质中
求电荷是连续分布的带电体场强的基本步骤是:
1)将带电体分割成许多电荷元,使用点电荷的场强公式,在适 当的坐标系中写出某一电荷元的元场强。
2)根据场强叠加原理,将元场强进行矢量叠加。在这一过程中, 关于对称性的分析很重要,它可使计算大为简化。因此解此类 题的关键之一是如何灵活运用场的叠加原理。
P dE
dE
dqx 4 0 ( x2 y2 )3
/
2
+
x
o+
+
E
R 0
xdy 2 4 0 ( x 2 y2 )3/ 2
x
E (1
)i
2 0
R2 x2
推广:无限大均匀带电平面的场强
带电圆盘在中心轴线上的场 E圆盘 20 (1
x )
R2 x2
方向垂直于盘面
+
+ 0+
x
+
当 R 时, E无限大 2 0
cos2 )
j
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工程电磁场第二章静电场二第2章 静电场(二)2.1 静电场的唯一性定理及其应用静电场中的待求量:电场强度E ,静电力F 。

静电场求解方法:(1) 直接由电场强度公式计算;(2) 求解泊松方程(或拉普拉斯方程)→电位→电场强度E 。

E ⇒-∇=⇒-=∇ϕϕερϕE 2唯一性定理的重要意义:确定静电场解的唯一性。

2.1.1 唯一性定理静电场中,满足给定边界条件的电位微分方程(泊松方程或拉普拉斯方程)的解是唯一的。

2.1.2 导体边界时,边界条件的分类(1) 自然边界条件:有限值参考点=∞→ϕr r lim(相当于指定电位参考点的值)(2) 边界衔接条件:σϕεϕεϕϕ=∂∂-∂∂=nn 221121(该条件主要用于求解区域内部)(3) 导体表面边界条件(a) 给定各导体表面的电位值。

(第一类边界条件) (b) 导体表面为等位面,给定各导体表面的电荷量。

该条件相当于给定了第二类边界条件。

在求解过程中,可通过积分运算确定任意常数。

S n ∂∂-=ϕεσ,(注:n 的正方向由介质导向导体内部)q dS r S=∂∂-⎰)(11ϕε (c) 给定某些导体表面的电位值及其它每一导体表面的电荷量。

相当于给定了第三类边界条件。

思考?为什么条件(a),或(c)可唯一确定电位函数,而条件(b)确定的电位函数相关任一常数?答:边值问题的求解所需的边界条件有:自然边界条件、衔接条件和区域边界条件。

条件(a),(c)中,同时给定了边界条件和自然边界条件,与条件(2)结合,可唯一地确定场解;而条件(c)没有指定自然边界条件(电位参考点的值),因而,其解相差一个任意常数。

2.1.3静电场唯一性定理的意义唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、解析解等)提供了思路及理论根据2.1.4等位面法1 等位面法:静电场中,若沿场的等位面的任一侧,填充导电媒质,则等位面另侧的电场保持不变。

2等位面法成立的理论解释:等位面内填充导电媒质后,边界条件沿发生变化:(1)边界k的等位性不变;(2)边界k内的总电荷量不变。

(相当于给定了第二类边界条件)3 等位面法在解释静电屏蔽现象中的应用现象一、接地的封闭导体壳内的电荷不影响壳外的电场。

解释:边界上电位值不变(给定的第一类边界条件不变)。

现象二、封闭导体无论是否接地,则壳内电场不受壳外电场的影向。

解释:(注意边界正方向的取向)边界S2为等位面;边界S2上的总电荷量不变。

2.2平行双电轴法1 问题的提出:以求无限长双圆柱平输电线周围的电场分布为例。

导体表面的面电荷密度未知,不可能由电场计算公式计算;电场分布不具有对称性,不能用高斯定理求解,用求解泊松方程法,不能给出解析解。

本节从静电场的唯一性定理出发,采用其它求解方法(电轴法)。

2. 两根细导线产生的电场设电轴上单位长度的电荷量为τ,电位参考点为Q。

电场分布为平面场,根据叠加原理,11001ln 22C d QP +-==⎰ρπετρρπετϕ 2202ln 2C +--=ρπετϕC P +=+=12021ln 2ρρπετϕϕϕ说明:式中Q 表示电位参考点。

ρ表示由电荷到P 点的矢径。

以y 轴为参考点, C=0, 则22220120)()(ln 2ln 2yb x y b x P +-++==πετρρπετϕ*确定等位线方程: 常数令:=P ϕ 22222)()(Ky b x y b x =+-++ 等位线方程为圆: 222222)12()11(-=+-+-K bKy b K K x圆心的坐标: ⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+=0,)11(22b K K h 圆的半径为:122-=K bK a当K 取不同数值时,就得到一族偏心圆。

a 、h 、b 三者之间的关系满足:222222222)11()12(h b K K b K bK b a =-+=+-=+应该注意到: 线电荷所在的两个点,对每一个等位圆的圆心来说,互为反演。

即 ))((222b h b h b h a -+=-=-- a 为等位线的半径;2b 两电轴间的距离;h 为等位圆圆心到坐标原点的距离。

附: 〖反演〗没C 为一定圆,O 为圆心,r 为半径,对于平面上任一点M ,有一点M ’与它对应,使得满足下列两个条件: (1)O 、M 、M ’共线; (2)OM ·OM ’=r 2;则点M ’称为点M 关于定圆C 的反演点,C 称为反演圆,O 称为反演中心,r 称为反演半径。

M 和M ’的关系是对称的,M 也是M ’的反演点。

M 与M ’的对应称为关于定圆C 的反演。

*确定电力线方程:根据 ϕ-∇=E 及E 线的微分方程为xyE E dx dy =得E 线方程为 4)2(212212Kb K y x +=-+说明:电力线方程表明, E 线为圆,其圆心位于y 轴上。

K 1的不同取值确定不同的电力线。

3 电轴法的基本思想由三个思考题,引出电轴法的解题思想。

(1)若在任一等位面上放一无厚度的金属圆柱壳,是否会影响电场分布?(2)、感应电荷是否均匀分布?(3)、若在金属圆柱管内填充金属,重答上问。

得出电轴法的思想:电轴法:用置于电轴上的等效线电荷,来代替圆柱导体面上分布电荷,从而求得电场的方法,称为电轴法。

电轴法解题的过程:(1)根据圆柱导体的半径a和两导体间的距离2h求出等效电轴的位置b;(2)设电轴上电荷线密度等于圆柱导体上单位长度的电荷量;(3)由电场计算公式2222120)()(ln2ln2ybxybxP+-++==πετρρπετϕ(0电位参考点位于y轴)4 例题例1.试求图示两带电长直平行圆柱导体传输线的电场及电位分布。

解:(1)建立体系,取0电位参考点(2)确定电轴的位置,22ahb-=(3)计算电场和电位分布:⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=-=1221lnπ2)11(π2ρρετϕρρετρρpP21eeE例2 已知两根不同半径,相互平行,轴线距离为d的带电长直圆柱导体。

试决定电轴位置。

解:21212222221212,,hhbhhdahbahb确定⎪⎩⎪⎨⎧+=-=-=例3 试确定图示偏心电缆的电轴位置 解:21122222222121,,h h b d h h b a h b a h ⇒⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧=-+=+=例4 已知一对半径为a ,相距为d 的长直圆柱导体传输线之间电压为U 0 ,试求圆柱导体间电位的分布。

解:1 确定电轴的位置⎩⎨⎧=-=hd a h b 22222 →22)2(a d b -= 2 设电轴上电荷密度为±τ,任一点的电位为:120ln 2ρρπετϕ=注意:式中的ρ2,ρ1分别为负电轴和正电轴到观察点P 的距离。

3 :0τϕϕ解出由B A U -=)()(ln 2)()(ln 2000a h b a h b a h b a h b U -+------+=πετπετ → )()(ln 2200a h b a h b U ---+=πετ 4 场中任一点的电位为:120ln )()(ln2ρρϕa h b a h b U P ---+=2.3 无限大导电平面的镜象一、镜象法1.平面导体的镜像通过比较两种边值问题的比较引出无限大导体平面的镜象法: (1)点电荷位于无限大导体平面上方,边值问题:02=∇ϕ 除 q 所在点外的区域 0=ϕ 导板及无穷远处⎰=⋅sq d S D S 为包围 q 的闭合面(2)点电荷及其镜象位于两无限大平面两侧,上半空间的边值问题02=∇ϕ 除 q 所在点外的区域04400=-=rq r q πεπεϕ 对称面及无穷远处⎰=⋅sq d S D S 为包围q 的闭合面二、无限大导电平面镜象法的特点用应用 无限大导体平面镜象法的特点:1 镜象电荷位于被研究的场域之外,与场源电荷关于平面对称;2 镜象电荷所带的电量与边界面原来所具有的总电荷量大小相等,符号相同,与场源电荷量大小相等,符号相反;3 被研究场域的边界电位值为0。

三、无限大导电平面的应用1 点电荷对夹角为直角的两相联导电平面的镜象;qq-q-qq2 点电荷对夹角为α的两相联无限大导电平面的镜象;qq-q-qqq-q -q q3 长直圆柱导体对于导电平面(或地平面)的镜象;hRτ例2-3 架空地线避雷原理。

带电的云与地面之间形成一均匀向下的电场E 0,由于大气电场的影响将导致高度为l 处的高压输电线A 的电位升高。

若在A 的上方架设有架空地线G ,半径为r 0,G 是经过支架接地的,则在架空地线G 上感应出负电荷,地面上感应出正电荷。

将这些感应电荷的电场叠加到大气电场以后可以降低A 处的电位。

试求由于架空地线的屏蔽作用而导致A 处电位的变化。

定性解释:定量计算:设:架空地线上单位长度的感应电荷量为τ,架空地线的半径为r 0,其等效电轴与地线中心重合。

架空地线的电位为:02ln 2000=+hr h E πετ → 地线上单位长度的电荷量: hr hE 2ln 2000πετ-=高压输电线上的电位:hr l h l h h E l E l h l h l E 2ln lnln 200000+--=+-+=πετϕ架设架空地线前后,架空线电位比:hr lh l h l h 2ln ln100+--=ϕϕCD当m r m l m h 004.0, 10 ,110===时, %1.610=ϕϕ2.4 球形导体表的镜象2.4.1 接地导体球对点电荷的镜象设在点电荷附近有一接地导体球,求导体球外空间的电位及电场分布。

边值问题:2000r ϕϕϕ→∞∇===导球面 (除q 点外的导体球外空间) 设匀镜象电荷q ’位于球内,球面上位一点的电位为0,即:0102'044p q q r r ϕπεπε=-=其中222222122cos 2cos r d R Rd r b R Rb θθ=+-=+-由上式或知,球面上的电位只是b 和θ的函数,位取两θ值,(0,180)则:'0'0q q d R R b q q d R R b ⎧-=⎪⎪--⎨⎪-=⎪++⎩ 得: 2'R b db R q q q d d ===由叠加原理,接地导体球外任一点P 的电位与电场分别为0102'44p q q r r ϕπεπε=-01211()4q R r d r πε=-⋅1222010244P rr q qRr dr πεπε=-E e e注意:1 镜像电荷等于负的感应电荷(符号与数量均相同), 但小于场源电荷量。

2 镜像电荷不能放在当前求解的场域内。

接地导体球外的2.4.2不接地导体球对点电荷的镜象解: 边值问题20rsSdϕϕϕ→∞∇===≠⋅=⎰D S球面常数在接地球的基础上判断镜像电荷的个数、大小与位置•在球内有两个等效镜象电荷。

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