BT33单结晶体管(双基极二极管)原理.pptx
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理
单结晶体管是一种双极型半导体器件，由三层输运结构组成，包括一层P型半导体（P区）、一层N型半导体（N区）和一层P型半导体（P区）。
它的工作原理如下：
1. 静态工作方式：当单结晶体管处于静止状态时，没有电流流过其结构。
P区与N区之间形成了一个PN结，这个结上有一个电势差。
当外加一个管子（基极）电压时，通过控制PN结的电势差，可以控制PN结的导电特性。
2. 动态工作方式：当单结晶体管处于动态工作状态时，有电流流过其结构。
当管子电压（基极电压）增加时，PN结中的电势差减小，导致PN结内的电流增加。
这个电流可以通过收集电极（集电极）流出。
当管子电压减小，PN结中的电势差增大，导致PN结内的电流减小。
这个电流可以通过发射电极（发射极）流入。
3. 开关特性：单结晶体管可以被用作开关，通过控制管子的电压来控制PN结内的电流。
当管子电压为低电平时，PN结内的电流较小，相当于开关是关闭的。
当管子电压为高电平时，PN结内的电流较大，相当于开关是打开的。
总之，单结晶体管的工作原理是基于控制PN结内的电势差，通过改变电流流过结构来实现信号放大和开关控制的功能。
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理
单结晶体管（单基极二极管）本理之阳早格格创做体管又喊单基极二极管，它的标记战形状睹附图推断单结晶体管收射极E的要领是：把万用表置于R*100挡大概R*1K挡，乌表笔交假设的收射极，白表笔交其余二极，当出现二次矮电阻时，乌表笔交的便是单结晶体管的收射极.单结晶体管B1战B2的推断要领是：把万用表置于R*100挡大概R*1K挡，用乌表笔交收射极，白表笔分别交其余二极，二次丈量中，电阻大的一次，白表笔交的便是B1极.应当证明的是，上述判别B1、B2的要领，纷歧定对付所有的单结晶体管皆适用，有各别管子的E--B1间的正背电阻值较小.没有过准确天推断哪极是B1，哪极是 B2正在本质使用中本去没有特天要害.纵然B1、B2用颠倒了，也没有会使管子益坏，只做用输出脉冲的幅度（单结晶体管多做脉冲爆收器使用），当创造输出的脉冲幅度偏偏小时，只消将本去假定的B1、B2对付调过去便不妨了.单结晶体管处事本理-单基极二极管伏安个性直线-单结管单基极二极管(单结晶体管)的结构单基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示.正在一片下电阻率的N型硅片一侧的二端各引出一个电极，分别称为第一基极B1战第二基极B2.而正在硅片是另一侧较靠拢B2处创造一个PN结，正在P型硅上引出一个电极，称为收射极E.二个基极之间的电阻为R BB，普遍正在2~15kW之间，R BB普遍可分为二段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻.单基极二极管的标记睹图1的左侧.图1 单基极二极管的结构与标记等效电路单基极二极管的处事本理将单基极二极管按图2(a)交于电路之中，瞅察其个性.最先正在二个基极之间加电压U BB，再正在收射极E战第一基极B1之间加上电压U E，U E不妨用电位器R P举止安排.那样该电路不妨改绘成图2(b)的形式，单基极二极管不妨用一个PN结战二个电阻R B1、R B2组成的等效电路代替.(a) (b)图2 单基极二极管的个性尝试电路当基极间加电压U BB时，R B1上分得的电压为式中称为分压比，与管子结构有闭，约正在0.5～0.9之间.U E＝U BB＋U D时，单结晶体管内正在PN结导通，收射极电流I E突然删大.把那个突变面称为峰面P.对付应的电压U E战电流I E分别称为峰面电压U P战峰面电流I P.隐然，峰面电压Up＝U BB＋U D式中U D为单结晶体管中PN结的正背压落，普遍与U D＝0.7V.正在单结晶体管中PN结导通之后，从收射区（P区）背基压（N区）收射了洪量的空穴型载流子，I E删少很快，E战B1之间形成矮阻导通状态，R B1赶快减小，而E战B1之间的电压U E也随着下落.那一段个性直线的动背电阻为背值，果此称为背阻区.而B2的电位下于E的电位，空穴型载流子没有会背B2疏通，电阻R B2基础上没有变.当收射极电流I E删大到某一数值时，电压U E下落到最矮面.个性由线上的那一面称为谷面V.与此面相对付应的是谷面电压U V战谷面电流I V.今后，当安排R P使收射极电流继承删大时，收射极电压略有降下，但是变更没有大.谷面左边的那部分个性称为鼓战区.综上所述，单结晶体管具备以下个性：（1）当收射极电压等于峰面电压U P时，单结晶体管导通.导通之后，当收射极电压小于谷面电压U V时，单结晶体管便回复停止.（2）单结晶体管的峰面电压U P与中加牢固电压U BB及其分压比有闭.而分压比是由管子结构决断的，不妨瞅干常数.对付于分压比分歧的管子，大概者中加电压U BB的数值分歧时，峰值电压U P也便分歧.（3）分歧单结晶体管的谷面电压U V战谷面电流I V皆纷歧样.谷面电压约莫正在2~5V之间.正在触收电路中，常采用稍大一些、U V矮一些战I V大一些的单结管，以删大输出脉冲幅度战移相范畴.单结晶体管触收电路单结晶体管触收的单相半控桥式整流电路图3 单结晶体管的伏安个性直线1．安排R P，使U E从整渐渐减少.当U E比较小时（U E＜U BB＋U D），单结晶体管内的PN结处于反背偏偏置，E与B1之间没有克没有及导通，浮现很大电阻.当U E很小时，有一个很小的反背泄电流.随着U E的删下，那个电流渐渐形成一个约莫几微安的正背泄电流.那一段正在图3所示的直线中称为停止区，即单结晶体管尚已导通的一段.。
单结晶体管工作原理及其应用
单结晶体管工作原理及其应用什么是单结晶体管单结晶体管又叫做双基极二极管，和二极管、三极管一样都属于晶体管的一种。
它是由一个PN结构成发射极并且有两个基极的三端晶体管。
单结晶体管内部结构单结晶体管内部由一个高电阻率的N型硅片，在其两端通过欧姆接触引出两个基极，分别为第一基极B1和第二基极B2，在靠近第二基极B2的一侧有一个PN结，在这个PN结上引出发射极E。
单结晶体管内部结构示意图单结晶体管电路符号及其等效电路单结晶体管电路特性在上面的等效电路中，单结晶体管两个基极之间的电阻称作“基极电阻”，基极电阻的阻值等于第一基极与发射极之间的电阻RB1和第二基极与发射极之间的电阻RB2值之和。
其中，RB1的阻值随着发射极E的电流变化而变化，而RB2的阻值不受发射极电流的影响。
在两个基极之间施加一定的电压VBB，则A点电压VA=[RB1/(RB1 RB2)]VBB=(RB1/RBB)VBB=ηVBB；其中η成为分压比，其数值根据不同型号的晶体管一般在0.5到0.9之间。
•当发射极电压VE<ηVBB时，发射结处于反偏状态，此时晶体管截止；•当发射极电压VE>ηVBB 二极管管压降VD时，PN结处于正向导通状态，RB1的阻值迅速减小，VE会随之下降，此时晶体管出现负阻特性，晶体管由截止进入负阻特性的临界点称为“峰点”；•随着发射极E电流的上升，发射极电压VE会不断下降，当下降到一个点之后便不再下降，这个点称为“谷点”；单结晶体管的型号命名方式以常用型号BT35为例，单结晶体管的型号命名方式如下图：单结晶体管型号命名方式单结晶体管封装及引脚识别单结晶体管采用金属直插封装，在其引脚端有引脚识别标志。
面向引脚，靠近凸起的为发射极E，逆时针方向分别为第二基极B2和第一基极B1。
单结晶体管实物单结晶体管引脚排序单结晶体管应用电路以电子驱蚊器电路为例，了解单结晶体管的应用。
超声波驱蚊器电路以上为单结晶体管BT33构成的电子驱蚊器电路图，其工作原理为：当电源开关SW闭合后，电池正极通过可调电阻RP和固定电阻R1向电容C1充电，当C1两端电压达到BT33的峰点电压时，单结晶体管导通，此时C1会通过电阻R3放电，单结晶体管截止；电池正极再次通过电阻向C1充电，当电压达到峰点电压后，晶体管再次导通。
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理复习进程
B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
单结晶体管和晶闸管ppt课件
U BR
i
导通
IH
IR
o 阻断
IG增大 I G 2 I G 1 IG 0
u
“雪亮工程"是以区（县）、乡（镇） 、村（ 社区） 三级综 治中心 为指挥 平台、 以综治 信息化 为支撑 、以网 格化管 理为基 础、以 公共安 全视频 监控联 网应用 为重点 的“群 众性治 安防控 工程” 。
u EB 1
UP
峰点电压
单结晶体管的负阻特性广泛应用于： 定时电路和振荡电路中
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3. 应用举例
b2
IE
eD
Re +
VEE
UEB1
rb2
A
VBB
rb1
b1
当b1-b2间加电源VBB 且发射极开路时
UArb1rb1rb2VBBVBB
b1
测试电路
基极b2的电流为
IB2
VBB rb1 rb2
称为单结晶体管的分压 比
当UEB1为零时，二极管承受反向电压 UEA VBB
IE为二极管的反向电流
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e
PN结
b1 基极
结构示意图
b1
符号
b2
rb2
D
单结晶体管原理
维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Ve＜Vv， 管子重新截止。二、单结晶体管的主要参数 （1）基极间 电阻Rbb 发射极开路时，基
极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度 上升而增大。（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数， 一般为0.3--0.
85。（3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压 Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。（4）反向 电流Ieo b
标签：晶体管(331)单结晶体管原理单结晶体管（简称UJT） 又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接 触电极的半导体器件，它
的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出 两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作 一个P区作为发射极e。其结构
、符号和等效电路如图1所示。一、单结晶体管的特性 从 图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2式中
1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。（5） 发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的 压降。（6）峰点
电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电 压时的发射极电流。
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电流，分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。 Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流， 显然Vp=ηVbb（3
）随着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后， Ve不在降了，这点V称为谷点，与其对应的发射极电压和 电流，称为谷点电压，Vv
和谷点电流Iv。（4）过了V点后，发射极与第一基极间半 导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续增加时，ie 便缓慢地上升，显然Vv是
二极管PPT课件(完整版)
二极管反向击穿，两引脚之间内阻很小， 二极管无单向导电性，二极管损坏.
二极管主要参数
参数名称 符号
解说
是指二极管长时间正常工作下， 最大整流电流 Im 允许通过二极管的最大正向电流
值。
反向电流
是指二极管加上规定的反向偏置
Ico 电压情况下，同过二极管的反向 电流值。
最大反向工作 电压
Urm
二极管工作时承受最大的反向电
压，处于
R1
正向偏置
状态
I+
VD1
E1
-
R1
二极 管导
通通
路
I
VD1
二极管导通的条件：
正向偏置电压; 正向偏置电压大到一定程度，对于硅管 而言0.7V，对于锗管而言为0.2V。
二极管截止状态工作原理
如果给二极管正极加的电压低于负极加的电压，称为二极
管的反向偏置电压。给二极管加反向偏置电压后，二极管截止， 二极管两引脚间电阻很大，相当于开路。如图所示，只要是反 向电压二极管就没有电流流动，如果反向电压过大，二极管会 击穿，电流从负极流向正极，说明二极管已经损坏。
极管的正极，红表笔接二极管的负极，此
时表针应向右偏转一个很大的角度，所指
示阻值较小。此时阻值越小越好。
测量正向电阻
解说
几十到几KΩ
说明二极管正向电阻正常。
正向电阻为零或远小于几 欧姆
说明二极管已经击穿。
几百KΩ
正向电阻很大，说明二极管已经开路。
几十KΩ
二极管正向电阻较大，正向特性不好。
测量时表针不稳定二极管Fra bibliotek极为R1
负电压，反向
偏置状态
E1
VD1
E1
第一章晶体二极管工作原理及应用(电气)-PPT文档资料59页
1、PN结(PN Junction)的形成
P型区
PN结
N型区 多子的扩散
多子的扩散 内建电场 (2)(随1)着多内子电的场扩由散弱运到动强产的生建空立间,电少荷子区漂建移立从内无电到有场, 逐渐加强,而扩散运动逐渐减弱, 形成平衡的PN结。
30
1.3.2 热平衡情况下的PN结
2、内建电位差或内建电压：热平衡情况下，PN结的宽
一特性，可以制造出不同性能不同用途的半导体器件。
12
硅(锗)的原子结构
Si +14 2 8 4
Ge +32 2 8 18 4
硅
+4
锗
硅(锗)的原子结构简化模型
13
1.2.2 本征半导体
1、本征半导体：
纯净的半导体单晶。
原子按一定的规则整 齐排列、结构完整。
硅(锗)的晶体结构
14
1.2.2 本征半导体
速B增、加U击F，大穿并于电按死压指U区B数R电规压律时上，升IF2。迅0
U反R/向如VC电图、压中当A正段向所电示流变I化S 很大时1，0 PN结两端电压几乎不变，硅
0
B起IF、A，/m、反所A反锗向以向特P数N电性结量流—小I—R，硅是加几少P反N乎子结向不漂偏变移压，运U又动R 称引
为反向饱和电流IS。 B、当温度升高，IS增加
第一章 晶体二极管工作原理及应
6
用
1.1 引言 1.2 半导体物理知识 1.3PN结 1.4 实际二极管的伏安特性 1.5二极管的模型、参数、分析方法及基本应用 1.6 其它类型的二极管
7
1.1 引言
正极
P
PN结
负极
N
外壳
（a） 二极管结构示意图
BT33单结晶体管(双基极二极管)原理知识讲解
B T33单结晶体管(双基极二极管)原理单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
BT33型调光台灯电路的制作
BT33型调光台灯电路的制作一、电路工作原理下图为调光台灯电路，可使灯泡两端交流电压在几十伏至二百伏范围内变化，调光作用显著。
图一、家用调光台灯电路图二、单结晶体管符号1．单结晶体管和单向晶闸管（1）单结晶体管单结晶体管有两个基极，仅有一个PN结，故称双基极二极管或单结晶体管。
图二所示是单结晶体管的图形符号，发射极箭头倾斜指向b1，表示经PN结的电流只流向bl极。
国产单结晶体管有BT31、BT32、BT33、BT35等型号。
单结晶体管在一定条件下具有负阻特性，即当发射极电流I增加时，发射极电压Ve反而减小。
利用单结晶体管的负阻特性和RC充放电电路，可制作脉冲振荡器。
单结晶体管的主要参数有基极直流电阻Rbb和分压比。
Rbb是射极开路时b 1、b2间的直流电阻，约2～10kW，Rbb阻值过大或过小均不宜使用。
另外一个是b1、b2间的分压比，其大小由管内工艺结构决定，一般为0.3～0.8。
（2）单向晶闸管晶体闸流管又名可控硅，简称晶闸管。
广泛应用于无触点开关电路及可控整流设备。
晶闸管有三个电极：阳极A、阴极K和控制极G。
图三（a）、（b）所示是其电路符号和内部结构。
单向晶闸管有以下三个工作特点：①晶闸管导通必须具备两个条件：一是晶闸管阳极A与阴极K间必须接正向电压。
二是控制极与阴极之间也要接正向电压；②晶闸管一旦导通后，降低或去掉控制极电压，晶闸管仍然导通；③晶闸管导通后要关断时，必须减小其阳极电流使其小于晶闸管的导通维持电流。
晶闸管的控制电压Vc和电流Ic都较小，电压仅几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的电压或电流却可以很大，可达数千伏、几百安培。
可见晶闸管是一种可控单向导电开关，常用于弱电控制强电的各类电路。
图三、晶闸管符号和内部结构2．电路调光原理图一中，VT、R2、R3、R4、RP、C组成单结晶体管张弛振荡器。
接通电源前，电容C上电压为零。
接通电源后，电容经由R4、RP充电，电容的电压V逐渐升高。
晶体管工作原理ppt课件
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模拟电子技术基础
IE
N
P
N
IC
e
c
ICBO
U BE
b
U CB
IB
各电极电流之间的关系
IE=IC+IB
RE
V EE
ICIEICBO
IB(1)IEICBO
上页
V CC
RC
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模拟电子技术基础
原理图
晶体管共射极接法 电路图
IE
N
P
N
IC
e
ICBcO
U BE
b
U CB IB
模拟电子技术基础
2 晶体管及放大电路基础 2.1 晶体管
晶体管又称半导体三极管 晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大 作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。
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模拟电子技术基础
晶体管图片
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模拟电子技术基础
2.1.1 晶体管的结构 晶体管的主要类型 (1) 根据结构分为: NPN型和PNP型 (2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管 1. NPN型晶体管结构示意图和符号
U BE
b
U CB
RE
V EE
发射区向基区扩散电子
V CC
RC
a. 发射区向基区扩散电子 形成发射极电流IE
称扩散到基区的发射 区多子为非平衡少子
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模拟电子技术基础
IE
NPNe源自cU BEb
U CB
发射区向基区扩散电子
RE
V EE
V CC
RC
基区向发射区扩散空穴
BT33单结晶体管双基极二极管原理 2
单结晶体管（双基极二极管）原理体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。
在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。
而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。
两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN 结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。
双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号等效电路双基极二极管的工作原理将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。
首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。
这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN 结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。
(a) (b)图2 双基极二极管的特性测试电路当基极间加电压U BB时，R B1上分得的电压为式中称为分压比，与管子结构有关，约在0.5～0.9之间。
单结晶体管及触发电路PPT课件
3．单结晶体管触发电路
3）波形分析 单结晶体管触发电路的调试以及在今后的使用过程中的 检修主要是通过几个点的典型波形来判断个元器件是否 正常。 ①桥式整流后脉动电压的波形 将探头的测试端接于“A”点，接地端接于“E”点，测 得波形。
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3．单结晶体管触发电路
②、削波后梯形波电压波形 将探头的测试端接于“B”点，测得B点的波形
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（2）脉冲移相与形成
2）波形分析 ①、电容电压的波形 将探头的测试端接于“C”点
半个周期
（a）实测波形
（b）理论波形
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（2）脉冲移相与形成
调节电位器RP的旋钮，观察C点的波形的变化范围。
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②、输出脉冲的波形 将探头的测试端接于“D”点
（a）实测波形
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（b）理论波形
调节电位器RP的旋钮，观察D点的波形的变化范围。
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3．触发电路各元件的选择
（1）、充电电阻的选择
改变充电电阻的大小，就可以改变张驰振荡电路的频率，但是频
率的调节有一定的范围，如果充电电阻选择不当，将使单结晶体
管自激振荡电路无法形成振荡。
充电电阻的取值范围为：
（3）单结晶体管的主要参数
单结晶体管的主要参数有： • 基极间电阻rbb • 分压比η
• 峰点电流IP • 谷点电压UV • 谷点电流IV
• 耗散功率等。
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单结管的管脚判断方法
• 从定位栓顺时针：e、b1、b2 • 用万用表来判断：阅读p24页材料，总结出测试方法。
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U UV IV
RE
U UP IP
双基极二极管工作原理
双基极二极管工作原理双基极二极管（BJT）是一种常用的半导体器件，也称为晶体管。
它是由三个掺杂不同材料的半导体层构成，分别是P型、N型、P型或者N型、P型、N型。
其中，P型和N型半导体层的交界处称为P-N结。
BJT主要有三个引脚，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
那么，双基极二极管是如何工作的呢？双基极二极管在工作时，会将电流从基极引入，然后将电流从集电极引出。
当输入电压从基极进入时，P-N结会被极化，电子会从N 型半导体流入P型半导体中，同时与P型半导体中的空穴复合，从而产生少量的电流。
这个电流在P-N结中形成了一个电场，使得电子和空穴移动，形成了一个正向电流。
这个正向电流在P-N结中的宽度很小，因此，只有很少的电子和空穴穿过P-N结。
这个电流的大小取决于输入电压的大小。
当正向电流通过P-N结时，它会被收集到集电极中。
由于集电极连接到P型半导体中，因此，正向电流会被P型半导体吸收并且通过它流向集电极。
在同一时间，由于输入电压的变化，基极中的电流也会发生变化。
这个变化会导致P-N结中的电场发生变化，从而影响到电子和空穴的移动。
这个影响会使得电流在P-N结中的宽度变宽，从而使得更多的电子和空穴穿过P-N结。
这个过程会导致一个放大效应，使得输出电流的变化大于输入电流的变化。
双基极二极管的放大效应有两个原因。
第一个原因是在P-N结中的电场，它可以使得电流被放大。
第二个原因是在P型半导体中的电流，它可以使得电流被放大。
这个放大效应使得双基极二极管可以作为一个放大器或者开关使用。
当双基极二极管被用作放大器时，它可以放大输入信号的幅度。
当它被用作开关时，它可以控制电流的流动。
这个控制可以是通过输入电压的变化来实现的。
双基极二极管是一种常用的半导体器件，它可以用作放大器或者开关。
其工作原理是基于P-N结的极化和电子或空穴的移动。
当输入电压变化时，会导致输出电流的变化，从而实现信号的放大或者控制电流的流动。
BT33晶体管可控整流电路
晶体管可控整流电路一、实验目的1．学习单结晶体管和晶闸管的简易测试方法。
2．熟悉单结晶体管同步触发电路的工作原理及调试方法。
二、实验前准备复习晶闸管单向可控整流电路内容三、实验原理可控整流电路的作用是把交流电变换为电压值可以调节的直流电。
图2.21 所示为单相半控桥式整流实验电路。
主电路由负载RL（灯炮）和晶闸管T1组成，触发电路为单结晶体管T2及一些阻容元件构成的阻容移相桥触发电路。
改变晶闸管T1的导通角，便可调节主电路的可控输出整流电压（或电流）的数值，这点可由灯炮负载的亮度变化看出。
晶闸管导通角的大小决定于触发脉冲的频率f ，由公式均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN结的反向电阻R B1E、R B2E均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
图2.21 单相半控桥式整流实验电路可知，当单结晶体管的分压比η（一般在0.5～0.8之间）及电容C 值固定时，则频率f 大小由R 决定，因此，通过调节电位器Rw，使可以改变触发脉冲频率，主电路的输出电压也随之改变，从而达到可控调压的目的。
用万用电表的电阻档(或用数字万用表二极管档)可以对单结晶体管和晶闸管进行简易测试。
图2.22 为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN结正向电阻R EB1、R EB2(a)(b)(c)图2.22 单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号图2.23 为晶闸管3CT3A 管脚排列、结构图及电路符号。
晶闸管阳极(A)—阴极(K) 及阳极(A) —门极(G) 之间的正、反向电阻R AK、R KA、R AG、R GA均应很大，而G —? K之间为一个PN结，PN结正向电阻应较小，反向电阻应很大。
(a)(b)(c)图2.23 晶闸管管脚排列、结构图及电路符号四、实验器材五、实验内容及步骤1．单结晶体管的简易测试用万用电表R×10Ω档分别测量EB1、EB2间正、反向电阻，记入表2.13。
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几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。
这部分特性称为饱和区。
综上所述，单结晶体管具有以下特点：
（1）当发射极电压等于峰点电压 UP 时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压 UV 时，单结晶体
管就恢复截止。
（2）单结晶体管的峰点电压 UP 与外加固定电压 UBB 及其分压比 有关。而分压比
定的，可以看做常数。
对于分压比 不同的管子，或者外加电压 UBB 的数值不同时，峰值电压 UP 也就不同。
E。两个基极之间的电阻为 RBB，一般在2~15kW 之间，RBB 一般可分为两段，RBB =RB1+ RB2，RB1是第一基极 B1至 PN 结的电阻；RB2是第一基极 B2至 PN 结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。
图1 双基极二极管的结构与符号 等效电路
双基极二极管的工作原理
将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压 UBB，再在发射极 E 和第一基极 B1之间加上电压 UE，UE 可以用电位器 RP 进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个 PN 结和二个电阻 RB1、RB2组成的等效电路替代。
是由管子结构决
（3）不同单结晶体管的谷点电压 UV 和谷点电流 IV 都不一样。谷点电压大约在2~5V 之间。在触发电路中，常选用 稍大一些、UV 低一些和 IV 大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。
单结晶体管触发电路 单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路
4
图3 单结晶体管的伏安特性曲线
5
Up＝ UBB＋UD
式中 UD 为单结晶体管中PN 结的正向压降，一般取 UD＝0.7V。
在单结晶体管中 PN 结导通之后，从发射区（P 区）向基压（N 区）发射了大量的空穴型载流子，IE 增长很快，E 和
B1之间变成低阻导通状态，RB1迅速减小，而 E 和 B1之间的电压 UE 也随着下降。这一段特性曲线的动态电阻
2
(a)
(b)
图2 双基极二极管的特性测试电路
当基极间加电压 UBB 时，RB1上构有关，约在0.5～0.9之间。
2.当 UE＝ UBB＋UD 时，单结晶体管内在 PN 结导通，发射极电流 IE 突然增大。把这个突变点称为峰点P。对应的 电压 UE 和电流 IE 分别称为峰点电压 UP 和峰点电流 IP。显然，峰点电压
为
3
负值，因此称为负阻区。而 B2的电位高于 E 的电位，空穴型载流子不会向 B2运动，电阻 RB2基本上不变。
当发射极电流 IE 增大到某一数值时，电压 UE 下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点 V。与此点相对应的是 谷点电压 UV 和谷点电流 IV。此后，当调节 RP 使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。谷点右边的
单结晶体管（双基极二极管）原理
体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图
判断单结晶体管发射极 E 的方法是：把万用表置于 R*100 挡或 R*1K 挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔 接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 单结晶体管 B1 和 B2 的判断方法是：把万用表置于 R*100 挡或 R*1K 挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接 另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是 B1 极。 应 当说明的是，上述判别 B1、B2 的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的 E--B1 间的 正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是 B1，哪极是 B2 在实际使用中并不特别重要。即使 B1、B2 用颠倒 了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲 幅 度偏小时，只要将原来假定的 B1、B2 对调过来就可以了。
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单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管
双基极二极管(单结晶体管)的结构 双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的 N 型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别 称为第一基极 B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近 B2处制作一个 PN 结，在 P 型硅上引出一个电极，称为发射极