电介质及其介电特性-损耗
电介质材料的介电常数和损耗的频率特性
〈一〉实验目的 〈二〉实验仪器 〈三〉实验原理 〈四〉操作步骤 〈五〉数据处理
〈一〉实验目的
1.熟练掌握MODEL TH2816型宽频LCR数字电桥的使用;
2.测量几种介质材料的介电常数 和介质损耗角正切 (tan)与频率的关系,从而了解它们的 、tan 的频
原因,并分析产生误差的可能性; 4. 比较不同偏压下的ε , tg δ与频率关系曲线的异同,
并分析原因。
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介电损耗值,即 tan /, 又称介质损耗因数。δ是电 介质的电位移D由于极化弛豫而落后电场E的一个相位角。 由于介质的各种极化机构在不同的频率范围有不同的响应和
不同频率下产生不同的电导率,所以介质的介电常数和介电
损耗都是随频率的变化而变化。如不考虑边缘效应,平板试
样的电容量可用下式表示:
(5)选择不同的测量频率,测出不同频率下的电容C和损 耗tg δ的值。(可设置的频率范围为:20 Hz — 150 kHz)
(6)再分别将内偏调到5V, 10V重复测量。
〈五〉数据处理
1. 由测量数据,进行转换:C→ε'; 2. 用origin软件绘图,绘出 ε'~ f和 tg δ ~ f关系曲线; 3. 对所得曲线进行分析:分析,tan与频率变化的
电介质的介电损耗一般用损耗角正切tan 表示,并定义
为: 介质损耗的功率(即有功功率)
tan
无功功率
。在直流电场下,电介质内只有
泄漏电流所产生的电导损耗;但在交变电场中,除电导损耗
外还存在着各种形式的极化所产生的损耗,即松弛极化损耗。
介质损耗因数 介电损耗角正切
介质损耗因数与介电损耗角正切一、引言在电介质物理学和电气工程领域,介质损耗因数和介电损耗角正切是两个关键的参数,用于描述电介质在交流电场下的电气性能。
介质损耗因数用于衡量电介质在交流电场作用下的能量损耗程度,而介电损耗角正切则反映了能量的损耗与存储之间的平衡关系。
这两个参数在评估电介质材料性能、优化电气设备和改善电力传输效率等方面具有重要意义。
本文将详细介绍介质损耗因数和介电损耗角正切的基本概念、测量方法及其在实践中的应用。
二、介质损耗因数介质损耗因数,也称为介质损失角正切,是用于描述电介质在交流电场下能量损耗程度的参数。
该参数是通过比较电介质中能量损耗与无损理想介质的能量损耗得到的。
在交流电场作用下,电介质内部的束缚电荷将被迫移动,并在电场反复变化时与自由电荷相互碰撞,导致能量的损失。
这种能量损耗表现为介质中的热能生成。
介质损耗因数越小,说明电介质在交流电场下的能量损耗越低,其电气性能越好。
三、介电损耗角正切介电损耗角正切是用来描述电介质在交流电场下能量损耗与存储之间平衡关系的参数。
它定义为介质电导率与介质电容率之比的反正切,即:tanδ= δ′/δ″。
其中,δ′和δ″分别为电介质的实部和虚部。
介电损耗角正切反映了电介质在交流电场下能量转换为热能、光能等其他形式的能量的程度。
在实际应用中,介电损耗角正切的测量对于评估绝缘材料性能、预防电气设备过热等方面具有重要意义。
四、介质损耗因数和介电损耗角正切的关系介质损耗因数和介电损耗角正切之间存在密切的关系。
在理想情况下,当电介质没有能量损失时,其介电常数为实数,不存在虚部,因此tanδ= 0。
然而,在实际的电介质材料中,由于能量的损失,介电常数存在虚部,因此tanδ≠0。
介质损耗因数和介电损耗角正切之间的这种关系反映了电介质在交流电场下能量转换的平衡状态。
五、实验测量与应用实验测量是获取介质损耗因数和介电损耗角正切的关键手段。
常用的测量方法包括西林电桥法、变频变压器法和Q表法等。
《高电压技术系列》--电介质的极化、电导和损耗
电介质放入极板间,就要受到电场的作用,介质原
子或分子结构中的正、负电荷在电场力的作用下产生 位移,向两极分化,但仍束缚于原子或分子结构中而 不能成为自由电荷。结果,在介质靠近极板的两表面 呈现出与极板上电荷相反的电的极性来,即靠近正极 板的表面呈现负的电极性,靠近负极板的表面呈现正 的电极性,这些仍保持在电介质内部的电荷称为束缚 电荷。正由于靠近极板两表面出现束缚电荷,根据异 极性电荷相吸的规律,要从电源再吸收等量的异极性 电荷Q′到极板上,这就导致Q=Q0+ Q′>Q0。
用于电容器的绝缘材料,显然希望选用r 大的电介质,因 为这样可使电容的体积减小和重量减轻。但其他电气设备中往
往希望选用 r 较小的电介质,这是因为较大的 r往往和较大的 电导率相联系,因而介质损耗也较大。采用 r 较小的绝缘材料
还可减小电缆的充电电流、提高套管的沿面放电电压等。
在高压电气设备中常常将几种绝缘材料组合在一起使用, 这时应注意各种材料的r 值之间的配合,因为在工频交流电压 和冲击电压下,串联的多层电介质中的电场强度分布与各层电 介质的r 成反比。
四、空间电荷极化
上述三种极化都是由带电质点的弹性位移或转向形成的, 而空间电荷极化的机理与上述不同,它是带电质点(电子或正、 负离子)的移动形成的。最典型的空间电荷极化是夹层极化。
当开关S和上,两电介质 都发生极化。由于电介 质不同,极化程度也不 同,故交界面处积聚的 异号电荷不相等。如: 介质Ⅰ下部边缘处积聚 的正电荷比介质Ⅱ上部 边缘处积聚的负电荷多 的话,则在两介质交界 面处显示出正的电极性 来。这种使夹层电介质 分界面上出现电荷积聚 的过程称为夹层极化。
最基本的极化形式有电子式极化、离子式极化、偶极子极 化和空间电荷极化等。
材料的电介质常数与介电损耗分析
材料的电介质常数与介电损耗分析【引言】材料的电介质常数和介电损耗是在电磁场中对材料性能的重要描述。
电介质常数表征了材料对电场的响应能力,介电损耗则量化了电场能量转化成热能的过程。
本文将分析电介质常数和介电损耗的概念、影响因素以及在实际应用中的意义。
【电介质常数】电介质常数是材料在电场作用下电容率和真空电容率之比。
通常用εr 表示,即εr = ε/ε0,其中ε 为材料的电容率,ε0 为真空电容率。
电介质常数可以分为静电介电常数和频率相关的介电常数。
静电介电常数指的是在低频电场中材料的电介质常数,通常用εs 表示。
而频率相关的介电常数则是指在高频电场中材料的电介质常数,通常用ε' 表示。
电介质常数的大小与电介质中分子的极性有关。
具有极性的分子往往能够在电场作用下被极化,从而增加电场的效应。
因此,极性分子较多的材料通常具有较高的电介质常数。
此外,电介质常数还受到温度、湿度等因素的影响。
温度升高会导致材料分子的热运动增加,进而减弱电介质常数。
而湿度增加则会导致水分子的存在,使材料的电介质常数发生变化。
【介电损耗】介电损耗是指电介质在交变电场中能量损耗的程度。
它是由于交变电场作用下材料分子内部摩擦和分子极化产生的能量损耗。
介电损耗可通过介电损耗因子tanδ 来描述,即tanδ = tan(δ),其中δ 为材料的损耗角。
介电损耗因子tanδ 是一个无量纲的物理量,一般在介电材料频率运动较低时小于1。
当tanδ 接近或等于1时,表示能量损耗较大,材料耗散性能较差。
介电损耗不仅导致电能转化为热能,还会降低电介质的质量因数和功率因数。
因此,在实际应用中,我们需要尽可能选择具有较低介电损耗的材料,以提高系统的效率。
【影响因素】材料的电介质常数和介电损耗受多种因素的影响。
1. 结构因素:材料的晶体结构、分子结构和化学成分是决定电介质常数和介电损耗的重要因素。
例如,有机材料中,分子之间的共价键或氢键等对极化和能量损耗有显著影响。
5 电介质的极化、电导和损耗
电介质分类: 按状态分气体、液体和固体三类 气体介质广泛用作电气设备的外绝缘; 液体和固体介质广泛用作电气设备的内绝缘。
常用的液体介质:变压器油、电容器油、电缆油; 常用的固体介质:绝缘纸、纸板、云母、塑料、电瓷、玻璃、 硅橡胶。 电介质的电气特性表 现在电场作用下的:
2、介质损耗
交流时流过电介质的电流:
I=I R+I C
介质损耗(有功损耗):
P UI cos=UIR UIC tan=CU 2 tan
由上式可见,介质功率损耗P与试验电压、被试品尺寸等因 素有关,不同试品间难以互相比较;而对于结构一定的被试 品,在外施电压一定时,介质损耗只取决于tan δ。 tan δ被称为介质损耗角正切,它只与介质本身特性有关, 与材料尺寸无关,因而不同试品的tan δ可相互比较。
①偶极子极化;②夹层极化
偶极子极化(转向极化) 非弹性极化; 特点: 极化时间较长; 频率对极化有影响; 有能耗;
(a)无外电场 (b)有外电场
温度较低时,T↑→分子间作用力↓→转向容易→极化↑; 温度较高时→热运动加剧阻碍转向→极化↓
夹层极化 合闸瞬间:
U1 U2
t 0
C2 C1
稳定后: U1
对同类试品绝缘的优劣可用tan δ来代替P对绝缘进行判断。
tanδ的物理含义:表征单位体积均匀介质内能量损失的大小
介质损耗的等值电路分析可用并联等效电路或串联等效电路
Ir U /R 1 tg p I c U C p C p R
U2 Pp U 2 C p tg R
2、影响电介质电导的因素
场强、杂质和温度。
(1)电压(电场强度):
(2)杂质:
5电介质的极化、电导和损耗
4、表面电导:对固体介质,由于表面吸附水分和污秽存在表 面电导,受外界因素的影响很大。所以,在测量体积电阻 率时,应尽量排除表面电导的影响,清除表面污秽、烘干 水分、在测量电极上采取一定的措施。
二、电介质的泄漏电流和绝缘电阻
i=i1+i2+Ig I1-充电电流:无损极化对应的 纯电容电流,又称快极化电流; I2-吸收电流:为有损极化对应 的电流(主要为夹层极化),又称慢极化电流; Ig-泄漏电流: 介质中少量离子或电子移动形成的电流,即电导电流。
一、电导的分类
电介质电导分为离子电导、电子电导 1、电子电导:一般很微弱,因为介质中自由电子数极少; 如果电子电流较大,则介质已被击穿。 2、离子电导: 本征离子电导:极性电介质本身离解呈现的电导; 杂质离子电导:在中性和弱极性电介质中,主要是杂质离解 呈现的电导。 3、电泳电导: 载流子为带电的分子团,通常是乳化态的胶体粒子(如绝 缘油中悬浮胶粒或细小水珠)吸附电荷变成了带电粒子。
极化结果: 等值电容增大;夹层界面堆积电荷产生极性
极化特点: 与分子结构无关;极化时间长(G很小); 有能耗,负的温度系数。
各种极化类型的比较
极化类型 电子式 离子式 偶极子式 夹层介质 界面 产生场合 任何电介质 极化时间(s) 10-15 10-13 10-10~10-2 10-1~数小时 极化原因 束缚电荷的位移 离子的相对偏移 偶极子的定向排列 自由电荷的移动 能量损耗 无 几乎无 有 有
一、介质的极化和介电常数
1、极化定义
电介质在电场作用下,其束缚电荷相应 于电场方向产生弹性位移现象和偶极子的取向现象。
2、介电常数
表示极化强弱的一个物理量。 以真空平板电容器为例分析:
极化前:
电介质物理及其应用-极化和介损部分
3.介质极化的宏观参数—介电常数
电介质的介电常数(εr)是描述电介质极化的宏观参数.
r
D
解: P cos
00
P
900 0
1800 P
0E
D、E——分别为电介质中电感应强度、宏观电场强度 介电常数的意义:用平板电容器为例进行说明
极化前
极化后
Dx = qEi / k
q Ei a Ei k
2
x
4 0 a 3 Ei Ze
a
Ei
qx
e 4 0 a 3
q2 k
e Zex 4 0 a 3 Ei
异性离子的相互作用势能为:
u x q2 b 4 0 x 4 0 x n
n 1 q 解得: k 3
4 0 a
∴离子极化率为: a E
、
i
q 2 4 0 a 3 k n 1
偶极分子位能大小:
u ql E 0 Ei 0 Ei cos
离子中心距离a可以认为是正、负离子的半径之和
a
4 0 r r n 1
α—极化率,单位是Fm2,
P Nμ i N E i
Cm Cm F m2 V/m V
2
所以极化强度P又可表示为:
P 0 r 1 E N Ei
⑤夹层(界面)极化 说明:在实际介质中,往往是多种机化并存!
r 1
N E i (克劳休斯Clausius 方程) 0E
建立时间约为10-12~10-13s,当交变电场的 特点: 频率f<红外光频率时,离子极化来得及建立。
电介质材料的介电常数和损耗的频率特性
〈二〉实验仪器
TH2816型宽频LCR数字电桥、样品
〈三〉实验原理
介电常数,又称电容率,是电位移D与电场强度E之比 = D/E ,其单位为F/m ,真空的介电常数 F/m ,而相对介电常数为 同一尺寸的电容器中充入电介质时的电容和不充入电介质时 真空下的电容之比.介电常数小的电介质,其分子为非极性或 弱极性结构,介电常数大的电介质,其分子为极性或强极性结 构.在交变电场作用下,电介质的介电常数为复数,复介电常数 的实部与上述介电常数的意义是一致的,而虚部表示损耗.介 质的介电损耗是指由于导电或交变电场中极化弛豫过程在电 介质中引起的功率损耗.这一功率损耗是通过热耗散把电场 的电能消耗掉的结果.
电介质材料的介电常数及损耗 的频率特性
〈一〉实验目的 〈二〉实验仪器 〈三〉实验原理 〈四〉操作步骤 〈五〉数据处理
〈一〉实验目的
1.熟练掌握MODEL TH2816型宽频LCR数字电桥的使用;
2.测量几种介质材料的介电常数 和介质损耗角正切 〔tan 与频率的关系,从而了解它们的 、 tan 的频率
电介质的介电损耗一般用损耗角正切tan 表示,并定义
为:tan介 质 损 耗 的 无 功 功 率 功 ( 率 即 有 功 功 率 ).在直流电场下,电介质内只有泄 漏电流所产生的电导损耗;但在交变电场中,除电导损耗外还
存在着各种形式的极化所产生的损耗,即松弛极化损耗.此时,
复介电常数
的虚部i与实 部的比值,即为介电损耗
〔3将被测圆形陶瓷片接在测试夹具上,并将样品由测试架引 出的两极接入LCR数字电桥.
〔4选择合适的等效方式:按"等效"键即可选择串、并联或 自动等效方式〔即将被测器件看作是串联或并联的等效 方式,当选择"自动"时,仪器将自动选择.
2. 第一章 电介质极化、电导、损耗
8
§1.2 电介质的电导
二、影响电介质电导的因素
9
1.电场的影响
2.温度的影响
电场↑
温度↑
杂质↑
电导↑
3.杂质的影响
§1.2 电介质的电导
三、电介质在直流电压作用下的吸收现象
10
一固体电介质加上直流电压 U,可以观察到流过
电介质电流i 从大到小随时间衰减,最终稳定于
某一数值,此现象就称为吸收现象。
也表征了介质损耗的特性。
2.在交流电压下
tgδ表征介质损耗的大小。
17
§1.3 电介质的损耗
三、影晌tgδ的因素 1.频率
18
2.温度
3.电压
ห้องสมุดไป่ตู้
§1.3 电介质的损耗
四、介质损耗在工程应用上的意义 1.选材;
19
2. tgδ值的测量是电气设备绝缘试验中的一个基本 项目; 3.合理使用设备。
1
第一章 电介质的极化、电导和损耗
2
电介质在电压 (电场 )作用下,会发生极化、电导、 损耗和击穿等现象, 这是电介质的基本电气特性。 认识影响这些电气性能的各种因素以及各现象在 工程中的意义。能帮助我们合理地选择和使用绝缘 材料,同时为后面的绝缘试验提供了理论基础。
§1.1 电介质的极化
一、电介质的极化(基本概念) 电介质在电场作用下,由于束缚电荷的位 移或偶极分子的转向,在介质两端面上出 现等量异号电荷,对外显示电性的现象,
2.采用组合绝缘时选择介电系数合理搭配的绝 缘材料; 3.通过测ε值来判断绝缘材料的受潮情况及含 气泡的多少
§1.2 电介质的电导
一、电介质电导的基本概念 电介质在电场作用下,有一定电流流过的现象, 称为电介质的电导。 这是因为在电介质内部还是存在数量很少的带 电粒子。 表征不同电介质电导过程强弱程度的物理量是 电导率γ(或电阻率ρ)。 电介质的电阻率一般达109~1022Ω•cm,而导体 的电阻率在10-2Ω•cm 以下,可见两者差别之大。
电介质及其介电特性-基本介电现象
20
电介质的功能特性
2. 2 电-热效应
介质在电场作用下由于电导电流和极化吸收电 流会引起发热,其发热量一般与E 2成正比:
Q E
2
此时,电能变为热能是不可逆的,称为电介质损耗,
特别在高频交流电场下,此发热可变得相当明显。
电介质理论及其应用
21
电介质的功能特性
在一些热释电晶体中,不仅有平方关系的电热效 应,还同时存在线性的热电效应:
Q E
——电热常数
此为可逆效应。即在此种晶体加热时往往有电 荷释放出,故称为热释电效应。
温度对介质的电性能有明显影响,其影响规律 往往成为探索介质物理机理的主要实验依据。
电介质理论及其应用
22
电介质的功能特性
2. 3 电-光效应
光本质上是一种极高频率电磁波,当光波穿过电介质 时,同样会有介质极化和能量损耗(介质吸收)的现象。 光频极化常用光折射率n 来表征。光折射率n 是光在真空 中的速度c与在介质中的速度之比(n=c/ )。 根据麦克斯韦尔电磁波方程有:
电介质理论及其应用
18
电介质的功能特性
在具有非中心对称结构的固体电介质中,除了 上述的平方效应以外还观察到一种变形正比于电 场的线性效应,即:
X dE
d——压电模数
当介质上电压极性改变,即E变号时,机械形变X的符号 亦将变号,电场可引起固体伸长或压缩。 这一类介质在弱电场下此效应明显,不仅在电场作用下 能引起机械变形,而且在力场作用下亦能引起介质极化, 使介质表面带电——“压电效应(Piezoelectric effect)”。
电介质理论及其应用
10
电介质在电场作用下的主要特性
第一章电介质极化、电导和损耗
由于这种极化涉及电荷的移动和积聚,必然伴随能量损耗, 而且过程较慢,一般需要几分之一秒、几秒、几分钟、甚至 几小时,所以这种极化只有在直流和低频交流电压下才能表 现出来。
第一章电介质极化、电导和损耗
第二节、电介质的电导
电导率是表征电介质导电性能的主要物理量,其倒数 为电阻率。按载流子的不同,电介质的电导又可分为离子 电导和电子电导两种。
第一章电介质极化、电导和损耗
•• •
交流:流过电介质的电流 I IRIC
第一章电介质极化、电生方向相反的偏移,使平均 偶极矩不再为零,介质呈现极化。
离子式极化的特点: 1、离子相对位移有限,外电场 消失后即恢复原状;
2、所需时间很短,其 r 几乎与
外电场频率无关。
第一章电介质极化、电导和损耗
温度对离子式极化的影响: 1、离子间的结合力会随温度的升高而减小,从而使极化 程度增强; 2、离子的密度随温度的升高而减小,使极化程度减弱。
第一章电介质极化、电导和损耗
1、电子电导:一般很微弱,因为介质中自由电子数极少; 如果电子电流较大,则介质已被击穿。
2、离子电导: 本征离子电导:极性电介质有较大的本征离子电导,电 阻率1010~1014cm 杂质离子电导:在中性和弱极性电介质中,主要是杂质 离子电导,电阻率1017~1019cm
第一章电介质极化、电导和损耗
固体、液体介质的电导率 与温度T 的关系:
B
Ae T
式中:A、B 为与介质有关的常数,其中固体介质的常数B 通常比液体介质的B 值大的多。T 为绝对温度,单位为K 。
该式表明, 随温度T 按指数规律上升。
第一章电介质极化、电导和损耗
第三节、电介质的损耗
电介质和其介电特性基本介电现象
电介质理论及其应用
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电介质在电场作用下旳主要特征
主要判据:
dI dU
dU 0 dI
电介质理论及其应用
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电介质在电场作用下旳主要特征
在均匀电场下:如介质厚度d,介质击穿电压UB
EB
UB d
EB ——介质击穿场强,描述电介质耐电压特征旳
电介质理论及其应用
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电介质在电场作用下旳主要特征
电导特征是任何一种材料(不论导体、半导体、 还是电介质)都具有旳电学性质,并非电介质所特 有。但不同材料在电导率旳大小上却相差很远:
例如:一般导体γ=109(S/m )
绝缘性能良好旳电介质γ=10-18(S/m )
相差1027倍。
导电机理有明显区别,所以对电介质电导需作 专门旳讨论。
所以: r 为温度、电场频率、电场强度旳函数; v 则为温度、电场强度旳函数。
电介质理论及其应用
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电介质在电场作用下旳主要特征
1. 3 介质损耗
在交变电压下,因为极化,使介质中 存在电容 电流和电导电流。
对电容器而言:希望电容电流大,而引起损耗 旳电导电流小。从而引入一种新旳介质物理参数—
—介质损耗角正切tan。
➢ 光具有粒子性,一定频率旳光子具有能量h,它与介质相
互作用将能引起介质中载流子密度和电导率旳变化。
❖ 光与介质旳极化和电导特征都有着亲密旳关系。
电介质理论及其应用
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电介质旳功能特征
❖ 光照引起电介质电导剧烈增长旳现象是最广泛旳一 种光电效应——光电导效应(Photoconduction effect)。 这是因为光子进入介质引起介质中束缚电子旳活化,产 生新旳导电载流子,使介质旳电导率增大。
介电常数介质损耗
介电常数介质损耗
介电常数和介质损耗是电介质在电场作用下的两个重要参数。
介电常数(permittivity)是指物质保持电荷的能力。
在电场中,介电常数描述了电介质在电场作用下存储静电能的相对能力。
介电常数越大,材料在电场中存储静电能的能力就越强。
介质损耗(dielectric loss)是指电介质在电场作用下发热而损耗的那部分能量。
介质损耗与介电常数之间存在一定的关系,理想的介电材料损耗因子较小。
介质损耗对于用在高压装置、高频设备,特别是用在高压、高频等地方的材料和器件具有特别重要的意义,介质损耗过大,不仅降低整机的性能,甚至会造成绝缘材料的热击穿。
在选择绝缘材料或介质贮能材料时,都需要考虑介电常数和介质损耗。
介电常数通常用介电常数来衡量,而介质损耗则用介质损耗角正切值来表示。
电介质极化电导与损耗
r
0
C C0
Q0 Q' Q0
0 r
复合介质中的电场分布问题
以平板电极间的电场为例:
(1)交流电压下
根据电磁场理论,不同介质交界面电位移矢量 D 在法线方向上
连续,D = E,因此可得:1E1=2E2
由,E1=U1/d1,E2=U2/d2,U1+U2=U,可得:
交流电压下双层电介质中的电场分布, ( a 双层电介质;b 电场分布;c 电压分布)
真空中两极板之间的电容:
C0
Q0 U
0A
d
0:真空中的介电常数,8.85410-14 F/cm
单位面积极板上的电荷(电荷密度):
Q0 A
0ED0
D:电位移矢量(电通量密度)
电介质发生极化后,极板间的电容量增为:
CQ0 Q' A
Ud
:介质的介电常数
此时,单位面积极板上的电荷为:
QQ0Q' ED
AA
2、电介质极化种类
极化的基本形式:
(1)、电子位移极化 (2)、离子位移极化 (3)、偶极子转向极化 (4)、热离子极化 (5)、夹层介质界面极化 (6)、空间电荷极化
(1)、电子位移极化
当物质原子里的电子轨道受到外电场E的作用时, 它将相对于原子核发生位移而形成极化。
e +
电子位移极化的特点
离子键:正、负离子形成一个很大的键矩(偶极矩), 因此它是一种强极性键,由它组成的分子为强极性分子。
氯化钠
H.
O.
+
.H
H2O
电介质极化
以极性分子为例:
无外电场时,有极分子电矩取向不同,整个介质不 带电;加上外电场后,电矩受力矩作用而发生转向,在介 质左右两端面上出现极化电荷。
介质的极化、电导和损耗
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第2章 液体的绝缘特性与 介质的电气强度
液体电介质又称绝缘油,在常温下为液态,在 电气设备中起绝缘、传热、浸渍及填充作用,主 要用在变压器、油断路器、电容器和电缆等电气 设备中。在断路器和电容器中的绝缘油还分别有 灭弧和储能作用。
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液体电介质的电气强度比气体高;用液体介质代替气体介 质制造的高压电气设备体积小,节省材料;液体介质大多可燃, 易氧化变质,导致电气性能变坏。
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1.3 电介质的损耗 ★
1.3.1 电介质的能量损耗 1.3.2 介质损失角正切tgδ 1.3.3 有损介质的等效电路分析 1.3.4 影响介质损耗的因素 1.3.5 讨论tgδ的意义
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1.3.1 电介质的能量损耗
在电场作用下没有能量损耗的理想介质不存在, 实际电介质中总有一定的能量损耗,包括由电导引起 的损耗和某些有损极化引起的损耗,总称为介质损耗。
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特点:在没有外电场时,无极分子没有电偶极矩,分子不显电 性。而在外电场作用下,原来正、负电中心重合的分子,电子 轨道相对于原子核发生偏移,正、负电中心彼此分离。
(2)离子式位移极化
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特点:离子极化又称为原子极化。无外电场时,介质中大量正 负离子组成的离子对的偶极矩相互抵消。而在外电场作用下,
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平板电容器的介电常数
平行平板电容器在真空中的电容量为
C0
0A
d
当极板间插入固体介质后,电容量为 C A 0r A
式中 A-极板面积,cm2;
dd
d-极间距离,cm;ε-介质的介电常数
ε0-真空的介电常数,ε0=8.86×10-14F/cm
定义 r
0
C C0
电介质与介电特性_损耗
经过后即可消除。感应偶极矩随时间的变化率:
d d (0)E
dt
在交流电场下: E E0 sin(t) E0 exp(it)
d
dt
d (0)
E0
exp(it)
解方程可得: d ()E0 exp(it)
(2)松弛区——b 温度升高,下降,在 1区域
松弛极化对已有明显的贡献;但极化的建立较之电场的变化有明显的
滞后现象,松弛损耗仍然存在;”、p、tan均出现峰值。
s 1 2
2
2
2
1 2 2
tan s 2 2
热的形式转化为分子的无序碰撞,受频率、场强和损耗角 正切的影响。
在频率、介质介电常数和电场强度一定的情况下,tan 可以表征介质损耗的大小。
电介质理论及其应用
12
极化损耗的频率温度特性
2. 极化损耗的频率温度特性
* r
' r
i
" r
1 2
2
s
相对介电常数:
* r
' r
i
" r
r’与 r”均随频率变化。 =0, r’= r’(0); =, d=0, r’= 1 r”在低频和高频下均为0,当=1时出现峰值。
实部r’ 表示相对介电常数,可用于计算介质电容 虚部r”表示介质能量损失,即偶极子克服随机碰撞而定向
3
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由于介电温谱比介电频谱测试方便,因而常被采用, 许多极性介质都可测得上述的变化规律。 当测试介质温 度谱的电场频率增 高时,ε”、p、 tanδ的峰值点向高 温方向平移。
电介质理论及其应用
20
柯尔-柯尔(Cole-Cole) 柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图
3.柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图
3.2 具有两个分离松弛时间
从ε”最大值可得到松弛时间τ=1/ω
电介质理论及其应用
22
柯尔-柯尔(Cole-Cole) 柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图
3.3 具有一组松弛时间
ε = ε ′ − jε ′′ = ε ∞ +
∗
∆ε 1 + (iωτ β )1−α
α表示松弛时间分散度的常数, 0<α<1
u0
∆ε − kT ε ′′ = e cω
u0
e
−
u0 kT
∆ε − kT 2 p= e Em 2c
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18
极化损耗的频率温度特性 (2)松弛区——b
温度升高,τ下降,在ωτ ≈ 1区域
松弛极化对ε已有明显的贡献;但极化的建立较之电场的变化有明显的 滞后现象,松弛损耗仍然存在;ε”、p、tanδ均出现峰值。
εs 在ωτ = 时: ε∞
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tan δ max =
∆ε 2 ε sε ∞ )
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极化损耗的频率温度特性 (3)高温区——c
高温下,τ很小,ωτ << 1
松弛极化建立较快,跟得上电场的变化。 无明显的松弛性损耗,电导是损耗的主要来源。 ε”、p、tanδ随温度增加再次作指数式上升。
电介质理论及其应用
4
I
极化的建立过程与介质损耗
1. 1 介质极化过程中的电流
在恒定电场作用下,均匀电介质中的电流 j: 位移极化产生的瞬时电流 j∞ 松弛极化引起的松弛电流 ja+jc , ——吸收电流 电导电流 jγ ,——贯穿电导损耗
j∞ j∞
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5
极化的建立过程与介质损耗
1.2 转向极化率随频率的变化
9
ε = ε − iε
极化的建立过程与介质损耗
对上图模型及等效电路,可得导纳:
i ω A ε 0 ε r* i ω A ε 0 ε r' ω A ε 0 ε r" Y = iω C * = = + = iω C + G P d d d
可得介质的等效电容和电导:
C= Aε 0 ε d
' r
——不产生有功损耗 G P =
3.1 具有单一松弛时间
ε′ = ε∞ +
∆ε 1 + ω 2τ 2
ε ′′ =
ωτ∆ε 1 + ω 2τ 2
消去ωτ可得:
(ε ′ −
εs + ε∞
2
∆ε 2 ) + ε ′′ = ( ) 2
2 2
柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图方程
电介质理论及其应用
21
柯尔-柯尔(Cole-Cole) 柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图
ε s + ε ∞ ω 2τ 2 ε′ = 1 + ω 2τ 2
tan δ =
在ωτ =
ε ′′ =
ωτ∆ε 1 + ω 2τ 2
ωτ∆ε ε s + ε ∞ω 2τ 2
3
′′ ≈ 1时: ε max =
ω 2τ∆ε 2 p= Em 2(1 + ω 2τ 2 )
∆ε 2
1
p max =
ω∆ε
4
2 Em
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7
极化的建立过程与介质损耗 假设分子间碰撞的平均时间为松弛时间τ——使每个分子感 应偶极矩无序化所需的平均时间。 如果µ为瞬时感应偶极矩,则µ-αd(0)E为剩余感应偶极矩, 经过τ后即可消除。感应偶极矩随时间的变化率:
µ − α d ( 0) E dµ =− dt τ
在交流电场下: E = E0 sin(ωt ) = E0 exp(iωt ) 解方程可得: µ = α d (ω ) E0 exp(iωt )
单位体积介质的功率损耗或单位时间的能量损失——以 热的形式转化为分子的无序碰撞,受频率、场强和损耗角 正切的影响。 在频率、介质介电常数和电场强度一定的情况下,tanδ 可以表征介质损耗的大小。
电介质理论及其应用
12
极化损耗的频率温度特性
2. 极化损耗的频率温度特性
ε = ε − iε
* r ' r
[ε ′ −
εs + ε∞
2
] 2 + [ε ′′ + (
∆ε απ ∆ε απ ) tan( )]2 = [( ) sec( )]2 2 2 2 2
如电介质中松弛时间具有较明显的分散性,将使损耗因数ε” 的峰值降低,介电常数ε’随ω的变化变缓。
电介质理论及其应用
23
谢 谢!
电介质理论及其应用
24
* ' " r r r εr’与 εr”均随频率变化。 ω=0, εr’= εr’(0); ω=∞, αd=0, εr’= 1 εr”在低频和高频下均为0,当ωτ=1时出现峰值。 实部εr’ 表示相对介电常数,可用于计算介质电容 虚部εr”表示介质能量损失,即偶极子克服随机碰撞而定向
电介质理论及其应用
电介质的损耗
电介质理论及其应用
1
电介质的损耗
主要内容: 主要内容:
1. 极化的建立过程与介质损耗 2. 极化损耗的频率温度特性 3. 柯尔-柯尔(Cole-Cole)圆图
电介质理论及其应用
2
极化的建立过程与介质损耗
1. 极化的建立过程与介质损耗
极化建立都不是瞬时完成的,必须经过一定的时间。电 子位移极化建立最快,约为10-14~10-15秒。而与热运动有关 的松弛极化建立则需要较长的时间,10-2~10-7秒。 因此,在介质上加以较高频率的电场时,往往仅有建立 较快的位移极化,能够跟得上建立,介质的介电常数值将 比在直流和工频电场下的值要低。 介质的介电常数,不仅与温度有关,而且与加在介质上 的电场频率密切相关。即
p
ε ′ = ε ∞ + ∆ε = ε s
γ ε ′′ = ω
γ tan δ = ωε s
2 γE m
p=
2
各种极化均来得及建立,介电常数ε’与直流下εs一致; 损耗只有与频率无关的电导损耗,因而ε”、tanδ随频率增 加而倒数式的下降。
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14
极化损耗的频率温度特性 (2)松弛区
ωτ ≈ 1, 且忽略电导损耗
介质的静态介电常数反映的是直流电场作用下的极化效 应;当外加正弦交变电场时,介质的极化导致不同于静态的 交流介电常数。如果某瞬时每个分子产生的感应偶极矩能够 跟上电场的变化,则任一瞬时有: 2
µ = αd E
αd具有直流条件下的最大值
αd =
µ0
3kT
但有两个因素影响偶极子沿电场方向定向: (1)热运动使偶极子定向无序化。如气体分子碰撞,液体、 固体中格点的无序振动。 (2)分子间的强相互(粘滞)作用(特别在液体和固体中) 使分子的旋转不能立即跟上电场的变化。
ωAε 0 ε r"
d
——产生有功损耗
10
电介质理论及其应用
极化的建立过程与介质损耗 总输入功率W:
W = IV = YV 2 = iω CV 2 + G PV 2
式中第二项是实数,表明介质中的功率损耗与εr”有关,且 当ω=1/τ时出现峰值。 由此可见,电场的储能速率取决于ω;而能量转化为分 子碰撞的速率则取决于1/τ。 当ω=1/τ时,两过程以相同速率发生,因此能量转化为 热最有效。 频谱中的εr”峰值被称为松弛峰,在对应的频率 下,偶极松弛产生最大功率损耗。
ε = ε (ω , T )
电介质理论及其应用
3
极化的建立过程与介质损耗 在极化建立过程中,相对于电场 的滞后作用,会引起部分电能转化 为热的效应——介质损耗 在工程中以正弦电压作用下,通 过介质的有功电流与无功电流之比, 或有功损耗与无功功率之比,即介 I a Pa 质损耗角正切(tanδ)来作为介质 tan δ = = 损耗的特性参数: I c Pc 在高频下,还可用复介电常数ε*( ε* = ε’ -j ε” )的虚部 ε”来表征介质损耗——介质损耗因数 反映介质损耗的这些特征参数,都与极化的本质和极 化建立过程密切相关。
" r
ε′ = ε∞ +
∆ε 1 + ω 2τ 2
∆ε = ε s − ε ∞
γ ωτ ∆ ε ε ′′ = ( ) + 2 2 ω 1+ω τ
ε ′′ tan δ = ε′
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p = ω E 2 ε 0 ε r'tan δ
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极化损耗的频率温度特性
2. 1 频率特性
(1)低频区
ωτ << 1
dµ µ α ( 0) =− + d E 0 exp(iωt ) dt τ τ
α d (0) 其中: α d (ω低频讨论)
αd(ω) 表示在交流电场作用下的极化率。该极化率为一复数,
电介质理论及其应用
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极化的建立过程与介质损耗
1.3 介质损耗
如果单位体积的分子数为n0,则极 化强度 P = n0 µ 与E亦不同相。 将αd (ω) 代入普适方程可得到复 相对介电常数:
ωτε ∞
p = p max
∆ε 2 = Em 2τ
单位体积的介质损耗p与介质损耗角正切tanδ及损耗因 素ε”相互有关,但含义不同。 tanδ及ε”表征了介质在每一周期中的损耗,其频率关 系与p不同。 在高频区的损耗通常远大于纯电导损耗。