MOSFET的选型

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mosfet管的选型

mosfet管的选型功率是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。

功率是指MOSFET管能够承受的最大功率。

根据具体应用需求，我们需要选择功率适合的MOSFET管。

如果功率过小，可能无法满足电路需求；如果功率过大，可能会浪费资源或导致其他问题。

电压是选择MOSFET管的另一个重要因素。

电压是指MOSFET管能够承受的最大电压。

在选择MOSFET管时，我们需要确保其能够正常工作在所需的电压范围内。

如果电压过高，可能会导致MOSFET管损坏；如果电压过低，可能无法正常工作。

电流也是选择MOSFET管的一个关键参数。

电流是指MOSFET管能够承受的最大电流。

在选择MOSFET管时，我们需要根据所需的电流大小来选择合适的管子。

如果电流过大，可能会导致MOSFET管过载而损坏；如果电流过小，可能无法满足电路的需求。

开关速度也是选择MOSFET管的一个重要考虑因素。

开关速度是指MOSFET管的开关速度，即MOSFET管从开启到关闭或从关闭到开启的时间。

在某些应用中，快速的开关速度是必需的。

因此，在选择MOSFET管时，我们需要根据具体应用需求来选择开关速度适合的管子。

除了上述关键参数外，还有一些其他因素也需要考虑。

例如，温度特性、封装类型、价格等。

温度特性是指MOSFET管在不同温度下的性能表现。

封装类型是指MOSFET管的封装形式，如TO-220、SOT-23等。

价格是指MOSFET管的价格，我们需要根据预算来选择合适的管子。

在选择MOSFET管时，我们可以参考供应商提供的参数表和规格书。

这些文档通常提供了详细的参数信息，帮助我们选取适合的MOSFET 管。

此外，我们还可以咨询专业工程师或在相关技术论坛上寻求帮助。

选择合适的MOSFET管是确保电路正常工作的重要一步。

通过考虑功率、电压、电流、开关速度等关键参数，以及其他因素如温度特性、封装类型、价格等，我们可以选择到适合的MOSFET管，从而提高电路性能和可靠性。

MOSFET选型注意事项及应用实例

MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。

1）沟道的选择。

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

2）电压和电流的选择。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。

在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。

脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。

如何正确的选择MOSFET

如何正确的选择MOSFET选择正确的MOSFET是非常重要的，因为它直接影响到电路的性能和稳定性。

以下是选择MOSFET的一些重要因素：1.预计的负载电流：首先要确定所需的负载电流。

MOSFET的电流容量决定了它能够支持的最大负载电流。

选择具有足够高电流容量的MOSFET以确保其能够正常工作。

2.最大耗散功率：MOSFET的最大耗散功率决定了它能够承受的最大功率。

在选择MOSFET时，要确保它的最大耗散功率能够满足应用的需求。

3.预计的工作电压：确定所需的工作电压范围。

选择MOSFET时，要确保它的工作电压范围能够满足应用的需求。

此外，还要注意MOSFET的最大击穿电压，以确保它能够在预期的工作电压下正常工作。

4.漏极电流：漏极电流是指在关闭状态下，MOSFET引脚之间的电流。

“关”状态下的漏极电流越低，MOSFET的效率越高。

选择具有低漏极电流的MOSFET有助于减少功耗和发热。

5.开关速度：选择MOSFET时，要根据应用的需求考虑其开关速度。

开关速度由MOSFET的电容和导通电阻决定。

速度较快的MOSFET可用于高频应用，速度较慢的MOSFET可用于低频或开关频率较低的应用。

6.导通电阻：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻。

导通电阻越低，MOSFET的效率越高，并且会减少功耗和发热。

选择具有较低导通电阻的MOSFET可提高电路的效率。

7.温度特性：MOSFET的温度特性对其稳定性和可靠性至关重要。

选择具有良好温度特性的MOSFET，以确保其在不同温度下的性能稳定。

8.价格和供应：最后，还要考虑MOSFET的成本和供应问题。

选择经济实惠且易于获得的MOSFET有助于控制成本并保证项目的进展。

在选择MOSFET时，还可以参考供应商的数据手册和规格表，以获取更多详细的技术参数和性能指标。

最好进行测试和验证，以确保所选的MOSFET能够满足预期的性能要求。

mosfet管的选型

mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。

在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。

本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。

我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。

MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。

通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。

MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。

在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。

这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。

选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。

第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。

这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。

根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。

除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。

其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。

阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。

我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。

导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。

较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。

除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。

这些因素根据实际应用需求和预算来决定。

为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。

这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。

功率MOSFET选型的几点经验

首页招聘品牌会议视频专题TI专区论坛博客ttyyan12的博客|选择去向管理中心简历管理商务管理招聘管理论坛博客电源币|通知论坛通知 [4]博客通知|站内信|电源币[0]|退出zjhuang的博客/people/377112首页博文微博相册收藏关于我关注的人留言板帖子TA的TA的帖子TA的收藏关于 TATA关注的人zjhuang的博文功率MOSFET选型的几点经验 (2010-02-27 01:10) 分类： MOSFET应用功率MOSFET选型的几点经验使用功率MOSFET 也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。

在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。

由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。

另外，这里的功率MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。

不正之处，希望大家不吝指正。

功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET 类似，功率MOSFET 也有分为N 沟道和P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。

虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。

（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET 是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。

言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N 沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N 沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。

MOSFET的选型及应用概览

MOSFET的选型及应用概览MOSFET的选型基础MOSFET在开关电源中的应用MOSFET在马达控制中的应用MOSFET在汽车中的应用MOSFET在LED 灯具中的驱动MOSFET 的选型基础MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢,本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。

1)沟道的选择。

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET 接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

2)电压和电流的选择。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同;通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20,30V、85,220VAC应用为450,600V。

我的MOSFET选型手册

一MOS选型
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

如下图是NMOS开关电路。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

PMOS常用型号：IRFR9024N，NTD25P03L；
二需要注意的参数：
1，开启电压Vth：GS之间的电压只有达到Vth时MOS管才会导通。

2，源极和漏极电流ID：其范围应满足后级电路的需求，不能太小。

3，饱和漏电流IDss：当Vgs=0V时ID的值，越小越好，太大电池耗电。

4，导通电阻Rds：导通后DS间的电阻，越小越好。

5，DS间最大耐压VDSS/Vbr：被控制的电压值不能大于VDSS，否则管子会烧毁。

上表是NTD25P03L在不同条件下导通电阻的值，电压和电流值越大Rds越小。

Din-Tek半导体MOSFET产品选型表

尚晶(SunKing-Group)科技股份有限公司是日本Din-Tek（DT）半导体大中华区授权唯一独家分销商，主营Din-Tek半导体全系列产品：DIODES(二极管)产品，有肖特基二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，稳压二极管，整流二极管等；HallSenor(霍尔)产品，有普通霍尔传感器，风扇马达驱动霍尔传感器等；Power management(电源管理)产品，有AC/DC Converter，DC/DC Converter，LDO等；MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N-MOS，双P-MOS，N+P MOS；封装形式有：SOT-23，TSOP-6，TO-92，SOT-89，SOT-223，TO-251，TO-252，TSSOP-8，SOP-8，TO-220，TO-263，DFN系列；电压范围：8V~750V；广泛应用于：资讯/通讯/工业电子/家用电器/电力电子等行业。

可完全替代:TOSHIBA (东芝)/ROHM(罗姆)/AOS(万代)/ANPEC(茂达)/SAMHOP(三合微)/CEM(华瑞)/Matsuki(松木电机)/APEC(富鼎)等品牌的相应型号!目前市场上常用型号有：一.单N型MOSFET：SOT-23：DTS2300(替代APM2300/SI2300/AO3400等)，DTS2302（替代SI2302/AO3414/STS2308等），DTS3400（替代AO3404等），DTS2306，DTS2312，DTS2314，DTS2318；SOP-8：DTM4410(替代AO4410/STM4410/FDS6670A等)，DTM4420（替代AO4408/AO4474等）；DTM9410（替代AO4430/NDS9410A等）；DTM4964，DTM6910P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4410 SOP-8 Single-N 30 20 1 6.5 4.5 18DTM9410 SOP-8 Single-N 30 20 1.1 45 32 6.8DTM4964 SOP-8 Single-N 60 20 1.5 40 35 7.6DTM6910 SOP-8 Single-N 100 20 2.5 47 40 6.4DTM4420 SOP-8 Single-N 30 20 1.2 12 8.9 13DTM4420B SOP-8 Single-N 30 20 1.5 9 7 15DTP9530 PPak Single-N 30 20 1.2 4.8 6 26DTS2314 SOT-23-3 Single-N 20 12 1.5 33 24 5.2 DTS03K16 SOT-23 Single-N 16 8 1 400 1000 0.42DTS2300S SOT-23 Single-N 20 8 0.4 55 40 3.8DTS2306 SOT-23 Single-N 20 12 0.65 27 22 4.8DTS2300A SOT-23-3 Single-N 20 8 0.4 33 24 5.2DTS2312 SOT-23 Single-N 20 8 1.2 45 33 3.8DTS3400A SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 33 24 6DTS3400 SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 58 4DTS3402 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 73 58 3.6DTS4500 SOT-23 Single-N 40 20 1.2 55 40 3.6DTS6400 SOT23-3 Single-N 60 20 1.8 36 26 4.5DTS6504 SOT-23-6 Single-N 30 20 1.2 40 30 6DTS6410 SOT-23 Single-N 60 20 1 89 78 3DTS2300 SOT-23 Single-N 20 8 0.8 38 24 4.5DTC2058 SOT-89 Single-N 20 12 0.6 45 33 6.8DTC3058 SOT-89 Single-N 30 20 0.6 45 33 6.8DTE2312 TO-92 Single-N 20 12 0.6 28 22 4.8DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTB3055 SOT-223 Single-N 30 20 1.5 38 25 7DTB6035 SOT-223 Single-N 60 20 1 40 28 7DTL15N03 TO-251 Single-N 30 20 1.2 16.5 13.5 15DTL40N03 TO-251 Single-N 30 20 1 10 7 40DTL2N60 TO-251 Single-N 600 20 2 3900 2DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 2 27 16 40DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.6 33 24 30DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1 28 22 40DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 100 15DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5.1 55DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.2 5.9 4.1 60DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 2 4400 2DTW2070 TO-263 Single-N 200 20 1.5 90 20DTK0403 TO-263 Single-N 30 20 2 4.4 3.8 98DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50N06 TO-252 Single-N 60 20 2 31 26 50DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTS2012 SOT323-3 Single-N 20 12 1 60 49 45 4DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4DTL4N65 TO-251 Single-N 650 30 3 2900 4DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60DTS3406 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 33 24 4.8DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15DTS1004 SOT-23 Single-N 100 20 1.2 150 1202.3DTC9058SOT-89Single-N100201.7139 126 3.1DTP4N70SJ TO-220 Single-N 700 20 3 1200 4DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38DTS2318 SOT-23 Single-N 20 20 0.5 10.5 9.5 12DTS2050 SOT-723 Single-N 20 12 0.6 521 286 0.63DTS2N7002SOT-23Single-N 60 20 1 4 2 0.3DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100DTQ6302DFN5x6Single-N30201.52.22.7100二．单P 型MOSFET ：SOT-23：DTS2301（替代APM2301/AO3413/STS2309等），DTS3401（替代AO3401等），DTS2305，DTS2315，DTS3407； SOP-8：DTM9435（替代APM9435/AO9435/CEM9435等），DTM4435（替代STM4435，SI4435，AO4435等），DTM4407（替代AO4407等），DTM4415，DTM4425，DTM4435；P/NPackage ConfigurationBV (V) VGS (V) Vt (V) RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_2.5v RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_4.5vRDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_10vID (A)Data sheetDTM9435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 60 45 -5.8DTM4435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 22 16 -8DTM4425 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 10.5 8.8 -15DTM4831SOP-8 Single-P -20 12 -1 65 -8DTM4407 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 18 12.5 -11.2DTM4415 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 12.8 9.2 -13.5DTP9531 PPak Single-P -30 20 -1.5 9.2 7.8 -26DTS2301 SOT-23 Single-P -20 12 -1 95 68 -3.8DTS2305 SOT-23 Single-P -20 12 -16850 -5DTS2301S SOT-23Single-P-20 12 -1.1 130 105 -3DTS2301A SOT-23-3 Single-P -20 12 -1.1 90 65 -4.5DTS3401 SOT-23Single-P-30 20 -1.2 130 88 -2.7DTS3401A SOT-23-3 Single-P -30 20 -1.5 70 53 -5.6DTS4501 SOT-23 Single-P -40 20 -1.5 110 83 -3.6DTS6503 SOT23-6 Single-P -30 20 -1.8 66 53 -5.1DTS7001 SOT-23Single-P-60 20 -1.8 5000 4000 -0.13DTS6401 SOT-23-3 Single-P -60 20 -1.8 48 40 -5.2DTU40P06 TO-252Single-P-60 20 -2 45 36 -40DTS3407 SOT-23-3 Single-P -30 20 -0.854 46 -5.6DTS2315SOT-23-3 Single-P-2012-0.7 90 65-4.5DTC2059 SOT-89 Single-P -20 12 -1.2 90 75 -6.6DTC3059 SOT-89 Single-P -30 20 -1.5 75 60 -7.6DTE2311TO-92 Single-P -20 12 -1 72 45 -4.2DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60DTL15P03TO-251Single-P -30 20 -1.5 70 43 -15DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15DTU40P06TO-252Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2300 260-15DTS2011 SOT-323 Single-P -20 8 -0.8 100 85 -3.1DTS3411 SOT-23 Single-P -30 20 -1.5 72 59 -4DTL19P10TO-251Single-P-100 20-2160120-19DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19DTM9425 SOP-8 Single-P 20 12 -1 50 40 -6.6DTL50P03 TO-251 Single-P -30 25 -1.2 15 10 -50DTS3419 SOT-23L Single-P -20 8 -1 41 32 -5.9DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -18 9 -80DTS2319 SOT-23 Single-P -20 -12 0.6 26 18 -6DTM4015 SOP-8 Single-P -40 -20 -1.7 13.2 9.4 -18DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.518 12 -60DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -13224 -12DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 27 21 -14.5DTQ3221DFN3x3Single-P-2012-13828-12三．双N 型MOSFET ：TSOP-6：DTS8205（替代STM8205等,电池保护板专用），DTS5440（电池保护板专用）TSSOP-8：DTM8205（替代APM8205/STM8205/CEM8205等），DTM8201SOP-8：DTM9926（替代APM9926/STM9926/CEM9926等），DTM9936（替代APM9945，AO4828等），DTM4946（替代STM6930A等）；DTM4936，DTM4926P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS5440 SOT-23-6 Dual-N 20 12 0.8 28 22 4.8DTM9936 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 14 7DTM9926 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 30 22 6.6DTM4946 SOP-8 Dual-N 60 20 1 40 35 7DTM4936 SOP-8 Dual-N 30 20 1.2 33 26 6.8DTM4830 SOP-8 Dual-N 80 30 3.5 75 3.5DTM4926 SOP-8 Dual-N 30 20 1.5 12 8 8DTM8201 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 17 6.5DTM8205 TSSOP-8 Dual-N 20 8 1 40 22 6.6DTS8205 SOT23-6 Dual-N 20 12 0.6 40 22 4.6DTS5440 TSOP-6 Dual-N 20 12 1.2 28 22 4.8DTS2212 SOT323-6 Dual-N 20 8 0.4 225 198 1.3DTM8002 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 7 5.5 11四．双P型MOSFET：TSOP-6：DTS5441SOP-8：DTM4953（替代APM4953，CEM4953，A04801等），DTM4953BDY（LED屏专用），DTM4925P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4925 SOP-8 Dual-P -20 12 -1.5 33 24 -8 DTM4953 SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 78 46 -5.4 DTM4953BDY SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 45 32 -6.6DTS5441 TSOP-6 Dual-P -20 -12 -1.2 90 65 -4五．N+PMOSFTSOP-8: DTM4606(替代AO4606)，DTM4616，DTM9906P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS3606N SOT-23-6 N+P 30 20 1.5 36 24 3.7DTM4606P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 58 48 -6DTM4616N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 34 6.7DTM9906N SOP-8 N+P 60 20 1.8 31 28 5.3 DTM9906P SOP-8 N+P -60 20 -1.8 70 60 -4.9DTM4606BDYN SOP-8 N+P 30 20 1.5 24 18 7DTM4606BDYP SOP-8 N+P -30 20 -1.5 40 36 -6.9DTM4606N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 24 6.7DTM4616P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 36 24 -7DTS3606P SOT-23-6 N+P -30 20 -1.5 83 69 -3 六．DFN封装系列（特别推介）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -1 38 28 -12 DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -1 32 24 -12DTQ6302 DFN5x6 Single-N 30 20 1.5 2.2 2.7 100七．TO-252系列P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DTU1N60 TO-252 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4 DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 1.8 28 20 40 DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.65 33 24 30 DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1.6 28 22 40 DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50 DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70 DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90 DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40 DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 115 95 15 DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 10.1 7 55 DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 5.9 4.1 60 DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 3.6 3900 2 DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1 9 8 -80 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80 DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40 DTU16N25 TO-252 Single-N 250 20 2 165 16 DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 300 260 -15 DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19 DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50 DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4 DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60 DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15 DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.5 18 12 -60八．TO-220系列（广泛应用于逆变器，UPS，LED照明，开关电源等行业）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTP1N60 TO-220 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60 DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100 DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38。

MOSFET选型经验

功率MOSFET选型的几点经验作者：Hugo Yu使用功率MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。

在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。

由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。

另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。

不正之处，希望大家不吝指正。

功率MOSFET的分类及优缺点和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。

虽然耗尽型较之增强型有不少的优势（请查阅资料，不详述），但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。

（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管(GTR)来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。

言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型1. 我的应用该选择哪种类型的MOSFET？前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！a) N沟道MOSFET b) P沟道MOSFET负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。

当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。

2. 确定额定电压与额定电流选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大V DS 。

MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。

MOS管选型指南

MOS管选型指南MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关器件。

其结构简单，能够在低电压下工作，并具有高开关速度和低开关损耗等优点。

因此，MOSFET广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。

在选择MOSFET时，需要考虑以下几个方面：1.电压与电流要求：首先，需要确定所需工作电压和电流范围。

根据应用的不同，MOSFET的电压和电流要求可能有所不同。

例如，电力电子领域通常需要承受较高的电压和电流，而通信设备领域则可能对电压和电流有较严格的限制。

2.耗散功率：MOSFET的耗散功率也是选择的重要考虑因素之一、当MOSFET处于导通状态时，其内部会产生一定的功耗，这会导致器件发热。

当功耗过大时，需要采取散热措施或选择功耗较低的器件。

3.开关速度：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的时间。

一般来说，开关速度较快的MOSFET能够更快地响应控制信号，实现高频开关。

对于一些高频开关电路，如无线通信设备中的射频开关，开关速度要求较高。

4.RDS(ON)：RDS(ON)是MOSFET的导通电阻。

导通电阻越小，MOSFET的开关损耗就越小，并且能够更好地导通高电流。

因此，在选择MOSFET 时，需要根据应用的要求选择合适的RDS(ON)。

5.均衡特性：MOSFET的均衡特性是指在不同工况下，如温度、电压和电流等，其关键参数是否保持稳定。

一些高可靠性应用，如航空航天和军事领域，对器件的均衡特性要求较高。

6.可靠性：MOSFET的可靠性与其设计、制造和封装质量有关。

在选择MOSFET时，建议选择来自知名厂商的产品，并确保符合行业标准和认证要求。

此外，了解厂商的质量控制和售后服务也是必要的。

7.价格和供应链：价格和供应链也是考虑因素之一、选择合理的价格范围，并确保能够获得稳定的供应，以避免因材料短缺或停产等问题导致生产或维修困难。

总之，选型MOSFET需要综合考虑电压和电流要求、耗散功率、开关速度、RDS(ON)、均衡特性、可靠性、价格和供应链等因素。

mosfet 选型注意事项

mosfet 选型注意事项
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，选型时需要考虑以下几个注意事项：
1. 额定电压（Vds）：根据实际工作电压要求选择合适的MOSFET。

额定电压应略大于实际工作电压，以确保稳定性和可靠性。

2. 最大漏极电流（Id）：根据应用中的最大负载电流需求选择MOSFET。

确保所选器件的最大漏极电流能够满足工作条件下的要求。

3. 开关速度（开关时间和关断时间）：开关速度与开关特性有关，一般由电荷注入和排除时间决定。

根据应用的频率和需求，选择合适的开关速度。

高频应用通常需要更快的开关速度。

4. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻，直接影响功耗和效率。

较低的导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率，因此选择较低的导通电阻更为理想。

5. 耐压能力：MOSFET的耐压能力决定了其在高压环境下的可靠性和稳定性。

根据实际工作电压需求选择合适的耐压能力。

6. 温度特性：MOSFET在高温环境下会产生热量，因此需要考虑器件的温度特性以及散热措施。

确保所选MOSFET
具有良好的温度特性，并能够在实际工作条件下稳定工作。

7. 附加特性：根据应用需求，可能还需要考虑其他附加特性，如阻尼比、静态工作点等。

根据具体应用场景，选择适合的附加特性。

最后，为了确保选型准确，建议参考器件的数据手册和规格书，以获得更详细和专业的信息。

buck电路中关于二极管和mosfet的选型思路

buck电路中关于二极管和mosfet的选型思路Buck电路是一种常见的DC-DC转换器，主要用于将高电压降压为低电压的应用，如手机充电器、计算机电源等。

在设计Buck电路时，合适的二极管和MOSFET选型是非常重要的，本文将介绍选型的思路。

1. 二极管选型在Buck电路中，二极管主要用于反向电流的传导，因此选型时需要考虑承受反向电压的能力、导通电压降和反向恢复时间等参数。

常用的二极管有快恢复二极管、超快恢复二极管和肖特基二极管等。

快恢复二极管具有快速恢复时间和低反向电流，适用于输入电压高的应用。

超快恢复二极管具有更短的恢复时间，但导通电压降较大。

肖特基二极管则具有快速恢复时间和低导通电压降，但承受反向电压能力较低。

通常情况下，可以先根据应用要求确定承受最大反向电压和反向恢复时间等参数，再选择合适的二极管型号。

2. MOSFET选型MOSFET是Buck电路中的关键元器件，主要用于开关管的控制，因此选型时需要考虑导通电阻、开关速度和耐压能力等参数。

常用的MOSFET有N沟道和P沟道两种，其中N沟道MOSFET应用更为广泛。

在选型时，需要考虑最大工作电压、最大工作电流、导通电阻和开关速度等因素。

较低的导通电阻能够减少开关损耗，提高转换效率，但同时也会加大MOSFET的功耗，产生热量，因此需要权衡选择。

而较快的开关速度可以减少开关过程中的功耗，提高转换效率，但可能会产生较高的压降和电磁干扰。

一般情况下，可以使用官方提供的数据手册确定MOSFET的最大工作电压、最大工作电流和导通电阻等参数，并计算出MOSFET的功耗和热量等参数，再综合考虑选择合适的MOSFET型号。

请注意，在选型时，还需要考虑Buck电路的控制方式、输出电压和输出电流等参数，并根据它们选择合适的二极管和MOSFET。

同时，也需要考虑成本、可靠性和稳定性等方面因素，综合选择合适的元器件。

最后，选型完成后要进行模拟和实验验证，确保电路的性能和稳定性。

功率MOSFET器件选型的3大法则

功率MOSFET器件选型的3大法则功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。

1. 功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。

如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。

需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：(1) 笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

(2) 通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。

(3) 笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。

2. 选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：(1) 温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET 的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。

有时候由于其他条件的限制，需要使用多个MOSFET并联的方式来解决散热的问题，如在PFC应用、电动汽车电机控制器、通信系统的模块电源次级同步整流等应用中，都会选取多管并联的方式。

MOSFET选型参考文档

MOSFET选型参考文档最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。

根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。

关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。

设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。

该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。

补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。

定义IDM的目的在于：线的欧姆区。

对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。

如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。

长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。

因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。

区域的分界点在Vgs和曲线相交点。

因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。

这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。

考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。

MOSFET的选型

Poff_on=
fs
×∫
V (t) Tx DS(off_on)
×
I (t) D(off_on)S
×
dt
实际计算中主要有两种假设 — 图 (A) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的开始下降与 I (t) DS(off_on) 的逐渐上升同时发生；图 (B) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的下降是从 I (t) DS(off_on) 上升到最大值后才开始。图 (C) 是 FLYBACK 架构路中一 MOSFET 实际测试到的波形，其更接近于 (A) 类假设。针对这两种假设延伸出两种计算公式：
建议初选之基本步骤：
下面详细解释其中各参数选择之原则及注意事项。 1 ）电压应力：
在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即：
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VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS
SW 04-3-01 V1.01
注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS 值作为参考。
2）漏极电流：
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90% 即： ID_max ≤ 90% * I D
6）耗散功率约束：
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MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法

MOSFET选型经验分享：经典案例教你10步法俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。

功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。

1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET 选择的型号较少，成本高。

如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N 沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。

需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N 管。

（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。

2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是。

三极管和MOSFET选型规范

三极管和MOSFET 选型规范1. 三极管和MOSFET 器件选型原则1.1 三极管及MOSFET 分类简介表1 三极管及MOSFET 分类类型类型细分应用场景三极管射频信号三极管射频开关及射频小信号放大三极管普通小信号三极管小信号回路开关及信号放大三极管功率三极管功率回路开关，推挽放大 MOSFET小信号MOSFET 小信号回路开关 MOSFET功率MOSFET （<=250V ） AC-DC,DC-DC 电源模块 MOSFET功率MOSFET （600V~650V ） AC-DC 电源模块 MOSFET功率MOSFET （800V~1000V ） AC-DC 电源模块，UPS ，逆变器 MOSFET功率MOSFET （1000V~1700V ）空调压缩机驱动电路 MOSFET功率MOSFET （SIC ）>=600V AC-DC 电源模块（高效率） MOSFET 功率MOSFET （GAN ）（100V~600V ）超高频领域（1Mhz 以上），更高Powerdensity 的应用领域。

1.1.1 三极管选型原则行业发展总趋势为：小型化、表贴化，高频化，高效率化，集成化，绿色化。

重点突出小型化和表贴化。

近年来，随着MOSFET 的发展，在低功率高速开关领域，MOSFET 正逐步替代三极管，行业主流厂家对三极管的研发投入也逐年减少，在芯片技术方面基本没有投入，器件的技术发展主要体现在晶圆工艺的升级（6inch wafer 转8inch wafer ）及封装小型化及表贴化上。

另外，相对普通三极管，RF 三极管的主要发展方向是低压电压供电，低噪声，高频及高效。

选型原则如下：1）禁选处于生命周期末期的插件封装器件，如TO922）优选行业主流小型化表贴器件，如SOT23，STO323，SOT523等，对于多管应用，优先考虑双管封装如SOT363及SOT5633）对于开关应用场景，优先考虑选用MOSFET4）射频三极管优选低电压供电，低噪声，高频及高效器件。

MOSFET选取办法

MOSFET选取办法1、选择要点：在电子镇流器和开关电源中常选择N沟道增强型器件。

主要考虑三个参数：漏极与源极之间的击穿电压BVdss、连续漏极电流Id、导通态电阻Rds。

Rds会随着BVdss增加和Id减少而增大,其值越小越好。

在电路中没有PFC电路，BVdss取值≥400V即可，如果有PFC电路，BVdss取值通常为500～600V。

在导通时，栅极信号应能迅速达到导通电平；关断时驱动电压应很快降到Ugs门限以下，使沟道电阻Rch很快从0变化到∞，否则会增加关断损耗。

驱动要求如下：驱动电路延迟时间要短，驱动电路峰值电流要大，栅极电压变化率dU/dt要大。

2、驱动设计要点：2.1在栅极串联电阻（R5、R9）防止发生寄生振荡，在栅极与地之间并接电阻(R4、R10)可加速场效应管关断，采用全隔离驱动效果最好。

2.2在使用场效应管时, 要注意漏源电压、漏源电流及耗散功率等, 不要超过规定的最大允许值。

3、mos管主要参数1）夹断电压U GS（off）或开启电压U GS（th）2）饱和漏极电流I DSS3）漏源击穿电压U（BR）DS4) 栅源击穿电压U（BR）GS5）直流输入电阻R GS6）最大耗散功率P DM7）跨导gm3.1 耗散功率PD：MOS管所能承受的最大功耗，超过此功耗值，MOS管可能因发热厉害而烧坏，导致功能性损坏。

此项参数的确定要综合考虑漏极电流ID和RDS(on)两项参数。

因为PD=ID*ID* RDS(on)。

MOS管或者IGBT,我们统称全控开关器件,其功耗分4部分：导通损耗,截止损耗,开关损耗,驱动损耗。

对于截止损耗和驱动损耗来说,可忽略不记。

⑴、分析其导通损耗,基本上由导通时前向电压和有效电流决定,我们可通过导通时候的电压电流来知道,电流可通过我们实际电路大致计算可得,电压可查其对应电流的DATASHEET。

⑵、分析其开关损耗,其中又分开通损耗和关断损耗,可通过电流大小(计算得知)、驱动电阻(实际电路)、驱动电压(实际电路)、CE/DS电压(实际电路)这些变量,查寻DATASHEET计算,我们一般在开发初期要先确定大致的损耗范围。

功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？

功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。

下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。

1、N沟通和P沟道功率MOSFET结构图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench 结构。

从结构上来看，衬底都是漏极D，但半导体的类型不同：N沟道的漏极是N型半导体，P沟道的漏极是P型半导体。

当N沟道的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。

图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P沟道的工作原理和N沟道类似，从上面导通过程可以看到：功率MOSFET是单极性器，N沟道的功率MOSFET只有电子导电，P沟道的功率MOSFET只有空穴导电。

硅半导体中，由于热能的存在，电子和空穴，统称为载流子，在晶格中不停的运动，与晶格的其它原子发生碰撞，使它们的运动发生偏转、减速或加速。

电子和空穴二次碰撞间移动的距离称为平均自由程，通常用二次晶格碰撞的平均时间tc表示。

另外，电子和空穴，在电场的作用下，沿着特征的方向产生运动，这种运动称为载流子的漂移。

载流子由于电场的作用在晶格中平均移动的速度称为漂移速度。

载流子的漂移速度和电场成正比，比例系数称为迁移率u。

vn = -un evp = up e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率MOSFET。

2、N沟通和P沟道功率MOSFET驱动N沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到D极，由S极输出；驱动电压的正加在G极，驱动电压的负加在S极。

P沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到S极，由D极输出；驱动电压的正加在S极，驱动电压的负加在G极。

mosfet参数选择方法

MOSFET参数选择方法概述金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种常用的电子元件，在电路设计中起着重要的作用。

正确选择MOSFET参数对于电路的性能和稳定性至关重要。

本文将介绍MOSFET参数的选择方法，包括根据应用需求选择工作电流、电压和功率以及根据数据手册选择合适的MOSFET型号。

MOSFET参数MOSFET的主要参数包括工作电流、电压和功率。

这些参数决定了MOSFET的工作能力和适用范围。

工作电流工作电流是指MOSFET在正常工作状态下通过的电流。

工作电流的选择应基于所需的功率和电压。

一般来说，工作电流应小于MOSFET的额定电流，以确保器件的可靠性和寿命。

电压电压是指MOSFET所能承受的最大电压。

在选择MOSFET时，应考虑所需的电压范围以及系统的安全裕度。

如果电压超过MOSFET的额定值，可能会导致器件损坏或不稳定。

功率功率是指MOSFET能够处理的最大功率。

功率的选择应基于所需的负载功率和系统的安全裕度。

如果功率超过MOSFET的额定值，可能会导致器件过热或损坏。

MOSFET型号选择选择合适的MOSFET型号是保证电路性能和可靠性的关键。

在选择MOSFET型号时，可以参考以下几个方面：数据手册首先，需要查阅MOSFET的数据手册。

数据手册提供了MOSFET的详细参数和特性曲线。

通过仔细阅读数据手册，可以了解MOSFET的工作范围、特性和限制。

参数匹配根据应用需求，选择与所需参数匹配的MOSFET型号。

例如，如果需要承受较高电压的MOSFET，应选择额定电压较高的型号。

如果需要处理较大功率的MOSFET，应选择额定功率较高的型号。

温度特性考虑MOSFET的温度特性也是很重要的。

在高温环境下，MOSFET的性能可能会受到影响。

因此，选择具有良好温度特性的MOSFET型号可以提高系统的稳定性和可靠性。

成本和供应最后，还需要考虑MOSFET的成本和供应情况。

选择成本适中且易于获得的型号可以降低成本和风险。