电压基准电路LM399设计说明
电压基准LM199-299-399-3999英文手册解析
TL H 5717LM199 LM299 LM399 LM3999Precision ReferenceDecember 1994LM199 LM299 LM399 LM3999Precision ReferenceGeneral DescriptionThe LM199series are precision temperature-stabilized monolithic zeners offering temperature coefficients a factor of ten better than high quality reference zeners Construct-ed on a single monolithic chip is a temperature stabilizer circuit and an active reference zener The active circuitry reduces the dynamic impedance of the zener to about 0 5X and allows the zener to operate over 0 5mA to 10mA cur-rent range with essentially no change in voltage or tempera-ture coefficient Further a new subsurface zener structure gives low noise and excellent long term stability compared to ordinary monolithic zeners The package is supplied with a thermal shield to minimize heater power and improve tem-perature regulationThe LM199series references are exceptionally easy to use and free of the problems that are often experienced with ordinary zeners There is virtually no hysteresis in reference voltage with temperature cycling Also the LM199is free of voltage shifts due to stress on the leads Finally since the unit is temperature stabilized warm up time is fastThe LM199can be used in almost any application in place of ordinary zeners with improved performance Some ideal applications are analog to digital converters calibration standards precision voltage or current sources or precision power supplies Further in many cases the LM199can re-place references in existing equipment with a minimum of wiring changesThe LM199series devices are packaged in a standard her-metic TO-46package inside a thermal shield The LM199is rated for operation from b 55 C to a 125 C while the LM299is rated for operation from b 25 C to a 85 C and the LM399is rated from 0 C to a 70 CThe LM3999is packaged in a standard TO-92package and is rated from 0 C to a 70 CFeaturesY Guaranteed 0 0001% C temperature coefficient Y Low dynamic impedance 0 5XY Initial tolerance on breakdown voltage 2%Y Sharp breakdown at 400m AY Wide operating current 500m A to 10mA Y Wide supply range for temperature stabilizer Y Guaranteed low noiseY Low power for stabilization 300mW at 25 C Y Long term stability 20ppmYProven reliability low-stress packaging in TO-46inte-grated-circuit hermetic package for low hysteresis after thermal cycling 33million hours MTBF at T A e a 25 C (TJ e a 86 CY Certified long term stability available YMIL-STD-883compliantConnection DiagramsMetal Can Package (TO-46TL H 5717–14Top ViewLM199 LM299 LM399(SeeTable on fourth pageNS Package Number H04DPlastic Package TO-92TL H 5717–10Bottom ViewLM3999(SeeTable on fourth pageNS Package Number Z03AFunctional Block DiagramsLM199 LM299 LM399TL H 5717–15LM3999TL H 5717–11C 1995National Semiconductor CorporationRRD-B30M115 Printedin U S AAbsolute Maximum RatingsSpecifications for Military Aerospaceproducts are not contained in this datasheet Refer to the following Reli-ability Electrical Test Specifications documents RETS199X for LM199 RETS199AX for LM199A Temperature Stabilizer Voltage LM199 LM299 LM39940V LM399936V Reverse Breakdown Current 20mA Forward CurrentLM199 LM299 LM3991mALM3999b 0 1mAReference to Substrate Voltage V (RS(Note1 40Vb 0 1VOperating Temperature Range LM199b 55 C to a 125 C LM299b 25 C to a 85 C LM399 LM3999b 0 C to a 70 C Storage Temperature Range b 55 C to a 150 CSoldering InformationTO-92package (10sec a 260 C TO-46package (10seca 300 CElectrical Characteristics (Notes2 5ParameterConditionsLM199H LM299HLM399H Units Min Typ Max Min Typ Max Reverse Breakdown Voltage 0 5mA s I R s 10mA 6 86 957 16 66 957 3V Reverse Breakdown Voltage 0 5mA s I R s 10mA 69612mV Change with Current Reverse Dynamic Impedance I R e 1mA0 510 51 5X Reverse Breakdown b 55 C s T A s a 85 C LM1990 000030 0001% C Temperature Coefficienta 85 C s T A s a 125 C (0 00050 0015% C b 25 C s T A s 85 C LM2990 000030 0001% C 0 C s T A s a 70 CLM3990 000030 0002% C RMS Noise 10Hz s f s 10kHz720750m V Long Term Stability Stabilized 22 C s T A s 28 C 2020ppm1000Hours I R e 1mA g 0 1%Temperature Stabilizer T A e 25 C Still Air V S e 30V 8 5148 515mA Supply Current T A eb 55 C2228Temperature Stabilizer 940940V Supply VoltageWarm-Up Time to 0 05%V S e 30V T A e 25 C33secInitial Turn-on Current9s V S s 40 T A e a 25 C (Note3140200140200mAElectrical Characteristics (Note2ParameterConditionsLM3999ZUnits Min Typ Max Reverse Breakdown Voltage 0 6mA s I R s 10mA 6 66 957 3V Reverse Breakdown Voltage 0 6mA s I R s 10mA 620mV Change with Current Reverse Dynamic Impedance I R e 1mA 0 62 2X Reverse Breakdown 0 C s T A s 70 C 0 00020 0005% C Temperature Coefficient RMS Noise 10Hz s f s 10kHz7m V Long Term Stability Stabilized 22 C s T A s 28 C 20ppm 1000Hours I R e1mA g 0 1%Temperature Stabilizer T A e 25 C Still Air V S e 30V1218mA Temperature Stabilizer 36V Supply VoltageWarm-Up Time to 0 05%V S e 30V T A e 25 C 5sec Initial Turn-On Current9s V S s 40 T A e 25 C140200mA2Electrical Characteristics (Notes2 5ParameterConditionsLM199AH LM299AH LM399AH Units Min Typ Max Min Typ Max Reverse Breakdown Voltage 0 5mA s I R s 10mA 6 86 957 16 66 957 3V Reverse Breakdown Voltage 0 5mA s I R s 10mA 69612mV Change with Current Reverse Dynamic Impedance I R e 1mA0 510 51 5X Reverse Breakdown b 55 C s T A s a 85 C LM199A 0 000020 00005% C Temperature Coefficienta 85 C s T A s a 125 C (0 00050 0010% C b 25 C s T A s 85 C LM299A 0 000020 00005% C 0 C s T A s a 70 CLM399A0 000030 0001% C RMS Noise 10Hz s f s 10kHz720750m V Long Term Stability Stabilized 22 C s T A s 28 C 2020ppm1000Hours I R e 1mA g 0 1%Temperature Stabilizer T A e 25 C Still Air V S e 30V 8 5148 515mA Supply Current T A eb 55 C2228Temperature Stabilizer 940940V Supply VoltageWarm-Up Time to 0 05%V S e 30V T A e 25 C 33secInitial Turn-on Current9s V S s 40 T A e a 25 C (Note3140200140200mAElectrical Characteristics (Notes2 5 ParameterConditionsLM199AH-20 LM299AH-20LM399AH-50UnitsMin Typ Max Min Typ Max Reverse Breakdown Voltage 0 5mA s I R s 10mA 6 8 6 957 16 66 957 3V Reverse Breakdown Voltage 0 5mA s I R s 10mA69612mV Change With CurrentReverse Dynamic Impedance I R e 1mA 0 510 51 5X Reverse Breakdown b 55 C s T A s 85LM199A0 000020 00005% C Temperature Coefficient85 C s T A s 125 C(0 00050 0010% C b 25 C s T A s 85 C LM299A 0 000020 00005% C0 C s T A s 70 C LM399A 0 000030 0001% CRMS Noise 10Hz s f s 10kHz720750m V Long Term Stability Stabilized 22 C s T A s 28 C 820950ppm 1000Hours I R e 1mA g 0 1%Temperature Stabilizer T A e 25 C Still Air V S e 30V 8 5148 515mA Supply Current T A e 55 C2228Temperature Stabilizer 940940V Supply VoltageWarm-Up Time to 0 05%V S e 30V T A e 25 C33s Initial Turn-on Current9s V S s 40 T A e 25 C (Note3140200140200mANote 1 The substrate is electrically connected to the negative terminal of the temperature stabilizer The voltage that can be applied to either terminal of the reference is 40V more positive or 0 1Vmore negative than the substrateNote 2 These specifications apply for 30V applied to the temperature stabilizer and b 55 C s T A s a 125 C for the LM199 b 25 C s T A s a 85 C for the LM299and 0 C s T A s a 70 C for the LM399and LM3999Note 3 This initial current can be reduced by adding an appropriate resistor and capacitor to the heater circuit See the performance characteristic graphs to determine valuesNote 4 Do not wash the LM199with its polysulfone thermal shield in TCENote 5 A military RETS electrical test specification is available for the LM199H 883 LM199AH 883 and LM199AH-20 883on request3Ordering InformationInitial 0 C to a 70 Cb 25 C to a 85 Cb 55 C to a 125 CNS TolerancePackage 2%LM299AH LM199AH LM199AH 883H04D 5%LM399H LM299HLM199H LM199H 883H04D LM399AH 5%LM3999Z Z03A Guaranteed Long LM399AH-50LM299AH-20LM199AH-20 LM199AH-20 883H04DTerm StabilityCertified Long Term DriftThe National Semiconductor LM199AH-20 LM299AH-20 and LM399AH-50are ultra-stable Zener references special-ly selected from the production runs of LM199AH LM299AH LM399AH and tested to confirm a long-term sta-bility of 20 20 or 50ppm per 1000hours respectively The devices are measured every 168hours and the voltage of each device is logged and compared in such a way as to show the deviation from its initial value Each measurement is taken with a probable-worst-case deviation of g 2ppm compared to the Reference Voltage which is derived from several groups of NBS-traceable references such as LM199AH-20’s 1N827’s and saturated standard cells sothat the deviation of any one group will not cause false indi-cations Indeed this comparison process has recently been automated using a specially prepared computer program which is custom-designed to reject noisy data (andrequire a repeat reading and to record the average of the best 5of 7readings just as a sagacious standards engineer will reject unbelievable readingsThe typical characteristic for the LM199AH-20is shown be-low This computerized print-out form of each reference’sstability is shipped with the unitTypical CharacteristicsNational Semiconductor Certified Long Term DriftLM199AH-20Hrs DriftPart 6849168b 20Limits336b 24LM199AH-20140m V 504b 36LM299AH-20140m V 672b 34LM399AH-20350m V840b 401008b 36Testing Conditions Heater Voltage 30V Zener Current 1mA Ambient Temp 25 CTL H 5717–124Typical Performance CharacteristicsReverse CharacteristicsReverse Voltage ChangeDynamic ImpedanceZener Noise Voltage Stabilization Time Heater CurrentInitial Heater CurrentHeater Current (ToLimit This Surge See Next GraphHeater Surge Limit Resistor vs Minimum Supply Voltage atVarious Minimum TemperaturesHeater must be bypassed with a 2m F or larger tantalum capacitor if re-sistors are usedLow Frequency Noise Voltage Response TimeTL H 5717–3TL H 5717–2TL H 5717–75Typical ApplicationsSingle Supply Operation Split Supply Operation Negative Heater Supply with Positive Reference Buffered Reference With Single SupplyPositive Current SourceStandard Cell ReplacementTL H 5717–46Typical Applications (ContinuedNegative Current SourceSquare Wave Voltage Reference Portable CalibratorWarm-up time 10seconds intermittent operation does not degrade long term stability 14V Reference Precision ClampClamp will sink 5mA when input goes more positive than referenceTL H 5717–57Typical Applications (Continued0V to 20V Power Reference Bipolar Output ReferenceTL H 5717–6Voltage ReferenceTL H 5717–98Schematic DiagramsTemperature StabilizerTL H 5717–01 ReferenceTL H 5717–13 910Physical Dimensions inches (millimeters Order Number LM199H LM199H 883 LM299H LM399H LM199AH LM199AH 883 LM199AH-20 LM199AH-20 883LM299AH LM299AH-20 LM399AH or LM399AH-50 NS Package H04D 11LM199 LM299 LM399 LM3999 Precision Reference Physical Dimensions inches (millimeters (Continued Plastic Package Order Number LM3999Z NS Package Z03A LIFE SUPPORT POLICY NATIONAL’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF THE PRESIDENT OF NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION As used herein 1 Life support devices or systems are devices or systems which (a are intended for surgical implant into the body or (b support or sustain life and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling can be reasonably expected to result in a significant injury to the user National Semiconductor Corporation 1111West Bardin Road Arlington TX 76017 Tel 1(800 272-9959 Fax 1(800 737-7018 2 A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system or to affect its safety or effectiveness National Semiconductor Europe Fax (a49 0-180-530 85 86 Email cnjwge tevm2 nsc com Deutsch Tel (a49 0-180-530 85 85 English Tel (a49 0-180-532 78 32 Fran ais Tel (a49 0-180-532 93 58 Italiano Tel (a49 0-180-534 16 80 National Semiconductor Hong Kong Ltd 13th Floor Straight Block Ocean Centre 5 Canton Rd Tsimshatsui Kowloon Hong Kong Tel (852 2737-1600 Fax (852 2736-9960 National Semiconductor Japan Ltd Tel 81-043-299-2309 Fax 81-043-299-2408 National does not assume any responsibility for use of any circuitry described no circuit patent licenses are implied and National reserves the right at any time without notice to change said circuitry and specificationsThis datasheet has been download from: Datasheets for electronics components.。
基于LM399的高精密度稳压电源
基于 Ｌ ９ Ｍ３ ９的高精密度稳 压电源
陈 太 洪
（ 江苏 技术 师 范学 院 电气 信 息工 程 系 ， 江苏 常州 ２ ３ １ ） １０ ５
摘要 ： 简要介 绍 了一 种 以 Ｌ ９ Ｍ３ ９为基 准稳 压 电 源构 成 的 高精 密度 稳 压 电源 的设 计 ， 电源 结构 简单 、 该
差 。次表 面隐埋 技 术 则 在 半导 体 内部 产 生击 穿 ， 可
结温 变化 约为 ｌ℃ ， 入偏置 电压 约变化 ８ Ｖ。为 输 此 ， Ａ３ ４ 要 采用 稳压 电源供 电 。 Ｃ １０
十１ ５Ｖ稳 压 电压 通 过 Ｒ９加 到 Ｌ ９ Ｍ３ ９内稳 压
使 噪声 电压显 著 降 低 ， 定性 大 幅提 高 。恒 温 器 电 稳
ＣＨＥＮ ｉｈ ｎ Ｔａ— ｏ ｇ
（ ｐ ．ｏ ｅ ｔｉ ｎ ｎ ｏ ｍａ ｉｎ Ｅｎ ｉ ｅ ｒｎ ｆＪａ ｇ ｕ Ｔｅ ｃ ｅ ｓＣ ｌ ｇ ｆＴｅ ｈ ｏｏ ｙ， Ｄｅ ｔ ｆＥｌｃｒｃａ ｄ Ｉ ｆ ｒ ｔｏ ｇｎ ｅ ｉ ｇ ｏ ｉｎ ｓ ａ ｈ ｒ ｏ ｌ ｅｏ ｃ ｎ ｌｇ ｅ
输｛
１ ３ 电路 工作原 理 ．
图 ３是基 于 Ｌ ９ Ｍ３ ９的输 出为 ｌＡ １ 的高精 ／ ０Ｖ
密 度稳 压 电 源 的原 理 图 。 图 ３中电 路 采 用 全 波 整 流 ， 经 电容滤波将 交 流 １ 电压 变 为平滑 的直流 再 ８Ｖ 电压 ， 然后通 过 Ｔ１和 Ｔ 、 ２ Ｔ３和 Ｔ ４组 成 的 调 整元 件 供 给负载稳 定 的直 流 电压 。负 载 电流 为 １Ａ 时 ，
ｉ 卤
１ ２ ＬＭ３ ９的 结 构 原 理 ． ９
ｌ
需 要选 用直 流放 大 倍 数 高 达 １０ ０倍 的 晶体 管 ， ０ 因
德州TI DSP2812
DSPF2812芯片介绍TMS32OF2812是美国TI公司推出的C2000平台上的定点32位DSP芯片，主频150MHZ、处理性能可达150MIPS(每秒钟执行的百万指令数)，每条指令周期6.67ns。
TMS32OF2812采用哈佛总线结构，具有统一的存储模式，包括4M可寻址程序空间和4M可寻址数据空间。
同时片内具有128×16位的FLASH存储器和18K×16位的SRAM，以及4K×16位的引导ROM。
最大支持外扩512K×16位的SRAM和512K ×16位的FLASH。
具有两个事件管理器（EVA、EVB）以及外设中断模块（PIE），最大支持96个外部中断。
TMS32OF2812的外部存储器接口（XINTF）被映射到5个独立的存储空间。
设计时，六路250KHz独立采集AD转换器AD7656和液晶显示模块T6963C可以直接和它接口。
可将AD7656以及T6963C液晶显示模块都被映射到区域0中，外扩的256K×16位的SRAM则被映射到区域6中。
高速DSP(数字信号处理器)的出现使采用数字方法实时计算谐波和无功电流变得更为现实。
在基于DSP控制的有源电力滤波器中，将非线性负载的三相电流直接送人DSP内部的A/D，DSP进行处理后将计算出的指令电流通过D/A送给外部的电流跟踪控制电路;或者在DSP中实现数字控制算法，通过拍口或PWM口直接发出开关控制信号。
用软件的方法实现谐波和无功电流的计算，能很好的解决模拟方法由于元器件老化和温漂带来的问题，抗干扰能力也大大增强;由于DSP芯片强大的运算能力，先进的控制理论可以得以实现，由于只需更改软件，系统变得更加简单。
从PWM方法进行区分，对APF的数字控制方法主要有滞环控制、三角波控制与空间矢量控制。
2)D/A电路D/A采用MAXIM公司的MAX526芯片，T形电阻网络结构，十二位，并行输人，四通道，误差最大为ILSB，建立时间为3us。
高稳定激光原子磁力仪恒流源电路设计
高稳定激光原子磁力仪恒流源电路设计陈立杰;黄光明;杨国卿【摘要】针对用于原子磁力仪的895 nm VCSEL激光器,提出了一种电路结构简单,高稳定性的压控恒流源电路.此电路使用了一种巧妙的精密恒流源电路与一种常见的压控微电流源电路相并联,在保证高稳定性和一定精度的基础上,实现了低成本、小体积和低功耗.通过实验检测表明,恒流源的稳定性优于10-6A(最大波动0.35μA),电流步进连续可调,电路面积为4.5 cm ×4.5 cm,最大功耗为468 mW,能够很好地满足小型激光泵浦的原子磁力仪对激光器的控制要求.【期刊名称】《激光与红外》【年(卷),期】2019(049)008【总页数】7页(P1007-1013)【关键词】高稳定性;VCSEL激光器;恒流源;磁力仪【作者】陈立杰;黄光明;杨国卿【作者单位】华中师范大学物理科学与技术学院,湖北武汉430079;华中师范大学物理科学与技术学院,湖北武汉430079;杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018【正文语种】中文【中图分类】TN7071 引言高精度的激光泵浦原子磁力仪是分析和测量磁场的有效工具,学科交叉研究的开展使相关的弱磁测量技术发展迅速,高精度磁测技术在地球物理勘探、地质灾害预报、海陆矿藏勘测、环境监测和生物医药等领域展现出巨大的潜力。
同时不同的应用领域对原子光泵磁力仪控制系统的功耗和体积提出了不同的要求[1-2]。
原子磁力仪系统的光源部分主要由半导体激光器及相关控制器、光路元件组成。
激光器在磁力仪中非常重要,是光源部分的核心组件[3]。
在激光器的应用过程中,需要激光器有较高的功率稳定性以及激光的波长稳定性,驱动电流的稳定和温度都会引起激光器的功率和波长变化。
因此设计能够稳定激光器工作温度与输出功率的驱动电路非常必要[4-6]。
虽然很多的高精度商用电流源(比如Anglent的B2902A)都可以满足对激光器电流的控制精度和稳定性要求,但是商用电流源通常价格昂贵,体积和功耗都比较大,不适合集成到自主研发的磁力仪当中。
常用芯片资料
MAX038 0.1Hz-20MHz单片函数发生器
MAX232 "5V电源多通道RS232驱动器/接收器 " +5V-Powered,Multichannel RS232 Drivers/Receivers
Microchip "PIC系列单片机RS232通讯应用 " Microchip PIC系列单片机与数字温度计的RS232通讯应用，内有典型应用电路图、源程序等，可供你作为单片机与RS232通讯方面的应用参考。
MM5369 3.579545MHz-60Hz 17级分频振荡器 常用于LM8361、LM8362、LM8365等电子钟电路将3.579545MHz晶体振荡分频到60Hz
LM431 "可调电压基准电路 "
LM567/LM567C "锁相环音频译码器 "
LM741 "运算放大器 " LM741A/LM741E/LM741/LM741C 运算放大器
LM831 "双低噪声音频功率放大器 "
LM833 "双低噪声音频放大器 "
MC145407 "RS232驱动器/接收器 " EIA-232/V.28 CMOS Driver/Receiver,5V Only, 3 x 3
MC145583 "RS232驱动器/接收器 " 3.3V - 5.0V EIA-232/V.28 CMOS Driver/Receiver, 3 x 5
MC2833 "低功率调频发射系统 " Low Power FM Tranmistter System
极管及钽电容品牌的一些参数
极管及钽电容品牌的一些参数晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。
1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。
在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V电感电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。
精密基准电压源LM399系列
-31-精密基准电压源L M399系列西安石油学院孟开元李绍敏摘要:精密基准电压源L M399系列是迄今为止同类产品中温度系数最低的器件,内部有恒温电路,可保证器件的长期稳定性。
本文主要介绍了该系列基准电压源的结构原理和性能特点,并简要说明了应用方法。
关键词:精密基准电压温度系数恒温电路参 数最小值典型值最大值单位反向击穿电压6.66.957.3V反向动态阻抗0.51.5Ω击穿电压温度系数0.000030.0001% ℃温度稳定器电源电压940V1、L M399系列的性能特点L M399系列器件采用标准的密封TO 246型封装,外面加有热保温罩。
L M199的工作温度范围是-55℃到+125℃,L M299的工作温度范围是-25℃到+85℃,L M399的工作温度范围是0℃到+70℃。
其中L M399的使用最广泛,价格也较便宜。
其特点如下:●电压温度系数不超过0.5PPM/℃;●动态阻抗低,典型值为0.5Ω;●击穿电压的初始容差为2%;●低噪声;●低功耗(平衡时),25℃时为300mW ;●长期稳定性好。
基准电压源最重要的技术指标是电压温度系数,它表示温度变化引起的输出电压漂移量(亦称温漂)。
可以看出,在目前生产的基准电压源中,L M199、L M299和L M399的电压温度系数最低,性能最佳。
下面就应用最多的L M399作一介绍。
L M399的电特性如下表所列。
作为高精度的基准电压源,L M399可取代普通的齐纳稳压管,用于A /D 转换器、精密稳压电源、精密恒流源、电压比较器等。
在许多情况下,只需作很小的布线变化,就可用L M399来替换仪器中的电压基准。
2、L M399的结构原理L M399的内部电路可分成两部分:基准电压源和恒温电路。
图1表示了它的管脚排列、结构框图及电路符号。
1、2脚分别是基准电压源的正负极,3、4脚之间接9～14V 的直流电压。
(b )图中的H 表示恒温器。
L M399的基准电压由隐埋齐纳管提供。
精密基准电压源LM399系列
-31-精密基准电压源L M399系列西安石油学院孟开元李绍敏摘要:精密基准电压源L M399系列是迄今为止同类产品中温度系数最低的器件,内部有恒温电路,可保证器件的长期稳定性。
本文主要介绍了该系列基准电压源的结构原理和性能特点,并简要说明了应用方法。
关键词:精密基准电压温度系数恒温电路参 数最小值典型值最大值单位反向击穿电压6.66.957.3V反向动态阻抗0.51.5Ω击穿电压温度系数0.000030.0001% ℃温度稳定器电源电压940V1、L M399系列的性能特点L M399系列器件采用标准的密封TO 246型封装,外面加有热保温罩。
L M199的工作温度范围是-55℃到+125℃,L M299的工作温度范围是-25℃到+85℃,L M399的工作温度范围是0℃到+70℃。
其中L M399的使用最广泛,价格也较便宜。
其特点如下:●电压温度系数不超过0.5PPM/℃;●动态阻抗低,典型值为0.5Ω;●击穿电压的初始容差为2%;●低噪声;●低功耗(平衡时),25℃时为300mW ;●长期稳定性好。
基准电压源最重要的技术指标是电压温度系数,它表示温度变化引起的输出电压漂移量(亦称温漂)。
可以看出,在目前生产的基准电压源中,L M199、L M299和L M399的电压温度系数最低,性能最佳。
下面就应用最多的L M399作一介绍。
L M399的电特性如下表所列。
作为高精度的基准电压源,L M399可取代普通的齐纳稳压管,用于A /D 转换器、精密稳压电源、精密恒流源、电压比较器等。
在许多情况下,只需作很小的布线变化,就可用L M399来替换仪器中的电压基准。
2、L M399的结构原理L M399的内部电路可分成两部分:基准电压源和恒温电路。
图1表示了它的管脚排列、结构框图及电路符号。
1、2脚分别是基准电压源的正负极,3、4脚之间接9～14V 的直流电压。
(b )图中的H 表示恒温器。
L M399的基准电压由隐埋齐纳管提供。
DIY高准确度电压基准2
DIY高准确度电压基准作者：BG2VO网站：哈罗CQ 火腿社区转载处：/forum/showthread.php?t=139719&page=1&pp=30版权声明●全文为BG2VO在哈罗CQ 火腿社区内的帖子整理而成，（BG2VO为本文作者的呼号及哈罗CQ 火腿社区注册名，下同），因此，作者BG2VO对文章及本发布拥有最终解释权。
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更新历史：●Rev.1 整理编辑成书 phenguin 2008-03-18整理时间有限，确有纰漏，望见谅；如对文档整理及编排有疑问，可联系本人phenguin （phenguinmail@）第一章 理论部分第一部分，概述电子电路的电压基准最早是用稳压二极管，利用了二极管反向击穿后的非常陡的雪崩电压特性来进行电压稳定，比如国产的2CW14。
这类稳压管小电压的具有比较大的负温度特性，高电压的具有较大的正温度特性，稳定度和噪音也比较差。
常用运放 稳压等芯片简介
型号资料名称4N35/4N36/4N37光电耦合器AD7520/AD7521/AD7530/AD7521D/A转换器AD754112位D/A转换器ADC0802/ADC0803/ADC08048位A/D转换器ADC0808/ADC08098位A/D转换器ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC08388位A/D转换器CA3080/CA3080A OTA跨导运算放大器CA3140/CA3140A BiMOS运算放大器DAC0830/DAC08328位D/A转换器ICL7106,ICL71073位半A/D转换器ICL7116,ICL71173位半A/D转换器ICL7650载波稳零运算放大器ICL7660/MAX1044CMOS电源电压变换器ICL8038单片函数发生器ICM721610MHz通用计数器ICM7226带BCD输出10MHz通用计数器ICM7555/7555CMOS单/双通用定时器ISO2-CMOS MT8880C DTMF收发器LF351JFET输入运算放大器LF353JFET输入宽带高速双运算放大器 LM117/LM317A/LM317三端可调电源LM124/LM124/LM324低功耗四运算放大器LM137/LM337三端可调负电压调整器LM139/LM239/LM339低功耗四电压比较器LM158/LM258/LM358低功耗双运算放大器LM193/LM293/LM393低功耗双电压比较器LM201/LM301通用运算放大器LM231/LM331精密电压—频率转换器LM285/LM385微功耗基准电压二极管LM308A精密运算放大器LM386低压音频小功率放大器LM399带温度稳定器精密电压基准电路LM431可调电压基准电路LM567/LM567C锁相环音频译码器LM741运算放大器LM831双低噪声音频功率放大器LM833双低噪声音频放大器LM8365双定时LED电子钟电路MAX0380.1Hz-20MHz单片函数发生器MAX2325V电源多通道RS232驱动器/接收器MC1403 2.5V精密电压基准电路MC1404 5.0v/6.25v/10v基准电压MC1413/MC1416七路达林顿驱动器MC145026/MC145027/MC145028编码器/译码器MC145403-5/8RS232驱动器/接收器MC145406RS232驱动器/接收器MC145407RS232驱动器/接收器MC145583RS232驱动器/接收器MC145740DTMF接收器MC1488二输入与非四线路驱动器MC1489四施密特可控线路驱动器MC2833低功率调频发射系统MC3362低功率调频窄频带接收器MC4558双运算放大器MC7800系列 1.0A三端正电压稳压器MC78L00系列0.1A三端正电压稳压器MC78M00系列0.5A三端正电压稳压器MC78T00系列 3.0A正电压稳压器MC7900系列 1.0A三端负电压稳压器MC79L00系列0.1A三端负电压稳压器MC79M00系列0.5A三端负电压稳压器Microchip PIC系列单片机RS232通讯应用MM5369 3.579545MHz-60Hz 17级分频振荡器MOC3009/MOC3012双向可控硅输出光电耦合器MOC3020/MOC3023双向可控硅输出光电耦合器MOC3081/MOC3082/MOC3083过零双向可控硅输出光电耦合器MOC8050无基极达林顿晶体管输出光电耦合器 MOC8111无基极晶体管输出光电耦合器MT8870DTMF双音频接收器MT8888C DTMF 收发器NE5532/NE5532A双低噪声运算放大器NE5534/SE5534低噪声运算放大器NE555/SA555单时基电路NE556/SA556/SE556双时基电路NE570/NE571/SA571音频压缩扩展器OP07低电压飘移运算放大器OP27低噪音精密运算放大器OP37低噪音高速精密运算放大器OP77低电压飘移运算放大器OP90精密低电压微功耗运算放大器PC817/PC827/PC847高效光电耦合器PT2262无线遥控发射编码器芯片PT2272无线遥控接收解码器芯片SG2524/SG3524脉宽调制PWMST7537电力线调制解调器电路TDA15212×12W Hi-Fi 音频功率放大器 TDA203014W Hi-Fi 音频功率放大器TDA26162×12W Hi-Fi 音频功率放大器TDA7000T FM 单片调频接收电路TDA7010T FM 单片调频接收电路TDA7021T FM MTS单片调频接收电路TDA7040T低电压锁相环立体声解码器TDA7050低电压单/双声道功率放大器TL062/TL064低功耗JFET输入运算放大器TL071/TL072/TL074低噪声JFET输入运算放大器TL082/TL084JFET 宽带高速运算放大器TL494脉宽调制PWMTL594精密开关模式脉宽调制控制TLP521/1-4光电耦合器TOP100-4TOPSwitch 三端PWM开关电源电路TOP200-4TOPSwitch 三端PWM开关电源电路TOP209/TOP210TOPSwitch 三端PWM开关电源电路TOP221-7TOPSwitch-Ⅱ 三端PWM开关电源电路TOP232-4TOPSwitch-FX 五端柔韧设计开关电源电路 TOP412/TOP414TOPSwitch 三端PWM DC-DC 开关电源ULN2068 1.5A/50V 4路达林顿驱动电路ULN2803500mA/50V 8路达林顿驱动电路ULN2803/ULN2804线性八外围驱动器阵列VFC32电压—频率/频率—电压转换器备注10-Bit,12-Bit,Multiplying D/A Converters12-Bit,Multiplying D/A Converter8-Bit,Microprocessor-Compatibie,A/D Converters8-Bit μP Compatibie A/D Converters with 8-Channel Multiplexer8-Bit Serial I/O A/D Converters with Multiplexer Options8-Bit μP Compatibie,Double-Buffered D to A ConvertersICL7106,ICL7107,ICL7106S,ICL7107S 3位半LCD/LED显示A/D转换器（ICL7106,ICL7107,ICL7106S,ICL7 ICL7116,ICL7117 3位半LCD/LED显示数据保持A/D转换器（ICL7116,ICL7117 ,3 1/2 Digit,LCD/LED Di ICM7216A/ICM7216B/ICM7216D 10MHz通用计数器、数字频率计、计数器、周期测量仪等仪器的单片专用ICM7226A/ICM7226B 带BCD输出10MHz通用计数器、数字频率计、计数器、周期测量仪等仪器的单片专用ICM7555/ICM7555 CMOS General Purpose TimersISO2-CMOS MT8880C Integrated DTMF TransceiverLM124/LM124/LM324/LM2902 低功耗四运算放大器LM139/LM239/LM339/LM2901/LM3302 低功耗四电压比较器LM158/LM258/LM358/LM2904 低功耗双运算放大器LM193/LM293/LM393/LM2903 低功耗双电压比较器LM231A/LM231/LM331A/LM331 精密电压—频率转换器LM199/LM299/LM399/LM3999 带温度稳定器精密电压基准电路LM741A/LM741E/LM741/LM741C 运算放大器LM8365 双定时LED电子钟电路，中文杂志扫描的PDF文件。
如何设计200元成本的六位半电压电流表
如何设计200元成本的六位半电压电流表——设计思路分享一、前言200元硬件成本做六位半，好像是一种不可思议的事情。
但是随着24位ADC 的价格不断下降，实现六位半分辨率已经变得非常平民化了。
只要放弃长期稳定性的要求，200元完全可以做出一台完整的六位半电压、电流表。
在开始实施前，先解释一下六位半的概念。
六位半指的是分辨率达到100万以上，一般都是作为高档表出现的，与之相匹配的就是较高的绝对精度，主要就是长稳特性。
但要实现长稳，必须采用LM399以上的电压基准，金属箔电阻等昂贵且不易购买的器件，所以低成本必须放弃长稳。
放弃了绝对精度后，高分辨率还有没有意义呢？我觉得是有的。
比如有时候需要测试一个uV级或者uA级的小信号，比较两个信号的大小，或者观察一个信号短时间的变化情况等等，这些只要高分辨率就可以了,不需要太高的绝对精度。
经过几个月的试验调试，低成本六位半已经调试完成，并在淘宝上线，因此将设计过程分享给大家。
由于水平和精力有限，文章肯定会存在疏漏、不全面甚至错误，本人不对由此文章的内容引起的直接的、间接的损害承担责任，不提供任何技术指导。
二、设计目标1、设计一个六位半分辨率的台式电压电流表2、全部采用容易购买的全新器件，BOM成本控制在200元以内3、出色的短稳性能，噪声低于百万分之一，整体温漂5ppm/℃（典型值）4、希望年漂移控制在300ppm以下（是德34461A的基础档年漂移为30ppm）5、电压档可以测试24V分辨到10uV，测量3.3V电压分辨到1uV6、电流档可以测试300mA分辨到100nA，30mA分辨到10nA7、配备有通讯接口，可以连接上位机显示波形、采集并导出数据8、有外壳、面贴等可以作为一个完整的产品，外形类似下图三、关键器件选型1、ADC选型ADC准备选用24bit∑-∆型ADC，候选有TI的ADS1232、ADI的AD7192主要技术指标如下：型号峰峰值分辨率@10Hz采样速率（次/秒）积分非线性（典型值）信号输入电流增益漂移（典型值）价格@10片ADS123221.4bit10~802ppm3~6nA典型值 2.5ppm/℃约13元AD719221.5bit5~48002ppm2~3nA最大值1ppm/℃约29元一开始选择的是ADS1232，主要原因是价格比较低，看着性能也不差。
恒流源在高精度数字多用表中的设计与实现
图２负载接地型的基本恒流源电路
Ｆｉｇ．２ Ｃｏｎｓｔａｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｏｆ ｇｒｏｕｎｄｉｎｇ ｌｏａｄ
图２中，Ｖｏｃ为电源输入电压，也为运放提供工作
电压；％为基准电压源；尺。为采样电阻；尺。为负载电
总第舶卷第５２１期 ２００９年第帖期
电测与仪表 Ｅ／ｅｃｔｒｉｃｓｌ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ＆Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ
Ｖｄ■６ Ｎ０５２１ Ｍａｙ．２００９
恒流源在高精度数字多用表中的设计与实现
徐猛，李智
（桂林电子科技大学电子工程学院，广西桂林５４１００４）
摘要：针对高精度数字多用表中的电阻测量功能，设计了一种高稳定度的恒流源。通过分析典型的恒流源的电
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｃｏｎｓｔａｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ，ｖｏｌｔａｇｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ，ｓａｍｐｌｉｎｇ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ
Ｏ引 言 恒流源在仪器仪表、电子设备及高新科学技术中
属于—个重要的部件。在高精度的数字多用表中，具 有基本的电阻测量功能，而电阻测量的方法通常是经 过电阻一电压僻一∽转换电路，即采用恒流源的方｛去ｌｔｌ。 电阻的测量精度很大程度上取决于流过该被测电阻 的恒流源电流的精度，当恒流源电流精度高时，测得 电阻的电压稳定，能够提高电阻的测量精度。因此，设 计一个稳定性好、准确度高的恒流源是十分关键。本 文根据实际的需要，在器件选型上，考虑到噪声、温漂 的影响，设计出稳定性好的恒流源。 １恒流源介绍
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｏｎｓｔａｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｏｕｒｃｅ ｗｉｔｈ ｈｉ．ｇｌｌ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｉｓ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｏｆ ｈｉＳｈ—
超低功耗高精度电压基准设计
其 中Ｖ Ｔ Ｈ Ｏ 为Ｏ Ｋ 时 晶体管的阂值 电压 ，口 为 阈值 电压的温度系 数。 因此基 准参 考 电压可 以写成 ：
－ ， ＝ ‰ 。 一 ＋ ｎ
誉 警 ｌ ｌ ｌ 印’
（ １ ｏ ）
超低 功 耗 高精度 电压 基准 设 计
吉林 大学 王仁 广 李捷 菲 宫 浩然 纪永 成
【 摘要 】本文设计 了一款适 用 于超低 功耗ｓ ｏ ｃ的高精度 电压基准模块 。本 次设 计的 电压 基准模块创 新性的使 用 了工作 于亚阈值 区＃ ｑ ｔ ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ ｓ 来代 替 传统的电路 结构。除 了用做 电阻的工作 于线性 区的Ｍ０ｓ 管之 外 ，其 余所有的Ｍｏ ｓ 管均工作在 亚阈值 区。仿 真结果表 明．整体 电路 （ 包含启动 电 路 ）的功耗仅 为２ １ ０ ｌ １ Ａ ，电路版 图面积仅 为７ ０ ，在０ ． ７ ￣ １ ． ８ Ｖ 的 电源 电压 范 围内，电路都 能正常输 出大 小￣ ／ ６ ３ （ ） ｍｖ 的基 ； 隹电压 ，在 一 ４ Ｏ ～ １ ２ ５ ￣ － 度 范围 内， ￣ ｆ － ￣ 系数Ｔ ｃ 为１ ６ ｐ ｐ ｍ，＆ｌ ｋ Ｈ ｚ ￣ 范围 内的 电源抑 制比ｐ ｓ ＲＲ 接 近５ ０ ｄ Ｂ ． ． 在 电源上 电以后 ，电路 可以１ ０ ｓ 内快速稳 定的启动 一
因此 当
（ 、 １ ‘ ２ 二 ） ，
（ Ｉ ３ ）
ａ ＝ ｎ 等
等 ｈ ㈢】
成 立 时 ，可 以得 到 零温 度系 数的 基准 参考 电压 。
Ｉ ｏ＝Ｉ ‘ ｃ （ ｔ ｌ 一１ ） 昨
（ ２ ）
其 中 一 Ｋ ＝ 詈 为 晶 体 管 的 宽 长 比 。 为 载 流 子 的 迁 移 率 ， 为 晶
最常用的电子元器件参数及说明
最常用的电子元器件2008-05-28 14:42常用元器件的识别电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。
换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示47×100Ω（即4.7K）；104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色/ x0.01 ±10金色/ x0.1 ±5黑色0 +0 /棕色 1 x10 ±1红色 2 x100 ±2橙色 3 x1000 /黄色 4 x10000 /绿色 5 x100000 ±0.5蓝色 6 x1000000 ±0.2紫色7 x10000000 ±0.1灰色8 x100000000 /白色9 x1000000000 /电容1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。
电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC= 1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
lm399基准负电压电路接法
lm399基准负电压电路接法
基准负电压电路是一种常用的电路，用于产生稳定的负电压参考。
在实际电路设计中，常常需要使用负电压来供电或者作为参考电压，而基准负电压电路可以提供一个稳定的负电压参考，使电路的工作更加可靠和准确。
在基准负电压电路中，LM399是一款常用的集成电路，它可以提供稳定的负电压参考。
LM399基准负电压电路的接法可以分为两种：电流模式接法和电压模式接法。
首先是电流模式接法。
在电流模式接法中，LM399的输出电压是通过对其负载电阻进行电流调节来实现的。
电流模式接法的优点是输出电压稳定性高，能够提供较高的负电压参考。
在电流模式接法中，通常会使用电流源和电流镜电路来实现对负载电流的调节，从而得到稳定的负电压参考。
其次是电压模式接法。
在电压模式接法中，LM399的输出电压是通过对其负载电阻进行电压调节来实现的。
电压模式接法的优点是电路结构相对简单，不需要使用电流源和电流镜电路。
在电压模式接法中，通常会使用电阻分压电路或者运算放大器等来实现对负载电压的调节，从而得到稳定的负电压参考。
不论是电流模式接法还是电压模式接法，都需要合理选择负载电阻的数值，以保证输出电压的稳定性。
同时，为了进一步提高负电压参考的稳定性和准确性，还可以在电路中添加滤波电容和稳压电路等。
总之，LM399基准负电压电路接法是一种常用的电路设计方法，能够提供稳定的负电压参考。
在实际应用中，根据具体的需求和电路设计要求，可以选择电流模式接法或者电压模式接法，并结合合适的电路结构和电阻数值来实现稳定的负电压参考。
通过合理的设计和选型，可以使电路的工作更加可靠和准确。
基于单片机的微小电阻测量系统设计
电阻的测量精度，目前，广泛地采用四线接法测量微
小 电 阻 。 四 线 接 线 法 测 量 原 理 如 图 1 所 示 ，其 中 Rx
图2
为被测电阻，IS 为加到被量电阻上的恒流源，R1 和 R2
为恒流源导线上的等效电阻，V 为电压表，R2 和 R3 为
除导线电阻对微小电阻测量值的影响，能直接提高
- 86 -
IO =
UA
R8
（2）
其中，IO 为输出电流，R8 为取样电阻。R2、R3、R4、
R5 和 R6 为电压调节电路，调节 R5 的电阻时，A 点的电
杨秀增，
等 基于单片机的微小电阻测量系统设计
图5
图 3 高精度恒流源电路
当 C7=C6=C,R4=R5=R 时，电压增益表达式为：
电压表导线的等效电阻。由电路知识可知，当把电
压表接触到被测电阻 Rx 两端时，电压表 V、R1、R2 和 Rx
形成一个闭合回路，由于流过 R1 和 R2 上的电流相等
并方向相反，电压表 V 两端的电压 Vx 与被测量电阻
Rx 的电压相等，被测电阻的阻值可以表示为：
V
Rx = x
IS
（1）
系统总体设计方案
3 硬件设计
3.1
高精度恒流源电路
图 3 为 本 测 试 仪 所 采 用 的 恒 流 源 电 路 ，为 了 提
高恒流源的性能，该系统采用一块高性能的基准电
压产生芯片 LM399 进行设计。由图 3 可知，恒流源
电路由基准电压芯片 U1、电压跟随器 U2、U3、U4、扩流
管 T1 组成。LM399 第 1 脚输出 6.95 V 电压，经分压
基准电压的应用
基准电压的介绍基准电压是许多控制或应用电路所必需的，而且电路的控制精度或性能指标在很大程度上取决于基准电压的好坏。
对基准电压的基本要求是：在电源电压和环境温度变化时其电压值应保持恒定不变。
通常我们选用稳压二极管作为基准电压源，这是最简单、也是最传统的方法，按照所需电压值选一个对应型号的稳压管当然可以，但选得是否合适、是否最佳，却大有讲究。
最基本的电压基准源电路如图1(a)、稳压管的击穿特性如图1(b)所示。
由图1(b)可见，不同稳压值的击穿特性并不相同，4V以下稳压管的击穿特性非常“软”(动态电阻可高达100Ω以上)，其端电压随通过电流的不同、变化很大；而6V以上的特性就非常“硬”、尤以8V左右的特性最硬(动态电阻约4～15Ω)，击穿电压越高动态电阻也越大，例如30V稳压管的动态电阻约为50～100Ω。
环境温度变化时稳压管的击穿特性还会产生漂移。
6V以下的稳压管具有负温度系数、温度升高时稳压值减小。
击穿电压越低则负温度系数越大，例如3V稳压管的温度系数约为-1.5mV/℃；6V以上为正温度系数、温度升高时稳压值增大，击穿电压越高的温度系数越大，例如30V稳压管的温度系数约为33mV/℃；而6V左右稳压管的温度系数最小、且在正负之间变化。
因而在允许情况下应尽可能选用击穿特性较硬、温度系数最小的6V稳压管。
这类稳压管的另一个缺点是同一型号管子其击穿电压的离散性很大，例如2CW1为7～8.5V、2CW5 为11.5～14V，要想挑出合适电压值的管子是非常困难的。
但如果对稳压值要求不高、电路又比较简单的场合，选用普通稳压管还是合适的。
如需要很低的基准电压，要求不高、而又不希望增加成本时，也可利用二极管的正向特性做为约0.7V的稳压管使用。
笔者曾用图示仪对大量二极管的正向特性做过观察，发现稳压管的正向特性相对其它二极管而言最硬，整流管次之、开关管最差，因此可用稳压管正向串联的办法组成0.7V、1.4V、2.1V等的低压基准源，还可以通过改变通过电流的办法微调其端电压值。
对基于恒压源的精密恒流源思考分析
对基于恒压源的精密恒流源思考分析作者：侯冰洲王宇野吴涛来源：《数字技术与应用》2011年第12期摘要：本文分析了恒流源稳定度不高的原因，进行了恒压源器件的互相比较，论述了通过提高恒压源控制电流源的准确度来实现精密恒流源的想法，给处了完善的电路设计图、电路设计原理、对原理的理解以及注意点。
并通过实验检测了提高控制精度来精密恒流源的想法。
关键词：恒压源精密恒流源高精度稳定度温漂中图分类号：TN86 文献标识码：A 文章编号：1007-9416(2011)12-0239-01恒流源是一种电子元件或者电路，它能向负载提供稳定的电流。
主要用于检测热继电器、塑壳断路器、小型短路器及需要设定额定电流、动作电流、短路保护电流等生产场合。
还用于设定放大电路中偏置电流、稳固电路中的静态工作点、负载的有源模拟、信号检测等，大量应用在电子科技和检测技术中。
造成恒流源不稳定的主要因素是温度，温度的变化会对PN结的穿透电流造成影响，因此造成恒流源的电流发生改变。
所以在恒流源的开发过程中，还要采取相关措施使温度对电路的影响降低。
特别是在高精度的测试系统中，恒流源的稳定程度将很大程度的决定系统的精确度，因此设计一个精确度更高的恒流源是整个测试系统的关键步骤。
可是基于科技能力和制造能力的因素，目前市场上所售的恒流元件要将精确度提高到200ppm以内非常的困难，就现在市场上精确度极高的元件——美国国家办法替公司的三端可调式集成恒流元件LM334为例，它的温度系数是0.33％／℃（也就是3300ppm），即使通过一些电路来对温度进行补偿，可是他的精确程度还是很难达到200ppm以内，这样的精确程度还远远不能够满足现在市场上要求非常高的测试系统。
同样情况下，恒压元件的精确程度却比较高，我们还以美国国家半导体公司的集成恒压器件LM399为例，它的电压稳定程度可以到0.0001％／℃(也就是1ppm)。
所以，要想得到精确度很高的恒流源我们可以使用恒压元件来制作。
全mos基准电路-概述说明以及解释
全mos基准电路-概述说明以及解释1.引言【1.1 概述】概述部分将对全MOS基准电路进行简要介绍，包括其定义、特点和作用。
全MOS基准电路是一种采用MOS（金属-氧化物-半导体）器件搭建的基准电路，可以提供稳定的电压或电流作为其他电路的参考。
随着电子技术的迅猛发展，电子器件对电源电压或电流的要求越来越高。
而全MOS基准电路作为一种常见的基准电路，在集成电路设计和模拟电路设计中具有重要的地位和广泛的应用。
全MOS基准电路的特点在于其具备较高的精度、较低的温漂和较好的线性特性。
通过合理的设计和工艺优化，可以实现微细制程下的高精度和高压电源噪声抑制。
这使得全MOS基准电路在各种电子设备中，如模数转换器、电源管理芯片和放大器等领域发挥着重要的作用。
本文将对全MOS基准电路的概念和原理进行介绍，详细讨论了设计全MOS基准电路的要点以及其在不同应用领域中的具体应用。
最后，通过总结对全MOS基准电路进行归纳和总结，并对其未来的发展进行展望，以期对读者对全MOS基准电路有更深入的理解和认识。
在接下来的章节中，我们将深入探讨MOS基准电路的概念和原理，并详细介绍设计全MOS基准电路的要点和技巧。
同时，我们还将介绍全MOS基准电路在模拟电路设计、数据转换和电源管理等领域的应用情况，并分析其优势和局限性。
最后，我们将对全MOS基准电路的未来发展趋势进行展望，希望读者通过本文的阅读能够更好地理解和应用全MOS基准电路。
文章结构部分的内容如下:1.2 文章结构本文共分为三大部分，即引言、正文和结论。
在引言部分，我们将对全MOS基准电路的概述进行介绍。
首先，我们将简要阐述全MOS基准电路的概念和原理，说明其在电路设计中的重要性和优势。
接着，介绍本文的结构和内容安排，以便读者能够清晰地理解文章的脉络。
最后，给出本文撰写的目的和预期的总结。
接下来的正文部分将着重探讨全MOS基准电路的设计要点。
我们将详细解释如何设计一个稳定可靠的全MOS基准电路，包括电路结构的选择、传输特性的优化、偏置电流的设计等要点。