Pspice模型参数

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]第 1 页共9页第 2 页共9页附件B、PSpice Goal Function第 3 页共9页附件CModeling voltage-controlled and temperature-dependent resistorsAnalog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples.Voltage-controlled resistorIf a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values.Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are:Voltage ResistanceThe ABM expression for this is shown in Figure 1.第 4 页共9页Figure 1 - Voltage controlled resistor using look-up tableTemperature-dependent resistorA temperature-dependent resistor (or thermistor) can be modeled with a look-up table, or an expression can be used to describe how the resistance varies with temperature. The denominator in the expression in Figure 2 is used to describe common thermistors. The TEMP variable in the expression is the simulation temperature, in Celsius. This is then converted to Kelvin by adding 273.15. This step is necessary to avoid a divide by zero problem in the denominator, when T=0 C.NOTE: TEMP can only be used in ABM expressions (E, G devices).Figure 3 shows the results of a DC sweep of temperature from -40 to 60 C. The y-axis shows the resistance or V(I1:-)/1A.Figure 2 - Temperature controlled resistor第 5 页共9页Figure 3 - PSpice plot of Resistance vs. Temperature (current=1A)Variable Q RLC networkIn most circuits the value of a resistor is fixed during a simulation. While the value can be made to change for a set of simulations by using a Parametric Sweep to move through a fixed sequence of values, a voltage-controlled resistor can be made to change dynamically during a simulation. This is illustrated by the circuit shown in Figure 5, which employs a voltage-controlled resistor.第 6 页共9页Figure 4 - Parameter sweep of control voltageThis circuit employs an external reference component that is sensed. The output impedance equals the value of the control voltage times the reference. Here, we will use Rref, a 50 ohm resistor as our reference. As a result, the output impedance is seen by the circuit as a floating resistor equal to the value of V(Control) times the resistance value of Rref. In our circuit, the control voltage value is stepped from 0.5 volt to 2 volts in 0.5 volt steps, therefore, the resistance between nodes 3 and 0 varies from 25 ohms to 100 ohms in 25 ohm-steps.第7 页共9页Figure 5 - Variable Q RLC circuitA transient analysis of this circuit using a 0.5 ms wide pulse will show how the ringing differs as the Q is varied.Using Probe, we can observe how the ringing varies as the resistance changes. Figure 6 shows the input pulse and the voltage across the capacitor C1. Comparing the four output waveforms, we can see the most pronounced ringing occurs when the resistor has the lowest value and the Q is greatest. Any signal source can be used to drive the voltage-controlled resistance. If we had used a sinusoidal control source instead of a staircase, the resistance would have varied dynamically during the simulation.第8 页共9页Figure 6 - Output waveforms of variable Q RLC circuit通过几天来的补习,我认为IS只是等于Icb0;而VAF才是VCE0就是最高管耐压;而IKF才是ICE0最大管电流;BF是放大倍数没错了,不知各位师傅有没有别的看法呢?.MODEL MOD1 NPN IS=1E-6 BF=50 RB=100 V AF=160 CJC=3P 3DG201第9 页共9页。

PSpice04

第四讲
如果已知电路中某运放的宏模型及模型参数，用户也可以自己创建该运放的模型。这里将介绍两种最基本的线性运放模型：直流模型和交流模型。
① 运放直流模型运放直流模型可以等效为一个电压控制电压源电路，如图1-23(a)所示，输入电阻Ri很大，输出电阻Ro很小。Ri的典型值取2MegΩ，Ro的典型值取75Ω。理想运放的输出电阻为零，模型可简化为图1-23(b)所示电路。运放直流模型适用于运放的直流和低频分析。
第四讲
而对于非线性元件本身，只需考虑与直流工作状态有关的参数，如晶体管中电荷存储效应则不必考虑。因此不同的分析要求需要建立不同的等效模型。
由于实际电路元件的特性参数常常受集成制造工艺和环境温度等诸多因素的影响，实际参数值与理想的参数远远满足不了模拟要求。因此，对许多元器件符号来说，除定义属性外，还必须引入适当的电路模型、数学模型或物理模型，通过定义相应的模型参数，才能反映各种因素对元器件特性的影响，更准确地模拟实际元器件的性能。
式中，IS—反向饱合电流(A)； q—电子电荷量(1.6022E-19 C)； K—波尔兹曼常数(1.3806E-23J/K)； T—绝对温度（273.16K=0℃）； n—发射系数，考虑PN不是突变结和载流子的复合效应，n在1～2之间取值。二极管的符号与模型如图1-21(b)所示。
第四讲
PSpice中二极管的模型参数共有14个，这些参数的符号、含义和缺省值如表1-6所示。
第四讲
调频信号源：VSFFM、ISFFM 上述信号源名称中，开头字母为“V”的表示电压源，如VSIN为正弦电压源，开头字母为 “I”的表示电流源，如ISIN表示正弦电流源。由于同种类型的电压源和电流源，其属性和使用方法都是类似的，为简便起见，只介绍电压源。 a. 直流电压源(VDC) 直流电压源的属性如图1-30所示：

pspice3(二极管及模型参数)

3
二极管D的模型参数
4
练习1：二极管特性分析
eg1：电路如图所示，二极管参数： Is=2E-12,Rs=2Ω，输入信号为直流电压源，求二极管上端电压随电压源的变化情况（0-5V）
5
模型参数修改方法
选中电路图中的dbreak元件 Schematics的主菜单editmodel 选择弹出对话框中edit instance model（txt）
BUBBL E11 Nhomakorabea12
6
7
文本编辑法（*.cir）
DIODE CIRCUIT *circuit name V1 2 0 5V *net R1 2 1 1k D1 1 0 DMOD .MODEL DMOD D(IS=2E-12 RS=2) *model edit .OP .DC LIN V1 0 5 0.1 *simu setup .PROBE *draw result 2：Pspice A/D-open .END
半导体二极管
半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。
2
二极管的V-I 特性
i D I S (e
v D / VT
1)
正向导通压降:硅管约0.7V,锗管0.2V 反向饱和电流：硅管为纳安（10－9）级锗管为微安（10－6）级
硅二极管2CP10的V-I 特性
锗二极管2AP15的V-I 特性
Test.cir 1：Run editor
8
练习2：整流电路
已知二极管参数：Is=1e-14，Rs=1Ω，输入信号幅度为5V，频率为1KHz的正弦波，求输出电压波形，用文本编辑法实现 V2 1 0 SIN 0 5 1k 0 0 0
9

PSpice16.5教程二(噪声分析、参数分析、温度分析)

3 +7 U1
4 V-
15
1 OS1
6 OUT
5 OS2 V+
V1
0
15
0
out
0
图 2-5 反相运算放大器
上图所用到的器件信息：器件
电源电阻晶体管地
模型
V1 V2 V3 R1 R2 U1 0
2、仿真参数设置
模型库
VDC/source VSIN/source R/analog
uA741/opamp 0/source
邮箱：cadence@ / qipingwang@

也可以使用对数坐标显示结果，点选按钮，就可以得到土 2-10 的结果
1.0V
10uV 0Hz V(OUT)
0.2KHz
0.4KHz
0.6KHz Frequency

2、分析参数的设置
首先点选菜单 Pspice/Edit Simulation，或者点击，出现设置参数的界面，如图 2-2 所示。在图 2-2 界面中选择 AC Analysis，设置频率参数，频率范围 1kHz 到 100MHz。然后点选 Enabled 的小方框，选中噪声分析。并根据图 2-2 所示进行设置。图中的设置表示将整个电路中的噪声源都集中折算到独立源 V1 处，然后计算在等效的噪声源的激励下，输出点 V（out）处的产生的噪声。
3、执行 PSpice 程序
图 2-2 噪声分析的参数设置
图 2-2 点击确定后，再点击仿真工具栏中的，运行仿真。这样又调出了 PSpice
的界面。选择菜单栏 Trace/Add Trace，或者点击图标，在“Simulation Output variables”中找到“V(INOISE)”和“V(ONOISE)”,得到输入噪声的波形和输出噪声的波形，同样还可以通过 Plot/Add Y Axis 增加 Y 轴显示 DB 表示的输入噪声和输出噪声波形。结果如图 2-3 所示。

第三讲-器件模型参数的优化提取详解

元器件模型参数的优化提取微电子学院贾新章(2013. 11 )PSpice中的模型和模型参数库一、概述：为元器件建立模型参数的步骤二、采用Model Editor分组提取模型参数三、基于器件物理原理计算部分模型参数四、建立适用于高级分析的元器件模型参数描述五、元器件模型参数的综合优化提取。

六、为元器件模型描述建立元器件符号七、将新建模型设置为PSpice仿真可以调用的库文件一、概述：为元器件建立模型参数的步骤第一步：优化提取模型参数1、采用Model Editor分组提取模型参数；2、基于器件物理原理，计算部分模型参数；3、为元器件建立适用于高级分析的模型参数描述；4、采用PSpice/Optimizer进行一次综合优化提取。

（采用前面结果作为优化提取模型参数的最佳初值）第二步：建立供Capture绘制电路图调用的元器件符号第三步：将新建模型设置为PSpice仿真可以调用的库文件。

下面将分别介绍每一部分的操作方法。

PSpice中的模型和模型参数库一、概述：为元器件建立模型参数的步骤二、采用Model Editor分组提取模型参数三、基于器件物理原理计算部分模型参数四、建立适用于高级分析的元器件模型参数描述五、元器件模型参数的综合优化提取。

六、为元器件模型描述建立元器件符号七、将新建模型设置为PSpice仿真可以调用的库文件二、采用Model Editor分组提取模型参数Model Editor模块可以对其支持的几种元器件，依据元器件的各种端特性数据，分组优化提取相应当模型参数数据。

(1) 调用MODEL EDITOR模块；(2) 选择执行Model/New命令，从对话框中设置模型类型。

下面以提取双极型晶体管模型参数为例(3)完成设置之后，点击OK，窗口就会更新为参数提取界面，不同的模型类型所对应的界面不相同，但界面的结构形式是一样的，分为三个子窗口。

特性数据输入窗口模型列表窗口参数列表窗口(4) 分组提取各组模型参数：将测试得到的器件外部端特性数据分别输入相应的特性窗口，分组进行参数提取。

Pspice仿真类型及不同电源参数

图1-8 VSFFM属性设置框
VSFFM属性设置框中各项参数的含义及单位见表1-3。
表1-3 VSFFM的属性参数
参数
含义
单位
VOFF
直流偏移电压
伏特
VAMPL
振幅
伏特
FC
载波频率
赫兹
FM
调制频率
赫兹
MOD
调制因子
无
按图1-15设置参数的VSFFM波形如图1-16所示。
图1-9 VSFFM波形
e)指数信号（VEXP、IEXP）
设置完毕，点击确定按钮。
图1-10 Simulation Settings
3．进行电路仿真
（1）执行菜单命令PSpice/Run，或点击工具按钮，调用PSpice A/D软件对该电路图进行仿真模拟。
（2）依次点击工具按钮、、，则电路图上相应位置依次显示节点电压、支路电流及各元器件上的功率损耗。如图1-29所示。
以上各项填完之后，按确定按钮，即可完成仿真分析类型及分析参数的设置。
另外，如果要修改电路的分析类型或分析参数，可执行菜单命令PSpice/Edit Simulation Profile，或点击工具按钮，在弹出的对话框中作相应修改。
（3）电路的模拟仿真
a）PSpice A/D视窗的启动
执行菜单命令PSpice/Run，或点击工具按钮，即可启动PSpice A/D视窗执行电路的仿真模拟，并且系统可自动调用Probe模块，对模拟结果进行后处理，屏幕显示如图1-5所示。
图1-11 VEXP波形
l瞬态分析的应用
现在通过举例，来说明瞬态分析的应用方法。
例：图1-19所示电路的电压源为分段线性源，其波形如图1-20所示。试对该电路进行瞬态分析。

第二讲-PSpice中的器件模型和模型参数

PSpice中的模型和模型参数库一．PSpice中的模型参数库二．模型描述格式半导体器件模型描述格式子电路模型描述格式三．以已有模型为基础新建模型描述四．为实际元器件提取模型参数、建立模型描述3．模型类别（按照建模方式划分）(1) 元器件物理模型(2) 子电路宏模型(3) 黑匣子宏模型4. 目前研究的问题(1) 提高模型精度。

(2) 建立新器件的模型。

(3) 提高模型参数提取精度。

5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。

一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。

注意：这两类库文件存放的子目录不相同。

元器件符号库文件所在的路径元器件模型参数库文件所在的路径注意：只有上述库文件中的元器件符号才配置有模型参数一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。

注意：这两类库文件存放的子目录不相同。

(2) 用户绘制电路图时实际调用的是元器件符号库中的元器件符号图。

调用PSpice进行模拟仿真时软件自动从对应的模型参数库中调用相应的模型参数。

SPICE模型、命令介绍

SPICE模型、命令介绍SPICE模型、命令介绍下⾯列出常⽤SPICE器件的模型描述。

{ }中的参数是必须的，[ ]中的参数可选，{ }*中的参数需要重复。

此外，每个SPICE模型提供商可能会有其他的参数或命令。

DEVICE：1、C device - Capacitor.C{name} {+node} {-node} [{model}] {value} [IC={initial}]Examples:CLOAD 15 0 20pFCFDBK 3 33 CMOD 10pF IC=1.5v2、D device - Diode.D{name} {+node} {-node} {model} [area]Examples:DCLAMP 14 0 DMOD3、I device - Current Source.I{name} {+node} {-node} [[DC] {value}] [AC {mag} [{phase}]]Examples:IBIAS 13 0 2.3mAIAC 2 3 AC .001IPULSE 1 0 PULSE(-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)I3 26 77 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)4、J device - Junction FET.J{name} {d} {g} {s} {model} [{area]}Examples:JIN 100 1 0 JFAST5、K device - Inductor Coupling.K{name} L{name} { L{name} }* {coupling}Examples:KTUNED L3OUT L4IN .8KXFR1 LPRIM LSEC .996、L device - Inductor.L{name} {+node} {-node} [model] {value} [IC={initial}]Examples:LLOAD 15 0 20mHL2 1 2 .2e-6LSENSE 5 12 2uH IC=2mA7、M device - MOSFET.M{name} {d} {g} {s} {sub} {mdl} [L={value}] [W={value}] + [AD={value}] [AS={value}] + [PD={value}] [PS={value}]+ [NRD={value}] [NRS={value}]Examples:M1 14 2 13 0 PNOM L=25u W=12uM13 15 3 0 0 PSTRONG8、Q device - Bipolar Transistor.Q{name} {c} {b} {e} [{subs}] {model} [{area}]Examples:Q1 14 2 13 PNPNOMQ13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.59、R device - Resistor.R{name} {+node} {-node} [{model}] {value}Examples:RLOAD 15 0 2k10、S device - Voltage-Controlled Switch.S{name} {+node} {-node} {+control} {-control} {model}Examples:S12 13 17 2 0 SMOD11、T device - Transmission Line.T{name} {A+} {A-} {B+} {B-} Z0={value}[TD={val} | F={val}[NL={val}]]Examples:T1 1 2 3 4 Z0=220 TD=115nsT2 1 2 3 4 Z0=50 F=5MEG NL=0.512、V device - Voltage Source.V{name} {+node} {-node} [[DC] {value}] [AC {mag} [{phase}]]Examples:VBIAS 13 0 2.3mVV AC 2 3 AC .001VPULSE 1 0 PULSE(-1mV 1mV 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)V3 26 77 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG)13、X device - Subcircuit Call.X{name} [{node}]* {subcircuit name}Examples:X12 100 101 200 201 DIFFAMPCONTROLLED SOURCES14、E device - Voltage Controlled V oltage Source VCVS.E{name} {+node} {-node} {+cntrl} {-cntrl} {gain}E{name} {+node} {-node} POL Y({value}) {{+cntrl} {-cntrl}}* {{coeff}}* Examples: EBUFF 1 2 10 11 1.0EAMP 13 0 POL Y(1) 26 0 50015、F device - Current Controlled Current Source CCCS.F{name} {+node} {-node} {vsource name} {gain}Examples:FSENSE 1 2 VSENSE 10.016、G device - Voltage Controlled Current Source VCCS.G{name} {+node} {-node} {+control} {-control} {gain}Examples:GBUFF 1 2 10 11 1.017、H device - Current Controlled V oltage Source CCVS.H{name} {+node} {-node} {vsource name} {gain}H{name} {+node} {-node} POL Y({value}) { {vsource name} }* {{coeff}}* Examples: HSENSE 1 2 VSENSE 10.0HAMP 13 0 POL Y(1) VIN 500INPUT SOURCES18、EXPONENTIALEXP( {v1} {v2} {trise_delay} {tau_rise} {tfall_delay} {tau_fall) )19、PULSEPULSE( {v1} {v2} {tdelay} {trise} {tfall} {width} {period} )20、PIECE WISE LINEARPWL( {time1} {v1} {time2} {v2} ... {time3} {v3} )21、SINGLE FREQUENCY FMSFFM( {voffset} {vpeak} {fcarrier} {mod_index} {fsignal} )22、SINE WA VESIN( {voffset} {vpeak} {freq} {tdelay} {damp_factor} {phase} )ANALOG BEHA VIORAL MODELING23、V ALUEE|G{name} {+node} {-node} V ALUE {expression}Examples:GMULT 1 0 V ALUE = { V(3)*V(5,6)*100 }ERES 1 3 VALUE = { I(VSENSE)*10K }24、TABLEE|G{name} {+node} {-node} TABLE {expression} = (invalue, outvalue)* Examples: ECOMP 3 0 TABLE {V(1,2)} = (-1MV 0V) (1MV, 10V)25、LAPLACEE|G{name} {+node} {-node} LAPLACE {expression} {s expression} Examples:ELOPASS 4 0 LAPLACE {V(1)} {10 / (s/6800 + 1)}26、FREQE|G{name} {+node} {-node} FREQ {expression} (freq, gain, phase)* Examples:EAMP 5 0 FREQ {V(1)} (1KZ, 10DB, 0DEG) (10KHZ, 0DB, -90DEG)27、POL YE|G{name} {+node} {-node} POL Y(dim) {inputs X} {coeff k0,k1,...} [IC=value] Examples:EAMP 3 0 POL Y(1) (2,0) 0 500EMULT2 3 0 POL Y(2) (1,0) (2,0) 0 0 0 0 1ESUM3 6 0 POL Y(3) (3,0) (4,0) (5,0) 0 1.2 0.5 1.2COEFFICIENTS28、POL Y(1)y = k0 + k1?X1 + k2?X1?X1 + k3?X1?X1?X1 + ...29、POL Y(2)y = k0 + k1?X1+ k2?X2 + k3?X1?X1+ k4?X2?X1 + k5?X2?X2+ k6?X1?X1?X1 + k7?X2?X1?X1 + k8?X2?X2?X1+ k9?X2? X2?X2 + ...30、POL Y(3)y = k0 + k1?X1 + k2?X2 + k3?X3 + k4?X1?X1 + k5?X2?X1 + k6?X3?X1+ k7?X2?X2+ k8?X2?X3 + k9?X3?X3 + ...STATEMENTS31、.AC - AC Analysis..AC [LIN][OCT][DEC] {points} {start} {end}Examples:.AC LIN 101 10Hz 200Hz.AC DEC 20 1MEG 100MEG32、.DC - DC Analysis..DC [LIN] {varname} {start} {end} {incr}.DC [OCT][DEC] {varname} {start} {end} {points}Examples:.DC VIN -.25 .25 .05.DC LIN I2 5mA -2mA 0.1mA VCE 10V 15V 1V 33、.FOUR - Fourier Analysis..FOUR {freq} {output var}*Examples:.FOUR 10KHz v(5) v(6,7)34、.IC - Initial Transient Conditions..IC { {vnode} = {value} }*Examples:.IC V(2)=3.4 V(102)=035、.MODEL – Device Model..MODEL {name} {type}Typename Devname DevtypeCAP Cxxx capacitorIND Lxxx inductorRES Rxxx resistorD Dxxx diodeNPN Qxxx NPN bipolarPNP Qxxx PNP bipolarNJF Jxxx N-channel JFETPJF Jxxx P-channel JFETNMOS Mxxx N-channel MOSFETPMOS Mxxx P-channel MOSFETVSWITCH Sxxx voltage controlled switch Examples:.MODEL RMAX RES (R=1.5 TC=.02 TC2=.005).MODEL QDRIV NPN (IS=1e-7 BF=30)36、.NODESET – Initial bias point guess..NODESET { {node}={value} }*Examples:.NODESET V(2)=3.4 V(3)=-1V37、.NOISE - Noise Analysis..NOISE {output variable} {name} [{print interval}] Examples:.NOISE V(5) VIN38、.PLOT – Plot Output..PLOT [DC][AC][NOISE][TRAN] [ [{output variable}*] Examples: .PLOT DC V(3) V(2,3) V(R1) I(VIN).PLOT AC VM(2) VP(2) VG(2)39、.PRINT – Print Output..PRINT [DC][AC][NOISE][TRAN] [{output variable}*] Examples: .PRINT DC V(3) V(2,3) V(R1) IB(Q13).PRINT AC VM(2) VP(2) VG(5) II(7)40、.PROBE – Save simulation output PSPICE COMMAND. .PROBE [output variable]*Examples:.PROBE.PROBE V(3) VM(2) I(VIN)41、.SENS - Sensitivity Analysis..SENS {output variable}*Examples:.SENS V(9) V(4,3) I(VCC)42、.SUBCKT - Subcircuit Definition..SUBCKT {name} [{node}*]Examples:.SUBCKT OPAMP 1 2 101 10243、.TEMP – Temperature Analysis..TEMP {value}*Examples:.TEMP 0 27 12544、.TF – DC Transfer Function..TF {output variable} {input source name}Examples:.TF V(5) VIN45、.TRAN - Transient Analysis..TRAN {print step value} {final time} [{no print time} [{step ceiling value}]] [UIC] Examples:.TRAN 5NS 100NS。

关于PSPICE仿真软件中如何使用PARAMETERS参数分析教程

关于PSPICE仿真软件中如何使用PARAMETERS参数分析教程利用PARAMETERS进行参数分析，能够很好的分析参数变化所引起的波形变化，从而迅速观察出所需参数的范围值。

掌握此方法能够帮助我们高效率的完成工作。

接下来让我们看一下PARAMETERS参数分析使用的具体方法。

我们以一个TL431的分路稳压器的电路我为基础了解如何运用参数分析功能。

首先建立一个简单的原理图。

如上图所示，利用TL431的可编程性，调整R1,R2的比例关系，我们可以得到一个≤36V的输出电压，即Vout=Vvef（1+R2/R1）。

接下来我们看下此点路的波形，在原理图上我们添加两个电压探针。

仿真波形如下图所示：从波形中我们可以看出，Vref=2.4912V ，Vout=4.9845V。

从而验证了Vout=Vref（1+R2/R1），从例子中我们看出仿真软件给我们带来的便利。

接下来我们进入主题，学习如何运用PARAMETERS进行参数分析。

首先我们如下图搜索PARAM，选定PARAM/SPECIAL放在原理图上。

接下来我们就针对上图中的PARAMETERS进行相关的设置，设置之前要明确我们的目的，就是通过改变R2的值，来观察输出曲线的变化。

所以我们要做的工作就是把PARAMETERS进行关联。

1、双击PARAMETERS进行Property Editor设定。

2、在新打开的窗口中点击New Column…设置相关参数，var为任意起的一个名字，1k为R2现在的阻值。

3、双击R2的值1k进行关联设置。

此处的Value要与PARAM设置相互关联，此处我设置为｛var｝4、接下来我们进行仿真的相关设置。

设置参数如下图，注意全局变量Parameter name的设置。

5、点击仿真按钮，我们会看到如下对话框，点击OK。

6、我们可以观察到的仿真图形如下：参考电压不变，输出电压根据我们的设定显示出了不同的值。

方便我们对参数选取。

功能的实现基本就介绍到这里，如有疑问请联系我！hanjping@Hanjping at OPPLE2011.2.18。

bjt_model参数解释剖析

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]第 1 页共9页第 2 页共9页附件B、PSpice Goal Function第 3 页共9页附件CModeling voltage-controlled and temperature-dependent resistorsAnalog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples.Voltage-controlled resistorIf a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values.Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are:Voltage ResistanceThe ABM expression for this is shown in Figure 1.第 4 页共9页Figure 1 - Voltage controlled resistor using look-up tableTemperature-dependent resistorA temperature-dependent resistor (or thermistor) can be modeled with a look-up table, or an expression can be used to describe how the resistance varies with temperature. The denominator in the expression in Figure 2 is used to describe common thermistors. The TEMP variable in the expression is the simulation temperature, in Celsius. This is then converted to Kelvin by adding 273.15. This step is necessary to avoid a divide by zero problem in the denominator, when T=0 C.NOTE: TEMP can only be used in ABM expressions (E, G devices).Figure 3 shows the results of a DC sweep of temperature from -40 to 60 C. The y-axis shows the resistance or V(I1:-)/1A.Figure 2 - Temperature controlled resistor第 5 页共9页Figure 3 - PSpice plot of Resistance vs. Temperature (current=1A)Variable Q RLC networkIn most circuits the value of a resistor is fixed during a simulation. While the value can be made to change for a set of simulations by using a Parametric Sweep to move through a fixed sequence of values, a voltage-controlled resistor can be made to change dynamically during a simulation. This is illustrated by the circuit shown in Figure 5, which employs a voltage-controlled resistor.第 6 页共9页Figure 4 - Parameter sweep of control voltageThis circuit employs an external reference component that is sensed. The output impedance equals the value of the control voltage times the reference. Here, we will use Rref, a 50 ohm resistor as our reference. As a result, the output impedance is seen by the circuit as a floating resistor equal to the value of V(Control) times the resistance value of Rref. In our circuit, the control voltage value is stepped from 0.5 volt to 2 volts in 0.5 volt steps, therefore, the resistance between nodes 3 and 0 varies from 25 ohms to 100 ohms in 25 ohm-steps.第7 页共9页Figure 5 - Variable Q RLC circuitA transient analysis of this circuit using a 0.5 ms wide pulse will show how the ringing differs as the Q is varied.Using Probe, we can observe how the ringing varies as the resistance changes. Figure 6 shows the input pulse and the voltage across the capacitor C1. Comparing the four output waveforms, we can see the most pronounced ringing occurs when the resistor has the lowest value and the Q is greatest. Any signal source can be used to drive the voltage-controlled resistance. If we had used a sinusoidal control source instead of a staircase, the resistance would have varied dynamically during the simulation.第8 页共9页Figure 6 - Output waveforms of variable Q RLC circuit第9 页共9页。

Proteus的Prospice电路模型

模拟电路模型常见的有pspice、hspice、通用spice、ti_spice、ISPICE模型。

Prospice（Proteus，采用spice3f5）一、一般元件1、电阻温度特性：。

L1:A, MUTUAL_B=0.5L1:B二、半导体器件1、二极管（19个参数）对于硅二级管，工作电流大概为10uA-100A。

IS为0.01-10uA。

硅整流二极管为5-40uA，稳压二极管为0.1-5uA，发光二极管1-100uA。

对于锗二极管，工作电流100uA-100mA。

IS为10-1000uA。

100mV，ID/IS=45。

200mV，ID/IS=2194。

300m，VID/IS=10^5。

500mV，ID/IS=2.5*10^8。

600mV，ID/IS=1.2*10^10。

700m，VID/IS=5.7*10^11。

1.1 DC模型：Ut=k*T/q=1.3806226e-23*300.15/1.6021918e-19 =0.025864186伏。

推出Ut*ln(10)=0.05955449。

1.2 大信号模型的电荷存储参数Qd：1.3温度模型：φ(T2)=T2/T1*φ(T1)-2*K*T2/q*ln(Is2/Is1);1.4噪声模型1.5IS, RS and CJO are scaled by the area factor。

1.6 直流参数的推导（参数Is、N、Rs）1、Ud=Id*Rs+Ut2*N*ln(Id/IS)方程：设Id=100mA。

① Ud=Id*Rs+Ut2*N*ln(Id/IS)=0.338221② Ud1=Id*e*Rs+Ut2*N+Ut2*N*ln(Id/Is)=0.535911③ Ud2=Id*10*Rs+Ut2*N*ln(10)+Ut2*N*ln(Id/IS)=1.29777②-① Id*(exp(1)-1)*Rs+Ut2*N=0.19769;③-① Id*9*Rs+Ut2*N*log(10)=0.959549;推出Rs=0.9999999，N=0.99990887。

pspice信号源参数大全

PSPiCe仿真-- 常用信号源及一些波形产生方法首先说说可以应用与时域扫描的信号源。

在OrCad CaPtUre 的原理图中可以放下这些模型，然后双击模型，就可以打开模型进行参数设置。

参数被设置了以后，不一定会在原理图上显示出来的。

如果想显示出来，可以在某项参数上，点击鼠标右键，然后选择di splay ,就可以选择让此项以哪种方式显示出来了。

1. Vsin 这个一个正弦波信号源。

相关参数有：VOFF :直流偏置电压。

这个正弦波信号，是可以带直流分量的。

VAMPL :交流幅值。

是正弦电压的峰值。

FREQ :正弦波的频率。

PHASE :正弦波的起始相位。

TD:延迟时间。

从时间0开始，过了TD的时间后，才有正弦波发生。

DF :阻尼系数。

数值越大，正弦波幅值随时间衰减的越厉害。

2. Vexp 指数波信号源。

PSpice模型制作

PSpice 模型创建PSpice 模型是对电路元器件的数学描述，是进行电路仿真分析的前提条件，它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。

因此，在进行 PSpice 仿真之前，需要有相应元器件的适当 PSpice 模型，如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。

在电路设计的过程中，如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数，不一定能够满足各种不同的实际设计需要，这时就需要修改元件模型参数。

此外，对于新创建的元件，则需要用户自己设置适当的 PSpice 模型参数。

一、PSpice 模型参数的修改PSpice 模型修改比较简单：可以直接选择元件，然后右击选择 Edit PSpice model,即可打开PSpice模型编辑器，编辑所需修改的参数，存盘即可。

其中： Models List 栏用以显示模型名称； Simulation Parameters 栏用以修改设置模型参数； Model Text 栏用以显示模型描述语言，当然这里只能读取，不可以在此进行编辑。

二、PSpice模型的创建为了满足具体设计需要，设计者往往需要创建自己的元件库，要进行 PSpice 仿真，就必须对新建元件进行模型设置，新建模型，有两种主要方式：1、 Model Editor 模型编辑（1）执行 Cadence/Release PSpice Accessories/Model Editor 命令，进入模型编辑器界面，执行 File/New 命令，如下图：（2）点击符号，弹出新建模型的 New Model 对话框，如下图：在该对话框中选择设置，Model Name填写模型名称；选择 Use Device Characteristic Curves 表示用硬件的典型曲线来描述模型；选择 Use Templates 表示用软件自带样本进行参数的修改设置； From Model 用以选择模型类型。

Pspice仿真类型及不同电源参数

图1-1交流扫描分析实例
解题步骤略。
1.瞬态分析（Transient Analysis）
瞬态分析即时域分析，可在给定激励信号的情况下，分析电路输出的时间响应，也可在没有激励信号，而有储能元件的情况下，求振荡波形。作瞬态分析可使用5种信号源（皆可通过在属性设置框中设置DC、AC值而作直流、交流分析。具体方法稍后介绍），分别是脉冲信号、分段线性信号、正弦信号、调频信号和指数信号，扫描变量是时间。另外，需要指出的是，数字电路只可作瞬态分析，而不可作直流分析或交流分析。
例：已知电路如图1-25所示，
图1-7
试求各节点电位、各支路电流和电阻消耗的功率。
解题步骤如下：
1．绘图
图1-8
（1）按按钮，点击程序＼OrCAD Family Release 9.2 Lite Edition\Capture Lite Edition，进入Capture电路图编辑界面。
（2）在SOURCE库中调用直流电压源VDC，在ANALOG库中调用电阻R及受控源G1。
按此步骤设置之后，对该电路进行直流扫描分析时，交流源的直流分量即相当于电压值为10V的直流源。
同样的，瞬态信号源包含DC、AC参数项，亦可用于直流或交流分析。设置方法与上类似。
1.直流工作点分析（Bias Point Detail）
直流工作点分析即将电路中的电容视为开路、电感视为短路，并对电路中各个信号源取其直流电平值，然后计算电路的各直流偏置量（例如节点电压、支路电流及元器件功耗等）。仿真结束后，PSice将结果自动存入扩展名为.out的输出文件中。需要指出的是，即使用户未选择进行直流工作点分析，运行PSice程序时，首先也要进行直流工作点分析。
图1-6 Probe窗口的波形显示
一般情况下，直流扫描分析使用直流电源，交流扫描分析使用交流电源，而瞬态分析使用的是瞬态信号源。但需要指出的是，交流源的属性设置框中包含DC参数项，经过设置，交流源也可应用于直流扫描分析电路中。方法是：

Pspice器件模型参数说明

Pspice 器件模型参数说明1、二极管模型及主要参数二极管模型参数如表1所示名称符号 SPIC 名称单位缺省值反向饱和电流(Saturation current) I S IS A 10-14 欧姆电阻(Ohmic resistance) R S RS Ω 0 发射系数(Emission coefficient) n N 1 渡越时间(Transit time) τT TT s 0 零偏置电容(Zero-bias junction capacitance) C j0 CJ0 F 0 结电压(Junction potential) V 0 VJ V 1 电容梯度因子(Grading coefficient) m M 0.5 反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) V ZK BV V ∞ 反向击穿电流(Current at breakdown voltage) I ZK IBV A 10-10仿真时采用理想二极管，参数不需要设置。

参数说明：I S ：PN 结反向扩散电流，该值远小于PN 结反向（漏）电流，因为它为包括反向空间电荷区产生的电流、表面复合电流、表面沟道电流和表面漏导电流。

n ：一般n =1，测量：正向特性线性区 )/ln(2121D D D D I I V V kT q n −=C j0: CD =C d +C j =m nU U V U C eI U )1()1(0D 0j s TTTD −+−τ0j T T 2)1(TDC e I U nU Us+−≈τV 0：0.7-0.8Vm : 0.3-0.5, 一般为0.332、稳压管模型及主要参数模型参数如表1所示，参数设置如下： V ZK =U Z I ZK =I Zmin3、晶体管模型及主要参数模型参数如表2所示名称符号 SPIC 名称单位缺省值传输饱和电流 I S IS A 10-16 正向电流增益 βF BF100 反向电流增益 βR BR 1集电极电阻 R CC’ RC Ω 0 发射极电阻 R EE’ RE Ω 0 基极电阻R BB’ RB Ω 0 理想正向渡越时间τF TFs 0理想反向渡越时间 τR TR s 0 发射结零偏置势垒电容 C je0 CJE F 0 发射结电容梯度因子 m BEJ MJE 0.33 发射结内建电势 V 0e VJE V 0.75 集电结零偏置势垒电容 C jc0 CJC F 0 集电结零偏置势垒电容 m BCJ MJC 0.33 集电结零偏置势垒电容 V 0c VJC V 0.75一般参数设置如下：RB: r bb’RE, RC: 一般设为0 V 0e : =U BE , 一般为0.7V V 0c : 一般为0.75V其它参数说明：0je me0BE 0je je C 2)V U 1(C C ≈−=，此处m BE 约为0.5mc 0CB 0)V U 1(C C +=μμ，此处m BC 约为0.2-0.5 参数设置经验：C je0=0.5C π，C jc0=C μ=C ob4、 MOSFET 模型及主要参数i D 与u GS 、u DS 之间的关系：2GS(th)DO n 2GS(th)GS n 2GS(th)GS n D 2DS DS GS(th)GS n D oxn n n 2GS(th)GS ox n D ox ox oxoxox U I k )U U (k )U U )(L W('k 21i U 21U )U U )[(L W ('k i C 'k )L W()U U )(L W )(C (21i )T (T C =−=−=−−==−==恒流区：可变电阻区：沟道宽长比载流子迁移率，二氧化硅厚度二氧化硅介电常数，μμμεε模型参数设置：KP=k n ’， VT0=阈值电压U GS(th)。

三极管的Pspice模型参数

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]第 1 页共9页第 2 页共9页附件B、PSpice Goal Function第 3 页共9页附件CModeling voltage-controlled and temperature-dependent resistorsAnalog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples.Voltage-controlled resistorIf a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values.Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are:Voltage ResistanceThe ABM expression for this is shown in Figure 1.第 4 页共9页Figure 1 - Voltage controlled resistor using look-up tableTemperature-dependent resistorA temperature-dependent resistor (or thermistor) can be modeled with a look-up table, or an expression can be used to describe how the resistance varies with temperature. The denominator in the expression in Figure 2 is used to describe common thermistors. The TEMP variable in the expression is the simulation temperature, in Celsius. This is then converted to Kelvin by adding 273.15. This step is necessary to avoid a divide by zero problem in the denominator, when T=0 C.NOTE: TEMP can only be used in ABM expressions (E, G devices).Figure 3 shows the results of a DC sweep of temperature from -40 to 60 C. The y-axis shows the resistance or V(I1:-)/1A.第 5 页共9页Figure 2 - Temperature controlled resistorFigure 3 - PSpice plot of Resistance vs. Temperature (current=1A)Variable Q RLC networkIn most circuits the value of a resistor is fixed during a simulation. While the value can be made to change for a set of simulations by using a Parametric Sweep to move through a fixed sequence of values, a voltage-controlled resistor can be made to change dynamically during a simulation. This is illustrated by the circuit shown in Figure 5, which employs a voltage-controlled resistor.第 6 页共9页Figure 4 - Parameter sweep of control voltageThis circuit employs an external reference component that is sensed. The output impedance equals the value of the control voltage times the reference. Here, we will use Rref, a 50 ohm resistor as our reference. As a result, the output impedance is seen by the circuit as a floating resistor equal to the value of V(Control) times the resistance value of Rref. In our circuit, the control voltage value is stepped from 0.5 volt to 2 volts in 0.5 volt steps, therefore, the resistance between nodes 3 and 0 varies from 25 ohms to 100 ohms in 25 ohm-steps.第7 页共9页Figure 5 - Variable Q RLC circuitA transient analysis of this circuit using a 0.5 ms wide pulse will show how the ringing differs as the Q is varied.Using Probe, we can observe how the ringing varies as the resistance changes. Figure 6 shows the input pulse and the voltage across the capacitor C1. Comparing the four output waveforms, we can see the most pronounced ringing occurs when the resistor has the lowest value and the Q is greatest. Any signal source can be used to drive the voltage-controlled resistance. If we had used a sinusoidal control source instead of a staircase, the resistance would have varied dynamically during the simulation.第8 页共9页Figure 6 - Output waveforms of variable Q RLC circuit第9 页共9页。

Pspice器件模型参数说明

Pspice 器件模型参数说明1、二极管模型及主要参数二极管模型参数如表1所示名称符号 SPIC 名称单位缺省值反向饱和电流(Saturation current) I S IS A 10-14 欧姆电阻(Ohmic resistance) R S RS Ω 0 发射系数(Emission coefficient) n N 1 渡越时间(Transit time) τT TT s 0 零偏置电容(Zero-bias junction capacitance) C j0 CJ0 F 0 结电压(Junction potential) V 0 VJ V 1 电容梯度因子(Grading coefficient) m M 0.5 反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) V ZK BV V ∞ 反向击穿电流(Current at breakdown voltage) I ZK IBV A 10-10仿真时采用理想二极管，参数不需要设置。

参数说明：I S ：PN 结反向扩散电流，该值远小于PN 结反向（漏）电流，因为它为包括反向空间电荷区产生的电流、表面复合电流、表面沟道电流和表面漏导电流。

n ：一般n =1，测量：正向特性线性区 )/ln(2121D D D D I I V V kT q n −=C j0: CD =C d +C j =m nU U V U C eI U )1()1(0D 0j s TTTD −+−τ0j T T 2)1(TDC e I U nU Us+−≈τV 0：0.7-0.8Vm : 0.3-0.5, 一般为0.332、稳压管模型及主要参数模型参数如表1所示，参数设置如下： V ZK =U Z I ZK =I Zmin3、晶体管模型及主要参数模型参数如表2所示名称符号 SPIC 名称单位缺省值传输饱和电流 I S IS A 10-16 正向电流增益 βF BF100 反向电流增益 βR BR 1集电极电阻 R CC’ RC Ω 0 发射极电阻 R EE’ RE Ω 0 基极电阻R BB’ RB Ω 0 理想正向渡越时间τF TFs 0理想反向渡越时间 τR TR s 0 发射结零偏置势垒电容 C je0 CJE F 0 发射结电容梯度因子 m BEJ MJE 0.33 发射结内建电势 V 0e VJE V 0.75 集电结零偏置势垒电容 C jc0 CJC F 0 集电结零偏置势垒电容 m BCJ MJC 0.33 集电结零偏置势垒电容 V 0c VJC V 0.75一般参数设置如下：RB: r bb’RE, RC: 一般设为0 V 0e : =U BE , 一般为0.7V V 0c : 一般为0.75V其它参数说明：0je me0BE 0je je C 2)V U 1(C C ≈−=，此处m BE 约为0.5mc 0CB 0)V U 1(C C +=μμ，此处m BC 约为0.2-0.5 参数设置经验：C je0=0.5C π，C jc0=C μ=C ob4、 MOSFET 模型及主要参数i D 与u GS 、u DS 之间的关系：2GS(th)DO n 2GS(th)GS n 2GS(th)GS n D 2DS DS GS(th)GS n D oxn n n 2GS(th)GS ox n D ox ox oxoxox U I k )U U (k )U U )(L W('k 21i U 21U )U U )[(L W ('k i C 'k )L W()U U )(L W )(C (21i )T (T C =−=−=−−==−==恒流区：可变电阻区：沟道宽长比载流子迁移率，二氧化硅厚度二氧化硅介电常数，μμμεε模型参数设置：KP=k n ’， VT0=阈值电压U GS(th)。