微电子的技术发展方向

1 微电子技术发展方向

21世纪初微电子技术仍将以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流；随着IC设计与工艺水平的不断提高，系统集成芯片将成为发展的重点；并且微电子技术与其他学科的结合将会产生新的技术和新的产业增长点。

1.1 主流工艺——硅基CMOS电路

硅半导体集成电路的发展，一方面是硅晶(圆)片的尺寸愈来愈大，另一方面是光刻加工线条（特征尺寸）愈来愈细。

从硅片尺寸来看，从最初的2英寸，经过3英寸、4英寸、5英寸、6英寸发展到当今主流的8英寸。据有关统计，目前世界上有252条8英寸生产线，月产片总数高达440万片，现在还在继续建线。近几年来又在兴建12英寸生产线，硅晶片直径达12英寸（300mm），它的面积为8英寸片（200mm）的2.25倍。1999年11月下旬，由Motorola与Infineon Technologies联合开发的全球首批300mm 晶片产品面市。该产品是64M DRAM，采用的是0.25µm工艺技术，为标准的TSOP 封装。据介绍，300mm晶片较200mm晶片，每个芯片的成本降低了30%～40%。到目前，已经达到量产的12英寸生产线已有6条，它们是：

（1）Semiconductor 300公司，位于德国德累斯顿，开始月产1500片，由0.25µm进到0.18µm。

（2）Infineon公司，位于德国德累斯顿，0.14µm，开始月产4000片。

（3） TSMC公司，位于我国台湾新竹， Fab12工厂生产线，由0.18µm进到0.15µm以至0.13µm，开始月产4500片。

（4）三星公司，位于韩国，Line 11生产线，0.15/0.13µm，开始月产1500片。

（5）Trecenti公司，位于日本那珂N3厂，月产能7000片，0.15/0.13µm。

（6）Intel公司的D1C厂，开始月产4000片，0.13µm。

此外，已经建厂，开始试投的也已有9条线；正在建的有4条线。

采用12英寸晶片生产的IC产品，据报道已有：韩国三星公司批量生产512M 内存（DRAM）；美国Altera公司在台湾TSMC公司加工生产可编程逻辑器件（PLD），采用0.18µm技术；美国Intel公司在2001年3月份宣布，在当年采用0.13µm 技术建12英寸生产线量产CPU。其余各线主要做存储器电路,DRAM、SRAM或Flash。

在光刻加工线条（特征尺寸）方面，如前所述，在主流0.25µm技术之后，已有0.18µm、0.15µm以至0.13µm技术连续开发出来并投入使用。

据报道，韩国现代电子公司在2001年底前，将其下属的4家工厂的工艺技术由0.18µm提升至0.15µm，生产存储芯片。其竞争对手三星电子公司和美光科技公司目前已经有半数芯片采用0.15µm技术。

台湾威盛率先在2001年采用0.13µm工艺生产微处理器产品，但其C3系列仍属于PⅢ产品。Intel和AMD公司市面上产品普遍仍采用0.18µm的技术，但Intel在2002年1月7日发布了采用0.13µm工艺生产出运算频率突破2GHz的Northwood核心P4处理器产品，4月又公布了2.4GHz产品。这样，Intel仍然稳坐技术领先的地位。

在日本，NEC和日立合作于2000年8月率先推出全球第一块采用0.13µm的256M DRAM。2001年日本东芝和富士通与台湾华邦合作，推出0.13µm堆叠式1G DRAM，2002年计划提升到0.11µm。日本五大半导体厂商正在联合开发0.1µm以下工艺制造技术。

2001年8月，美国应用材料公司的设备已可制造出技术水平为0.10µm （100nm）的电路，在制造工艺技术上也有新的突破。美国德州仪器公司正采用0.10µm技术制造模拟和数字电路。

总之，0.10µm（100nm）乃至0.04µm（40nm）的器件已在实验室中制造成功，研究工作已进入亚0.10µm阶段。

美国Intel公司将加速新一代0.09µm（90nm）处理器技术的开发工作，计划在2003年上半年发布其0.09µm处理技术，该处理技术基于铜互连、低K介质和其他的一些性能上。而且该公司又开发成功一种新型晶体管技术，将使CPU集成度达到目前的25倍，可集成10亿只晶体管，将使运行速度达到目前的10倍，工作频率达到20GHz。这种CMOS晶体管结构称为Depleted Substrate Transistor，采用的栅极长度为15 nm，其栅极绝缘膜采用了高介电常数的新型

材料，将通常的SiO

2换为ZrO

2

或Ae

2

O

3

等新材料，通过在绝缘层上的超薄硅层内

制作晶体管来提高开关速度，称它为Intel Tera Hertz晶体管，计划于2006～2010年投产的CPU中使用。据称Intel的这项技术具有“革命性意义”。在提高晶体管响应速度和降低耗电量及发热量方面，它的开发成功将再次打破阻碍摩尔法则继续存在的瓶颈。

1.2 SOC技术——系统集成芯片

早在10年前，半导体厂商就开始探讨系统集成芯片（SOC）技术，英文为System on Chip，多数SOC产品可以采用纯CMOS工艺制造，但是真正的SOC能力要求面向系统的技术，不仅要整合CMOS、双极器件、非挥发性存储器、电源（动态绝缘栅型场效应管）等基本功能技术，而且系统本身还应融合两种以上的基本功能技术。美国Lucent公司微电子部对SOC定义为如下的半导体器件或产品：它在单个硅片或套片上捕捉或实现系统级的知识和专门技术。单个芯片具有如下的功能：

⑴数字信息，微处理器和微控制器核心；

⑵数字逻辑（包含知识产权核心和定制逻辑）；

⑶精度模拟电路；

⑷相关的存储器（如SRAM 或Flash块）；

⑸原型动力（可编程核心）。

SOC是IC设计能力第四次阶跃，把已有优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中，实现系统芯片集成，以IP复用为基础。

实际发展中有两点值得注意。一是DSP已融为SOC技术大厦之关键。用于无线电话、高速Modem和各种其他的电子产品的DSP芯片，正重新改造用作SOC

技术的关键部件。另一是嵌入式超大规模集成电路是实现SOC的一种重要解决方案。嵌入式IC主要包括嵌入式微控制器/微处理器（MCU/MPU）和嵌入式现场可编门阵列（FPGA ），而32位嵌入式MCU/MPU渐成主流产品。

2000年全球SOC芯片的市场销售量已经达到4亿块，销售额达到80亿美元，比1999年增长31%。SOC将成为IC设计业发展的大趋势，其市场平均年增长率将超过30%，预计到2005年，全球SOC市场的销售量将达到14亿块，市场需求额将是280亿美元。

1.3 微电子与其他学科结合诞生新的技术增长点

1.3.1 MEMS和MOEMS技术

MEMS——微机电系统，英文是Micro Electro Mechanical Systems。这是一种体积非常小、重量非常轻的机电一体化产品，其量度以微米为单位。MEMS是指集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的完整的微型机电系统。主要包含微型传感器、执行器和相应的处理电路三部分。它是源于硅微细加工技术，是微电子、材料、机械、化学、传感器、自动控制等多学科交叉的产物。

现在又出现MOEMS——微光机电系统，即微光学电子机械系统。它是在MEMS 的基础上又增加了光学部件。

美国是研究开发MEMS最早的国家，早在20世纪60年代就开始研究。以往MEMS技术一直主要用于军事领域。经过近20年的技术发展，MEMS开始在消费类电子产品领域内大量投产，进入家电领域。目前，国外已开发成功硅基和非硅三维MEMS多种产品。由于硅基MEMS生产工艺与集成电路制作技术相兼容，成本低，性能高，体积微小，所以成为其开发主流。产品有惯性传感器、压力传感器，通信用MEMS元器件、微型光机电器件等。MEMS可应用于汽车、机械和电子、光学、医学生物学、航空航天、军事，以及消费类家电各领域。