3dB单节功率分配器-带宽0.4GHz
恒达微波波导魔T功率分配器 合成器说明书
1.6功率分配器/合成器【产品简介】恒达微波提供一系列高性能的波导魔T 、功分器、合成器产品。
在魔T 的H 臂或E 臂接上负载，则可制成魔T 功率分配器或合成器。
波导魔T 具有如下特点：平衡臂两端对称；从E 臂输入的信号会在平衡臂两端等幅反相输出，H 臂隔离；从H 臂输入的信号会在平衡臂两端等幅同相输出，E 臂隔离；从平衡臂任一端输入的信号在E 臂和H 口等分输出，而对应平衡臂另一端隔离。
因此魔T 具有的对口隔离、邻口3dB 耦合及完全匹配的特点，使之在微波领域获得了广泛应用,尤其用在单脉冲雷达和差比较器、雷达收发开关、功率分配/合成、混频器及移相器等场合。
【型号描述】波导魔T ，波导管型号BJ100，材料为铝（材料为铜时缺省）。
产品类型：波导魔TH D - 100 W M T A波导管型号：B J 100恒达微波材料：铝【产品类型】类型代码含义类型代码含义WET 波导ET 接头WHT 波导HT 接头WMTPC 波导同相功率合成器WMTPD 波导同相功率分配器WMT 波导魔TWSWC 波导90°功率分配器/合成器(窄边耦合)；I\U\XY\YU 型WTWC波导90°功率分配器/合成器(宽边耦合)；I\U\XY\YU 型1.6.1波导ET 接头、波导HT 接头这两种器件在微波系统中常用作功率分配/合成元件。
波导ET 接头可以将E 口输入的信号在平衡臂两端等幅反相输出，反之，在平衡臂两端等幅反相输入信号则在E 口合成输出；波导HT 接头可以将H 口输入的信号在平衡臂等幅同相输出，反之，在平衡臂两端等幅同相输入信号则在H 口合成输出，但是ET 、HT 接头是不匹配的器件，只对其E 口或是H 口进行单端口匹配。
1.6.1.1波导ET 接头【标准产品数据表】产品型号频率范围(GHz)工作带宽对称性(dB)E口驻波比插损(dB)法兰材料涂覆HD-3WET0.32-0.49≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-4WET0.35-0.53≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-5WET0.41-0.62≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-6WET0.49-0.75≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-8WET0.64-0.98≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-9WET0.75-1.15≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-12WET0.96-1.46≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-14WET 1.13-1.73≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-18WET 1.45-2.20≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-22WET 1.72-2.61≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-26WET 2.17-3.30≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-32WET 2.60-3.95≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-40WET 3.22-4.90≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP铝氧化HD-48WET 3.94-5.99≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP铝氧化HD-58WET 4.64-7.05≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP铝氧化HD-70WET 5.38-8.17≤15%±0.35≤1.20≤0.3FDP铜镀银HD-84WET 6.57-9.99≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP铜镀银HD-100WET8.20-12.40≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP铜镀银HD-120WET9.84-15.0≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP铜镀银HD-140WET11.9-18.0≤15%±0.40≤1.25≤0.3FBP铜镀银HD-180WET14.5-22.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-220WET17.6-26.7≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-260WET21.7-33.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-320WET26.5-40.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP铜镀银HD-400WET32.9-50.1≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-500WET39.2-59.6≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-620WET49.8-75.8≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-740WET60.5-91.9≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金HD-900WET73.8-112≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金1.6.1.2波导HT 接头【标准产品数据表】产品型号频率范围(GHz)工作带宽对称性(dB)H 口驻波比插损(dB)法兰材料涂覆HD-3WHT 0.32-0.49≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-4WHT 0.35-0.53≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-5WHT 0.41-0.62≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-6WHT 0.49-0.75≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-8WHT 0.64-0.98≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-9WHT 0.75-1.15≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-12WHT 0.96-1.46≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-14WHT 1.13-1.73≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-18WHT 1.45-2.20≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-22WHT 1.72-2.61≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-26WHT 2.17-3.30≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-32WHT 2.60-3.95≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-40WHT 3.22-4.90≤15%±0.25≤1.15≤0.2FDP 铝氧化HD-48WHT 3.94-5.99≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP 铝氧化HD-58WHT 4.64-7.05≤15%±0.35≤1.20≤0.2FDP 铝氧化HD-70WHT 5.38-8.17≤15%±0.35≤1.20≤0.3FDP 铜镀银HD-84WHT 6.57-9.99≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-100WHT 8.20-12.40≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-120WHT 9.84-15.0≤15%±0.35≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-140WHT 11.9-18.0≤15%±0.40≤1.20≤0.3FBP 铜镀银HD-180WHT 14.5-22.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-220WHT 17.6-26.7≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-260WHT 21.7-33.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-320WHT 26.5-40.0≤15%±0.40≤1.25≤0.4FBP 铜镀银HD-400WHT32.9-50.1≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金产品型号频率范围(GHz)工作带宽对称性(dB)H 口驻波比插损(dB)法兰材料涂覆HD-500WHT 39.2-59.6≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP 铜镀金HD-620WHT 49.8-75.8≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP 铜镀金HD-740WHT 60.5-91.9≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP 铜镀金HD-900WHT73.8-112≤10%±0.50≤1.35≤0.5FUGP铜镀金1.6.2波导魔T【标准产品数据表】产品型号频率范围(GHz)工作带宽驻波比隔离度（E-H ）(dB)对称性(dB)法兰材料涂覆H 口E 口HD-3WMT 0.32-0.49≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-4WMT 0.35-0.53≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-5WMT 0.41-0.62≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-6WMT 0.49-0.75≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-8WMT 0.64-0.98≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-9WMT 0.75-1.15≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-12WMT 0.96-1.46≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-14WMT 1.13-1.73≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-18WMT 1.45-2.20≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.25FDP 铝氧化HD-22WMT 1.72-2.61≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-26WMT 2.17-3.30≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-32WMT 2.60-3.95≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-40WMT 3.22-4.90≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-48WMT 3.94-5.99≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-58WMT 4.64-7.05≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铝氧化HD-70WMT 5.38-8.17≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FDP 铜镀银HD-84WMT 6.57-9.99≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-100WMT 8.20-12.4≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-120WMT 9.84-15.0≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP铜镀银产品型号频率范围(GHz)工作带宽驻波比隔离度（E-H ）(dB)对称性(dB)法兰材料涂覆H 口E 口HD-140WMT 11.9-18.0≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-180WMT 14.5-22.0≤20%≤1.20≤1.50≥35≤0.4FBP 铜镀银HD-220WMT 17.6-26.7≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.4FBP 铜镀银HD-260WMT 21.7-33.0≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.4FBP 铜镀银HD-320WMT 26.5-40.0≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.4FBP 铜镀银HD-400WMT 32.9-50.1≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-500WMT 39.2-59.6≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-620WMT 49.8-75.8≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-740WMT 60.5-91.9≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP 铜镀金HD-900WMT73.8-112≤20%≤1.20≤1.50≥30≤0.5FUGP铜镀金1.6.3波导同相功率分配器/合成器根据波导魔T 所特有的对口隔离、邻口3dB 耦合及完全匹配的特点，可在在波导魔T 的E 臂内置负载，制成波导同相功率分配器/合成器。
三分贝定向耦合器
三分贝定向耦合器摘要：3dB定向耦合器是通信、广播电视系统中重要的器件之一，本文介绍了描述定向耦合器的性能指标参数，详细介绍了3dB定向耦合器的基本结构及特性。
Abstract: 3dB coupler is one of the important components in communication and broadcasting system. In this paper, the specifications of directional coupler are presented,and the basic structures and properties of 3dB coupler are presented in detail.1.引言在广播电视和通信系统中，经常需要耦合部分的射频功率，以满足各种需要。
定向耦合器是一种具有方向性的功率分配器，它能从主传输线系统的正向波中按一定比例分出部分功率，实现功率的分支、分配或合成。
三分贝耦合器是一种特殊的定向耦合器，它广泛应用于功率合成，恒阻滤波器和多工器等系统中。
下面介绍定向耦合器的性能参数，并详细介绍三分贝耦合器的特性。
2. 定向耦合器的基本参数定向耦合器可等效成四端口网络。
它的基本工作原理借助图1来描述。
图1 定向耦合器原理自端口1入射的功率中部分功率从直通端口2输出，另外一部分被耦合到端口3，在理想情况下，没有功率送到隔离端口4。
描述定向耦合器性能的参数主要有耦合度、隔离度、方向性、插入衰减、输入驻波比、频带宽度等。
其中耦合度表征了耦合的强弱。
理想的定向耦合器端口驻波比为1，即端口没有反射；隔离度为无穷大，即隔离端没有输出功率。
设定向耦合器输入端的输入功率为，主线输出端(简称为直通端)的输出功率为，耦合输出端(简称为耦合端)的输出功率为，隔离端的输出功率为，则定向耦合器的有关参数的定义如下。
耦合度C：输入功率与耦合端的输出功率之比，一般用分贝表示，即上式中P1/P3称为功率耦合系数。
有线电视考试习题小结
有线电视考试习题小结1、对前端设备中的频道处理器与电视调制器的输出信号要求寄生输出分量」一：带外抑制特别是邻频道抑制大；频率总偏差小；输出幅度稳固±1dB；相邻频道抑制360dB；带外寄生输出抑制260dB；相邻频道电平差≤2dB；任意频道间电平差≤IodB；V/A比按规定在上-23dB之间;通常以17dB为宜。
2、我国行业推荐标准GY/T106——1999推荐的有线电视广播系统的频率配置，波段划分为：5—65MHZ为上行业务：65—87MHZ为过渡带:87—108MHZ为调频广播业务：110—1000MHZ为模拟电视、数字电视、数据业务。
3、在电磁波中，每一点的电场强度矢量E与磁场强度矢量H的方向总是相互垂直的,同时还与那里的电磁波的传播方向垂直。
4、同轴电缆是由轴线相重合的圆柱形内导体与圆柱壳外导体构成,需要传播的电磁波及其能量在两导体之间沿轴向传播。
5、以传输信号的电平与所反应的亮度关系来讲，图像信号有正极性与负极性两种。
若信号电平增高，图像越亮，则称之正极性图像信号；若信号电平增高，图像越黑，则称之负极性图像信号；我国及大多数国家都使用负极性视频信号调幅。
6、有线电视系统是指将一组高质量的音、视频信号源设备输出的多套电视信号,通过一定的处理，利用同轴电缆、光缆或者也迄传送给千家万户的公共电视传输系统。
7、有线电视系统技术指标，要紧反应在三个方面：系统的噪声特性：要紧有：信噪比与载噪比；系统的失真特性：要紧有：载波交调比、载波互调比、复合二次差拍比、复合三次差拍比:系统的接口特性：要紧有：回波值、邻频与带外寄生输出抑制、系统输出口的相互隔离度、信号接口电平8、前端系统的技术指标，有些是莫设备质量来保证的，如：微分增益、相互隔离、输入与输出阻抗有些是靠系统设计来保证的，如：载噪比、交互调比、载波组合三次差拍比等:而这些指标还需要在前端、干线与分配系统中进行分配。
9、有线电视系统常用的天线有VHF段、UHF段电视信号接收天线:C波段、KU波段下.星电视信号接收天线；微波电视信号接收天线三大类。
微波射频学习笔记11.Wilkinson功率分配器
威尔金森功分器一、3dB功分器的结构组成3dB即等分一分二功分器；其电路结构如下图：①输入线，阻抗Z0；②两路阻抗√2*Z0的1/4波长阻抗变换线；③2*Z0隔离电阻；④两路输出线，阻抗Z0。
（3dB代表功率降低一半，参考前面博客内容）比如阻抗Z0=50Ω：1.输入输出阻抗Z0均为50Ω，与外接设备均匹配；2.1/4波长变换线阻抗70.7Ω；3.隔离电阻R=100Ω；4.从输出端口往输入端口看，依然是匹配的，所以此功分可作为合路器使用。
注：为什么1/4波长线阻抗√2*Z0?为什么隔离电阻2*Z0，为什么有隔离电阻？搜奇偶模分析，朕看不懂，遂pass。
只知道：①输出匹配时，没有功率消耗在电阻上（隔离电阻两端信号等幅等相，无压差，不过信号）；②输出匹配时，输出端口反射的功率会消耗在电阻上，所以输出端口是相互隔离的。
总结：Wilkinson功分器多为微带线和带状线结构，它解决了T型结功分器不能全端口匹配和没有隔离的缺点，但是因为隔离电阻承受功率受限；同时单节功分器带宽不宽，一般采用多节结构。
二、不等分2路功分器若输入端口功率为P1，输出端口功率分别为P2、P3，设P3/P2=K2。
Z3 = Z0*√（（1+K2）/K3）Z2 = K2*Z3 = Z0*√K（1+K2）R=Z0（K+1/K）三、多路Wilkinson功分器当N≥3时，隔离电阻需要跨接，制作比较困难，如下图：①所以一般多路功分器是在一分二的基础上在分二等等...②另外一分三，可以在不等分一分二的基础上，在等分二；③还有当所需路数为奇数时，也可以选择偶数路然后负载堵上一路，懂我意思吧?...四、多节Wilkinson二功分器根据通带起始频率f1和终止频率f2，查表得各节阻抗和隔离电阻值，如下：将上图翻译成人话，就是这个：二等分多节功分器阻抗值和隔离电阻值表其中，特征阻抗值和隔离电阻值为解除归一化处理的实际值，取到小数点后两位；隔离电阻值取整数，因为贴片电阻值都有固定值，所以仿真时，需要就近选择，市面上不需要定制的阻值如下：1 , 1.1 , 1.2 , 1.3 , 1.5 , 1.6 ，1.8 ，2，2.2 ，2.4，2.7 ，3，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.1。
ADS教学大纲
实验报告（2011 / 2012 学年第二学期）课程名称软件实习实验名称ADS实验时间2011/2012学年第二学期指导单位电子科学与工程学院指导教师陈董学生姓名朱殿君班级学号B09020516学院(系) 电子科学与工程学院专业电磁场与无线技术一、设计的性质、目的与任务性质：本课程设计是电磁场专业的实践环节必修课，本大纲依据电子类专业大纲制定。
任务：要求学生在所列出的设计课题中，结合自己的兴趣，选择完成仿真。
目的：通过本设计，强化对微波电路基本理论的掌握，培养实际动手的能力。
二、设计内容从以下5个课题中任选4个，其中实验五必做。
实验一、集总参数低通滤波器仿真设计要求：通带频率范围为0GHz-0.1GHz通带内衰减小于0.6dB在0.2GHz时的衰减大于30dB用标准元器件值进行替换，观察替换前后滤波器响应的变化。
实验二、集总参数带通滤波器仿真设计要求：带通滤波器的中心频率为150MHz通带频率范围为140MHz-160MHz滤波器响应为最大平滑通带内最大衰减为3dB在100MHz和200MHz时衰减大于30dB用标准元器件值进行替换，观察替换前后滤波器响应的变化。
实验三、微带支节线低通滤波器仿真设计要求：通带频率范围为0GHz-4GHz通带内衰减小于3dB在6GHz时的衰减大于25dB系统特性阻抗为50Ω微带线基板的厚度为0.5mm，基板的相对介电常数选为4.4生成版图后，用momentum对版图进行仿真。
实验四、微带平行耦合线带通滤波器仿真设计要求：带通滤波器的中心频率为2GHz通带频率范围为1.9GHz-2.1GHz通带内衰减小于1.5dB在1.7GHz和2.3GHz时衰减大于20dB系统特性阻抗为50Ω微带线基板的厚度为0.5mm，基板的相对介电常数选为4.4生成版图后，用momentum对版图进行仿真。
实验五、3dB单节功率分配器的仿真设计要求：3dB单节功率分配器中心频率为1.8GHz带宽为0.4GHz微带线基板的厚度为0.5mm微带线基板的相对介电常数为4.4各个端口传输线的特性阻抗采用50Ω生成版图后，用momentum对版图进行仿真。
一种宽带一分三Wilkinson功分器设计
设计应用技术ＤＯＩ：１０．１９３９９／ｊ．ｃｎｋｉ．ｔｐｔ．２０２３．０５．０１４一种宽带一分三Wilkinson功分器设计樊帆，申靖轩，戴剑（中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄050051）摘要：针对传统一分三Wilkinson功分器带宽较窄、占用面积较大的问题，基于70 μm GaAs工艺，研制了一种混合π型等效电路和微带线结构宽带一分三Wilkinson功分器。
该功分器的工作频率范围为5～18 GHz，电路尺寸为2 mm×1.3 mm，输入、输出端口的回波损耗均大于20 dB，插入损耗小于6.7 dB，隔离度大于20 dB，幅度不平衡度在±0.5 dB以内，相位不平衡度在±4°以内。
经仿真验证，该功分器性能指标优异，能被很好地应用在射频系统中。
关键词：一分三功分器；宽带Wilkinson功分器；π型等效电路A Wideband One Minute Three Wilkinson Power Divider DesignFAN Fan, SHEN Jingxuan, DAI Jian(The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Shijiazhuang 050051, China)Abstract: In order to solve the problem of narrow bandwidth and large occupation area of traditional one-minute three-Wilkinson power divider, a hybrid π-type equivalent circuit and wideband one-minute three-Wilkinson power divider with microstrip line structure are developed based on 70μm GaAs process. The frequency range of the power divider is 5 to 18 GHz, the circuit size is 2 mm×1.3 mm, the return loss of the input and output ports is greater than 20 dB, the insertion loss is less than 6.7 dB, the isolation degree is greater than 20 dB, the amplitude unbalance is within ±0.5 dB, the phase unbalance is within ±4°. The simulation results show that the power divider has excellent performance and can be used well in radio frequency system.Keywords: one minute three power divider; wideband Wilkinson power divider; π-type equivalent circuit0 引 言功率分配器可以将输入信号的功率分配为多个信号输出，或者将多个射频信号功率进行合成，在射频系统中的应用十分广泛，常见于相控阵雷达和天线等设备中[1-4]。
功分器的设计(最新整理)
功分器现在有如下几种系列[11]：1、400MHz-500MHz 频率段二、三功分器，应用于常规无线电通讯、铁路通信以及450MHz 无线本地环路系统。
2、800MHz-2500MHz 频率段二、三、四微带系列功分器，应用于GSM ／CDMA/PHS/WLAN 室内覆盖工程。
3、800MHz-2500MHz 频率段二、三、四腔体系列功分器，应用于GSM ／CDMA/PHS/WLAN 室内覆盖工程。
4、1700MHz-2500MHz 频率段二、三、四腔体系列功分器，应用于PHS/WLAN 室内覆盖工程。
5、800MHz-1200MHz/1600MHz-2000MHz 频率段小体积设备内使用的微带二、三功分器。
这里介绍几种常见的功分器：一、威尔金森功分器我们将两分支线长度由原来的变为，这样使分支线长度变长，但作4λ43λ用效果与线相同。
在两分支线之间留出电阻尺寸大小的缝隙，做成如图1-14λ所示结构。
图1-1 威尔金森功分器二、变形威尔金森功分器将威尔金森功分器进行变形，做成如图1-2所示结构。
两圆弧长度由原来的变为，且将圆伸展开形成一个近似的半圆。
每个支路通过传输线与4λ43λ2λ隔离电阻相连，这样做虽然会减小电路的工作带宽，但使输出耦合问题得到了解决，而且可以用于不对称，功分比高的电路，隔离电阻的放置更加容易，且两支路间的距离足够大，在输出口可直接接芯片。
图1-2 变形威尔金森功分器三、混合环混合环又称为环形桥路，它也可作为一种功率分配器使用。
早期的混合环是由矩形波导及其4个E-T 分支构成的，由于体积庞大已被微带或带状线环形桥路所取代。
图1-3为制作在介质基片上的微带混合环的几何图形，环的平均周长为 ，环上有四个输出端口，四个端口的中心间距均为。
环路各段归一23g λ4g λ化特性导纳分别为a, b, c ，四个分支特性导纳均为。
这种形式的功率分配器0Y 具有较宽的带宽，低的驻波比和高的输出功率。
功分器基础知识
功分器－技术指标
备注２：有时用户会希望有40dB的隔离度，这种要求合理吗？
l
对功分器来说，不合理。
l 在实验室条件下，功分器的隔离度可以很高。因为此时仪器校准完毕
后，测试端口基本是理想的，同时试验室使用的连接于输入端的负载的 驻波较小。如果要求40dB的隔离度的，要求输入端的驻波为34dB(40dB3dB-3dB),回波损耗为34dB，此时要求驻波为1.04，也就是说，实际使用 中必须使用驻波为1.04的器件接在功分器的输入端，这基本上不可能。
功分器－技术指标
（３）分配损耗－也叫作功分器的理论损耗。Ad＝10log（1/N ） 。
（４）插入损耗－由于传输线的介质或导体不理想等因素，由各种非理想状态引入 的损耗。 （ IL）
IL ＝Ａ－ Ad
（Ａ－实际测量值； Ad －分配损耗值）
损耗－输出端与输入端功率比（＝ 10lg(pout/pin)。是分配损耗与插入损耗之 和，也就是测试时直接从仪器上读出的S21值。
２. 耦合器的技术指标
（１）频率范围 （２）耦合度-耦合精度、波动范围 （３）插入损耗 （４）隔离度 （５）方向性 （６）驻波比
耦合器－技术指标
基本技术指标－耦合度
耦合度波动±0.2dB 平均耦合度
耦合精度 标称耦合度(20dB)
1
2
6dB C1
20dB C2
耦方合向度性 隔离度
耦合度
基本技术指标－方向性
ER越低，线越宽。
相同ER与阻抗： H越大，线越宽；
H越低，线越窄。
3.举例说明
T
功分器－基础设计
Z1(W1) R1
Z2(W2) R2
Z3(W3) R3
耦合器－基本概念
0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器
0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器作者：杨楠杨琦刘鹏来源：《现代信息科技》2022年第08期摘要：基于GaAs增強型pHEMT工艺，设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz～18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。
在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路，通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。
在片测试结果表明，放大器在+5 V工作电压下，工作电流60 mA，在0.1 GHz～18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB，输出P1 dB（1 dB压缩点输出功率）典型值12 dBm，噪声系数典型值2.5 dB。
放大器的芯片尺寸为2.4 mm×1.0 mm×0.07 mm。
关键词：增强型pHEMT;单电源;宽带;分布式放大器;有源偏置中图分类号：TN722 文献标识码：A文章编号：2096-4706（2022）08-0045-040.1 GHz～18 GHz Single Supply Broadband Low Noise AmplifierYANG Nan， YANG Qi， LIU Peng（the 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang 050051， China）Abstract： Based on GaAs enhanced pHEMT process， a monolithic integrated broadband low noise amplifier chip with single power supply and working frequency covering 0.1 GHz～18 GHz is designed. The distributed low noise amplifier and active bias circuit are integrated on the same chip. It provides the gate voltage for the distributed amplifier to realize the single power supply of the amplifier through active bias circuits. The on-chip test results show that under the working voltage of + 5 V， the working current of the amplifier is 60 mA， the small signal gain is 18 db in the working frequency band of 0.1 GHz～18 GHz， the typical value of output P1 db （1dB compression point output power） is 12 dbm， and the typical value of noise coefficient is 2.5 dB. The chip size of the amplifier is 2.4 mm×1 0 mm×0. 07 mm.Keywords： enhanced pHEMT; single supply; broadband; distributed amplifier; active bias0 引言伴随着当今社会信息化的快速发展，无线通信技术已经广泛应用在各个领域，如通信网络、定位系统、无线局域网、蓝牙等等，这些已经成为生活中不可或缺的部分。
威尔金森功分器总结
Z 03 Z 0 (1 K 2 ) K 3 ;
R
(1 K 2 ) Z0 ” K
2. 威尔金森功分器技术指标 频率范围，中心频率 f0 和带宽 BW 频带内输入端口的回波损耗，C11 频带内的插入损耗，C21，C31 两个输出端口之间的隔离度，C23 二、正文 功分器的技术指标主要包括频率范围、端口电压驻波比或回波损耗、输入输出间的传输损耗、输出端 口间的隔离度。 1. ADS 仿真威尔金森功分器 1.1 技术指标如下图所示：
图2
ADS 仿真时的技术指标
1.2 仿真流程： 1.2.1 创建项目和原理图
1.2.2 原理图建模 1）将 MUSB 插入原理图画图区，在画图去双击 MUSB，弹出设置对话框，对微带线设置参数设 置如下：
2 ）在菜单中选择变量 VAR 空间，插入到原理图的画图区，双击空间 VAR ，分别设置四个变量 W50,W70，L1，L2，L3，L4，Lx，分别赋值为 8.2，4.6，11，12，4，13，5。这里取这些值的依据在于下 图所示：
3）
4）
5）画出原理图如下：
6) 原理图的仿真：通过添加 S 参数求解器 SP。对 SP 的设置如下所示：
计算结果如下图：
7) 生成版图： 注：在生成版图前需要关闭与生成版图无关的项目，否则生成会出现各种各样的 bug。 同时，生成版图可以帮助我们很快地检查出那些语法上的错误，如单位错误
这里：L = L1+L2+(W50)/2
图 1 理想 3dB 微带 Wilkinson 功分器示意图 端口 1 输入，端口 2 和 3 作为输出。中间粉色的为隔离电阻。 由于结构对称，各路信号经过的电长度相同，因此在输出端口处于相同的电位，此时隔离电阻不消耗 任何功率。假如信号由于某种原因在输出端口 2 处发生反射，则反射信号功率一部分经过隔离电阻 R 传至 输出端口 3，另一部分功率反射回输入端口，并在支线处再度分配，重新由两支路传输至两个输出端口。由 于阻抗变换线的长度为λ/4，则两路反射信号到达端口 3 时的电长度相差 180 度，所以在端口 3 处，两路信 号幅度相等、相位 相反，彼此相消，从而实现两输出端口之间的相互隔离。对于任意分配比的混合型功率 分配器，隔离电阻的作用相同。 隔离电阻的作用： “从隔离电阻那里开始走起,左右对称,每边都是 1/4 波长,信号走完这两个 1/4 波长 后到达隔离电阻的另一端,但这个时候,在隔离电阻两端信号的电压正好相反,一起走了 1/2 个波长,可以在隔 离电阻上消耗,这样到达另一个端口的信号就没什么了,起到了隔离的作用.”
(整理)微带功率分配器--微带阻抗及隔离电阻值
设计资料微带功率分配器设计方法1. 功率分配器论述：1.1定义：功率分配器是一种将一路输入信号能量分成两路或多路信号能量输出的器件，也可反过来将多路信号能量合成一路输出，此时也可称为合路器。
1.2分类：1.2.1功率分配器按路数分为：2路、3路和4路及通过它们级联形成的多路功率分配器。
1.2.2功率分配器按结构分为：微带功率分配器及腔体功率分配器。
1.2.2根据能量的分配分为：等分功率分配器及不等分功率分配器。
1.2.3根据电路形式可分为：微带线、带状线、同轴腔功率分配器。
1.3概述：常用的功率分配器都是等功率分配，从电路形式上来分，主要有微带线、带状线、同轴腔功率分配器，几者间的区别如下：（1）同轴腔功分器优点是承受功率大，插损小，缺点是输出端驻波比大，而且输出端口间无任何隔离。
微带线、带状线功分器优点是价格便宜，输出端口间有很好的隔离，缺点是插损大，承受功率小。
（2）微带线、带状线和同轴腔的实现形式也有所不同：同轴腔功分器是在要求设计的带宽下先对输入端进行匹配，到输出端进行分路；而微带功分器先进行分路，然后对输入端和输出端进行匹配。
下面对微带线、带状线功率分配器的原理及设计方法进行分析。
2．设计原理：2.1分配原理：微带线、带状线的功分器设计原理是相同的，只是带状线的采用的是对称性空气填充或介质板填充，而微带线的主要采用的是非对称性部分介质填充和部分空气填充。
下面我们以一分二微带线功率分配的设计为例进行分析。
传输线的结构如下图所示，它是通过阻抗变换来实现的功率的分配。
图1：一分二功分器示意图在现有的通信系统中，终端负载均为50Ω，也就是说在分支处的阻抗并联后到阻抗结处应为50Ω。
如上图匹配网络，从输入端口看Ω==500Z Z in ，而Ω==50//21in in in Z Z Z ，且是等分的，所以1in Z =2in Z ，①处1in Z 、②处2in Z 的输入阻抗应为100Ω，这样由①、②处到输出终端50Ω需要通过阻抗变换来实现匹配。
-3dB带宽定义和理解之欧阳歌谷创作
-3dB带宽定义和理解欧阳歌谷（2021.02.01）-3dB带宽指幅值等于最大值的二分之根号二倍时对应的频带宽度。
幅值的平方即为功率，平方后变为1/2倍，在对数坐标中就是-3dB的位置了，也就是半功率点了，对应的带宽就是功率在减少至其一半以前的频带宽度，表示在该带宽内集中了一半的功率。
3dB--指的是比峰值功率小3dB（就是峰值的50％）的频谱范围的带宽； 6dB--同上，6dB对应的是峰值功率的25％。
截止频率用来说明电路频率特性指标的特殊频率。
当保持电路输入信号的幅度不变，改变频率使输出信号降至最大值的0.707倍，或某一特殊额定值时该频率称为截止频率。
在高频端和低频端各有一个截止频率，分别称为上截止频率和下截止频率。
两个截止频率之间的频率范围称为通频带。
关于通频带，3dB带宽，三阶截点和 1dB压缩点 1.通频带通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。
由于放大电路中电容、电感及半导体器件结电容等电抗元件的存在，在输入信号频率较低或较高时，放大倍数的数值会下降并产生相移。
通常情况下，放大电路只适用于放大某一个特定频率范围内的信号。
如图所示为某放大电路的幅频特性曲线。
f1-f2之间为通频带下限截止频率fL：在信号频率下降到一定程度时，放大倍数的数值明显下降，使放大倍数的数值等于0.707倍的频率称为下限截止频率fL。
上限截止频率fH：信号频率上升到一定程度时，放大倍数的数值也将下降，使放大倍数的数值等于0.707倍的频率称为上限截止频率fH。
通频带fbw：fL与fH之间形成的频带称中频段，或通频带fbw。
fbw＝fH－fL 或者定义为：在信号传输系统中,系统输出信号从最大值衰减3dB 的信号频率为截止频率,上下截止频率之间的频带称为通频带,用BW表示通频带越宽，表明放大电路对不同频率信号的适应能力越强。
"通频带" 英文：passband; transmission bands; pass band; 2. 3dB 带宽3dB--指的是比峰值功率小 3dB（就是峰值的50％）的频谱范围的带宽； 6dB--同上，6dB对应的是峰值功率的 25％。
Wilkinson型功率分配器设计_郑强林
据设计频率范围的要求，干路阻抗变换段采用 chebyshev 低通滤波器原型结构，支路阻抗变换段 采用最大平坦度的四分之一波长阶梯阻抗变换 段，两支路之间通过隔离电阻以提高支路之间的 隔离度。其仿真模型图、实物图及仿真曲线测试 曲线如下图 4~7 所示。
上式中，各尺寸突变处的反射系数或其相对 值，按所要求的某种规律取值，便可得到二项式 阻抗变换器，切比雪夫阻抗变换器等。
图 7 3dB 功分器隔离度仿真及测试结果
239
微波学报
2014 年 6 月
等, 译. 北京: 电子工业出版社, 2006. [4] 闫闰卿, 李英惠. 微波技术基础[M]. 3 版. 北京: 北京 理工大学出版社, 2004. [5] Wilkinson E J. An N-way Hybrid Power Divider[J]. IRE Trans. on Microwave Theory and Tech., 1960, 8(1): 116-118. [6] Yee H Y, Chang F C, Audeh N F. N-way TEM-mode broadband power dividers[J]. IEEE Trans. on Microwave Theory Tech., 1970, 18(10): pp682-688. [7] 何猛. 超宽带微波功分器的研制[D]. 成都: 电子科技 大学, 2009. 郑强林 男，1983 年生，硕士研究生。主要研究方向：高
这样，反映在第一个尺寸突变处的总反射系数为
1 2e j2 3e j4 ... i e j2(i1) ...n1e j2n (13)
或写成
238
微波学报
2014 年 6 月
室内分布系统器件介绍
室内分布系统器件介绍在室内分布系统中，经常使用的器件包括射频电缆、功分器、定向耦合器、合路器、天线、直放站、干线放大器、微蜂窝等。
天线、直放站、干线放大器、微蜂窝等。
1射频电缆1.1射频电缆射频电缆用作室内分布系统中射频信号的传输，室内分布系统是利用微蜂窝或直放站的输出，再加上射频电缆通过天线来覆盖一座大厦内部,射频电缆主要工作频率范围在100MHz~3000MHz 之间。
之间。
我们常用的射频电缆编织外导体射频同轴电缆如5D 、7D 、8D 、10D 、12D 这几种，其特点比较柔软，特点比较柔软，可以有较大的弯折度，可以有较大的弯折度，可以有较大的弯折度，适合室内的穿插走线。
适合室内的穿插走线。
适合室内的穿插走线。
皱纹铜管外导体射频同轴电缆皱纹铜管外导体射频同轴电缆如 1/2,7/8等型号，其电缆硬度较大，对于信号的衰减小，屏蔽性也比较好，较多用于信号源的传输。
超柔射频同轴电缆用于基站内发射机、接收机、无线通信设备之间的连接线（俗称跳线），超柔射频同轴电缆弯曲直径与电缆直径之比一般小于7。
图1-1 编织外导体射频同轴电缆编织外导体射频同轴电缆 图1-2 皱纹铜管外导体射频同轴电缆皱纹铜管外导体射频同轴电缆表1-1 射频电缆参数的比较（典型值）射频电缆参数的比较（典型值）规格规格5D 7D 8D 10D 1/2” 7/8 超柔超柔 百米损耗(800MHZ) 19.0dB13.0 12.9 10.2 6.8 3.8 10.9 百米损耗(900MHZ) 20.4dB 14.313.811.07.24.1 11.2 百米损耗(1800MHZ) 29.7 21.1 20.8 16.8 10.6 6.116.530dB 损耗线长(900MHZ)米150 210 215 260 450 730 255 每百米重量(KG) 8 11.5 14.18 25 57 21导线护套外径(mm) 7.59.810.4 13.2 15.82814.7特性阻抗(欧姆) 50 50 50 50 50 50 50驻波比(<2000MHz) ≤1.20≤1.20≤1.20≤1.20≤1.20≤1.20≤1.20相对传输速度相对传输速度 88% 88% 88% 88% 88% 88% 81% 最小弯曲半径(mm) 70 100 110 140 200 280352功分器2.1产品介绍功率分配器（简称功分器），功分器的主要功能是将信号平均分配到多条支路，常用的功分器有二功分、三功分和四功分。
一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片
现代电子技术Modern Electronics TechniqueFeb. 2024Vol. 47 No. 42024年2月15日第47卷第4期0 引 言在射频/微波系统中，功率分配器（简称功分器）是最常见的无源器件[1]。
功分器是一种将信号功率按照工程实际需求来分配的器件，在分支端口相位幅度一致的情况下，也可用于功率合成器，实现多路信号的功率合成。
在多通道大规模射频收发集成电路系统中，功分器是信号的“中转站”，为系统实现信号的分配与合成。
随着微波毫米波电路小型化、高集成度、超宽带的发展，研发一款高性能的功分器至关重要。
功分器的实现方式有很多种，如SIW 功分器[2]、波导功分器[3]、微带功分器[4]等。
SIW 功分器和波导功分器一般多用于大功率收发系统模块间的功率合成或分配，这类功分器体积大、频带窄，只适用于特定电路系统。
而微带功分器又可分为Wilkinson 功分器、电阻性功分器和T 型结功分器，其中Wilkinson 功分器由于结构简单、易于集成、隔离度高等优点被广泛应用[5]。
近年来随着半导体技术的飞速发展，以化合物半导体（GaAs 、GaN 、InP 等）为衬底的单片微波集成电路（MMIC ）成为当今小型化、超宽带、高集成度、低成本和多功能设计的主要研究方向[6]。
本文以实际项目需求为背景，借助于是德科技公司（KEYSIGHT ）的ADS （Advanced Design System ）软件[7]，以及与之适用的国内某GaAs IPD 工艺代工厂提供的PDK （Process Design Kit ）工艺设计包，设计一款性能良好的4~20 GHz 小型化、改进型一分二Wilkinson 功分器芯片。
DOI ：10.16652/j.issn.1004⁃373x.2024.04.003引用格式：张斌，汪柏康，张沁枫，等.一款基于GaAs 工艺的改进型Wilkinson 功率分配器芯片[J].现代电子技术，2024，47（4）：11⁃16.一款基于GaAs 工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片张 斌， 汪柏康， 张沁枫， 孙文俊， 秦战明， 权帅超（中国电子科技集团第五十八研究所， 江苏 无锡 214035）摘 要： 对传统Wilkinson 功率分配器的设计方式进行改进，使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构，并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容，基于砷化镓（GaAs ）工艺，借助ADS 软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson 功率分配器芯片。
3dB定向耦合器的仿真设计与应用_陈峰
1 3dB 定向耦合器的特性
通常应用于广
播电视发射系统中
的 3dB 定 向 耦 合
器是是一个四
图1
耦合结构，其原理
如图 1 所示。
单 节 1/4λ
（λ 为中心频率波
长 ）3dB 耦 合 器
的内导体由两个等
宽的平行耦合板构
成， 耦 合 板 长 度
为中心频率波长
根据仿真尺寸加工样机，实测 的各 s 参数如图 9 所示。
图 9-1 是 SWR 参 数， 样 机 测 试 FM 频 段 内 最 大 SWR<1.08。 图 9-2 是 s21 参 数 , 满 足 -3.15<s21<-2.85 的范围要求。图 9-3 是 s31 参数＜ -35dB。图 9-4 是 s41 参数符合 -3.15<s21<-2.85 的范围要求。
频率 F1 和频率 F2 分别从耦合器 1 的两隔离端输入，经 过耦合器 1 分成两路后分别经过长度为 L1 和 L2 馈线，L1 和 L2 长度要满足公式 (4)、(5) ：
m=0,1,2
(4)
波长
n=1,2,3
λ1 、λ2 分别对应 F1、F2 的 (5)
此时 F1、F2 在两路的相位满足 1 节 3. 所述特性条件， 经过耦合器 2 后将频率 F1 和频率 F2 合成于同一出口。延迟
微带功分器的设计
实现方法及仿真设计高级设计系统（ADS）软件由美国安捷伦公司开发，是当前射频和微波电路设计的首选工程软件。
该软件功能强大，仿真手段丰富多样，可实现包括域和频域、数字和模拟、线性和非线性、电磁和数字处理等多种仿真手段，[天线设计网]并可以对设计结果进行成品率分析和优化，从而大大提高了复杂电路的设计效率。
本设计就采用了ADS软件仿真设计。
用ADS 软件linecalc计算出对应特性阻抗的微带线宽度，以及对应于中心频率12GHZ的λ／４微带线宽度。
理论值如表３所示。
首先用ADS软件设计出电路原理图，并进行仿真和优化，得到最终的原理图如图１所示。
然后将电路原理图转化为版图进行电磁仿真，转化后的版图如图２所示。
版图仿真结果一端口的驻波S11如图３所示，插入损耗S21如图４所示。
测试结果实际做出的产品实物如图所示，该功分器的外部尺寸为２４ｍｍ×２６ｍｍ×１０ｍｍ。
测试系统为矢量网络分析仪。
如下图所示，功分器输入驻波在整个频段内小于1.4，实测的２路传输损耗均小于４ｄＢ（一路为3.5dB，一路为3.6dB），２个端口之间的相位差在18GHZ时为3.210°。
采用多节λ／４阻抗变换器设计工作频带在6~18GHZ的宽带wilkinson功分器，并利用ADS 软件进行设计仿真，结果表明，采用多节λ／４阻抗变换器相级联来展宽工作频带是有效的方法。
在极大展宽频带的同时，功分器的传输损耗、隔离度、驻波等指标可以完全达到要求。
所制作出的实物功分器符合小型化要求，应用在一分四或一分八功分器上，这种葫芦状的功分器结构更加紧凑，在体积上更有优势，完全满足设计指标的要求。
下载提示：有模型附件下载的，请将文件后缀格式“.txsjw”改为“.rar”即可正常打开。
温馨提示：如有转载请注明出处-天线设计网-微带功分器的设计。
微带功分器的设计(资料参考)
微带功分器的设计时间：2015-08-16 来源：天线设计网作者：admin TAGS：威尔金森功率分配器无源器件wilkinson功率分配器是将输入信号功率分成相等或不相等的几路功率输出的一种多端口微波网络。
功率分配器是无源微波器件，反过来就是功率合成器。
功率分配器有多种形式，其中最常用的是g/4功率分配器，这种功率分配器称为威尔金森（wilkinson）功率分配器。
威尔金森功率分配器由三端口网络构成。
在近代射频和微波电路中广泛地使用着功率分配器。
瞬时测频接收机是一种简单而紧凑的接收机，能覆盖很宽的射频频带。
实际的IFM接收机是由若干个简单的瞬时测频（IFM）接收机并行组成。
这就需要使用一分八功分器进行４个通道的信号分配。
一分八功分器可以由几个一分二的功分器级联而成。
[天线设计网]这就对一分二功分器在体积、结构、稳定性以及输出端口之间的相位一致性提出了更高的要求。
本文用多节阻抗变换器级联的方式来实现宽频带和低损耗，使用ADS软件设计并仿真工作频带在6~18GHZ的宽带微带线功分器。
功分器的设计指标功分器的技术指标包括：（１）频率范围：６～１８Ghz；（２）插入损耗：≤４dB；（３）驻波比：≤２；（４）隔离度：≥１８dB；（５）相位一致性：≤５°。
功分器的设计威尔金森功率分配器由三端口网络构成，由于单节λ／４阻抗变换器工作带宽为窄带，不能实现宽带功分器，因此需要采用多节阻抗变换器相级联的方式来展宽工作频带。
本文设计的是一个工作频带在６～１８ＧＨｚ，功分比为１∶１的二路带状线型wilkinson功分器。
带宽为３个倍频层，结合多节λ／４阻抗变换器[天线设计网]相级连的形式，阻抗变换器为３节。
由于本功分器对结构尺寸和相位一致性要求较高，在此选用介电常数为2.2、层压板厚度为0.254mmRoger5880高频层压材料。
结构上采用葫芦状的结构设计。
根据各项指标（工作频段、输入输出端口的驻波、输出端口间的隔离度）要求，由宽带功分器设计理论确定功分器具体尺寸，计算出各段λ／４阻抗变换器的特性阻抗，如表１所示，并计算出隔离电阻的阻值如表２所示。
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3dB单节功率分配器
端口1有输入而其他端口匹配时，端口2和端口3有等幅度同相的输出，并且都比输入信号之后90deg，则称功分比为1的3dB功率分配器。
具体参数说明：在下面看图中非常重要。
1.通带内各端口的反射系数（也叫回波损耗）由S11、S22、S33决
定，越接近负无穷大越好。
2.通带内输出端口的隔离度有S23和S32决定，越接近负无穷大越
好。
3.VSWR=的S11曲线越接近1越好。
4.S21和S31的曲线图越接近越好。
5.要看K的大小应该看中和所
代表的值。
参数：
3dB单节功率分配器
中心频率为1.8GHz
带宽为0.4GHz
微带线基板的厚度为0.5mm
微带线基板的相对介电常数为4.2
各口宽口传输线的特性阻抗为50欧姆
步骤：
步骤：（用DesignGuide设计）
1.打开工程，命名为djgfq。
2.新建设计，命名为djgfq。
3.在原理图元件面板上选择微带线【TLines-Microstrip】，将
插入原理图中。
4.在原理图元件面板上选择【Passive Circuit DG-Couplers】,将
插入原理图中。
5.设置微带线参数。
双击，进行设置。
6.设置威尔金森功率分配器参数。
双击。
出现
Subst=”MSub1”表示微带线的参数有MSub1决定
F=1.8GHz表示功率分配器的中心频率
DeltaF=0.4G表示频率宽度
Zo=50Ohm表示功率分配器三个端口传输线的特性阻抗
N=0表示功率分配器初始设置为0节，计算后决定N的数值
Rmax=0.1表示输入端口（端口1）电压反射系数最大值
K=1.0表示两个输出端口（端口2和端口3）输出功率的比值
Wgap=1.25mm表示电阻的宽度
Delta=0mm表示用于调谐的分支长度增加量
7.使用ADS软件设置向导，根据上面所给参数确定它的结构和尺寸，由ADS设计向导完成。
8.在画图区选中，并单击【DesignGuide】菜单-【Passive Circuit】-【Microstrip Control Window】，点击OK，弹出对话框。
9.在弹出对话框中，选择【Design Assistant】选项，如图，单击【Design】按钮。
10.设计自动完成后，点击原理图中进入子电路查看功率分配器的结构和尺寸，如图
点击，退出子点路。
11.选择中的【Simulation Assistant】选项，设置频率如下:
Start=1.6GHz Stop=2.0GHz Step=10MHz,单击按钮，出现下图：
设计不等功率分配单节功率分配器
参数改动：
2个端口的输出功率比值为2:1，即k=2.0。
具体改动步骤：
1.重新设置威尔金森功率分配器参数
其他不变，将K=1.0改为K=2.0既可。
2. 使用ADS软件设置向导，根据上面所给参数确定它的结构和尺寸，由ADS设计向导完成。
3.在画图区选中，并单击【DesignGuide】菜单-【Passive Circuit】-【Microstrip Control Window】，点击OK，弹出对话框。
4.在弹出对话框中，选择【Design Assistant】选项，如图，单击【Design】按钮。
10.设计自动完成后，点击原理图中进入子电路查看功率分配器的结构和尺寸，如图
11.选择中的【Simulation Assistant】选项，设置频率如下:
Start=1.6GHz Stop=2.0GHz Step=10MHz,单击按钮，出现下图：
13。