中科大九系研究方向资料
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研究生课程内容
School of Computer Science, Univ. of Waterloo
http://www.student.cs.uwaterloo.ca/~cs779/Gallery/
浙江大学 http://www.math.zju.edu.cn/cagd/Seminar/2006_SpringSummer /2006_Spring_Master_CWY.ppt
Ao内光强值大于 阈值的点数
➢ 校正策略
校正过程中由于光强 值的变化，需要不断 调整修正边的长度
校正过程中由于光强值 的变化，需要不断调整
边分割段的长度
拐角校正示意图
边校正示意图
校正模拟结果
L model THD=0.4
depth=20μm
depth=10μm depth=30μm
Rectangle model 3μm*8μm,THD=0.375,depth=10μm
Spline surface
Two adjacent patches joined with C1 continuity.
They share common boundary points (◦).
control vectors (−→) and(···→)
Irregular closed mesh
负胶曝光模型
I (z,t) I (z,t)[A(z,t)g(z,t) B] z
g(z,t) I (z,t)g(z,t)C t
A(z,t) D E exp[m(z,t)]
m( z, t ) t
k1hn
( z, t )[1
m( z, t )]
h( z, t ) t
g ( z, t ) t
k2h( z, t )
研究方向 郑津津教授
中国科学技术大学
答辩内容
个人简介 研究工作介绍 研究论文 研究基金 实验室介绍 人才队伍介绍
个人简介
工作单位： 中国科学技术大学 精密机械与精密仪器系
研究方向： 计算机辅助设计、仿真 现任岗位： 教授、博导 到岗日期： 2004年1月 择优支持日期： 2006年9月 年在岗时间： 12个月
Paramertrization of n-sided the surface
Control mesh
Sabin parametrisation for only n<=6
Zheng-Ball surface patch
in which di are auxiliary variables satisfying
N
I Q
1 N
Ik
Q
k 1
假设在掩模面的光强分布是均匀为1，每束光的相对光 强为1/N
➢ 各种模型接近式紫外光刻模拟结果
5μm*5μm方孔
半径2μm，45o角的扇形在不同间隙下的模拟结果
2 μm线宽的十字形的模拟结果
齿轮模型，参数：齿数8，分度圆直径16μm， 齿顶圆直径20μm
MEMS微结构紫外光刻仿真
MEMS微结构紫外光刻仿真
把光强分布的Dill模型推广到负胶（su－ 8），建立了实用的光强分布负胶模型
(ICIA 2007)
DILL经典曝光模型
DILL模型是1975年由Frederick H. DILL提出的一种经典曝 光模型。DILL认为，曝光过程实际上就是光化学反应与光 照受胶体化学成分变化两个过程互相耦合起来的一种过程。 DILL用两个式子表示了这种过程：
Un Q
1
j
Un
P
K
e jkr r
ds
k 2
r x x0 2 y y0 2 z2
N
In Q Un Q Un* Q n
Un P ae jkz e 1cos2 jkx' cos
第k个点光源 Q点的衍射光强计算为
I
k
Q
U
k
QU
* k
Q
将这N个衍射光强值直接叠加，得到Q点的光强
特点
照明光源、掩模与光刻胶之间的间隙、 光刻胶的厚度都得到了较为准确的处理和考虑
（ICIA2007；中国科技大学学报2007 ）
接近式光刻计算机模拟
➢ 模拟模型建立
照明系统示意图
蝇眼透镜及点光源阵列
基于标量衍射理论的点光源阵列 衍射光场非相干叠加模型
➢ 对每束光采用基尔霍夫衍射理论
光刻胶表面X0Y0内一点Q(x0,y0)的复振幅分布
I (z,t) I (z,t)[AM (z,t) B] z
M (z,t) I (z,t)M (z,t)C t
其中z为从胶表面垂直向下的深度；t表示已曝光的时间；I和 M分别表示在该深度该时刻的光照分布和光致化合物的归一 化浓度分布；A、B、C为光刻胶的曝光参数，它们可以通过 对光透过率曲线T(t)的测量后计算得到。
Closed irregular mesh and the resulting geometric model.
研究工作介绍
计算机辅助设计、仿真领域
MEMS微结构紫外光刻仿真 曲面造型研究 太阳帆航天器仿真研究
研究工作介绍
计算机辅助设计、仿真领域
MEMS微结构紫外光刻仿真 曲面造型研究 太阳帆航天器仿真研究
MEMS微结构紫外光刻仿真
接近式光刻计算机模拟
提出了几种高效的计算在不同掩模图形下光强在光刻胶表面分 布的算法
h(z,t)：光致酸的归一化浓度
g(z,t)：光引发剂的归一化浓度
m(z,t)：单体交联位的浓度，用来表示环氧 树脂单体交联的程度
研究工作介绍
MEMS微结构紫外光刻仿真 曲面造型研究 太阳帆航天器仿真研究
曲面造型研究
实用的n-边形曲面参数化
（The Visual Computer2005，JICS 2006）
MEMS微结构紫外光刻仿真
建立了误差补偿的算法
2.内拐角评价区域
主评价函数
Ao内光强值大于
阈值的点数
E2 Nb Nm
辅助评价函数
Ao
E1 Ns Nm
Ai内采样点数
Ai
Ai内光强值小于 阈值的点数
3.边评价区域 主评价函数 Ai内采样点数
Ao
E1 Ns Nm
Ai内采样点数
E2 Nb Nm
Ai
建立了误差补偿的算法 （ICIA2008； Optics and Precision Engineering 2007 ）
➢ 建立评价区域和评价函数
1.外拐角评价区域
Ai内光强值小于
主评价函数
阈值的点数
Ao
E1 Ns Nm
辅助评价函数来自百度文库
Ai内采样点数
Ai
E2 Nb Nm
Ao内光强值大于 阈值的点数
School of Computer Science, Univ. of Waterloo
http://www.student.cs.uwaterloo.ca/~cs779/Gallery/
浙江大学 http://www.math.zju.edu.cn/cagd/Seminar/2006_SpringSummer /2006_Spring_Master_CWY.ppt
Ao内光强值大于 阈值的点数
➢ 校正策略
校正过程中由于光强 值的变化，需要不断 调整修正边的长度
校正过程中由于光强值 的变化，需要不断调整
边分割段的长度
拐角校正示意图
边校正示意图
校正模拟结果
L model THD=0.4
depth=20μm
depth=10μm depth=30μm
Rectangle model 3μm*8μm,THD=0.375,depth=10μm
Spline surface
Two adjacent patches joined with C1 continuity.
They share common boundary points (◦).
control vectors (−→) and(···→)
Irregular closed mesh
负胶曝光模型
I (z,t) I (z,t)[A(z,t)g(z,t) B] z
g(z,t) I (z,t)g(z,t)C t
A(z,t) D E exp[m(z,t)]
m( z, t ) t
k1hn
( z, t )[1
m( z, t )]
h( z, t ) t
g ( z, t ) t
k2h( z, t )
研究方向 郑津津教授
中国科学技术大学
答辩内容
个人简介 研究工作介绍 研究论文 研究基金 实验室介绍 人才队伍介绍
个人简介
工作单位： 中国科学技术大学 精密机械与精密仪器系
研究方向： 计算机辅助设计、仿真 现任岗位： 教授、博导 到岗日期： 2004年1月 择优支持日期： 2006年9月 年在岗时间： 12个月
Paramertrization of n-sided the surface
Control mesh
Sabin parametrisation for only n<=6
Zheng-Ball surface patch
in which di are auxiliary variables satisfying
N
I Q
1 N
Ik
Q
k 1
假设在掩模面的光强分布是均匀为1，每束光的相对光 强为1/N
➢ 各种模型接近式紫外光刻模拟结果
5μm*5μm方孔
半径2μm，45o角的扇形在不同间隙下的模拟结果
2 μm线宽的十字形的模拟结果
齿轮模型，参数：齿数8，分度圆直径16μm， 齿顶圆直径20μm
MEMS微结构紫外光刻仿真
MEMS微结构紫外光刻仿真
把光强分布的Dill模型推广到负胶（su－ 8），建立了实用的光强分布负胶模型
(ICIA 2007)
DILL经典曝光模型
DILL模型是1975年由Frederick H. DILL提出的一种经典曝 光模型。DILL认为，曝光过程实际上就是光化学反应与光 照受胶体化学成分变化两个过程互相耦合起来的一种过程。 DILL用两个式子表示了这种过程：
Un Q
1
j
Un
P
K
e jkr r
ds
k 2
r x x0 2 y y0 2 z2
N
In Q Un Q Un* Q n
Un P ae jkz e 1cos2 jkx' cos
第k个点光源 Q点的衍射光强计算为
I
k
Q
U
k
QU
* k
Q
将这N个衍射光强值直接叠加，得到Q点的光强
特点
照明光源、掩模与光刻胶之间的间隙、 光刻胶的厚度都得到了较为准确的处理和考虑
（ICIA2007；中国科技大学学报2007 ）
接近式光刻计算机模拟
➢ 模拟模型建立
照明系统示意图
蝇眼透镜及点光源阵列
基于标量衍射理论的点光源阵列 衍射光场非相干叠加模型
➢ 对每束光采用基尔霍夫衍射理论
光刻胶表面X0Y0内一点Q(x0,y0)的复振幅分布
I (z,t) I (z,t)[AM (z,t) B] z
M (z,t) I (z,t)M (z,t)C t
其中z为从胶表面垂直向下的深度；t表示已曝光的时间；I和 M分别表示在该深度该时刻的光照分布和光致化合物的归一 化浓度分布；A、B、C为光刻胶的曝光参数，它们可以通过 对光透过率曲线T(t)的测量后计算得到。
Closed irregular mesh and the resulting geometric model.
研究工作介绍
计算机辅助设计、仿真领域
MEMS微结构紫外光刻仿真 曲面造型研究 太阳帆航天器仿真研究
研究工作介绍
计算机辅助设计、仿真领域
MEMS微结构紫外光刻仿真 曲面造型研究 太阳帆航天器仿真研究
MEMS微结构紫外光刻仿真
接近式光刻计算机模拟
提出了几种高效的计算在不同掩模图形下光强在光刻胶表面分 布的算法
h(z,t)：光致酸的归一化浓度
g(z,t)：光引发剂的归一化浓度
m(z,t)：单体交联位的浓度，用来表示环氧 树脂单体交联的程度
研究工作介绍
MEMS微结构紫外光刻仿真 曲面造型研究 太阳帆航天器仿真研究
曲面造型研究
实用的n-边形曲面参数化
（The Visual Computer2005，JICS 2006）
MEMS微结构紫外光刻仿真
建立了误差补偿的算法
2.内拐角评价区域
主评价函数
Ao内光强值大于
阈值的点数
E2 Nb Nm
辅助评价函数
Ao
E1 Ns Nm
Ai内采样点数
Ai
Ai内光强值小于 阈值的点数
3.边评价区域 主评价函数 Ai内采样点数
Ao
E1 Ns Nm
Ai内采样点数
E2 Nb Nm
Ai
建立了误差补偿的算法 （ICIA2008； Optics and Precision Engineering 2007 ）
➢ 建立评价区域和评价函数
1.外拐角评价区域
Ai内光强值小于
主评价函数
阈值的点数
Ao
E1 Ns Nm
辅助评价函数来自百度文库
Ai内采样点数
Ai
E2 Nb Nm
Ao内光强值大于 阈值的点数