第二章 光电导器件
光电导器件
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光敏电阻的惯性与入射辐射信号的强弱有关,下面分别讨论。
1.弱辐射作用情况下的时间响应
0 0
t=0
t≥0
• 对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δ σ和光 电流IΦ 随时间变化的规律为 (理解参见式1-80)
0 (1 e
t /
)
(2-4) (2-5)
I I 0 (1 et / )
同Cd的组分x,可以得到不同的禁带宽度Eg,便可以制造出不同波
长响应范围的Hg1-xCdxTe探测器件。一般组分x的变化范围为 0.18~0.4,长波长的变化范围为1~30μ m。
2.2
光敏电阻的基本特性
光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件,它与其他光电器件 的特性的差别表现在它的基本特性参数上。光敏电阻的基本特性参 数包含光电导特性、时间响应、光谱响应、伏安特性、温度特性与
• 2.2.4 时间响应
光敏电阻的时间响应(又称为惯性)比其他光电器件要差(惯
性要大)些,频率响应要低些,而且具有特殊性。当用一个理想方 波脉冲辐射照射光敏电阻时,光生电子要有产生的过程,光生电导 率 Δ σ 要经过一定的时间才能达到稳定。当停止辐射时,复合光生 载流子也需要时间,表现出光敏电阻具有较大的惯性。
光敏电阻的光电特性可用一个随光度量变化的指数伽玛(γ) 来描述,并定义γ为光电转换因子。并将式(2-1)改为
I p g pU US g E
光电转换因子在弱
辐射作用的情况下
为1 ( γ=1),随着 入射辐射的增强,γ
值减小,当入射辐
射很强时γ值降低到 0.5。
在实际使用时,常常将光敏电阻的光电特性曲线改用如图2-4所
• 2.2.2 伏安特性
第2章光电器件基础2.6节yuan
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空(或溢出物质表面)。
2. 不同材料的光电发射阈值
图2-17 金属材料能级结构
① 金属材料的光电发射阈值 导带与价带连在一起,它的光电发射阈值Eth等于真空能级 与费米能级之差
E E E th vac f
(2-100)
图2-18 三种半导体的综合能级结构
式中,Evac为真空能级,一般设为参考能级为0;费米能级Ef为 负值;光电发射阈值Eth﹥0。
) n N ( 1 e e ,
t
(2-80)
式中τ=1/Kf(ni+pi) 称为载流子的平均寿命。 光激发载流子浓度随时间按指数规律上升,当t >>τ时, 载流子浓度Δn 达到稳态值Δn0,即达到动态平衡状态,有
n N 0 e ,
光激发载流子引起半导体电导率的变化Δσ为
(2-94)
式中,n0与p0为热平衡载流子的浓度;Δn0为半导体表面处
的光生载流子浓度;μn与μp分别为电子与空穴的迁移率。
μn= 1400 cm2/(V· s),而μp= 500 cm2/(V· s),显然μn >>μp。 以适当频率的单色辐射照射到后度为d 的半导体样品上 时,如果材料的吸收系数α »1/d,则背光面相当于被遮面。 迎光面产生的电子与空穴浓度远比背光面高,在扩散力的作 用下形成双极性扩散运动。结果,半导体的迎光面带正电, 背光面带负电,产生光生伏特电压。 由于双极性载流子扩散运动速率不同而产生的光生伏特 现象也称为丹培效应。
2.6.2 光电发射效应
1.光电发射效应(外光电效应) 当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物
质表面成为真空中的自由电子的现象。
外光电效应中光电能量转换的基本关系为
光电导效应的光电器件 -回复
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光电导效应的光电器件-回复光电导效应(photoconductive effect)是指材料在受到光照射时其电导性能发生变化的现象。
光电导效应可用于制造各种光电器件,如光电导电阻器、光电导电流器等。
本文将以光电导效应的光电器件为主题,逐步回答相关问题,解释其中的原理和应用。
第一部分:光电导效应的原理光电导效应是指材料在光照射下产生额外的自由载流子(电子和空穴),从而改变其电导性能。
这种效应的基本原理可以通过半导体材料的能带结构来解释。
半导体材料的能带结构分为价带和导带。
当物质处于基态时,价带中的电子几乎全部填满,导带中没有电子。
当光照射到材料上时,光子的能量可能被部分或全部转化为电子激发能,使得部分电子从价带跃迁到导带中,形成自由电子和空穴。
自由电子和空穴的产生增加了材料中的载流子浓度,进而提高了材料的电导率。
第二部分:光电导器件的基本结构和工作原理光电导器件利用光电导效应实现信号的转换和控制。
其中最常见的光电导器件是光电导电阻器,它由一块光敏材料和接线块组成。
光电导电阻器的基本结构如下:首先,将光敏材料片置于透明基板上。
材料选择上常采用石英、硅等半导体材料;然后,在光敏材料上薄膜形成一对电极,电极可采用导电材料如金属等制成;最后,通过接线块将电阻器与电路连接,形成一个封装完整的器件。
当光照射到光敏材料上时,光子的能量被转化为电子激发能,从而增加光敏材料中的自由载流子浓度。
这导致了光敏材料的电导率发生变化,从而改变了器件的电阻值。
当光照的强度增加时,材料中电子和空穴的浓度也增加,电导率增大,电阻值减小;反之,当光照的强度减小或消失时,电导率减小,电阻值增大。
第三部分:光电导器件的应用光电导器件由于其对光照射的敏感性以及其响应速度快等特点,被广泛应用于光电器件领域。
1. 光敏电阻:光敏电阻是光电导器件的一种应用。
它可以根据光照的强度变化调节电路的电阻值,从而实现光敏控制与信号检测。
2. 光敏开关:光敏开关是通过光电导效应控制开关状态的器件。
光电导器件
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入射光
光电导材料
Ip Ubb
I
两种类型光敏电阻能带图
本征吸收
要发生本征吸收,光子能量必须大于 材料禁带宽度,即 hv≥Eg或hc/λ≥Eg本 征吸收在长波方向必存在一个界限 λo=h×c/Eg=1.24/Eg(μm) h----普朗克常数为 6.62*10-34JS c----光在真空中的传播速3*108m/s
光敏电阻响应特性曲线
光敏电阻采用交变光照时,其输出将随入 光敏电阻采用交变光照时, 射光频率的增加而减小。 射光频率的增加而减小。
几种光敏电阻的频率特性曲线 1-硒化镉 2-硫化镉 3-硫化铊 4-硫化铅 硒化镉 硫化镉 硫化铊 硫化铅
9、噪声特性 、
光敏电阻的固有噪声主要有三种:热噪 声、产生-复合噪声及 1/f 噪声。
4.7nF
150kΩ
C4
VDW
6V
820kΩ PbS
R3
1kΩ
32kΩ
光敏电阻的电极常采用梳状图案, 光敏电阻的电极常采用梳状图案,它是在一定的 电极常采用梳状图案 掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。 掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。
光电导材料的两侧为金属导 电材料, 电材料,并在其上设置电极
为什么采用以上结构? 为什么采用以上结构? 减小光敏电阻两极间的距离可以大大提高增益; 减小光敏电阻两极间的距离可以大大提高增益; 光敏面作成蛇形,电极作成梳状是因为这 光敏面作成蛇形,电极作成梳状是因为这 蛇形 梳状 样即可以保证有较大的受光表面, 样即可以保证有较大的受光表面,也可以减小 电极之间距离,从而可减小极间电子渡越时间, 电极之间距离,从而可减小极间电子渡越时间, 有利于提高灵敏度。 有利于提高灵敏度。
光电导器件分解课件
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温度特性
总结词
光电导器件在不同温度下的性能表现。
详细描述
温度特性对于光电导器件的应用至关重要。随着温度的升高 ,光电导器件的响应速度可能会变慢,灵敏度可能会降低。 了解温度特性有助于优化器件性能,提高其在不同环境下的 稳定性。
频率响应特性
总结词
光电导器件在不同频率的光信号下的响应速度。
详细描述
频率响应特性描述了光电导器件在不同频率的光信号下的响应速度。对于高速 光电导器件,其频率响应范围通常较高,能够快速响应变化的光信号。了解频 率响应特性有助于在特定应用中优化光电导器件的性能。
雪崩光电二极管
总结词
雪崩光电二极管是一种高灵敏度的光电导器件,它利用电场中的雪崩倍增效应放大光生 电流。
详细描述
雪崩光电二极管由P型和N型半导体材料构成,其结构类似于普通光电二极管。在强电 场作用下,光生载流子在倍增光电 二极管具有灵敏度高、响应速度快、线性范围宽等优点,广泛应用于高速光信号检测、
03
常见光电导器件介绍
硅光电二极管
总结词
硅光电二极管是一种常用的光电导器件 ,它利用光生载流子原理实现光电转换 。
VS
详细描述
硅光电二极管由P型和N型半导体材料构 成,当光照射在PN结上时,光子能量大 于硅的禁带宽度,产生电子-空穴对,形 成光生电流。硅光电二极管具有响应速度 快、稳定性好、线性范围宽等优点,广泛 应用于光通信、光纤传感、光谱分析等领 域。
频率响应
总结词
频率响应是衡量光电导器件响应速度的参数,它表示 光电导器件对不同频率光信号的响应能力。
详细描述
频率响应是指光电导器件在不同频率光信号下的响应 速度和幅度的变化。频率响应越快,说明光电导器件 对快速变化的光信号响应能力越强,能够适应高速光 信号的探测。在高频光信号下,频率响应决定了光电 导器件的带宽和时间常数等参数,对实时探测和高速 通信等领域具有重要意义。
复习总结
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解:S v甲 KW = Se
色温2856K标准钨 W =17.1 lm/W 色温 标准钨K 标准钨 S v甲 = Se /KW =5/17.1= 0.29 A/lm 而乙厂光电器件的光照灵敏度是 S v乙 = 0.4A/lm 则:S v乙 > S v甲
8
2012-3-8
1.11某半导体光电器件的长波限为 某半导体光电器件的长波限为13µm,求其杂质 , 某半导体光电器件的长波限为 电离能∆Ei。 电离能 。 1.19光电发射材料 2CsSb的光电发射长波限为 光电发射材料K 光电发射材料 的光电发射长波限为 680nm,求该光电发射材料的光电发射阈值。 求该光电发射材料的光电发射阈值。 求该光电发射材料的光电发射阈值 1.20已知某种光电器件的本征吸收长波限为 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4µm, 已知某种光电器件的本征吸收长波限为 m, 计算该材料的禁带宽度。 计算该材料的禁带宽度。
hc 1239 (nm) 解题思路: 解题思路:λL = = Eth Eth
Eth = EA
N型半导体
Eth = Eg + EA
P型半导体
1.11 ∆Ei=Eth=1.24/13=0.095ev 1.19 Eth=1239/680=1.82ev 1.20 Eg=1.239/λL=1.239/1.4=0.886ev
2 .5设某光敏电阻在 设某光敏电阻在100lx的光照下的阻值为 的光照下的阻值为2KΩ,且已 设某光敏电阻在 的光照下的阻值为 , 知它在90~120lx范围内的 范围内的γ=0.9。试求该光敏电阻在 知它在 范围内的 。 110lx光照下的阻值? 光照下的阻值? 光照下的阻值
解:
g =SgEγ
2012-3-8 12
光电导器件(光敏电阻)
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目 录
• 引言 • 光敏电阻的工作原理 • 光敏电阻的种类与特性 • 光敏电阻的应用实例 • 光敏电阻的发展趋势与未来展望 • 结论
01 引言
主题简介
01
光电导器件(光敏电阻)是一种 光电转换器件,其工作原理是利 用光电导效应将光信号转换为电 信号。
02
光电导器件具有灵敏度高、响应 速度快、线性范围宽等优点,广 泛应用于光信号检测、光通信、 自动控制等领域。
光电倍增管
总结词
光电倍增管是一种高灵敏度的光电器件,它通过倍增光电效应产生的微弱电流来提高检测灵敏度。
详细描述
光电倍增管由多个倍增极组成,每个倍增极都具有较高的增益。当光照在光电倍增管的阴极上时,光 生电子被释放并被电场加速到下一个倍增极,在那里再次发生光电效应并释放更多的电子。通过多个 倍增极的连续放大,微弱的光电流被显著放大,从而实现高灵敏度的光电检测。
05 光敏电阻的发展趋势与未 来展望
提高光电转换效率
01
02
03
新型结构设计
通过优化光敏电阻的结构 设计,提高对光的吸收和 利用效率,从而提高光电 转换效率。
材料改性
通过材料改性技术,改善 光敏电阻的光吸收和光电 转换性能,如掺杂、合金 化等手段。
表面处理
对光敏电阻表面进行特殊 处理,提高表面光吸收和 光电转换效率,如涂覆增 透膜、表面微纳结构等。
光电灵敏度
响应时间
表示光敏电阻阻值变化量与光照强度变化 量的比值,反映了光敏电阻对光的敏感程 度。
光敏电阻从无光照状态到有光照状态,或 从有光照状态到无光照状态所需的时间, 反映了光敏电阻的反应速度。
03 光敏电阻的种类与特性
光电二极管
第二章光电导器件
![第二章光电导器件](https://img.taocdn.com/s3/m/dd1b05dd6429647d27284b73f242336c1eb93039.png)
在实际使用时,常常将光敏电阻的光电特性曲线改用 如图2-4所示的特性曲线。图2-4所示为两种坐标框架的 特性曲线,其中(a)为线性直角坐标系中光敏电阻的阻值R 与入射照度EV的关系曲线,而(b)为对数直角坐标系下的 阻值R与入射照度EV的关系曲线。
如图2-4(b)所示的对数坐标系中光敏电阻的阻值R在
u V iRL
Rg为有光照时的亮电阻,当光 照变化时,Rg 变为 Rg Rg,
电流 i 变为 i i ,
i V RL Rg
i i
V
RL Rg Rg
上述两式相减,则有:
i
VRg (RL Rg )2( RLRgRg
RL
Rg )
式中负号表示光照增大,亮阻减小,电流增大。同时,电 流变化,引起光敏电阻两端电压的变化:
光敏电阻的基本原理
光电导效应原理(半导体材料的体效应)——光电 导探测器
——光照下改变自身的电阻率(光照愈强,器件 自身的电阻愈小)
——光敏电阻(光导管)
本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作,适用于 可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作, 常用于中、远红外辐射探测
为何?
6)频率特性
由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频 率特性也不相同。附图1给出相对灵敏度,与光强变化频 率f之间的关系曲线,可以看出硫化铅的使用频率比硫化
『补充』前历效应
指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种 现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性的 影响。 暗态前历效应:指光敏电阻测试或工作前处于暗态, 当它突然受到光照后光电流上升的缓慢程度。一般, 工作电压越低,光照度越低,则暗态前历效应就越重。
根据光敏电 阻的设计原则可 以设计出如图22所示的3种基本 结构,图2-2(a) 所示光敏面为梳 形的结构。
《光电导器》课件
![《光电导器》课件](https://img.taocdn.com/s3/m/db9b0108842458fb770bf78a6529647d272834c7.png)
生物医学成像
光电导器在生物医学成像领域也有应用,如X射线、超声波等医 学影像的获取和解析。
光电导器在太阳能电池领域的应用
01
02
03
光伏效应
光电导器能够将太阳能转 换为电能,其工作原理基 于光伏效应。
高效太阳能电池
通过优化光电导器的材料 和结构,可以提高太阳能 电池的光电转换效率。
太阳能发电系统
光电导器在太阳能发电系 统中扮演着重要的角色, 是实现太阳能利用的关键 器件之一。
06
光电导器的研究进展与未来展 望
新型光电导材料的研发进展
钙钛矿材料
具有优异的光电性能和可 调谐带隙,成为光电导材 料领域的研究热点。
光电导器的历史与发展
光电导器的研究始于20世纪初 ,最早的光电导器是真空电子管
。
随着材料科学和微电子技术的不 断发展,光电导器逐渐向小型化
、集成化、高效化方向发展。
目前,光电导器在光通信、光探 测、光计算等领域得到了广泛应
用。
光电导器的应用领域
光通信
光电导器在光纤通信中用作调 制器和解调器,将信息加载到
稳定性
稳定性是指光电导器在不同环境条件下保持性能 稳定的能力。稳定性越高,光电导器的性能越好 。
可靠性
可靠性是指光电导器在长时间使用过程中保持性 能不变的能力。可靠性越高,光电导器的性能越 好。
04
光电导器的制造工艺与材料
光电导器的制造工艺
薄膜制备技术
掺杂技术
采用物理或化学气相沉积等方法制备光电 导薄膜。
光敏层的作用
吸收光子并产生光电导效应。
衬底的作用
光电导器件(光敏电阻)
![光电导器件(光敏电阻)](https://img.taocdn.com/s3/m/2a4594dd1b37f111f18583d049649b6648d709dc.png)
: 照度(勒克斯lx)
电导(西门子S)
定义为光电导 与输入光照度E之比。
光电导灵敏度 (P107)
热噪声、产生复合噪声 、 噪声与调制频率的关系如下所示:
01
02
03
04
噪声特性:
红外:减小温漂,使信号放大,可调制较高的
制冷可降低热噪声
恰当的偏置电路,可使信噪比最大
光谱特性:相对灵敏度与波长的关系
可见光区光敏电阻的光谱特性 光谱特性曲线覆盖了整个可见光区,峰值波长在515~600nm之间。尤其硫化镉的峰值波长与人眼的很敏感的峰值波长(555nm)是很接近的,因此可用于与人眼有关的仪器,例如照相机、照度计、光度计等。
原理:
5-1工作原理和结构
非本征型(N型为主):可以检测波长很长的辐射
本征型:可用来检测可见光和近红外辐射
结构: 组成:它由一块涂在绝缘 基底上的光电导材料薄膜 和两端接有两个引线,封 装在带有窗口的金属或塑 料外壳内 。电极和光电导 体之间呈欧姆接触。
三种形式 ⑴梳状式 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成;或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在槽内填入黄金或石墨等导电物质,在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。
进行动态设计时,应考虑光敏电阻的前历效应
光电导弛豫时间长
由伏安特性知,设计负载时,应考虑额定功耗
不足:
ห้องสมุดไป่ตู้
5-3 常用光敏电阻(P109)
参数
功率(mw)
测量照度
暗电阻(兆欧)
亮电阻(千欧)
峰值波长
第二章_光电导器件讲解
![第二章_光电导器件讲解](https://img.taocdn.com/s3/m/4d66b0ab71fe910ef12df83d.png)
§2.2 光敏电阻的基本特性
一、光敏电阻的光电特性
I p g pU CEe U US E , g e , 1 此时,光电流为 当照度范围为 小于10-1 lx 时,
思考: 亮电阻, 暗电阻 大好还 是小好?
I p USg Ee, g pU
若考虑暗电导产生的电流,则流过光敏电阻的电流为
当用一个理想方波脉冲辐射照射光敏电阻时,光生电子要有产
生的过程,光生电导率Δσ要经过一定的时间才能达到稳定。当 停止辐射时,复合光生载流子也需要时间,表现出光敏电阻具 有较大的惯性。 光敏电阻的惯性与入射辐射信号的强弱有关,下面分别讨 论。
(1). 弱辐射作用情况下的时间响应பைடு நூலகம்
0 0
§2.1 光敏电阻的原理与结构
(3)InSb光敏电阻 InSb光敏电阻是3~5μm光谱范围内的主要探测器件之一。 InSb光敏电阻在室温下的长波长可达7.5μm,峰值波长在 6μm附近,比探测率D*约为1×1011cm· Hz· W-1。当温度降低到77K (液氮)时,其长波长由7.5μm缩短到5.5μm,峰值波长也将移 至5μm,恰为大气的窗口范围,峰值比探测率D*升高到 2×1011cm· Hz· W-1。
t=0
t≥0
t=0 t≥0
27
0 0
光敏电阻电导率的变化规律为
0 tan h t
t
其光电流的变化规律为
I I 0 tanh
停止辐射时光电导率和光 电流的变化规律可表示为
1 0 1 t /
1 I I0 1 t /
28
§2.2 光敏电阻的基本特性
i
2 ngr
3、低频噪声(电流噪声) 总噪声
第二章光电检测技术基础
![第二章光电检测技术基础](https://img.taocdn.com/s3/m/1ba0e559a7c30c22590102020740be1e640ecc44.png)
光电导器件的光电导增益与带宽积为一常数,即MΔf=常数。表明,光电导增益越大,光电灵敏度越高,而器件的带宽越低。反之亦然。这一结论对光电效应现象有普遍性。
*
光信息科学与技术系
*
光信息科学与技术系
*
光对电子的直接作用是物质产生光电效应的起因
光电效应的起因: 在光的作用下,当光敏物质中的电子直接吸收光子的能量足以克服原子核的束缚时,电子就会从基态被激发到高能态,脱离原子核的束缚,在外电场作用下参与导电,因而产生了光电效应。 这里需要说明的是,如果光子不是直接与电子起作用,而是能量被固体晶格振动吸收,引起固体的温度升高,导致固体电学性质的改变,这种情况就不是光电效应,而是热电效应。
*
光信息科学与技术系
*
本征光电导效应
本征光电导效应:是指本征半导体材料发生光电导效应。 即:光子能量hv大于材料禁带宽度Eg的入射光,才能激发出电子空穴对,使材料产生光电导效应。针对本征半导体材料。即: hv>Eg 即存在截止波长:λ0=hc/Eg=1.24/Eg。
*
光信息科学与技术系
*
杂质吸收和自由载流子吸收
引起杂质吸收的光子的最小能量应等于杂质的电离能 由于杂质电离能比禁带宽度小,杂质吸收的光谱区位于本征吸收的长波方向. 自由载流子吸收是由同一能带内不同能级之间的跃迁引起的。载流子浓度很大时,导带中的电子和价带中的空穴产生带内能级间跃迁而出现的非选择性吸收
*
光信息科学与技术系
*
载流子的输运过程
扩散 漂移 复合
*
光信息科学与技术系
第二章 光电检测器件工作原理及特性
![第二章 光电检测器件工作原理及特性](https://img.taocdn.com/s3/m/ebc181fff705cc1755270915.png)
散粒噪声也属于白噪声。
8、信噪比(S/N):
信噪比是判断噪声大小通常使用的参数。它是在负载电 阻RL上产生的信号功率与噪声功率比。 S/N=PS/PN=IS2RL/IN2RL=IS2/IN2 用分贝(dB)表示: (S/N)dB=10lg(IS2/IN2)=20lg(IS/IN)
原子的束缚态电子吸收光子能量并被激发为传导态自由电 子,引起材料载流子浓度增加,因而导致材料电导率增大。 引起材料载流子浓度增加,因而导致材料电导率增大。 属于内光电效应。
包括:
本征和非本征两种,对应本征和杂质半导体材料。
1、本征光电导效应 本征光电导效应:是指本征半导体材料发生光电导效应。
即:光子能量hv大于材料禁带宽度E 即:光子能量hv大于材料禁带宽度Eg的入射光,才能激光出 电子空穴对,使材料产生光电导效应。针对本征半导体材料。即: hv>Eg 即存在截止波长:λ 即存在截止波长:λ0=hc/Eg=1.24/Eg。 基本概念: 基本概念: 1、稳态光电流:稳定均匀光照 、稳态光电流: 3、亮电导率和亮电流 、 2、暗电导率和暗电流 、 4、光电导和光电流 、
的晶体,原因是内部电偶极矩不为零,表面感应束缚电荷。
_ _ _ _ _ _ _ _ _
P(T2)
P(T1)
-
-
-
-
-
-
工作温度T1(左)和工作温度T2>T1(右)
极化晶体表面束缚电荷,被周围自由电荷不断中和,表面无电荷。光照时, 晶体温度升高,电偶极子热运动加剧,极化强度减弱,表面感应电荷数减小, 但中和过程(达数秒)要远大于极化强度的响应过程(10-12s),相当于释 放了一些电荷,对外表面为电流。可以在这些电荷被中和之间测量到。
第 章光电导器件
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I 亮电流:光照时电阻加上一定的电压所通过的电流
光电流:由光照产生的电流 IP IId
01.04.2020
10
1. 光电特性
光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。
弱光照下
强光照下
光照越强电阻越? Sg
dg de,
q
hc2l
1
dg Sgde,
01.04.2020
15
1.弱辐射作用情况下的时间响应
第一章推出(见P21)本征光电导器件在非平衡状态下光电导 率Δσ和光电流IΦ随时间变化的为:
T<0 Φ=0
T≥0 Φ=Φ0
0(1et/)
T<0 Φ=Φ0
T≥0 Φ=0
0et/
可推出:
上升时: I I0(1et/)
下降时:II0et/
当t=τ时, Δσ =0.63Δσ0
IL
Ubb R RL
则:dIL
Ubb (RRL)2
dR
而,dR=d(1/g)=(-1/g2)dg
dIL
UbbR2Sg (RRL)2
dEV
设iL=dIL,ev=dEv
iL
UbbR2Sg (RR2L)2
ev
UR=R/(R+RL) Ubb,
i i与U evR 线S性ge关v系R UbbR RLSgev
2012.1贾湛制作
第2章 光电导器件
主讲:扬州职业大学 电子工程系 贾湛
01.04.2020
1
光电导效应——某些物质吸收了光子的能量
产生本征吸收或杂质吸收,从而改变了物质电 导率的现象。
光电导器件又称光敏电阻(photovaristor)— —利用具有光电导效应的材料制成电导随入射 光度量变化器件。 光敏电阻材料:硅、锗等本征半导体与杂质半 导体,硫化镉、硒化镉、氧化铅等。
5.光电导器件精品PPT课件
![5.光电导器件精品PPT课件](https://img.taocdn.com/s3/m/640a887ddd3383c4ba4cd239.png)
2.硫化镉
3.硫化砣
4.硫化铅
前历效应
▪ 前历效应是指光敏电阻的响应特性与工作前的“历史” 有关的一种现象。前历效应有暗态前历效应与亮态前历 效应之分。
▪ 暗态前历效应是指光敏电阻测试或工作前处于暗态,当 它突然受到光照后表现为暗态前历越长,光电流上升越 慢。(一般情况下工作电压越低,光照度越低,则暗态前 历效应就越重。)
光敏电阻的分类光敏电阻的分类光敏电阻分为两类光敏电阻分为两类本征型光敏电阻和掺杂型光本征型光敏电阻和掺杂型光敏电阻前者只有当入射光子能量敏电阻前者只有当入射光子能量hh等于或大于等于或大于半导体材料的禁带宽度半导体材料的禁带宽度egeg时才能激发一个电子时才能激发一个电子空穴对在外加电场作用下形成光电流后者光空穴对在外加电场作用下形成光电流后者光子的能量子的能量hh只要等于或大于只要等于或大于ee杂质电离能杂质电离能时就能把施主能级上的电子激发到导带而成为导电就能把施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子在外加电场作用下形成电流
光敏电阻的基本特性
▪ 光敏电阻为多数电子导电的光电敏感器件,它与其他光 电器件的特性的差别表现在它的基本特性参数上。光敏 电阻的基本特性参数包含光电导特性、时间响应、光谱 响应、伏安特性与噪声特性
光电特性和γ值
▪ 讨论光电导效应时我们看到,光敏电阻在弱辐射和强辐 射作用下表现出不同的光电特性(线性与非线性), 弱光照下:
最常用的光电导器件是光敏电阻,有以下特点:
▪ 光谱响应范围宽,尤其是对红光和红外辐射有较 高的响应度。
▪ 偏置电压低,工作电流大。 ▪ 动态范围宽,既可测强光,也可测弱光。 ▪ 光电导增益大,灵敏度高。 ▪ 光敏电阻无极性,使用方便。
光敏电阻的结构
▪ 光敏电阻是在一块均质光电导体两端加上电极, 贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其它绝缘材料基 板上,两端接有电极引线,封装在带有窗口的金 属或塑料外壳内而成的
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1 f 噪声
f
二、光电探测器的噪声 光电测量系统的噪声分类: 光电测量系统的噪声分类:
背景 目标 探 测 器 放 大 器 信号 处 理 示波器
光子噪声 信号辐射产生的噪声 背景辐射产生的噪声
探测器噪声 热噪声 散粒噪声
信号放大及处理电路噪声 温度噪声
1 f 噪声 产生产生-复合噪声
二、光电探测器的噪声
3.产生3.产生-复合噪声 产生
在半导体中,在一定温度或一定光照下, 在半导体中,在一定温度或一定光照下,载 流子不断地产生-复合 在平衡状态时, 复合。 流子不断地产生 复合。在平衡状态时,载流子的 产生和复合的平均数是一定的, 产生和复合的平均数是一定的,但其瞬间载流子 的产生数和复合数是有起伏的, 的产生数和复合数是有起伏的,于是载流子浓度 的起伏引起材料电导率起伏。在外加电压下, 的起伏引起材料电导率起伏。在外加电压下,电 导率的起伏使输出电流或电压中带有产生-复合噪 导率的起伏使输出电流或电压中带有产生 复合噪 声。
4.1/f 4. 噪声
1/f 噪声的表达式: 噪声的表达式:
CI α in2 = β ∆f f
α接近于 ,它与流过元件的电流有关; 接近于2,它与流过元件的电流有关; 接近于 β为与元件材料性质有关的系数,其值在 为与元件材料性质有关的系数, 为与元件材料性质有关的系数 其值在0.8~1.5之 之 大部分材料的β值取 值取1 间,大部分材料的 值取1; C为比例常数。 为比例常数。 为比例常数 一般说,只要限制低频端的调制频率不低于1千赫 一般说,只要限制低频端的调制频率不低于 千赫 这种噪声就可以防止。 兹,这种噪声就可以防止。
热噪声的等效电路: 热噪声的等效电路:
R
R
u = 4kT∆fR
2 n
in2 =
4kT∆f R
2.散粒噪声 2.散粒噪声
散粒噪声,犹如射出的散粒无规则地落在靶上所 散粒噪声, 呈现的起伏,每一瞬间到达靶上的值有多有少, 呈现的起伏,每一瞬间到达靶上的值有多有少, 这些散粒是完全独立的事件。 这些散粒是完全独立的事件。这种随机起伏所形 成的噪声称为散粒噪声。 成的噪声称为散粒噪声。 例如: 例如:在光电管中光电子从阴极表面逸出的随 机性; 结中载流子通过结区的随机性 结中载流子通过结区的随机性; 机性;p-n结中载流子通过结区的随机性;入射 到探测器表面的光子的随机起伏, 到探测器表面的光子的随机起伏,经光电变换 后也表现为散粒噪声。 后也表现为散粒噪声。
4.响应时间 4.响应时间
当阶跃光输入时,光信号上升弦输出电流为: 当阶跃光输入时,光信号上升弦输出电流为:
I (t ) = I 0 (1 − e−t τ )
定义 I (t )上升到稳态值 I 0的0.63倍的时间为探测器的 0.63倍的时间为探测器的 上升响应时间, 上升响应时间,即 τ 上 在下降弦,探测器的输出电流为: I (t ) = I 0 e −t τ 在下降弦,探测器的输出电流为: 定义 I (t ) 上升到稳态值 I 0 的0.37倍的时间为探测器的 0.37倍的时间为探测器的 下降响应时间, 下降响应时间,即 τ 下
T为周围温度(K)。 为周围温度( )。 为周围温度 在低频时
2
Ct τ Gt 为器件的热导; t = 为器件的热导; 是热时间常数; 为器件的热容; 是热时间常数;Ct 为器件的热容; Gt
(2π f τ t ) << 1
4kT 2 ∆f tn2 = Gt
in
2
1 f 噪声
产生-复合噪声 产生散粒噪声和热噪声
s ( f )数值为频率f的噪声在 数值为频率f
单位电阻上所产生的功率
s( f )
白噪声
s ( f ) = in 2 ( f )
根据噪声功率谱与频率的关系: 根据噪声功率谱与频率的关系: O 白噪声: (1)白噪声:功率谱大小与频率无关的噪声 。 1 噪声: 成正比的噪声。 (2) f 噪声:功率谱与1 f成正比的噪声。
4kT∆f in = R
2
u = 4kT∆fR
2 n
k是玻尔兹曼常数;T是温度(K); ∆f为所取的 是玻尔兹曼常数; 是温度 是温度( ); 是玻尔兹曼常数 通带宽度(频率范围)。 通带宽度(频率范围)。
1.热噪声 1.热噪声
因温度影响电子运动速度, 因温度影响电子运动速度,所以热噪声功率与温度 有关。在温度一定时,热噪声只与电阻和通带有关, 有关。在温度一定时,热噪声只与电阻和通带有关, 故热噪声也称电阻噪声 白噪声。 电阻噪声或 故热噪声也称电阻噪声或白噪声。
1.热噪声 1.热噪声
热噪声存在于任何导体和半导体中。 热噪声存在于任何导体和半导体中。 载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏称为热 载流子热运动引起的电流起伏或电压起伏称为热 约翰逊( 噪声或称为约翰逊(Johnson)噪声。 )噪声。 热噪声均方电流和热噪声均方电压为: 热噪声均方电流和热噪声均方电压为:
U Su = (V lm) Φv
I Si = ( A lm) Φv
2.光谱响应率 2.光谱响应率
探测器在波长为λ 的单色光照射下,输出 的单色光照射下, 的电压或电流与入射的单色辐通量之比称为光 的电压或电流与入射的单色辐通量之比称为光 谱响应率。 谱响应率。
Su , λ = Uλ (V W ) Φ e ,λ
4.1/f 4. 噪声
1/f 噪声又称为闪烁或低频噪声。 噪声又称为闪烁 低频噪声。 闪烁或 它主要出现在大约1KHz以下的低频频域,而且 以下的低频频域, 它主要出现在大约 以下的低频频域 这种噪声的功率谱近似与调制频率f成反比 成反比, 这种噪声的功率谱近似与调制频率 成反比,故称为 1/f 噪声。 噪声。 实验发现,探测器表面的工艺状态(缺陷或不均 实验发现,探测器表面的工艺状态 缺陷或不均 匀等)对这种噪声的影响很大 所以有时也称为表面 对这种噪声的影响很大, 匀等 对这种噪声的影响很大,所以有时也称为表面 噪声或过剩噪声。 噪声或过剩噪声。
i (t )
用均方噪声来表示的噪声值: 用均方噪声来表示的噪声值:
1 in = ∆i (t ) = ∫ [i (t ) − i平均 ] dt T 0
2 2 T 2
i平均
O
存在多个独立噪声源的噪声功率
t
2
i
2 n总
= i + i + ⋅⋅⋅ + in
2 n1 2 n2
一、噪声的概念 把噪声这个随机的时间函数进行傅氏频谱分析,得 把噪声这个随机的时间函数进行傅氏频谱分析, 到噪声功率随频率变化关系,称为噪声功率 到噪声功率随频率变化关系,称为噪声功率 s( f ) 。
1.响应率(或积分灵敏度) 1.响应率(或积分灵敏度) 响应率
探测器的输出信号电压或电流与入射的辐 通量之比,称为响应率 响应率。 通量之比,称为响应率。 I U Su = (V W ) Si = (A W ) Φe Φe 若探测器的入射光为光通量信号,则相应得 若探测器的入射光为光通量信号, 光照响应率,或称光照灵敏度 光照灵敏度。 到光照响应率,或称光照灵敏度。
3.产生3.产生-复合噪声 产生
产生-复合噪声表达式: 产生 复合噪声表达式: 复合噪声表达式
4I 4I 2τ∆f 2 in = N 0 [1 + (2π f τ ) 2 ]
Байду номын сангаас
I为总的平均电流; 0为总的自由载流子数; 为 为总的平均电流; 为总的自由载流子数; 为总的平均电流 N τ f 载流子寿命; 为测量噪声的频率。 载流子寿命; 为测量噪声的频率。
依据噪声产生的物理原因, 依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致 分为散粒噪声 产生—复合噪声 热噪声、 散粒噪声、 复合噪声、 分为散粒噪声、产生 复合噪声、热噪声、1 f 噪声和温度 噪声。 噪声。 是光电转换物理过程中固有的, 是光电转换物理过程中固有的,是一种不可能人为消 除的输出信号的起伏,是与器件密切相关的一个参量。 除的输出信号的起伏,是与器件密切相关的一个参量。 因为在光电转换过程中, 因为在光电转换过程中,半导体中的电子从价带跃迁到 导带,或者电子逸出材料表面等过程,都是一系列独立事件, 导带,或者电子逸出材料表面等过程,都是一系列独立事件, 是一种随机的过程。每一瞬间出现多少载流子是不确定的, 是一种随机的过程。每一瞬间出现多少载流子是不确定的, 所以随机的起伏将不可避免地与信号同时出现。尤其在信号 所以随机的起伏将不可避免地与信号同时出现。尤其在信号 较弱时 光电探测器的噪声会显著地影响信号探测的准确性。 较弱时,光电探测器的噪声会显著地影响信号探测的准确性。
3.等效噪声功率和探测率 3.等效噪声功率和探测率
衡量探测器探测最小光信号能力的指标为探测率 衡量探测器探测最小光信号能力的指标为探测率
Si 1 D= = NEP in 2
4.响应时间 4.响应时间
当照射探测器的辐通量突然从零增加到某值, 当照射探测器的辐通量突然从零增加到某值, 一般探测器瞬间输出信号不能完全跟随输入的变 同样,在光照突然停止时也是这样。 化。同样,在光照突然停止时也是这样。这是由于 探测器惰性而出现上升弦和下降弦。 探测器惰性而出现上升弦和下降弦。通常用响应时 间来衡量探测器的惰性。 间来衡量探测器的惰性。
Si , λ
Iλ = (A W ) Φ e ,λ
Su ,λ 或 Si ,λ 随波长λ 的变化关系曲线称为探测
器的光谱响应曲线。将其归一化,得到相对光谱 器的光谱响应曲线。将其归一化,得到相对光谱 光谱响应曲线 响应曲线。 响应曲线。
3.等效噪声功率和探测率 3.等效噪声功率和探测率
如果入射到探测器上的辐通量按某一频率变 化,当探测器输出信号电流 I (或电压 U )等于 in 2 (或电压 u 2 )时,所对应 噪声的均方根电流 n 称为等效噪声功率NEP。 等效噪声功率NEP 的入射辐通量Φ e称为等效噪声功率NEP。