光学光刻的波前工程
第八章_基本光刻工艺流程-表面准备到曝光
第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光概述最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。
这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。
我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。
目的完成本章后您将能够：1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。
2．解释正胶和负胶对光的反应。
3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。
4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。
5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。
6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。
7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。
8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。
9．比较每一种对准和曝光设备的优点。
介绍光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。
Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。
还有其它术语为Photomasking, Masking, Oxide或者Metal Removal （OR,MR）和Microlithography。
光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。
这个工艺过程的目标有两个。
首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。
这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。
图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（feature size）或是图像尺寸（image size）。
第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。
整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。
请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。
图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。
光学实验中的光束分析与波前调制技术
光学实验中的光束分析与波前调制技术光学实验一直是科学研究领域中不可或缺的一部分，而光束分析与波前调制技术则是这个领域中的重要组成部分。
本文将从光束分析的理论基础、常用的光束分析方法以及波前调制技术的应用等方面进行探讨。
光束分析的理论基础是波动光学，在光束传输过程中，光的传播受到波长、衍射、干涉等因素的影响，因此需要对光束进行准确的分析。
其中，光的强度分布、传输特性以及波前形状是光束分析的核心内容。
通常，光束分析可以通过实验手段和数值计算两种方法进行。
在实验手段方面，常用的光束分析方法有干涉法、衍射法以及干涉衍射法等。
干涉法是通过将光束与参考光束进行干涉，观察干涉条纹的变化来分析光束的特性。
衍射法则是通过光束通过狭缝或光栅等物体后的衍射现象来获得光束的信息。
而干涉衍射法则是将干涉与衍射的原理相结合，利用干涉与衍射的特性来进行光束的分析。
此外，数值计算方法也是光束分析的重要手段之一。
数值计算方法可以通过建立光束的传播模型，利用计算机模拟光波传播的过程，从而得到光束的强度分布、波前形状等信息。
常用的数值计算方法有有限差分法、有限元法以及束线跟踪法等。
这些方法通过计算机的高效计算和处理能力，可以对光束进行更加准确的分析和模拟。
光束分析技术在科学研究和工程应用中具有广泛的应用价值。
在科学研究方面，光束分析技术可以用于探测光学器件的性能特征、研究光束的传输特性、分析光束的色散效应等。
在工程应用方面，光束分析技术可以用于光学系统的设计与调试、激光器的调谐与优化、光学材料的表征与选择等。
光束分析技术的发展不仅推动了科学研究的进步，也极大地促进了光电信息技术和光电工程领域的发展。
另外，波前调制技术是光束分析中的一项重要技术。
波前调制技术是通过改变光波的相位和振幅分布，来调整光束的传输特性和光场的分布。
其中，常见的波前调制技术有变焦透镜、空间光调制器以及自适应光学系统等。
这些技术可以实现光束的聚焦、收敛、分布和调制，从而实现光束的准确控制和应用。
光学光刻
二、驻波
驻波是由入射光和反射光之间的干涉造成的。驻波的波节
与波腹之间的间隔为λ/4n = 0.16λ。对 λ = 200 ~ 400 nm 的
紫外光，此间隔为 32 ~ 64 nm ，小于抗蚀剂厚度。胶中不同的
最小可分辨的线宽为
Wmin = kλ g ≈ λ g
式中，k 是与光刻胶处理工艺有关的常数，通常接近于 1。
例：当 λ = 0.436μm (g线), g = 20μm 时，Wmin = 2.95μm
7.6 投影式光刻机
一、分辨率与焦深 投影式光刻机的分辨率由 雷利第一公式 给出，即
Wmin
=
7.7 先进掩模概念
一、保护薄膜
分步重复缩小投影虽然可以减少小缺陷的影响，但大缺陷 的影响更严重，因为它可以被复制到每一个小视场中。
解决的办法是给步进机的掩模版蒙上一层保护薄膜，并使 薄膜离开掩模版表面约 1 cm。这样可使任何落在薄膜上的颗粒 保持在光学系统的聚焦平面之外。
另一种用于接触式光刻机的保护薄膜直接涂在掩模版上 ， 它可以使接触式光刻在保持高分辨率优点的同时，提高掩模版 的使用寿命，减少芯片上的缺陷。
k1
λ
NA
式中，k1 是与光刻胶的光强响应特性有关的常数，约为 0.75 。 NA 为镜头的数值孔径，
NA = n sinα n 为折射率，α 为半接收角。NA 的典型值是 0.16 到 0.8。
增大 NA 可以提高分辨率，但受到焦深的限制。
焦深 代表当硅片沿光路方向移动时能保持良好聚焦的移动 距离。投影式光刻机的焦深由 雷利第二公式 给出，即
优点
电子束光刻技术研究
电子束光刻技术研究摘要：介绍了纳米加工领域的关键技术——电子束光刻技术及其最新进展。
简要介绍了电子束光刻技术和目前这种技术所存在的技术缺陷和最新的研究成果和解决办法，如：关于邻近效应的解决，关于电子束高精度扫描成像曝光效率很低的问题，如电子束与其他光学曝光系统的匹配和混合光刻等问题，以及关于抗蚀剂工艺的最新进展等。
关键词：电子束光刻技术邻近效应电子束高精度扫描成像电子束与其他光学曝光系统的匹配混合光刻抗蚀剂工艺Abstract: This paper introduces the key technology——electron beam lithography technology and the latest developments in the field of nanofabrication. A brief introduction and electron beam lithography technology currently exists drawback of this technology and the latest research results and solutions, such as: the effect on neighboring settlement, on the low-precision electron beam exposure scanning imaging efficiency issues, such as electron beam mixing and matching and other optical lithography exposure system and other issues, as well as the latest developments on the resist process and the like.一：概述电子束光刻与传统意义的光刻(区域曝光)加工不同，其设备如图1所示，它是利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。
光刻技术历史与发展
光刻技术历史与发展光刻工艺是集成电路最重要的加工工艺，他起到的作用如题金工车间中车床的作用，光刻机如同金属加工工车间的车床。
在整个芯片制造工艺中，几乎每个工艺的实施，都离不开光刻的技束。
光刻也是制造IC的最关键技术，他占芯片制造成本的35%以上。
在如今的科技与社会发展中，光刻已经每年以百分之三十五的速度增长，他的增长，直接关系到大型计算机的运作等高科技领域，现在大型计算机的每个芯片上可以大约有10亿个零件。
这就需要很高的光刻技术。
如今各个大国都在积极的发展光科技束。
光刻技术与我们的生活息息相关，我们用的手机，电脑等各种各样的电子产品，里面的芯片制作离不开光科技束。
在我们的日常生活中，也需要用到光刻技术制造的各种各样的芯片，最普通的就是我们手里的手机和电脑。
如今是一个信息社会，在这个社会中各种各样的信息流在世界流动。
而光刻技术是保证制造承载信息的载体。
在社会上拥有不可替代的作用。
本论文的作用是向大家普及光刻的发展历史和光刻的发展方向，以及光刻的种类，每种光刻种类的优点和缺点。
并且向大家讲述光刻的发展前景。
在光刻这一方面，我国的专利意识稀薄，很多技术都没有专利，希望我辈能改变这个状况Lithography process is the most important processing technology of integrated circuit, he play a role Such as the role of the lathe in machining shop, lithography as metalworking shop lathe. In the whole chip manufacturing technology, implementation of almost every process is inseparable from the lithography technology of beam. Lithography is the key technology of manufacturing IC, he war more than 35% of the chip manufacturing cost. In today's science and technology and social development, lithography has been growing at thirty-five percent a year, his growth, is directly related to the operation of large computer and other high-tech areas, large computer per chip can now has about 1 billion parts. This will require a very high lithography. Now the big countries are actively the development of light beam technology.Lithography is closely related to our life, we use the phone, all kinds of electronic products such as computer, the inside of the chip productionwithout light beam of science and technology.In our daily life, also need to use photolithography technology manufacturing all kinds of chips, the most common is our cell phones and computers. Today is a information society, in the society all kinds of traffic flow in the world. And make the bearing lithography technology is to make sure the carrier of information. Has an irreplaceable role in society.Role of this paper is to popularize the development direction of the development history of lithography and lithography, and the types of lithography, and to talk about the development of lithography. In lithography on the one hand, China's patent consciousness is thin, a lot of technology patents, hope that we can change the situation.Key words: lithography; Lithography species; Lithography Chinese and foreign history编号 ........................................................ 错误!未定义书签。
光刻机技术的突破与应用前景
光刻机技术的突破与应用前景随着科技的迅猛发展，光刻机技术作为现代集成电路制造中不可或缺的核心工艺之一，扮演着重要的角色。
它的突破和应用前景备受关注。
本文将从光刻机技术的基本原理、近年来的突破及其应用前景等方面展开论述。
一、光刻机技术的基本原理光刻机技术是一种使用光源投射特定图案到光敏材料上的技术。
它的基本原理包括图案设计、掩膜制备、曝光和后期处理等环节。
图案设计是光刻机技术的首要步骤。
在电子设计自动化（EDA）软件的辅助下，工程师可以根据产品要求设计出高精度的芯片图案。
掩膜制备是光刻机技术的关键步骤之一。
通过使用电子束曝光或激光直写技术，将设计好的图案转移到掩膜上，形成光刻版。
这一步骤要求高精度、高分辨率，决定了后续曝光的质量。
曝光是光刻机技术的核心环节。
通过将掩膜上的图案通过光刻机投射到光敏材料上，在光敏材料中形成所需的图案结构。
曝光过程中，光源的选择、掩膜与光敏材料的距离、曝光时间等参数都会影响图案的质量。
后期处理是光刻机技术的最后一步。
它包括清洗、去胶、涂覆等过程，用于去除未曝光的光敏材料和光刻胶，以及保护和修复曝光后的结构。
二、光刻机技术的突破近年来，光刻机技术在分辨率、精度和速度等方面取得了突破性进展。
首先是分辨率的提升。
传统的紫外光刻技术已经接近其分辨极限，导致制程难度增加。
为此，研究人员引入了极紫外光刻（EUV）技术。
EUV技术以13.5纳米波长的极紫外光进行曝光，相比传统紫外光，其分辨率得到了显著提高。
其次是精度的提高。
新一代的光刻机设备采用了更为精密的光学系统和高稳定性的机械结构，可以实现亚纳米级别的平面度和形状精度，大大提升了芯片制造的精度要求。
最后是速度的提升。
光刻机设备的生产效率也得到了显著提高。
光源功率的提升和曝光光斑的尺寸控制等技术改进，使得曝光速度大幅增加。
这不仅提升了生产效率，也降低了芯片制造成本。
三、光刻机技术的应用前景光刻机技术在集成电路制造、平板显示、光学器件等领域具有广泛的应用前景。
基于SOCS的光学光刻系统仿真算法的研究[电路与系统专业优秀论文]
![基于SOCS的光学光刻系统仿真算法的研究[电路与系统专业优秀论文]](https://img.taocdn.com/s3/m/5c337aaf64ce0508763231126edb6f1aff007133.png)
浙江大掌硕士掌位论文第＝幸秦成电路光刻工艺第二章集成电路光刻工艺２．１集成电路制造工艺基本的集成电路制造过程的起点是高纯度的单晶硅的提炼以及硅片的抛光、清洗等光刻前处理，接着是以不同的导电或绝缘材料（如金属、多晶硅、二氧化硅等）在硅圆片上沉积生成新的材料层以及在该材料层上涂上对光敏感的光刻胶薄层；然后掩模母版上刻有的电路精密图像被投影到硅片的光刻胶薄层表面；最后经过显影和蚀刻，感光部分的材料被清除。
当然，在实际的生产过程中，还包括其他辅助材料的制备和辅助过程的处理。
重复大约二三十次氧化（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）、光刻（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、掺杂（ＤｏｐｉⅡｇ）等工艺过程，在硅圆片表面上就形成了以几千万个晶体管为基本构造单元、多层不同材料复杂连接的可以实现强大的运算处理功能的网络。
精密复杂的芯片制造过程保证了集成电路芯片的高性能与高成品率。
而简单来说，集成电路的制造就是一个通过光刻技术把电路版图从光学掩模版图上转移到硅片表面的过程。
Ｓｕ蝻妇ｌｅＰ－图２—１典型集成电路剖面结构示意图（部分）现代集成电路制造过程一般包含２００多道具体工序，这些步骤大致上可以归为三大类：夺图形转移技术：包括光刻（“ｔ１１０９ｒａｐｈｙ）和蚀刻（Ｅｔｃｈｉｎｇ）等步骤。
夺层形成技术：包括氧化（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎｇ）、沉积（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）和金属化（Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）等。
浙江大学碛士掌位沧文第＝章嘉成电路光客９工艺夺层修改技术：包括离子注入（Ｉｏｎｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）和扩散（Ｄｉ肺ｓｉｏｎ）等。
图形转移、层形成和层修改三类技术交叉使用，构成了集成电路工艺。
集成电路工艺的目的是通过器件制造（ＤｅｖｉｃｅＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）、隔离形成（Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）和互连形成（Ｉｎｔｅｒｃｏ加ｅｃｔ），最后在硅片上生成叠层结构，从而完成集成电路的生产。
图２．１所示，即为典型的集成电路层结构的剖面示意图；图２之则显示了最新的集成电路的剖面结构【跚”０４】。
光刻机的原理与操作流程详解
光刻机的原理与操作流程详解光刻技术在半导体制造、微电子工程以及其他先进制造领域中扮演着不可或缺的角色。
光刻机是光刻技术的基础设备之一，它利用光的干涉和衍射原理将光源中的图案投影到光刻胶层上，从而实现微细图案的制作。
本文将深入探讨光刻机的原理与操作流程，帮助读者更好地理解和使用这个重要的工艺设备。
一、光刻机的原理光刻机主要由光源系统、投影系统、掩膜系统和底片台构成。
其中，光源系统产生短波长的光，并在光刻胶层上形成显影图案；投影系统通过透镜和镜片将显影图案投射到光刻胶层上；掩膜系统则起到选择性透光的作用，控制光的照射位置和图案形状；底片台用来支撑光刻胶层和掩膜。
具体的操作流程如下：1. 准备工作首先，需要准备好光刻胶、掩膜、底片和其他辅助材料。
光刻胶是一种可溶于化学溶剂的光敏聚合物材料，掩膜是一种透镜或镜片，底片则是光刻胶层的承载基底。
2. 涂覆光刻胶将光刻胶涂覆在底片上，以形成光刻胶层。
这个过程需要将光刻胶放置在旋转的底片台上，并通过旋转和均匀压力的方式将光刻胶均匀涂布在底片表面。
3. 预热和贴附掩膜将掩膜放置在光刻机的掩膜系统内，并预热以提高粘附性。
然后，将底片放在掩膜下方，用真空吸附在底片台上，并贴附掩膜。
4. 照射曝光调整光刻机的照射参数，例如曝光时间和光强度等，并将底片台移至曝光位置。
通过控制光的照射位置和图案形状，可以在光刻胶层上形成所需的显影图案。
5. 显影将底片台移至显影室内，将底片浸入显影液中。
显影液会溶解光刻胶层中未曝光部分的光刻胶，从而使已曝光的部分保留下来。
6. 清洗和干燥将底片转移到清洗室内，用化学溶剂对显影后的底片进行清洗，去除残留的光刻胶和显影液。
然后，将底片放置在干燥器内，进行干燥处理。
二、光刻机的操作流程和注意事项1. 操作流程（1）打开光刻机电源并启动系统。
此过程需要按照设备说明书中的步骤进行，确保所有系统均正常工作。
（2）将待加工的底片放置在底片台上，并调整底片台的位置，使其对准光刻机的光路。
【国家自然科学基金】_光刻胶_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140731
推荐指数 3 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52
科研热词 光刻 波前分割 曝光模型 分子动力学模拟 su-8光刻胶 ni基底 非对称 闪耀光栅 金属微细阵列网板 金属剥离 金属互连 过电铸 边缘效应 超声时效 负光刻胶 计算效率 自由基共聚合 肾小球滤过膜 结合能 结合特性 细胞破碎 细微加工技术 组织工程 纳米压印 紫外固化 紫外光同化 等离子体 硅微机械加工 真空负压施压 真空紫外 相干叠加 直接写入 电镀 电化学腐蚀 溅射 深刻蚀 测热式原理 流量传感器 流变分析 气体施压 机械应力 显影模型 数值模拟 掩模 感应耦合等离子刻蚀 悬空掩模结构 微细电解加工 微纳光纤笔 微流体 微小等离子体反应器 异平面微针 实时监测
染料聚合物母盘刻录 曝光量分布 晶圆级封装 显影 数学模型 改进的canny算法 摇摆线效应 掩膜 掩模 接近式紫外光刻 接近式光刻 抗反射结构 微芯片 微缝隙 微结构 微电子 微机电系统 微接触印刷 微互连柱 底层抗反膜 干燥 射频集成电路 多阶 垂直驻波 坑形 图案化模板 图案化tio2膜 图形特征 图形失真 四次光刻 反转 双层su-8 双光子激发 剥离 凹球面 凹坑 内应力 全息光刻 光盘 光敏膜 光学光刻 光存储 光功率控制 光刻胶灰化 光刻模型 光刻 信噪比 体效应 亚微米 三维微细加工 三维全息 一纳米结构 x光光刻 su8负光刻胶
0._05~0._1_MPa_宽气压环境下校准光源光学系统设计
第 31 卷第 8 期2023 年 4 月Vol.31 No.8Apr. 2023光学精密工程Optics and Precision Engineering0.05~0.1 MPa宽气压环境下校准光源光学系统设计董大鹏1，于信1，汪逸群2，潘国涛1，白素平1*（1.长春理工大学光电工程学院，吉林长春 130022；2.之江实验室，浙江杭州 311121）摘要：激光武器已经成为未来大国战略制衡，改变战争样式的重要手段。
它通常采用以哈特曼波前探测为反馈的自适应光学（AO）系统提升光束质量，保证毁伤效果。
但由于环境中气压的改变，空气折射率、玻璃材料折射率发生变化从而引入额外的波前探测误差，难以保证光束质量。
校准光源的引入可以实时标定AO系统，去除系统误差，保证校正效果，但同时也要求了校准光源的绝对稳定。
因此本文设计了一款适用于宽气压范围的校准光源。
首先，基于气压对光学系统的影响，通过分析像面位移系数和材料折射率关系，采用合理搭配光学材料，分配光焦度的方法补偿气压对光束质量的影响；再次，建立光学系统仿真模型，分析系统的波像差的稳定性和公差分配，为实验平台的搭建提供基础；最后，建立实验平台、验证设计结果。
结果表明：气压在0.05~0.1 MPa范围内，相比于0.1 MPa的工作点，波像差呈先降低再上升的趋势，0.08 MPa达到最小，波像差PV值从0.087 4λ变动到0.019 8λ，最大变动量为0.067 6λ。
校准光源的稳定性得到了满足，实现了对压强变化的有效补偿。
关键词：激光武器；自适应光学；校准光源；宽气压；波像差中图分类号：TH74；TG502.33 文献标识码：A doi：10.37188/OPE.20233108.1124Optical system design of calibration light source in 0.05-0.1 MPa wide atmospheric pressure environmentDONG Dapeng1，YU Xin1，WANG Yiqun2，PAN Guotao1，BAI Suping1*（1.School of Opto-Electronic Engineering， Changchun University of Science and Technology，Changchun 130022， China；2.Zhijiang Laboratory， Hangzhou 311121， China）* Corresponding author， E-mail： baisp@Abstract： Laser weapons would be an important means of strategic checks and balances for major powers in the future， and they can change the pattern of war. They usually use an adaptive optical （AO） system with Hartmann wavefront detection as feedback to improve the beam quality and ensure the damage effect. However， the refractive indices of air and glass materials change with the change in air pressure in the envi⁃ronment， introducing additional wavefront detection errors and making it difficult to ensure beam quality. The introduction of a calibrating light source can aid in calibrating the AO system in real-time， remove the 文章编号1004-924X（2023）08-1124-12收稿日期：2022-10-24；修订日期：2022-11-14.基金项目：吉林省科技发展计划资助项目（No.20200401054GX；No.20210201139GX）；长春理工大学青年基金资助项目（No.XQNJJ-2019-01）；国家自然科学基金青年基金资助项目（No.62205032）第 8 期董大鹏，等：0.05~0.1 MPa宽气压环境下校准光源光学系统设计system error， and ensure the correction effect； however， this method requires the absolute stability of the calibration light source. Therefore， a calibration light source suitable for a wide barometric pressure range is designed. First， based on the influence of air pressure on the optical system， by analyzing the relation⁃ship between the image surface displacement coefficient and the refractive index of the material， a method for rationally matching the optical materials and assigning optical focus is used to compensate for the influ⁃ence of air pressure on beam quality. Thereafter， the simulation model of the optical system is constructed to analyze the stability and tolerance distribution of the wave aberration of the system， establishing a basis for the construction of the experimental platform. Finally， an experimental platform is established to verify the design results. According to the results， when the air pressure is in the range of 0.05-0.1 MPa， com⁃pared with that at the working point of 0.1 MPa， the wave aberration first decreases and then increases，reaching the minimum at 0.08 MPa， while the wave aberration PV value changes between 0.087 4λ and 0.019 8λ， with the maximum change being 0.067 6λ. Thus， the stability of the calibrated light source is satisfied， and effective compensation for pressure changes is realized.Key words： laser weapon； adaptive optics； calibration light source； wide pressure； wavefront aberration1 引言近年来，随着信息化技术的发展和科技水平的提高，新兴技术领导下的军事变革不断发生。
光刻的流程
光刻的流程在集成电路芯片制造过程中，光刻是一个非常重要的工序，其主要作用是在硅片上绘制期望的电路设计图案。
在这一过程中，需要使用到光罩，光刻胶，紫外大功率光源等设备。
下面，我们将围绕光刻的流程展开阐述。
1. 光罩的制作首先，需要制作光罩。
光罩是一个透明的玻璃板，具有施加光刻胶时需要的特定图案。
通常由电子制型技术完成，将电路图案用电子束在玻璃板上绘制出来。
这些图案随后被化学蚀刻和其他工艺步骤处理，以形成完整的光刻图案。
2. 光刻胶的涂敷一旦光罩准备就绪，下一步工艺是将光刻胶涂敷在硅片上。
这涂敷是通过使用涂胶机来完成的，该机器将光刻胶均匀地铺在硅片表面上。
3. 光刻胶的预烘涂敷光刻胶之后，需要进行一个叫做预烘的过程。
预烘是将涂上的光刻胶在烘箱中进行烘烤，以除去其中的溶剂。
热能能够使该胶变得坚硬，从而使光刻胶在最后的分步骤中能够保持形状以形成所需图案。
4. 紫外光模式形成接下来是紫外光模式形成。
该步骤中将光罩放在光刻机上，利用紫外光源通过光罩进行照射。
光罩上的图案将被投影到硅片上，使光刻胶在需求的地方得到光学曝光。
光刻胶由于光学曝光产生的反应而发生化学变化，从而允许特定区域的不同制程步骤进行。
光刻胶胶层区域，在光学曝光后比未曝光的区域要硬，光刻胶图案被形成。
5. 光刻胶的开发在完成曝光后，需要经过一个叫做开发的步骤。
这是利用化学药品来除去光学曝光后未高端光刻胶的部分。
该化学剂使光刻胶变得容易在选定区域内脱落。
根据光刻胶的配方和蚀刻深度的需要，开发过程也可类似于湿法或干法。
通过这个步骤，产生了需要的光刻图案。
6. 蚀刻开发过程完成后，下一步就是蚀刻。
可选择湿法或干法进行蚀刻。
其中，受到光刻胶保护并未加工的部位保留在硅片上，而与光刻胶多余反应的区域将被刻蚀掉。
通过这个过程将形成电路的设计结构。
最后需要将光刻胶与硅片表面残留的材料全部清除，然后清洗和烘干晶片。
综合来看，光刻工艺流程包括光罩制作、涂敷光刻胶、光刻胶预烘、紫外光模式形成、光刻胶开发以及蚀刻等步骤。
光刻机的原理及光刻过程简介
光刻机的原理及光刻过程简介光刻机（Photolithography Machine）是一种用于半导体制造和微电子工艺中的关键设备，主要用于制造芯片、集成电路和其他微细结构的制作过程。
下面是光刻机的技术原理和实现光刻过程的简单介绍：1.掩膜制备：首先，需要准备一个称为掩膜（Photomask）的特殊玻璃板。
掩膜上绘制了要在芯片上形成的图案，类似于蓝图。
这些图案决定了芯片的电路布局和结构。
掩膜制备的一些关键要点和具体细节：1.设计和绘制掩膜图案：根据芯片的设计需求，使用计算机辅助设计（CAD）软件或其他工具绘制掩膜图案。
这些图案包括电路布局、晶体管、连接线等微细结构。
2.掩膜材料选择：选择适合的掩膜材料，通常是高纯度的二氧化硅（SiO2）或氧化物。
材料选择要考虑到其透光性、耐用性和成本等因素。
3.光刻胶涂覆：在掩膜材料的表面涂覆一层光刻胶。
光刻胶是一种感光性的聚合物材料，可以在光刻过程中发生化学或物理变化。
4.掩膜图案转移：使用光刻机将掩膜图案投射到光刻胶上。
光照射使得光刻胶在照射区域发生光化学反应或物理改变，形成图案。
5.显影和清洗：将光刻胶涂层浸入显影液中，显影液会溶解或去除未被光照射的光刻胶部分，留下期望的图案。
随后进行清洗，去除显影液残留。
6.检验和修复：对制备好的掩膜进行检验，确保图案的精度和质量。
如果发现缺陷或损坏，需要进行修复或重新制备掩膜。
掩膜制备的关键要点在于设计准确的图案、选择合适的掩膜材料、确保光刻胶涂覆的均匀性和控制光照射过程的精确性。
制备高质量的掩膜对于确保后续光刻过程的精确性和芯片制造的成功非常重要。
2.光源和光学系统：光刻机使用强光源（通常是紫外光）来照射掩膜上的图案。
光源会发出高能量的光线，并通过光学系统将光线聚焦成细小的光斑。
光源和光学系统的一些关键要点和具体细节：1.光源选择：光刻机通常使用紫外光（UV）作为光源，因为紫外光的波长比可见光短，能够提供更高的分辨率和精度。
光学光刻技术
光学光刻技术一、光学光刻光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。
限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关，而减小照射光源的波长是提高分辨率的最有效途径。
因为这个原因，开发新型短波长光源光刻机一直是各个国家的研究热点。
除此之外，根据光的干涉特性，利用各种波前技术优化工艺参数也是提高分辨率的重要手段。
这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。
其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。
运用这些技术，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。
20世纪70—80年代，光刻设备主要采用普通光源和汞灯作为曝光光源，其特征尺寸在微米级以上。
90年代以来，为了适应IC集成度逐步提高的要求，相继出现了g谱线、h谱线、I谱线光源以及KrF、ArF等准分子激光光源。
目前光学光刻技术的发展方向主要表现为缩短曝光光源波长、提高数值孔径和改进曝光方式。
二、移相掩模光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性、掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。
相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和i线光刻机在最佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形，而且具有更大的焦深和曝光量范围。
相移掩模方法有可能克服线/间隔图形传统光刻方法的局限性。
随着移相掩模技术的发展,涌现出众多的种类,大体上可分为交替式移相掩膜技术、衰减式移相掩模技术；边缘增强型相移掩模,包括亚分辨率相移掩模和自对准相移掩模；无铬全透明移相掩模及复合移相方式(交替移相+全透明移相+衰减移相+二元铬掩模)几类。
尤其以交替型和全透明移相掩模对分辨率改善最显著,为实现亚波长光刻创造了有利条件。
全透明移相掩模的特点是利用大于某宽度的透明移相器图形边缘光相位突然发生180度变化,在移相器边缘两侧衍射场的干涉效应产生一个形如“刀刃”光强分布,并在移相器所有边界线上形成光强为零的暗区,具有微细线条一分为二的分裂效果,使成像分辨率提高近1倍。
基于光学干涉的光刻机技术研发
基于光学干涉的光刻机技术研发光刻技术是半导体工业中非常关键的一项核心技术，它在微电子器件的制造过程中起到了至关重要的作用。
而基于光学干涉的光刻机技术则是光刻技术的重要分支之一，本文将对其进行探讨。
1. 引言光刻技术是半导体工业制造微电子器件的一项基础技术。
光刻机是实现光刻技术的关键设备之一。
2. 光刻机的工作原理光刻机通过光学系统将光源发出的光束经过模板的衍射形成图案，并对其进行放大，最终将图案通过镜像投射到光刻胶层上。
3. 光刻技术的应用领域光刻技术广泛应用于半导体器件制造、平板显示技术、光学器件制造以及微纳米加工等领域。
4. 光学干涉技术在光刻机中的应用光学干涉技术作为一种非常重要的测量技术，广泛应用于光刻机中，主要用于保证光刻过程中的精度和稳定性。
5. 光刻机的发展与创新随着半导体工业的快速发展，光刻机的要求也越来越高。
为了满足市场需求，光刻机技术在近年来取得了许多突破与创新。
6. 光刻机技术的挑战与解决方案光刻机技术的发展面临着许多挑战，如分辨率要求的提升、曝光时间的缩短等。
针对这些问题，研究人员提出了一系列解决方案。
7. 光刻机技术的未来展望随着科技的不断进步，光刻机技术将会朝着更高的精度、更高的分辨率和更高的效率方向发展。
8. 结论基于光学干涉的光刻机技术是半导体工业中重要的一项核心技术，它为微电子器件的制造提供了重要支持。
随着技术的不断创新和突破，相信光刻机技术在未来会有更加广阔的发展前景。
通过对基于光学干涉的光刻机技术的研发的探讨，我们可以看到光刻技术在半导体工业中的重要性以及光学干涉技术在光刻机中的应用。
同时，我们也可以看到随着技术的不断创新和发展，光刻机技术将会得到进一步的提升，为微电子器件的制造提供更好的支持。
因此，我们对光刻机技术的研发应该保持持续关注，并加大力度投入相关的科学研究和创新工作。
希望本文对于光刻机技术的研究与发展能够起到一定的推动作用，为半导体工业的发展做出更大的贡献。
《光学光刻》课件
通过光源照射，使光刻胶中的分子 发生化学反应，形成曝光图形。
光学光刻的工艺流程
01
显影
将曝光后的光刻胶进行显影，使曝 光图形得以显现。
腐蚀
将与光刻胶相接触的基片腐蚀掉， 形成电路或器件的结构。
03Βιβλιοθήκη 02坚膜烘焙增强光刻胶的附着力和耐腐蚀性。
去胶
将剩余的光刻胶去除，完成整个工 艺流程。
04
光学光刻的关键技术
挑战
随着制程线宽的不断缩小，光学光刻技术面临着衍射极限、光源波长限制等物理 极限的挑战；同时，高精度对准和转移技术也是亟待解决的问题。
机遇
随着新材料、新工艺和新技术的不断发展，光学光刻技术有望与其他先进技术相 结合，突破物理极限的限制，实现更小制程线宽的制造；同时，光学光刻技术在 柔性电子、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。
光学干涉光刻技术
利用光的干涉现象，实现高精度、大面积的制程 。
光学光刻技术的发展趋势
高分辨率
随着芯片制程的缩小，光学光刻技术需要更高的分辨率。
多功能化
满足不同材料、不同结构、不同制程需求，实现一机多用。
智能化
结合人工智能和机器学习技术，提高制程精度和效率。
光学光刻技术的未来展望
新材料和新技术的应用
微电子封装
在微电子封装领域，光学光刻技术用 于制造高精度、高可靠性的封装结构 ，确保微电子产品的稳定性和可靠性 。
微纳加工领域的应用案例
微纳结构制备
光学光刻技术能够实现微纳级别的结构制备，广泛应用于微纳传感器、微纳执 行器等器件的制造。
生物芯片制备
在生物芯片制备领域，光学光刻技术能够制造高精度、高密度的生物芯片，提 高生物检测和测序的效率。
光刻机曝光过程中的光学波前调整实时监控
光刻机曝光过程中的光学波前调整实时监控光刻技术是半导体制造中非常重要的一项工艺技术，它通过使用光刻胶和光刻机，将芯片上的图形模式投射到硅片上。
光刻机曝光过程中的光学波前调整是确保高质量芯片制造的关键环节之一。
本文将介绍光刻机曝光过程中光学波前调整的实时监控方法。
一、光刻机工作原理光刻机是一种使用二维光栅和透镜对紫外光进行干涉与聚焦的设备。
在光刻过程中，经过光刻胶的光斑被聚焦到硅片上，形成芯片上的图形模式。
这一工艺需要高度精确的光学系统来确保图形的精细度和清晰度。
二、光刻机曝光过程中的光学波前调整光学波前是指光在传播过程中所具备的相位和振幅信息。
在光刻机曝光过程中，光学波前调整是为了确保光斑能够均匀地投射在硅片上，从而保证芯片图形的准确传输。
实时监控光学波前调整是一个重要的工作，可以及时发现并纠正生产线上的问题。
下面将介绍一些常见的光学波前调整实时监控方法。
1. 系统监控器系统监控器是一种光学系统，能够实时监测投射到硅片上的光斑的质量。
它采用精密的探测器和成像模式，通过对比投射到硅片的图案与设计图案之间的差异，来判断光学波前的调整情况。
当系统监控器检测到光学波前调整不符合要求时，可以立即通知操作员进行调整。
2. 自动对焦系统自动对焦系统是通过测量硅片上的反射光信号来实时调整光斑的焦距。
在光刻机曝光过程中，由于机械和热学效应等因素的影响，光斑的焦距可能会发生微小的变化。
自动对焦系统可以通过连续测量硅片上的反射光信号，并自动调整光学波前以保持光斑的焦距在可接受的范围内。
3. 实时光刻胶厚度监测光刻胶的厚度对于光刻图形的传输和质量有着重要的影响。
实时光刻胶厚度监测是通过在曝光过程中用传感器测量光刻胶的厚度，并将测量结果与设定值进行比较来进行光学波前调整的。
当光刻胶厚度与设定值偏离较大时，系统会自动进行调整，以确保图形的传输质量。
三、光学波前调整实时监控的优势光学波前调整实时监控的应用可以提供以下几个优势：1. 减少生产线上的问题通过实时监控光学波前调整，可以及时发现潜在问题并进行纠正，减少因光学波前调整不当而造成的生产线问题，提高生产效率和产品质量。
光刻机曝光过程中的光学波前调整实时监测
光刻机曝光过程中的光学波前调整实时监测在光刻工艺中，光刻机曝光过程中的光学波前调整实时监测是非常重要的一环。
光学波前是描述光波传播过程中的相位分布情况，而光学波前调整则是对光学波前进行修正和优化，以确保曝光结果的质量和准确性。
本文将详细介绍光刻机曝光过程中的光学波前调整实时监测的原理、方法和意义。
一、光刻机曝光过程中的光学波前调整原理光刻机曝光过程中的光学波前调整是通过光学元件来实现的。
在曝光过程中，光源产生的光通过透镜系统聚焦在光刻胶表面上。
光刻胶表面的形貌和质量将直接影响到曝光结果。
如果光刻胶表面存在偏差或畸变，会导致图形的模糊或失真，进而影响到芯片制造的精度和可靠性。
为了保证曝光过程中准确的图案传递，需要对光学波前进行实时监测和调整。
光学波前调整通过使用衍射光学元件和相位控制装置来纠正光波的相位分布，以消除光波传播过程中的波前畸变，确保光波在聚焦点达到最小尺寸和完美的光斑形状。
二、光学波前实时监测方法光刻机中常用的光学波前实时监测方法有干涉法和波前传感器法。
1. 干涉法干涉法是通过将待测光波与参考光波进行干涉，利用干涉产生的干涉条纹来观察光学波前的形貌和相位分布。
在光刻机曝光过程中，通过在光刻胶表面上放置一个参考波前平面来实现干涉，通过观察干涉条纹的形态和变化来判断光学波前的畸变情况，并据此进行相应的调整。
2. 波前传感器法波前传感器法是利用波前传感器实时测量光波前的相位分布和形貌。
常见的波前传感器有自适应光学系统传感器和相位探测器。
光刻机中使用波前传感器可以实现准确、快速地检测光学波前的畸变情况，并根据测量结果对光学系统进行实时调整和优化。
三、光学波前调整的意义光刻机曝光过程中的光学波前调整对于芯片制造的质量和可靠性至关重要。
它可以帮助解决以下问题：1. 提高曝光精度：通过实时监测和调整光学波前，可以减小光斑的尺寸，提高曝光的分辨率和准确性，从而实现更高的芯片制造精度。
2. 减少光刻胶的浪费：光学波前调整可以确保光刻胶受到均匀的照射，减少胶层的厚度差别，避免过度曝光或欠曝光，从而降低光刻胶的浪费。
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于其特征尺寸。为了提高光学光刻机的分辨力 人 二 光学光刻来完成。 业内人士分析， 未来 １７ ５ｎ ｍ曝光
收稿 日期 ：０３ ０ － ５ ２０ － ６ １
作者简介： 翁寿松， （９０ ， 男 １４－） 高级工程师， 浙江宁波人，９２ １６ 年毕来于厦门大学物理系， 长期从事半导体器件和可靠性研 究， 共发表论文 １ 余篇。 ８ ０
参考文献：
［ １ ］翁寿松． Ｒ ２０ 与芯片特征尺寸的缩小田． Ｉ Ｓ １ Ｔ ０ 微纳电 子技术， ０ （ １ ：一 ０ ２ １ ） １ ２ ［］翁寿松． ２ 摩尔定律与半导体设备田． 电子工业专用设备．
２ ０ ， ） １ ６ １ ９ ２ ０ １ ：５ ． ４ ： ９ － ９ ： ０ ３（ ） ３ 弓 ７ ０２ （
ＰＥＣＶＤ
Ｓ Ｉ Ｎ薄膜 Ｏ 常规光学光刻 Ｔ形栅头部
ＩＰ各向异性刻 Ｃ 蚀 Ｓ （ Ｉ Ｎ 压缩 Ｏ
窗口）
挖栅槽 ， 电子束 蒸发 Ｔ／六ｕ ｉ Ｐ
引起的晶体管噪声。目前制备 Ｔ形栅的方法有 ３ 种， 光学光刻、 电子束光刻和 Ｘ射线光刻， ２种 后 方法由于生产效率较低， 难以量产 。光学光刻具有 成本低、 一致性好、 工艺简单和能量产等特点， 特别 适用栅长 绪＞０ ｉ 的 Ｔ形栅制备。对于 绪＜ ， ． ｓ ５ ｍ ０５ ｍ的 Ｔ形栅制造必须采用移相掩模和其他一 ．ｉ ｓ 些光学光刻波前工程 以及若干特殊工艺如侧墙压 缩、 斜蒸等。目前移相掩模有赖文森、 辅助图形、 移 相框边缘增强、 多级相位移相和全透明移相等。 中电科第 ３ １ 所根据移相掩模的基本原理， 通 过光学光刻工艺模拟， 发明一种制备 Ｔ形栅的新移 相掩模技术， 简称 Ｍ－Ｅ ［ Ｐ Ｌ１ ３ 。它利用相邻图形之间 的相消干涉， 经过单层厚胶 、 一次光刻形成 Ｔ形栅 所需要理想的抗蚀剂形貌。 通过光刻工艺模拟和初 步实验， 证明该技术的工艺简单、 实用、 Ｔ形抗蚀剂 剖面 良好、易控制和具有较好的潜在量产价值， 如 在 ９ Ｎ ＝ ． ， ０ 线、Ａ ２ ａ ． ０ ８ ＝ ７的投影光学光刻机上， 可 制备 绪毛０５ Ｔ形栅抗蚀剂形貌 ， ．ｕ ｍ的 由此可推 断，若采用 ｉ ｓｐｅ （Ａ ． ） 线 ｔ ｐｒ ＞０ ０，可能制造出 ｅ Ｎ ６ Ｌ ＜０ ５ ｇ ． ｕ Ｔ形栅器件； ２ ｍ的 采用 ２ ８ ｓ ｐ ｅ ４ ｎ ｔ ｐｒ ｍ ｅ （Ａ ６）可能制造出绪，０１ ｕ Ｔ形栅器 Ｎ ） ０， ０ ． ＜ ． ｍ的 ５ 件。图 １ 给出 Ｍ Ｅ Ｐ Ｌ掩模投影光刻原理示意图， 图 ２ Ｍ－Ｅ 为 Ｉ Ｌ掩模结构与制造示意图。由于采用 ＇
和最终光刻图形质量的 一 种波前工程。 所谓预畸变 掩模就是在原设计掩模上增加 一 些微细的亮暗辅 助线条或衬线， 以补偿光学光刻成像过程因高频信 息损失而导致空间像畸变， 从而改善最终光刻图形 质量。 四川大学物理系与中科院微电子中心合作研 究， 经模拟分析， 认为在掩模设计时， 应把掩模加工 中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进 行综合考虑， 以便设计出最优化的掩模 ， 获得最好 的邻近效应校正效果［ ［ ５ １ 目前加工掩模 的主要工具是电子束直写和激 光直写， 当加工掩模特征尺寸为 １ 时， １ ＇ 必须考 ｍ 虑加工工具的邻近效应。 电子束的邻近效应主要来 器件要求。光刻工艺模拟 与实验结果符合较好。 中科院微 电子中心认为全透明移相掩模技术 源于电子束在抗蚀剂及其基底上的散射。 当激光束 对制造Ｔ 形栅最理想［ ［ ４ Ｊ 。全透明移相掩模是在掩模 聚焦光束的束斑尺寸大于 ０５ 时，必须考虑激 ．１ １ ｍ 衬基材料上直接制作移相层， 使移相层边缘光相位 光束的邻近线条光剂量分布的影响。 投影光刻的邻 突然改变 １０ ， ８ ０利用光的相干性， 抵消部分衍射校 近效应主要来源于光学成像过程的非线性滤波和 应， 改变空间光强分布， 在不影响景深 的前提下提 高频信息损失导致的空间畸变， 即空间像光强分布 高光学光刻的分辨力。 若将全透明移相掩模与离轴 在某些地方偏弱， 在某些地方偏强， 最终导致光刻 照明结合使用 ，能进一步提高光学光刻机 的分辨 图形失真。目前光学邻近效应校正主要利用灰阶编 力。 ３给出采用全透明移相光学光刻制备 Ｔ形栅 图 码或在掩模上添加亮或暗的辅助线条和衬线， 以调 的工艺流程 。在制作全透明移相掩模的移相层时， 整投影光刻空间像的光强分布， 从而改善光刻图形 常常会引入缺陷， 一般需要对缺陷进行修补 ， 修补 的质量 。文献 ［ 组合利用 自编的 （ Ｈ Ｎ ， ５ １ Ｉ ＵＤ Ｔ 的要求要 比常规的掩模高。另外， 还必须精确控制 Ｃ ＭＰ Ｒ ， Ｃ Ｓ Ｌ等激光直写、 Ｏ Ａ Ｅ ＭＯ Ａ Ｅ 投影光刻和 移相层的厚度，移相曝光后会出现多余的黑线， 需 电子束直写等软件对掩模加工到投影光刻全过程 在下一步的曝光中除去 。 进行计算机模拟 ， 分析掩模加工过程的邻近畸变对 光刻图形的影响， 引入邻近畸变的面偏差改为几个 ２ 光学邻近效应校正（ Ｐ Ｏ Ｃ） 面分点， 从而提出一体化邻近效应的校正。
． 备新术 新 与技． 设
Ｅｅ ＥｎｏＭａｇ 西 ｑｎ ｌｉｄ ａｕ 口 ｕｔ ｃｕ ｎｔ ｉ ｆｅ Ｐｔｕｉ ｐ ｏｃ ｒｓ ｎ ｍ ｒ ｆ ｔ ｃ ｃ ｒ ｏ ｒ
光学光刻的波前工程
翁寿松
（ 无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡 ２ ４０ ） １０２
摘 要： 介绍了国内研 究光学光刻波前工程的一些成果， 如新型移相掩模、 投影光刻的部近效应和 掩模加工的部近效应的组合模拟等。 关键词 ： 光学光刻； 波前工程； 移相掩模 ； 光学邻近效应校正。 中图分类号：Ｎ ０ ． 文献标识码： Ｔ ３５ ７ Ａ 文章编号：０ ４４ ０ （０ ３０ －０ ００ １０ －５ ７２ ０ ）５０ ５ －３
图 ２ Ｐ Ｅ Ｍ Ｌ掩 模 结 构 与 制 造 示 意 图
（ 第１ 期 回 总 ０ ） ６
万方数据
・ 新设备与新技术・
一 一ｔｔ Ｐｔｕｉ 一 型Ｅ ｕａｕ厄月 ＥｅＥｎｄＩｔ ｇｎＴ－ ｎｒ ｄ纂－ ｓｆｇ ｐｆｃ ｒｉａ ｍｏｔ ｏＮｃ ＲｌｃｃＭｎ ｒ Ａ ｅ ］ ｒ Ｗ ｏ ｉ ）
内科研单位在研究光学光刻 Ｐ Ｍ和 Ｏ Ｃ等方面 Ｓ Ｐ
的 一 些成果。
１ 移相掩模 （Ｓ ） Ｐ Ｍ 技术 在制造微波低噪声器件中，如 Ｇ Ａ Ｍ Ｓ ａ ｓ － Ｅ Ｈ ＭＴ 膺配高迁移率晶体管） 必须制 Ｆ ＴＰ Ｅ Ｅ ， 等，
备 Ｔ形栅。为了提高微波低噪声器件的工作频率， 需不断地缩小栅长，栅长的缩小导致栅 电阻的增 大， 为此， 需制作 Ｔ形栅来降低 由于栅寄生电阻而
一 对相位边 ， 使所有图形均互为 １０位相关系， ８“ 当 光刻曝光时， 所有相邻图形之间在边界处都产生相 消干涉， 空间影像的光强分布变得陡峭。只要适当 调节 ３个亮条图形的尺 寸比例，就 可获得理相的、 适 于Ｔ形栅制造的光强分布 。 该所采用英国卢瑟福 国家实验室微结构研究中心崔锋博士的光刻工艺 模拟软件 “ Ｏ Ａ Ｅ＂ 针对每 一 Ｃ ＭＰ Ｒ ， 个投影光学系 统 的光学参数 （ Ｎ ａ， ０ 、 明方式等 ） 按 Ａ，Ａ， Ｄ Ｆ 照 ， 设计的掩模图形参数 （ 各图形尺 寸、光透射率、 位 相等） 和抗蚀剂曝光／ 显影参数，进行光刻工艺模 拟， 并对掩模参数和工艺参数反复优化， 直到满足 Ｏ Ｃ是采用预畸变掩模 图形来改善光学成像 Ｐ
步发展为 ５ ５ ０３ ｎ ｍ工艺的主流技术队（ ） ４ 采用光 学光刻波前工程， 如移相掩模 （ Ｓ 技术、 Ｐ Ｍ） 光学邻 近效应校正 （ Ｐ 、 Ｏ Ｃ） 离轴照明 （ ＡＩ 技术、 Ｏ ） 光瞳 滤波 （ Ｆ 技术和驻波效应校正等。 Ｐ） 通过上述措施， 才可保证获得满意的光刻图像质量。 这里仅介绍国
Ｔ ｅ ｖ Ｆｏｔ ｐｉ ｌ ｏｒｐｌ ｈ Ｗａｅ ｎ ｏ Ｏ ｔａＬｔ ｇａｔ ｒ ｆ ｃ ｉ ｈ ｙ
ＷＥ Ｇ ｏ－ｏｇ Ｎ Ｓ ｕ ｓｎ ｈ
（ ｘＬｏｅ ｃｏｉｃ． ｘ２４０， ｉ ） Ｗｕｉ Ｔ Ｅｅｔｎ ｏ Ｗｕｉ １０２ ｈ ａ ｕ ｌ ｒ ｃ ห้องสมุดไป่ตู้ ， ｃｎ
Ａ ｓ ａｔｎ ｓ ｅｔ ａｈ ｖｍ ｎ ｉ ｓｉ ｔｉｒ ｅｒ ｆ ｔ ｗ ｖ ｆ ｎ ｏ ｏｔａｌｈｙ ｐｙ ｂｔ ｃ： ｔ ｐｐｒｈ ｃｉ ｅ ｅｔ ｎ ｅ ｉｃ ａ ｈ ｈ ａｅ ｔ ｐ ｃｌ ｏｒ ｈ ｉ ｒ Ｉ ｈ ａ ，ｅ ｅ ｉ ｓ ｃ ｎｆ ｅ ｃ ｏ ｅ ｒ ｆ ｉ ｉ ａ ｎ ｓ ｒ ｏ ｔ ｈｍ ａ ｉｒ ｕｅ． ｉ ｌ ｅ Ｔ ｅ ｎ ｓ－ｈ ｔ ｋ ｃｍ ｉ ｄ ｕ ｔｎ ｔ ｏｔａｐｏ－ ｏ ｅ ｎ ｏ ｃｄ Ｉ ｎ ｕ ｓ ｎｗ ｅｓｉ ｍ ｓ ａｄ ｂｎ ｓ ｌｉ ｆ ｈ ｐ ｃｌ ｒ ｔｄ ｅ ｔ ｄ ｈ ｅ ｔ ｃ ａ ｆ ａ ｎ ｏ ｅ ｉ ａｏ ｏ ｅ ｉ ｒ ｍ ｒ ｘ ｉｉ ｅｅｔｏｐ ｊ ｔｎ ｉ ｌ ｏｒ ｈ ａｄ ｓ ｐｏｅｓ ｇ ｍｔ ｆｃ ｆ ｅ ｉ ｏｔａｌｈｇ ｐｙ ｍ ｋ ｃｓｎ． ｙ ｓ ｒ ｃｏ ｐ ｃ ｉ ａ ｆ ｏ ｔ ｎ ａ ｒ ｉ Ｋ ｙ ｏｄ： ｃｌ ｇ ｐｙ ｗｖ ｆ ｎ ＰＭ Ｏ Ｃ ｅｗ ｒｓｏｔａｌ ｏｒ ｈ； ｅ ｔ Ｓ ； ． ｐ ｉ ｉ ａ ｔ ｈ ａ ｒ ； ｏ Ｐ 光学光刻是 目前制造 Ｉ Ｃ芯片的最关键工艺， ｋ ＩＡ必须做到： １ 提高工艺系数 ｋ ｋ 在过去 ， ， ｒ Ｎ （） ，， ， 它的最大特点是成本低、 重复性好和能量产 。随着 １ ０年内从 ０７ 提高到 ０ ０ ． ０ ． ，在今后 １ 年内将提 ５ ０ Ｉ Ｃ芯片特征尺寸的不断缩小， 如按 ２ ０ 《 ０ １ 国际半 高到 ０３ ； 增大 Ｎ 光学光刻机物镜的数值 ． （） ５ ２ Ａ（ 导体技术指南 （ Ｒ ） 规划，０ ４年特征尺寸 孔径） Ｎ 已从 １９ Ｉ Ｓ Ｔ 》 ２０ ，Ａ ９ ０年的 ０５ ．０增大到 ２ ０ ０ ２年的 ９ｎ ０ ｍ的Ｉ Ｃ达量产［ Ｕ 。事实上， 英特尔、 ＭＤ Ｔ， ０７ ， ８年将增大到 ０８ ； 缩小光学光刻机 Ａ ，ｌ ． ２０ ０ ０ ．０ （ ） ３ 台联 电和 Ｉｆ ｅｎ等世 界顶级 半 导体 公 司将 于 ｎ ｎｏ ｉ 的曝光波长， 从９ （３ ｎ ） １线（６ｎ 已 线 ４６ －１ ３５ｍ） ｍ ２ ０ 年下半年投产 ９ ｎ ０３ ０ ｍ工艺。２ ０ 年 ＩＲ 还 ０１ Ｔ Ｓ ￣远紫外线 （４ ｎ ＫＦ ２８ ｒ） ｍ ￣远紫外线 （９ ｎ Ａ Ｆ １３ ｒ） ｍ 指出：０ ７ ２ ０ 年达 ７ ｎ ２ １ 年达 ５ ｎ ２ １ ０ ０ ０ ｍ， ０ ０３年 ￣远紫外线 （ ５ ｎ Ｆ） ｍ， １ ７ Ｚ 。ＡＳ 、 ｍ ＭＬ 尼康和佳能之 达 ３ ｎ ２ １ 年达 ２ ｍ 。它对光学光刻是一个 ０ ０ ６ ｍ， ２ 大光学光刻机制造商将于２０ 年推出１７ Ｆ ０３ ５ｎ ， ｍ 严峻的挑战， 因为此时光学光刻机 的光源波长将大 ｓ ｐｔ ２０ 年ＩＲ 认为： ０ 年的７ ｎ ｔ ｐ ｏ １ Ｔ Ｓ ｅ ｒ ０ ２ ７ ０ ０ ｍ仍由