常用肖特基二极管参数
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的整流器件。
它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。
肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。
二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA（TA25）和 20.0mA（TA125）。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景：1.整流电路：将交流电转换为直流电，例如在电源电路中。
2.限幅电路：限制信号波形的幅值，例如在音频处理电路中。
3.开关电路：实现开关控制功能，例如在场效应管开关电路中。
4.稳压电路：稳定输出电压，例如在稳压电源电路中。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基二极管常用参数大全1.电流电压特性：肖特基二极管的电流电压特性是其最重要的参数之一、它包括正向电压、反向电压和漏泄电流。
正向电压是指在正向偏置情况下肖特基二极管所支持的最大电压值。
反向电压是指在反向偏置情况下肖特基二极管所能承受的最大电压值。
漏泄电流是指当肖特基二极管处于反向偏置状态时，从阳极到阴极电流的数值。
2.规格参数：肖特基二极管的规格参数包括最大额定电流、最大额定功率和最大频率。
最大额定电流是指肖特基二极管所能承受的最大电流值。
最大额定功率是指肖特基二极管所能承受的最大功率值。
最大频率是指肖特基二极管所能支持的最高工作频率。
3.转导电导：转导电导是指肖特基二极管在正向偏压下的导纳值。
它是电流和电压的比值，用来衡量肖特基二极管的导电能力。
4.热稳定性：5.漏极电容：漏极电容是指肖特基二极管的漏极到阴极之间的电容值。
它与肖特基二极管的工作频率密切相关。
6.正向压降：正向压降是指肖特基二极管在正向偏压下的电压降。
较低的正向压降意味着肖特基二极管的能耗较低。
7.动态电阻：动态电阻是指肖特基二极管在正向偏压下的阻抗大小。
它与肖特基二极管的导通特性相关。
8.寿命：寿命是指肖特基二极管的使用寿命。
一个好的肖特基二极管应该具有较长的寿命。
9.噪声：噪声是指肖特基二极管产生的噪声信号。
较小的噪声意味着肖特基二极管具有较低的噪音水平。
10.尺寸与封装：尺寸与封装是指肖特基二极管的物理尺寸和封装形式。
常见的封装包括TO-220、TO-247等。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。
以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。
通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。
通常为30-200V。
3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。
通常为几十毫安到几安。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。
通常非常小，一般为几微安到几毫安。
5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。
由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。
6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。
肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。
7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。
由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。
这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基二极管通用参数全套汇编
肖特基二极管通用参数全套汇编
1.最大反向电压（VRRM）：肖特基二极管能够承受的最大反向电压。
超过此电压，二极管可能会被击穿。
2.推荐工作温度（TJ）：在此温度下，肖特基二极管的性能指标可以
得到保证。
3.最大正向连续工作电流（IF）：在该电流下，二极管能够维持正常
工作。
4.最大稳态功耗（PD）：在该功耗下，二极管能够正常工作而不发生
过热。
5.正向压降（VF）：当二极管正向导通时，导通电流下的电压降。
6.反向电流（IR）：当二极管反向偏置时，反向流过的电流。
7.正向容量（CJ）：该参数是指正向偏置下的二极管电容。
8.反向容量（CR）：该参数是指反向偏置下的二极管电容。
9.串联电阻（RS）：该参数是指二极管正向导通时产生的串联电阻。
10.反向恢复时间（TRR）：指二极管从正向导通到反向截止的恢复时间。
11.正向导通时的电流增益（hFE）：指二极管正向导通时的放大倍数。
12.耐压（VR）：指肖特基二极管所能承受的最大反向电压。
13.工作频率：指肖特基二极管能够稳定工作的频率范围。
14.反向压降漂移：指反向电压增加时，反向压降随之增加的量。
15.动态电阻（RD）：指正向导通时肖特基二极管的动态导通电阻。
上述是关于肖特基二极管通用参数的一些重要内容，并不是细致的详
细解释，但是它们在设计和选择肖特基二极管时都是需要考虑的。
这些参
数的不同取值会对肖特基二极管的性能有直接的影响，所以在具体应用中，我们应该根据需要选择合适的肖特基二极管以确保电路的可靠性和稳定性。
肖特基二极管1n5819ws sl参数
肖特基二极管1N5819WS SL是一种常用的低压降肖特基二极管，具有高效、快速和可靠的特性。
该二极管适用于各种类型的电子设备和电路中，广泛应用于电源管理、逆变器、功率因数校正和开关电源等领域。
以下是1N5819WS SL的参数：1. 耐压：1N5819WS SL的正向工作电压为40V，反向工作电压为40V。
这一特性使得该二极管在低压电路中具有良好的稳定性和可靠性。
2. 电流：1N5819WS SL的最大正向电流为1A，最大反向电流为25uA。
这使得该二极管能够适应各种电路的工作需求，同时保证其稳定性和可靠性。
3. 封装：1N5819WS SL采用SOD-123封装，尺寸为2.1mm×1.4mm×1.1mm。
这种小型封装使得该二极管在各种电路中都能够灵活布局和设计，节省空间，提高电路的集成度和稳定性。
4. 温度特性：1N5819WS SL的工作温度范围为-65℃至+150℃。
这一特性使得该二极管适用于各种恶劣的工作环境，能够稳定工作并保持良好的性能。
5. 应用领域：1N5819WS SL广泛应用于各种类型的低压电源管理和开关电源中，如逆变器、电源适配器、稳压器、电池充电器等领域。
同时也广泛应用于电子设备、通讯设备和汽车电子等领域。
肖特基二极管1N5819WS SL具有低压降、快速响应、高效稳定的特性，适用于各种低压电路中，并具有良好的温度特性和封装特性。
在各种电子设备和电路中都有着广泛的应用前景。
肖特基二极管1N5819WS SL作为一种高性能的电子元件，在当前的电子行业中扮演着至关重要的角色。
其优秀的参数使得它在各种低压电路中有着广泛的应用，并且在电源管理、逆变器、功率因数校正和开关电源等领域中都有着出色的表现。
1N5819WS SL的低压降特性使得它在电路中能够提供高效稳定的性能。
与普通的整流二极管相比，肖特基二极管的正向压降更低，能够减少功耗、提高效率，特别是在一些对性能要求较高的电源管理和功率控制领域中，这一特性表现得尤为突出。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理•FCH10A15型号简称：10A15•主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V•产品封装：TO-220F•脚位长度：6-12mm•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•型号全名：FCH20A15•型号简称：20A15•主要参数：20A 150V•产品封装：TO-220F•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基整流二极管的主要参数•以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：肖特基二极管肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 60.34SS12 GS DO214 1.00 200.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 400.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57SS16 GS DO214 1.00 600.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 510MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 76CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 203.00SS34 GS DO214 3.00 400.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 1000.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.9852CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.8465PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.5185CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045A IR D61 80.00 45 0.47 83CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41肖特基整流二极管型号额定I（AV）A VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns SB020 0.6 20 20 10SB030 0.6 30 20 10SB040 0.6 40 20 101N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10 SR230 2 30 50 10 SR240 2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25。
常用肖特基二极管简表
常用肖特基二极管参数简表型 号厂商封 装 电流If/A 反 压Vrrm/V 压降Vf/V 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100IR轴向 5.00100 0.66 MBR735 GS TO2207.5035 0.84 MBR745GS TO2207.50450.84 MBR745IR TO2207.50450.841SS294TOS SC‐590.1400.60 BAT15‐099INF SOT1430.1140.3210MQ060N IR SMA0.77900.6510MQ100N IR SMA0.77 100 0.9610BQ015IR SMB 1.00150.34SS12 GS DO214 1.00 200.50 MBRS13 0LT3ON 1.0030 0.3910BQ040IR SMB 1.0040 0.53RB060L‐40ROHM PMDS 1.00400.55RB160L‐40ROHM PMDS 1.00400.55SS14GS DO214 1.00400.50 MBRS140T3ON ‐ 1.0040 0.6010BQ060IR SMB 1.00600.57SS16GS DO214 1.00600.7510BQ100IR SMB 1.001000.78 MBRS1100T3ON ‐ － 1.00 1000.7510MQ040N IR SMA 1.10400.5115MQ040N IR SMA 1.70400.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00450.4530BQ015 IR SMC 3.00 150.3530BQ040IR SMC 3.00400.5130BQ060IR SMC 3.00600.5830BQ100IR SMC 3.00100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 400.84 MBRS340T3ON ‐ － 3.00 40 0.52RB051L‐40ROHM PMDS 3.00 400.45 MBRS360T3ON ‐ － 3.00600.7030WQ04FN IR DPAK 3.30400.6230WQ06 FN IR DPAK3.30600.7030WQ10 FN IR DPAK 3.30 1000.9130WQ03FN IR DPAK 3.50300.5250WQ03FN IR DPAK 5.50300.5350WQ06 FN IR DPAK 5.5 060 0.576CWQ06F N IR DPAK 6.6060 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817ON轴向 1.0020 0.751N5818ON轴向 1.00300.551N5819ON轴向 1.00400.60SB130 GS轴向 1.00 300.50 MBR150 ON轴向 1.0050 1.00 MBR160 ON 轴向 1.0060 1.00 11DQ10IR 轴向 1.101000.85 11DQ04IR轴向 1.10400.55 11DQ05IR轴向 1.10500.58 11DQ06IR轴向 1.10 600.58 MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.43 1N5820 ON 轴向 3.00200.85 1N5821ON轴向 3.00 300.38 1N5822ON轴向 3.00 400.52 MBR360ON轴向 3.0060 1.00 SS32 GS DO214 3.0020 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 IR TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 80SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.70 95SQ015 － 轴向 9.00 15 0.31 90SQ040 － 轴向 9.00 40 0.48 10TQ045 － TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR106 0 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.70 10TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 CT IR TO220 10.00 45 0.84 10CTQ150‐1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32 150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.0060 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.0080 0.72 16CTQ100 IR TO220 pr 16.00100 0.72 16CTQ100‐1 IR D2Pak 16.00100 0.72 18TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ01 IR TO220 19.00 15 0.36 20CTQ045IRTO220 pr20.00450.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CTIRTO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1 IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WTIRTO24730.004532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1IRD2Pak30.00300.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020IRTO22040.00200.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO24740.00150.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.68 40L45CW IR TO247 40.00 45 0.70 40CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.0060 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 1000.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr60.0045 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00450.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030IRTO247AC70.00300.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.67 80CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045AIRD6180.00450.47 83CNQ100A IR D61 80.001000.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41200.00 40 0.54 200CNQ040 IR TO244AB200.00 45 0.54 200CNQ045 IR TO244AB200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03240NQ045 IR HALFPAK240.00 45 0.55 301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.411N60 VOLTTS轴向0.15 40 0.5 1N60P VOLTTS轴向0.5 45 0.5 1N5711 agilent轴向0.015 70 0.41 1N5712 agilent轴向0.035 20 0.55 5082-5810 agilent轴向0.035 20 0.41 5082-2811 agilent轴向0.020 15 0.41 5082-2835 agilent轴向0.010 8 0.34 型号厂家封装电流If/A 反 压Vrrm/V压降Vf/V 编制：w5jj@ 2009‐8‐19修订。
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基整流二极管的几个技术参数
肖特基整流二极管的几个技术参数肖特基整流二极管选型1.肖特基二极管用于防止电源反接。
就看你怎么连接了。
如果串联到电路中，就直接连接，如果并联，就反接。
2，TVS二极管最好是用表测一下来确定正负极。
3，并联在电路中使用要反接。
正接反接：二极管正极接地，负极靠近电源一般是稳压管正向导通相当于小电阻，反向截止被阻断。
肖特基二极管1.导通压降VF:VF为肖特基二极管正向导通时肖特基二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的肖特基二极管。
2.反向饱和漏电流IR:IR指在肖特基二极管两端加入反向电压时，流过肖特基二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的肖特基二极管。
3.额定电流IF:指肖特基二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.浪涌电流IFSM:允许流过正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
越大越好5.反向峰值电压VRM:即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使肖特基二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
越大越好6.直流反向电压VR:;上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.工作频率fM:由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
肖特基二极管的fM值较高，最大可达100GHz。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
肖特基势垒二极管 参数
肖特基势垒二极管参数
肖特基势垒二极管（简称SBD）是一种整流二极管，其基本原理是利用金属与半导体之间的势垒进行整流。
以下是肖特基势垒二极管的一些参数：
1. 最大正向压降（VFM）：指二极管在正向导通时的最大电压降。
2. 反向击穿电压（VBR）：指二极管在反向电压作用下，发生反向击穿时的电压。
3. 反向有效值电压（VRMS）：指二极管所能承受的反向电压的有效值。
4. 峰值反复反向电压（VRRM）：指二极管所能承受的峰值反向电压。
5. 非反复反向峰值电压（VRSM）：指二极管在非反复反向工作条件下所能承受的峰值电压。
6. 反向峰值工作电压（VRWM）：指二极管在反向工作条件下所能承受的峰值电压。
7. 最大直流截止电压（VDC）：指二极管在直流电路中，能够保持截止状态的最大电压。
此外，肖特基势垒二极管还有其他一些参数，例如正向电流（IF）、反向漏电流（IR）等。
这些参数的具体数值取决于二极管的具体型号和应用条件。
如需了解更多参数信息，建议查阅相关资料或咨询专业人士。
1ss86检波二极管参数
1ss86检波二极管参数1. 概述1ss86是一种常用的检波二极管，也被称为肖特基二极管。
它具有低漏电流、快速响应和高温稳定性等特点，广泛应用于射频和微波电路中的检波、混频和限幅等功能。
2. 参数说明2.1 最大额定值•最大反向电压（VRM）：常见的1ss86二极管的最大额定反向电压为100V。
超过此电压可能会导致器件损坏。
•最大正向电流（IFM）：1ss86二极管的最大额定正向电流为20mA。
超过此电流可能会导致器件过热和损坏。
2.2 典型值•正向压降（VF）：在额定正向电流下，1ss86二极管的典型正向压降约为0.45V。
•反向漏电流（IRM）：在额定反向电压下，1ss86二极管的典型反向漏电流很小，通常在几十纳安级别。
2.3 响应时间•响应时间是指从输入信号变化到输出信号达到其峰值的时间。
1ss86二极管具有快速响应的特点，其响应时间通常在纳秒级别。
3. 应用1ss86检波二极管在各种电路中都有广泛的应用，下面介绍其中几个常见的应用场景。
3.1 射频检波在射频接收机中，1ss86二极管可以作为检波器使用，将射频信号转换为直流信号。
由于其快速响应和低漏电流的特点，能够提供较好的检测性能和稳定性。
3.2 频率混频1ss86二极管也可以作为频率混频器使用。
通过将两个不同频率的信号输入到二极管的两个端口上，可以实现频率混合，并在输出端获得包含原始信号和它们之间差异频率成分的信号。
3.3 限幅器由于1ss86二极管具有快速响应和高温稳定性等特点，在一些需要限制输入信号幅度范围的电路中可以使用它作为限幅器。
通过将输入信号直接连接到1ss86二极管上，并通过合适的电路设计来防止过大或过小幅度的信号进入后续电路。
4. 总结1ss86检波二极管是一种常用的肖特基二极管，具有低漏电流、快速响应和高温稳定性等特点。
它在射频和微波电路中广泛应用于检波、混频和限幅等功能。
本文介绍了1ss86二极管的参数说明，包括最大额定值和典型值，以及其在射频检波、频率混频和限幅器等应用场景中的具体应用。
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种具有快速开关特性和低电压损耗的二极管。
其工作原理是通过形成金属和半导体之间的肖特基势垒来导电。
以下是一些常见的肖特基整流二极管型号及其参数介绍：
1.BAT54C：
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
2.BAT46W：
-最大正向电流：150mA
-最大反向电压：100V
-正向压降：0.4V（I=0.1A）
- 导通时间：5ns
3.BAT41：
-最大正向电流：100mA
-最大反向电压：40V
-正向压降：0.45V（I=0.1A）
- 导通时间：8ns
4.BAT54S：
-最大正向电流：300mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.26V（I=0.2A）
- 导通时间：6ns
5.BAT54:
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.41V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
6.BAT85:
-最大正向电流：1A
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：1ns
以上只是一些常用的肖特基整流二极管型号，实际上市场上还有很多其他型号的肖特基整流二极管。
不同型号的肖特基整流二极管具有不同的正向电流、反向电压、正向压降和导通时间等参数，可以根据具体应用需求选择合适的型号。
e220b肖特基二极管参数
e220b肖特基二极管参数
E220B是一种肖特基二极管型号，具体参数如下：
1. 最大耐压（Vr）：一般为20V-200V，表示器件可以承受的最高电压。
2. 最大持续电流（If）：一般为1A-5A，表示器件可以连续通过的最大电流。
3. 正向压降（Vf）：一般为0.3V-0.8V，表示器件正向导通时的压降。
4. 逆向漏电流（Ir）：一般为几百uA至几mA，表示器件在反向工作时的漏电流。
5. 瞬态响应时间（trr）：一般为几纳秒至几十纳秒，表示器件从正向导通到反向截止的时间。
需要注意的是，具体的参数可能会因为不同的制造商而有所差异，上述参数仅为一般参考值。
要获取准确的参数信息，建议查看器件的规格书或者与制造商联系。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关速度、低反向电流和低电压丢失的特点，广泛应用于电源管理、开关电源、高频电路、自增放大器、矩阵存储等领域。
下面是一些常见的肖特基二极管型号及其参数。
1.1N5711：1N5711是一种常用的肖特基二极管型号，其最大正向电流为15mA，最大反向电流为2uA，最大反向电压为70V。
2.BAT54：BAT54是一种超小型、超低电压丢失的肖特基二极管，其最大正向电流为600mA，最大反向电流为5uA，最大反向电压为30V。
该型号适用于电源管理、无线通信、自增放大器等应用领域。
3.BAS70：BAS70是一种超小型、超低电压丢失、低反向电流的肖特基二极管，其最大正向电流为70mA，最大反向电流为50nA，最大反向电压为70V。
该型号适用于电源管理、高频电路、模拟开关等领域。
4.1N5819：1N5819是一种经典的肖特基二极管型号，其最大正向电流为1A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、充电器、汽车电路等应用领域。
5.SB520：SB520是一种超速肖特基二极管，其最大正向电流为5A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为20V。
该型号适用于变换器、电源管理、DC/DC转换器等高功率应用领域。
6.SR240：SR240是一种高速肖特基二极管，其最大正向电流为2A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、电机驱动、变换器等高速开关应用领域。
以上只是常见的一些肖特基二极管型号及其参数，不同型号的肖特基二极管在正向电流、反向电流和反向电压等参数上存在差异。
在实际选择时，需要根据具体应用场景和要求来选择合适的肖特基二极管型号。
肖特基二极管参数
肖特基二极管参数肖特基二极管(parameter of Schottky diode)肖特基二极管是一种快速开关和整流器件，具有高速响应和低电压损耗的特点。
它是由石墨、金属等组成的亚稳态材料构成的，可以在高频运输中更好地工作。
肖特基二极管具有以下参数：1）峰值重复电压（PRV）：这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
PRV决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
在肖特基二极管的情况下，PRV比普通二极管要低一些，因为它是由金属构成，难以承受高电压。
2）正向电流（IF）：这是设备在正向导通模式下能够承受的最大电流。
在肖特基二极管的情况下，IF可以达到数百安培，使其成为快速开关电路的理想选择。
3）反向电流（IR）：这是设备在反向偏置模式下经受的最大电流。
在肖特基二极管中，IR通常小于或等于1微安，这是因为它不是典型PN结二极管中产生少数载流子扫描的结果，而是因为它本身的物理属性发生变化。
4）正向电压降（VF）：这是二极管在正向导通模式下，产生的电压降。
肖特基二极管的VF很低，通常在0.3V 以下，这是由于其特殊的材料组成和界面结构确定的特性。
5）反向恢复时间（TRR）：这是二极管在正向导通后，快速回到截止状态所需的时间。
在肖特基二极管的情况下，TRR非常短，通常在ns级别，使之成为高速开关电路的理想选择。
6）热稳定性：这是指在不同工作温度下，设备性能的改变程度。
对于肖特基二极管，热稳定性很好，这是由于其结构和材质具有高温稳定性。
肖特基二极管的优点：1）速度快：由于它的结构和物理属性，肖特基二极管的响应速度非常快，具有精确的开关行为。
2）电压降低：由于其低VF，肖特基二极管消耗的能量非常低。
这可以节省能源，降低系统成本。
3）高温稳定性：肖特基二极管在高温下的性能稳定，可以在一些极端条件下运作。
肖特基二极管的缺点：1）不适合高电压应用：由于其材质较脆，肖特基二极管不能承受较高的电压。
2）有限的PRV：虽然这是一个非常快速的开关装置，但其峰值重复电压相对较低，不适合在高电压电路中使用。
常用肖特基二极管
反向重复峰 最大平均
Part 值电压 Number
正向电流
VRRM IO @ TA
V
A
℃
1.0 安培肖特基势垒二极管
1N17 20
1.0
90
1N18 30
1.0
90
1N19 40
1.0
90
1S20 20
1.0
75
1S40 40
1.0
75
1S60 60
1.0
100
1S80 80
1.0
100
75 80
SR380 80
3.0
75 80
SR3100 100
3.0
75 80
5.0 安培肖特基势垒二极管
0.55 0.70 0.85 0.85
2.0 0.5 2.0 0.5 2.0 0.5 2.0 0.1
0.475 0.500 0.525 0.550 0.700 0.700 0.850 0.850
5.0
100 150
SR5A10 100
0
5.0
100 150
SRF5A2 20 0
5.0
90 150
SRF5A4 40 0
5.0
90 150
SRF5A6 60
0
5.0
100 150
SRF5A8 80 0
5.0
100 150
SRF5A1 100
00
5.0
100 150
8.0 安培肖特基势垒二极管
0.55 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.85 5.0 0.5 0.85 5.0 0.2 0.55 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.85 5.0 0.5 0.85 5.0 0.2 0.55 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.55 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0