《模拟电子技术基础》习题册
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术基础》习题册(1).doc
3VO-9.3V8.5V第三章双极型晶体管及其基本放大电路【3・1】填空：1. 双极型晶体管可以分成 _____________ 和 ________________两种类型，它们工作 时有 _________ 和 ________ 两种载流子参与导电。
2. 当温度升高时，双极性晶体管的0将 _______ ,反向饱和电流©0将 _________ ， 正I 对结圧降S JE 将 ______ °3. 当使用万用表判断电路中处于放大状态的某个双极型晶体管的类型与三个电极时, 测出 ____________________ 报为方便。
4. 当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 _______________ ,输岀特性曲线 将 ___________ ,而且输岀特性|11|线Z 间的间隔将_____________ 。
[3-2]用力•用表肓流电斥档测得电路屮晶体管各极对地电位如图3・2所示，试判断晶体管分别处于哪种T 作状态（饱和、截止、放大）?图3-2[3-3]分别画岀图3・3所不备电路的肯流通路和交流通路。
I2.3V+6V（(b )a 3-3R B 490kQo-K cc(-10V) R C3kO<11K■o+ "BEa 3-5”CE %3kQ【34】放大电路如图3・4(a)所示，晶体管的输出特性Illi线以及放大电路的交、直流负载线如图34(b)所示。
设U BE=0.6V,张=3000，试问：1.计算心、瓦、他。
2・若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3.计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数久和输出电阻。
4.若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个0值小一半的管子，这时厶。
、心、Ug以及|血|将如何变化？【3・5】在如图3・5所示的基木放大电路中，设晶体管的/?=100, t7BE Q=-0.2V, r bb-200Q, Ci，C2足够大。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2．1 BJT用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2．2 温度升高时，BJT的电流放大系数 ，反向饱和电流 ，发射结电压 。
2．3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， ；都接人负载 电阻时，测得 ，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点；
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(4)若换上一只 =100的管子，放大电路能否工作在正常状态
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）换上一只 的管子，其IC和UCE不变，放大电路能正常工作。
2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管， =50，试求：
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）
2．29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管，输出特性及交、直流负载线如图题2．29所示，试求：
(1)电源电压Vcc；
(2)静态工作点；
(3)电阻Rb、RC的值；
(4)要使该电路能不失真地放大，基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电子技术基础试题库(附答案)
模拟电子技术基础试题库（附答案）一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称？A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案：A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路？A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案：A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用？A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案：A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相？A. common-emitter amplifier（共射放大器）B. common-base amplifier（共基放大器）C. common-collector amplifier（共集放大器）D. emitter-follower（发射极跟随器）答案：A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分？A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案：B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波？A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案：A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案：发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案：放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础 习题册
模拟电子技术基础习题册(总28页)-本页仅作为预览文档封面，使用时请删除本页-专业姓名学号成绩1-1、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
1-2、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值I L（AV）＝100mA。
（1）变压器副边电压有效值U2≈（2）设电网电压波动范围为±10％。
在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流I F和最高反向电压U R的下限值约为多少1-3、电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。
（1）画出u2、u D1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（AV）的表达式；（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压U R m ax的表达式。
1-4、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。
试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少1-5、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。
1-6、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩1-7、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。
（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象为什么1-8、电路如图所示。
（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝20V时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4）当U21＝18V，U22＝22V时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少1-9、电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为6V，最小稳定电流为5mA，允许耗散功率为240mW，动态电阻小于15Ω。
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。
《模拟电子技术基础》习题答案
第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
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第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
3．R e 在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
4．从输出端开路到接上R L ，静态工作点将 ，交流输出电压幅度要 。
5．V cc 减小时，直流负载线的斜率 。
图1-51-6 电路如图1-5所示，设V CC =15V ，R b1=20k Ω，R b2=60K ω，R C =3k Ω，R e=2k Ω,电容C 2，C 2和C e 都足够大，β=60，U BE =0.7V ，R L =3k Ω 1．电路的静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ 。
2．电路的电压放大倍数A u ，放大电路的输出电阻r i 和输出电阻r 0 3．若信号源具有R S =600Ω的内阻，求源电压放大倍数A us 。
1-7 图1-7所示电路中，已知三极管的β=100，U BEQ =0.6V ，r bb ′=100Ω。
1．求静态工作点。
2．画微变等效电路。
3．求io1uU UA ='。
4．求r i ，r o1，r o2。
图1-7多级放大电路与频率特性习题2-1 填空：1．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为：)1(1(10006101010u ff fj jA ++=式中f 单位Hz表明其下限频率为 ；上限频率为 ；中频电压增益为 dB ，输出电压与输入电压中频段的相位差为 。
2．幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于失真，在出现(+10V)u这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波，若u i 为非正弦波，则u o 与u i 的频率成分 ，但不同频率成分的幅度 变化。
3．饱和失真，截止失真都属于 失真，在出殃这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波。
u o 与u i 的频率成分 。
4．多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带 。
5．多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率产生的附加相移 。
6．多级放大电路放大倍数的波特图是各级波特图的 。
7．在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。
8．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 ；前级对后级而言又是 。
2-4 某放大电路的电压放大倍数复数表达式为： )1)(1)(1(5.051010022u fffj jjfA +++=f 的单位为Hz1．求中频电压放大倍数A um 2．画出A u 幅频特性波特图3．求上限截止频率f H 和下限截止频率f L2-5 图2-5中的T 1，T 2均为硅管，U BE =0.7V ，两管间为直接耦合方式，已知β1=β2=50，r b b’1= r b b’2=300Ω，电容器C 1，C 2，C 3，C 4的容量足够大。
1．估算静态工作点I CQ2，U CEQ2（I BQ2的影响忽略不计） 2．求中频电压放大倍数A u 3．求输入电阻r i 和输出电阻r o4．用仿真验证上述结果+-U o&LΩCC图2-52-6 电路如图2-6所示 1．写出iou U U A =及r i ，r o 的表达式（设β1，β2 ，r be1，r be2及电路中各电阻均为已知量）2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。
若原因是第一级的Q 点不合适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级Q 点不合适，问第二级产生了什么失真？又如何消除？+-U o &图2-6差动、功放电路习题3-1 填空1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
2．在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路 。
这是由于 。
3．差动放大电路是为了 而设置的，它主要通过 来实现。
4．在长尾式差动电路中，R e 的主要作用是 。
3-2 某差动放大电路如图3-2所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。
2．差模电压放大倍数A ud =1211oΔΔΔU U U -3．仿真验证上述结果。
V EE (-12V)图3-23-3 在图3-3所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。
1．画出共模、差模半边电路的交流通路。
2．求差模电压放大倍数i2i1oud ΔU U U A ∆∆-=。
3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。
V V EEEE图3-3 图3-43-4 分析图3-4中的电路，在三种可能的答案（a：增大；b：减小；c：不变）中选择正确者填空，设元件参数改变所引起的工作点改变不致于造成放大管处于截止或饱和状态。
1．若电阻R e增大，则差模电压放大倍数，共模电压放大倍数。
2．若电阻R增大，则差模电压放大倍数；共模电压放大倍数。
3．若两个R C增大同样的数量，则差模电压放大倍数；共模电压放大倍数。
3-7 填空：1．功率放大电路的主要作用是。
2．甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据放大管的大小来区分的，其中甲类放大；乙类放大；甲乙类放大。
3．乙类推挽功率放大电路的较高，这种电路会产生特有的失真现象称；为消除之，常采用。
4．一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为W的功率管个。
3-8 在图3-8功放电路中，已知V CC=12V，R L=8Ω。
u i为正弦电压，求：1．在U CE(sat)=0的情况下，负载上可能得到的最大输出功率；2．每个管子的管耗P CM至少应为多少？3．每个管子的耐压(BR)CEOU至少应为多少？CC Luo图3－83-9 电路如图3-9所示，已知T 1，T 2的饱和压降为2V ，A 为理想运算放大器且输出电压幅度足够大，且能提供足够的驱动电流。
u I 为正弦电压。
1．计算负载上所能得到的最大不失真功率； 2．求输出最大时输入电压幅度值U im ； 3．说明D 1，D 2在电路中的作用。
180k ΩLu oR Ω图3-93-10 填空：1．集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路，因此低频性能 ，最常见的问题是 。
2．理想集成运算放大器的放大倍数A u ＝ ，输入电阻r i ＝ ，输出电阻r o ＝ 。
3．通用型集成运算放大器的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。
4．集成运算放大器的两上输入端分别为 端和 端，前者的极性与输出端 ；后者的极性同输出端 。
5．共模抑制比K CMR 是 之比，K CMR 越大，表明电路 。
6．输入失调电压U IO 是 电压。
第四章：负反馈放大电路习题4-1 负反馈可以展宽放大电路的通频带，图4-1所示画出了三种负反馈放大电路的频率特性，你认为哪一种是正确的？闭环开环A&lg 20f闭环开环A&lg 20f 闭环开环A&lg 20f（a ） （b ） （c ）图4-14-2 判断图4-2所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。
如是负反馈，说明是何种反馈类型。
o &CCV+o&f（a ） （b ） （c ）图4-24-3 指出在图4-3所示的各个电路中有哪些交流反馈支路，它们属于何种组态，其中哪些用于稳定电压，哪些用于稳定电流，哪些可以提高输入电阻，哪些可以降低输出电阻。
+-U CCVo &CCo CCV（a ） （b ） （c ）图4-34-4电路如图4-4所示：1．指出反馈支路与反馈类型（极性与组态） 2．按深度负反馈估算中频电压放大倍数A usf =soU U 3．用仿真验证上述结果+-Uo &图4-44-5 由差动放大器和运算放大器组成的反馈放大电路如图4-5所回答问题： 1．当U i =0时，U c1=U c2=？设U BE =0.7V2．要使由U o 到b 2的反馈为电压串联负反馈，则C 1和C 2应分别接至运放的哪个输入端（在图中用+，—号标出）？3．引入电压串联负反馈后的闭环电压放大倍数是多大？设A 为理想运放。
4．若要引电压并联负反馈，则C 1，C 2又应分别接到运放的哪个输入端？R f 应接何处？若R f ，R b 数值不变，则A uf =？CC u o(+15V )图4-54-7 用理想集成运放组成的两个反馈电路如图4-7所示，请回答： 1．电路中的反馈是正反馈还是负反馈？是交流反馈还是直流反馈？ 2．若是负反馈，其类型怎样？电压放大倍数又是多少？-+-+图4-74-8 在图4-8所示的四个反馈电路中，集成运算放大器A 都具有理想的特性，（A u =0,,o i =∞=∞r r ）1．判断电路中的反馈是正反馈还是负反馈，是何种组态反馈？ 2．说明这些反馈对电路的输入、输出电阻有何影响（增大或减小） 3．写出各电路闭环放大倍数的表达式（要求对电压反馈电路写ioU U ，对电流反馈电路 写io U I）（a ）图4-84-9 分析图4-9中两个电路的级间反馈，回答1．是正反馈还是负反馈，是直流反馈还是交流反馈？何种类型？ 2．各自的电压放大倍数ioU U 大约是多少？ u iou io(a) (b)ofifLR ifLoofifLR ofifLR (a)(b)(c)(d)图4-94-10 图4-10中的A 1，A 2为理想的集成运放，问： 1．第一级与第二级在反馈接法上分别是什么极性和组态？ 2．从输出端引回到输入端的级间反馈是什么极性和组态？ 3．电压放大倍数?o1o =U U ?io =U U4．输入电阻r if =？ 5．用仿真验证3、4结果。