倒装芯片(FC-Flip-Chip)装配技术

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第四讲微系统封装技术倒装焊技术

第四讲微系统封装技术倒装焊技术
– Minimum pitch 40 µm
– Bump height 30 - 75 µm
• Difficulties:
– Bump height highly dependent in current density
– Variations in current density across the wafer gives non uniformity in bump height
散阻挡层。

镍UBM的厚度一般为1~15 μ m , 而5 μ m厚的镍UBM就能使焊料凸点的可靠
性明显提高。

镀镍之后,还要在镍上镀一层厚度为0.05-0.1 μ m的金,它主要是防止镍
发生氧化,以保持它的可焊性。
铝焊盘上化学镀镍前处理
由于铝焊盘表面有一层氧化物,镀层金属无法粘附在这样的表面上,因此要对铝 表面进行适当的处理以清除氧化物层。
UBM 凸点形成
Pb/Sn bump Si Chip
Solder Wetting Layer Adhesion / Barrier Layer Al pad
Passivation Layer
对UBM的要求
必须与焊区金属以及圆片钝化层有牢固的结合力: Al是最常见的IC金属化金属,典型 的钝化材料为氮化物、氧化物以及聚酰亚胺 。 和焊区金属要有很好的欧姆接触:在沉积UBM之前要通过溅射或者化学刻蚀的方法去除 焊区表面的Al氧化物。 要有焊料扩散阻挡层:必须在焊料与焊盘焊区金属之间提供一个扩散阻挡层 要有一个可以润湿焊料的表面:最后一层要直接与凸点接触,必须润湿凸点焊料。 氧化阻挡层:为保证很好的可焊性,要防止UBM在凸点的形成过程中氧化。 对硅片产生较小的应力: UBM结构不能在底部与硅片产生很大的应力,否则会导致底 部的开裂以及硅片的凹陷等可靠性失效。

led倒装芯片封装技术

led倒装芯片封装技术

led倒装芯片封装技术英文回答:## Flip Chip LED Packaging Technology.Flip chip LED packaging technology is a method of mounting LED chips on a printed circuit board (PCB) with the active side of the chip facing down. This technology offers several advantages over traditional surface mount technology (SMT), including:Reduced package height: Flip chip LEDs are much thinner than SMT LEDs, allowing for the creation of thinner and more compact lighting fixtures.Improved thermal performance: The direct thermal contact between the LED chip and the PCB dissipates heat more efficiently, resulting in longer LED life and improved performance.Higher power density: Flip chip LEDs can be packed more densely than SMT LEDs, enabling the creation of high-power lighting fixtures with a smaller footprint.Lower cost: Flip chip LEDs are less expensive to manufacture than SMT LEDs, making them a more cost-effective option for large-scale lighting applications.Flip chip LED packaging technology is typically used in applications where high power density and thermal performance are critical, such as automotive lighting, street lighting, and commercial lighting.### Flip Chip LED Packaging Process.The flip chip LED packaging process involves the following steps:1. Die preparation: The LED chip is prepared by thinning the substrate and applying a solder mask to the active surface.2. Solder ball attachment: Solder balls are attached to the bottom surface of the LED chip using a solder paste.3. Chip placement: The LED chip is placed on the PCB with the solder balls facing down.4. Reflow soldering: The PCB is heated to melt the solder balls and form a permanent connection between the LED chip and the PCB.5. Encapsulation: The LED chip is encapsulated with a protective epoxy to protect it from the environment.### Advantages of Flip Chip LED Packaging Technology.The advantages of flip chip LED packaging technology include:Reduced package height: Flip chip LEDs are muchthinner than SMT LEDs, allowing for the creation of thinner and more compact lighting fixtures.Improved thermal performance: The direct thermal contact between the LED chip and the PCB dissipates heat more efficiently, resulting in longer LED life and improved performance.Higher power density: Flip chip LEDs can be packedmore densely than SMT LEDs, enabling the creation of high-power lighting fixtures with a smaller footprint.Lower cost: Flip chip LEDs are less expensive to manufacture than SMT LEDs, making them a more cost-effective option for large-scale lighting applications.### Disadvantages of Flip Chip LED Packaging Technology.The disadvantages of flip chip LED packaging technology include:Higher assembly cost: The flip chip LED packaging process is more complex than the SMT process, resulting in higher assembly costs.Limited design flexibility: The rigid nature of the flip chip LED package limits design flexibility, making it difficult to create custom lighting fixtures.Reliability concerns: The flip chip LED package is more susceptible to mechanical stress than the SMT package, raising reliability concerns for applications where vibration or shock is a factor.### Conclusion.Flip chip LED packaging technology offers several advantages over traditional SMT, including reduced package height, improved thermal performance, higher power density, and lower cost. However, this technology also has some disadvantages, including higher assembly cost, limited design flexibility, and reliability concerns. Overall, flip chip LED packaging technology is a valuable option for applications where high power density and thermal performance are critical.中文回答:## 倒装芯片LED封装技术。

FC装配技术

FC装配技术

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对贴装精度及稳定性的要求 对于球间距小到0.1mm的器件,需要怎样的贴装精度才能达到较高的良率? 基板的翘曲变形,阻焊膜窗口的尺寸和位置偏差,以及机器的精度等,都会 影响到最终的贴装精度。关于基板设计和制造的情况对于贴装的影响,我们 在此不作讨论,这芯片装配工艺对贴装设备的要求里我们只是来讨论机器的 贴装精度。为了回答上面的问题,我们来建立一个简单的假设模型: 1.假设倒装芯片的焊凸为球形,基板上对应的焊盘为圆形,且具有相同的直 径; 2.假设无基板翘曲变形及制造缺陷方面的影响; 3.不考虑Theta和冲击的影响; 4.在回流焊接过程中,器件具有自对中性,焊球与润湿面50%的接触在焊接 过程中可以被“拉正” 那么,基于以上的假设,直径μ的焊25m球如果其对应的圆形焊盘的直径为 50μm时,左右位置偏差(X轴)或 前后位置偏差(Y轴)在焊盘尺寸的50%, 焊球都始终在焊盘上(图9)。对于焊球直径为25μm的倒装芯片,工艺能力 Cpk要达到1.33的话,要求机器的最小精度必须达到12μm@3sigma。
• •


倒装芯片的装配工艺流程介绍 相对于其它的IC器件,如BGA、CSP等,倒装芯片装配工艺有其特殊性,该 工艺引入了助焊剂工艺和底部填充工艺。因为助焊剂残留物(对可靠性的影 响)及桥连的危险,将倒装芯片贴装于锡膏上不是一种可采用的装配方法。 业内推出了无需清洁的助焊剂,芯片浸蘸助焊剂工艺成为广泛使用的助焊技 术。目前主要的替代方法是使用免洗助焊剂,将器件浸蘸在助焊剂薄膜里让 器件焊球蘸取一定量的助焊剂,再将器件贴装在基板上,然后回流焊接;或 者将助焊剂预先施加在基板上,再贴装器件与回流焊接。助焊剂在回流之前 起到固定器件的作用,回流过程中起到润湿焊接表面增强可焊性的作用。 倒装芯片焊接完成后,需谄骷撞亢突逯涮畛湟恢纸海ㄒ话阄费跏 黪ゲ牧希5撞刻畛浞治凇懊噶鞫怼钡牧鞫院头橇鞫裕∟ofollow)底部填充。 上述倒装芯片组装工艺是针对C4器件(器件焊凸材料为SnPb、SnAg、SnCu 或SnAgCu)而言。另外一种工艺是利用各向异性导电胶(ACF)来装配倒 装芯片。预先在基板上施加异性导电胶,贴片头用较高压力将器件贴装在基 板上,同时对器件加热,使导电胶固化。该工艺要求贴片机具有非常高的精 度,同时贴片头具有大压力及加热功能。 对于非C4器件(其焊凸材料为Au 或其它)的装配,趋向采用此工艺。这里,我们主要讨论C4工艺,下表列出 的是倒装芯片植球(Bumping)和在基板上连接的几种方式。

覆晶(倒装 Flip Chip LED)工艺介绍

覆晶(倒装 Flip Chip LED)工艺介绍

为什么要用覆晶LED覆晶焊技术支持的LED光源与传统封装光源相比,具有热阻低,电压低,大电流密度光效高的特点,综合研究表明覆晶LED光源在应用上有其独特的潜力和优势。

优点:(1)、高可靠性,最稳定的SMT锡制程,承受拉力是传统LED的数十倍。

(2)、低热阻(3014热阻为40℃/W,倒裝为5.8℃/W),高散热性,防止热量过高而烧坏晶片或荧光粉和封装胶。

(3)、无金线可实现多芯片的集成,特别是COB和高压LED灯源。

也有效的避免金线引起的各种风险,比如热膨胀使之断裂,外部冲击波或压力造成金钱断裂等优势。

(4)、导电面积大,内阻小,能承受大电流通过,减少因为内阻大引起的过大热量。

(5)、发光率高,发光角度大等优点。

(6)、封装工艺简化,降低封装成本,高提生产良率。

(7)、低光衰,不因为热引起的快速光衰,从而延长了芯片的寿命,是普通灯具的10倍以上一、结构优势首先,相对于正装和垂直的芯片封装方式,覆晶封装没有金线存在,可以有效避免金线可能引起的各种风险。

下表为硅胶、金线、芯片的热膨胀系数值,其数量级的差距说明了硅胶热膨胀对金线的拉扯会造成可靠性的隐患。

材料热膨胀系数其次,覆晶焊采用金属与金属直接接触的方式,其大电流散热能力比传统封装更好。

如图为传统封装与覆晶封装在散热通道方面的区别,传统正装封装通过蓝宝石和固晶银胶散热,覆晶焊通过金属通道散热,传统封装的蓝宝石和固晶胶成为散热瓶颈。

下表所示的数值为蓝宝石、固晶胶、金属三者在导热系数大小,三者对比明显可以发现覆晶焊金属导热通道的巨大优势。

材料导热系数传统封装光源散热通道覆晶焊封装光源散热通道最后,覆晶焊的封装不存在金线的焊线弧度,能够实现超薄型的平面封装。

传统封装方式金线的拉力仅10g左右,而覆晶焊的接触面推力达到500g以上,覆晶封装可以抵抗一定的表面挤压而不影响LED的光电性能,适合于狭小的应用空间内。

例如手机、摄像机、背光等领域。

同时在多芯片的集成,均能发挥超薄易安装高集成的优势。

fc封装技术简介

fc封装技术简介

FC封装技术简介1.FC封装技术概述FC封装技术,即Flip Chip封装技术,是一种直接将芯片与电路板进行连接的封装形式。

在FC封装中,芯片与电路板之间的连接通过微凸点(micro-bumps)实现,这些微凸点通常由焊料、金、锡等材料制成。

与传统的引线键合技术相比,FC封装技术具有更高的连接密度和更短的连接路径,从而能够提供更好的电气性能和可靠性。

此外,FC封装技术的体积小、重量轻等特点,使其在各种电子设备中得到了广泛的应用。

2.FC封装技术的基本构成FC封装技术主要由芯片、电路板、微凸点三个部分组成。

芯片是封装的主要部分,其上集成了各种电子器件。

电路板是芯片的载体,通常由有机材料制成,如聚酰亚胺等。

微凸点则是连接芯片与电路板的桥梁,通过热压或超声波焊接等方法将芯片与电路板连接在一起。

3.FC封装技术的优点FC封装技术具有以下优点:(1)高连接密度:由于微凸点的尺寸很小,可以实现高连接密度,从而减小芯片的尺寸和体积。

(2)高可靠性:由于连接点被均匀地分布在芯片表面上,因此可靠性更高。

(3)低功耗:由于连接点的数量少,热阻降低,散热性能更好,因此功耗更低。

(4)高速传输:由于连接路径短,信号传输速度更快。

4.FC封装技术的制造流程FC封装的制造流程包括以下几个步骤:(1)芯片准备:清洗芯片表面,去除氧化物和杂质。

(2)微凸点制作:在芯片表面涂覆一层金属材料,然后通过光刻和刻蚀等工艺形成微凸点。

(3)电路板准备:清洗电路板表面,去除杂质和氧化物。

(4)芯片贴装:将芯片有微凸点的一面朝下放置在电路板上,并通过热压或超声波焊接等方法将微凸点与电路板上的导电层连接在一起。

(5)塑封:用环氧树脂等塑封材料将芯片和电路板包裹起来,以保护它们不受外界环境的影响。

(6)测试和分选:对封装好的芯片进行测试和分选,确保其性能符合要求。

5.FC封装技术的应用领域FC封装技术广泛应用于各种领域,如通信、计算机、汽车电子、医疗器械等。

面积阵列封装的BGA和Flip Chip

面积阵列封装的BGA和Flip Chip

BGA(球栅阵列)和Flip Chip(倒装片)作为当今大规模集成电路的封装形式,逐渐引起电子组装行业的关注,并且已经在不同领域中得到应用。

随着表面安装技术的发展,器件引线间距在不断下降,传统的2.54mm和1.27mm间距的器件渐渐被0. 5mm的细间距器件所替代(图1),这种趋势持续至今,随之又出现有0.4mm、0.3mm乃至更细间距的表面安装器件。

此外,更先进的封装技术,如自动载带焊(TAB)等,可以使得引线间距降至0.2mm或更细的间距。

随着向超细间距领域的发展,表面安装技术受到了诸如器件间距、引线框架制造精度、设备、材料等各种因素的限制。

在芯片(die)级,为增强器件的功能和性能不得不增加I/O数和硅片的尺寸,对于如此之高的I/O数,如果采用传统形式的标准间距的封装,则器件尺寸势必会相当大,而如果采用较小尺寸的封装形式,则又会引起引线间距的急剧减小。

较大尺寸封装的采用,将会使得器件在PCB上占用的面积增大,而且互联的通道会更长,难免会降低预期的使用性能,况且这些较大尺寸封装的制造并不容易,组装到P CB上的过程也并非如人们所料想的那么简单,对生产产量也会有一定的影响,从而也就增大了整个过程的组装费用。

而对于满足了较大的I/O数,但间距更小的封装,在制造和组装方面也同样存在挑战,因此,电子组装者不得不从封装尺寸、引线间距、可制造性等多方面来考虑,力求寻求更好的封装解决办法。

图1 IC封装发展状况面积阵列封装(area array package)就是一种可以解决上述问题的封装形式,它可以在不牺牲器件可制造性的前提下提高器件的功能和性能。

QFP器件的I/O引出端通常采用向周边走线的形式,而面积阵列封装的I/O引出端则在器件底部呈矩阵分布,I/O数的增大和封装体尺寸的减小是特别明显的,见表1和表2。

表1 封装体尺寸为20mm×20mm的不同间距BGA和QFP的I/O数对比表2 I/O数为300的不同间距BGA和QFP的封装体尺寸对比从这两个表可以看出面积阵列封装在器件功能和封装尺寸方面的优点。

倒装芯片绑定(Flip—Chip bonding)测试

倒装芯片绑定(Flip—Chip bonding)测试

随着集成电路封装密度提高,芯片上的引脚由四周分布变为全芯片表面分布,而对应基板上的引脚也由四周分布变为全基板分布。

传统的Die bonder和Wire Bonder设备已经无法满足这种新型引脚分布的封装要求,因此倒装焊技术应运而生。

但是考虑到倒装芯片基材是比较脆的硅,若在取料、助焊剂浸蘸过程中施以较大的压力容易将其压裂,同时细小的焊凸在此过程中也容易压变形,此外基于成本考虑,每秒绑定的次数为几次或几十次。

所以如何在快速的生产过程中保证贴片力的精度及稳定性是半导体行业关注的重点
奇石乐提供倒装芯片绑定(Flip-Chip Bonding)的测试系统,结合压电式力传感器+电荷放大器可实现快速响应并执行反馈,保证生产快速稳定。

该方案有以下优势:
1.压电传感器几乎无限的寿命,适合于大批量高频次的在线检测
2.压电传感器具有高频响(>20KHz),可快速捕捉绑定时力值大小
3.压电传感器多段标定且能保证精度,即可保证小力时精度,又可防过载
4.电荷放大器具有很高的刷新速度,可快速将力值传输到监控设备,以达到实时监
控的作用。

倒装芯片键合技术

倒装芯片键合技术
3.无铅化的凸点技术
倒装芯片(FCB)
3.无铅化的凸点技术
倒装芯片(FCB)
3.无铅化的凸点技术
以上有不当之处,请大家给与批评指正, 谢谢大家!
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关键技术芯片凸点的制作技术凸点芯片的倒装焊底部填充倒装芯片倒装芯片fcbfcb发展历史1964倒装芯片出现
第三章
任课教师:刘章生
概述
概述
倒装芯片(FCB)ຫໍສະໝຸດ • 1.发展历史• 2.关键技术
芯片凸点的制作技术 凸点芯片的倒装焊 底部填充
• 3.无铅化的凸点技术
倒装芯片(FCB)
1. 发展历史
1964倒装芯片出现; 1969年,IBM公司C4技术(可控塌陷技术); 至今,已广泛应用于SIP,MCM,微处理器,硬盘驱动器以及RFID等领域。
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(1)芯片凸点的制作技术
SBB(stud Bump Bonding); 溅射丝网印刷技术; 电镀凸点制作技术; 化学镀UBM/丝网印刷凸点制作技术; 聚合物凸点.
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(1)芯片凸点的制作技术
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(1)芯片凸点的制作技术
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(2)凸点芯片的倒装焊 再流倒装焊(C4)技术
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(2)凸点芯片的倒装焊 环氧树脂光固化倒装焊法
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(2)凸点芯片的倒装焊 各向异性导电胶(ACA、ACF)
导电粒子含量:10%
倒装芯片(FCB)
2.关键技术
(2)凸点芯片的倒装焊 各向异性导电胶(ACA、ACF)

LED术语和实际应用指南 倒装芯片安装(flip

LED术语和实际应用指南 倒装芯片安装(flip

LED 术语和实际应用指南倒装芯片安装(flip
在底板上直接安装芯片的方法之一。

连接芯片表面和底板时,并不是像引线键合一样那样利用引线连接,而是利用阵列状排列的,名为焊点的突起状端子进行连接。

与引线键合相比,可减小安装面积。

另外,由于布线较短,还具有电特性优异的特点。

主要用于对小型和薄型具有较高要求的便携产品电路以及重视电特性的高频电路等。

另外为了将芯片发出的热量容易地传递到底板上,需要解决发热问题的LED 也有采用这种安装技术的。

将LED 芯片收纳于封装中时如果采用倒装芯片技术,发光层(发热源)距离封装一侧就较近。

因此,容易将LED 芯片的热量散发到封装侧。

另外,采用倒装芯片安装方法安装LED 芯片的话,发光层的光射出外部时不会受到电极的遮蔽。

尤其是采用蓝宝石底板的蓝色LED 等只在LED 芯片一面设置电极的产品,其效果更为明显。

通过倒装芯片安装的LED 的发光效率,与采用引线键合的安装相比,可提高数十%。

用于LSI 时可削减芯片面积
倒装芯片安装多用于LSI。

原因是由于芯片整体拥有输入输出(I/O)端子,由此可缩小芯片面积。

以前,采用通常使用的引线键合方法时,I/O 端子在芯片周围,为了备齐所需的I/O 数量,必须扩大芯片面积。

倒装芯片安。

倒装芯片技术【2024版】

倒装芯片技术【2024版】

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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
倒装芯片历史
1. IBM1960年研制开发出在芯片上制作凸点的倒装芯片焊接工
艺技术。95Pb5Sn凸点包围着电镀NiAu的铜球。后来制作
PbSn凸点,使用可控塌焊连接(Controlled collapse
Component Connection, C4),无铜球包围。
凸点
热压倒装芯片连接最合适的凸点材料是金,凸点可以通过传 统的电解镀金方法生成,或者采用钉头凸点方法,后者就是 引线键合技术中常用的凸点形成工艺。由于可以采用现成的 引线键合设备,因此无需配备昂贵的凸点加工设备,金引线 中应该加入1% 的Pd ,这样便于卡断凸点上部的引线。凸点 形成过程中,晶圆或者基板应该预热到150~ 200° C。
效的冷却。
➢ 低成本:批量的凸点降低了成本。
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
I/O 数比较
倒装芯片与扁平封装的引脚数比较
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
信号效果比较
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
缺点-01
➢ 裸芯片很难测试
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
生产问题
倒装芯片的连接头应该能够产生300°C 的连接温 度, 要有较高的平行对准精度,为了防止半导体材料 发生损伤,施加压力时应该保持一定的梯度。在热压倒 装芯片连接中,凸点发生变形是不可避免的,这也是形 成良好连接所必需的。另外,连接压力和温度应该尽可 能低,以免芯片和基板损坏。
电子制造技术基础

倒装芯片

倒装芯片

倒装芯片
CHIP
Market
Period III
F L I P
行业情况
●璨圆2013年也积极推广其芯片级封装产 品,同样以flip chip为基础,在制程中省略导线 架与打线等步骤。 ●隆达将其芯片级封装CSP(Chip Scale Package)产品在上游晶粒也采用覆晶技术,也 同样省略导线架,幵简化封装流程。 ●Philips Lumileds推出的CSP产品 LUXEON Q就采用flip chip技术,不需在后段制 程中移除蓝宝石基板。 ●CREE的XQ-E LED产品也同样采CSP技 术,将芯片面积大幅缩小,其微型化设计可以 提升光调色品质与光学控制,扩大照明应用范 围。 综合各企业产品,共同的特点是采用倒装芯 片,使体积更小,光学、热学性能更好,同时 因省略了导线架与打线的步骤,使其后道工序 更加便捷。
部分企业的芯片级封装产品: ●晶电的芯片级封装产品称为ELC(Embedded LED Chip),制程中完成芯片生产后,仅 需要涂布荧光粉与采用封装胶,省略导线架与打线的步骤,可以直接贴片(SMT)使用,ELC 产品在没有导线架的情况下,发光角度较大,未来可能省略二次光学透镜的使用。 ●台积固态照明则的芯片级封装产品名为PoD(Phosphor on die),直接将flip chip(覆晶)芯 片打在散热基板上,省略导线架与打线等步骤,同样主打小体积,拥有更高的光通量和更大 的发光角度,幵且可以更容易混色与调控色温特性,适用于非指向性光源应用。
随着上游芯片产能不断扩产,封装行业已经步入微利时代,许多企 业为了抢夺客户大打价格牌,激烈的价格竞争和无序的业内生态链促使行 业开始需求新的封装工艺。而具有提升发光效率以及提高散热能力等优势 的倒装LED芯片技术的革新与应用正是当今封装企业专注研发的重点。

封装工艺中倒装(FC)工艺和材料介绍

封装工艺中倒装(FC)工艺和材料介绍

Temperature vs. Viscosity, Flow Rate
3
2.5
2
1.5
80-100°C is
1
recommended
0.5
0
60
80
100
120
PCB Prebake UF plasma clean
Underfill Underfill cure
Reduces underfill viscosity
By substrate topography
Flux residue
By moisture contamination
By cleaning residue
Major defects in Flipchip and UF
▶ Moisture Void
Major defects in Flipchip and UF
▷ Substrate type ▷ Plasma condition: Power (watt) & Time ▷ Heat block temperature ▷ Dispensing pattern
Causes
Countermeasures
Because of weak interaction
Why use flip chip?
Smallest Size Highest Performance Greatest I/O Flexibility Most Rugged Lowest Cost
Process flow of Super FC
FOL 2 (Memory)
Wafer Backgrind 2 Wafer Mount 2 Wafer Saw 2

flipchip封装工艺

flipchip封装工艺

flipchip封装工艺Flipchip封装工艺是一种先进的微电子封装技术,它在集成电路封装领域具有重要的应用价值。

本文将从Flipchip封装工艺的基本原理、优势和应用领域等方面进行介绍。

一、Flipchip封装工艺的基本原理Flipchip封装工艺是一种将芯片直接翻转并与基板相连接的封装技术。

与传统封装工艺相比,Flipchip封装工艺具有更高的可靠性和更小的封装体积。

其基本原理是通过将芯片的电路面朝下,将芯片的引脚与基板上的金属引脚连接,从而实现芯片与基板之间的电气连接。

Flipchip封装工艺的具体步骤包括:首先,将芯片的电路面朝下,将芯片上的金属引脚与基板上的金属引脚对准;然后,通过热压或焊接等方式将芯片与基板相连接;最后,进行封装胶的填充和固化,以保护芯片和连接引脚。

二、Flipchip封装工艺的优势1. 封装密度高:由于Flipchip封装工艺将芯片的电路面朝下,可以实现更高的封装密度,从而提高芯片的性能和功能。

2. 电性能优良:Flipchip封装工艺可以实现短距离的电气连接,减少电阻和电感的影响,从而提高芯片的电性能。

3. 信号传输速度快:由于Flipchip封装工艺可以实现更短的信号传输路径,可以提高芯片的信号传输速度,从而提高芯片的运行速度和性能。

4. 散热性好:由于Flipchip封装工艺可以将芯片直接与基板相连接,可以实现更好的散热效果,提高芯片的稳定性和可靠性。

三、Flipchip封装工艺的应用领域Flipchip封装工艺在高性能计算、通信、消费电子等领域具有广泛的应用。

具体应用包括:1. 高性能处理器:Flipchip封装工艺可以实现更高的封装密度和更好的散热性能,适用于高性能处理器的封装。

2. 光通信模块:Flipchip封装工艺可以实现更短的信号传输路径和更高的信号传输速度,适用于光通信模块的封装。

3. 手机和平板电脑:Flipchip封装工艺可以实现更小的封装体积和更好的散热性能,适用于手机和平板电脑等消费电子产品的封装。

倒装芯片介绍

倒装芯片介绍
driven by the LED revolution with rapid adoption of LED based lighting solutions
Source: Philips
一、倒装芯片技术
定义:
倒装芯片组装就是通过芯片上的凸点直接将元器件朝下 互连到基板、载体或者电路板上,芯片直接通过凸点直 接连接基板和载体上,整个芯片称为倒装芯片(Flip Chip)。
普通激光切割后wafer侧面
劈裂后wafer侧面
隐形激光切割后wafer侧面
三、工艺流程简介
Wafer 扩张:
Wafer扩张是将已经分离开的晶粒之间的距离变大,利于后面测试和分级设备 工作。
三、工艺流程简介
自动外观检测:
自动外观检测是通过AOI设备 对芯片的外观缺陷判定,尽可能 避免分级过程中外观坏品混入好 品当中。 常见的外观不良有:电极污染、 电极缺损、电极划伤、ITO区域 污染、切割不良等
曝光(MPA & STEPPER)
图1:Coating设备
显影(Developer)
图3:显微镜
检查(Inspection) 图2:Develop设备
黄光工艺流程及常见缺陷
Epi Partical
Photo defect
Scratch
Mask defect
Under develop
三、工艺流程简介
蓝宝石特性
在低于熔点温度范围内, 仍具有良好的化学稳定性和机械、物理等性能; 光学透过范围宽, 特别在1 500~7500 nm, 透过率达85%; 有与纤锌矿III 族氮化物相同的对称性, 故用于GaN 的外延衬底材料。
三、工艺流程简介
图形化蓝宝石衬底技术:

Flip-Chip倒装焊芯片原理

Flip-Chip倒装焊芯片原理

(Flip-Chip)倒装焊芯片原理Flip Chip既是一种芯片互连技术,又是一种理想的芯片粘接技术.早在30年前IBM公司已研发使用了这项技术。

但直到近几年来,Flip-Chip已成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式。

今天,Flip-Chip封装技术的应用范围日益广泛,封装形式更趋多样化,对Flip-Chip封装技术的要求也随之提高。

同时,Flip-Chip也向制造者提出了一系列新的严峻挑战,为这项复杂的技术提供封装,组装及测试的可靠支持。

以往的一级封闭技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板和贴后键合,如引线健合和载带自动健全(TAB)。

FC则将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片与衬底的互连.硅片直接以倒扣方式安装到PCB从硅片向四周引出I/O,互联的长度大大缩短,减小了RC延迟,有效地提高了电性能.显然,这种芯片互连方式能提供更高的I/O密度.倒装占有面积几乎与芯片大小一致.在所有表面安装技术中,倒装芯片可以达到最小、最薄的封装。

Flip chip又称倒装片,是在I/O pad上沉积锡铅球,然后将芯片翻转佳热利用熔融的锡铅球与陶瓷机板相结合此技术替换常规打线接合,逐渐成为未来的封装主流,当前主要应用于高时脉的CPU、GPU(GraphicProcessor Unit)及Chipset 等产品为主。

与COB相比,该封装形式的芯片结构和I/O端(锡球)方向朝下,由于I/O引出端分布于整个芯片表面,故在封装密度和处理速度上Flip chip已达到顶峰,特别是它可以采用类似SMT技术的手段来加工,因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。

倒装片连接有三种主要类型C4(Controlled Collapse Chip Connection)、DCA(Direct chip attach)和FCAA(Flip Chip Adhesive Attachement)。

C4是类似超细间距BGA的一种形式与硅片连接的焊球阵列一般的间距为0.23、0.254mm。

FlipChip封装技术介绍

FlipChip封装技术介绍

FlipChip封装技术介绍Flip Chip中文也叫倒晶封装或者覆晶封装,是一种先进的封装技术,有别于传统的将芯片放置于基板(chip pad)上,再用打线技术(wire bonding)将芯片与基板上的连接点连接。

Flip Chip技术是将芯片连接点长凸块(bump),然后将芯片翻转过来使凸块与基板(substrate)直接连接。

Flip Chip技术不是什么新技术,在上个世纪60年代由IBM研发出来,至于为什么会出现这种技术要从封装的历史说起,这里简单介绍下,传统的封装技术是将芯片(die)放置在引脚(lead frame)上,然后用金线将die上的pad和lead frame连接起来,这一步叫wire bond,但是这种技术封装出来的芯片面积会很大,已经不满足越来越小的智能设备,所以Flip Chip技术应用而生。

WB示意图提到Flip Chip封装技术,bump是不可避免要介绍下,工业上不可能把die切割出来以后再去长bump,所以在wafer切割成die之前要完成bump,因此这也被称为wafer level chip size package(WLCSP)。

FC示意图具体process steps参考维基百科上面的介绍:1.Integrated circuits are created on the wafer2.Pads are metallized on the surface of chips3.solder dot is deposited on each of the pads4.Chips are cut5.Chips are flipped and positioned so that the soler balls are facing the connectors on the external circuitry6.Solder balls are then remelted(typically using hot air reflow)7.Mounted chip is 'underfilled' using an electrically-insulating adhesive最后简单总结下Flip Chip的优点:1.更多的IO接口数量2.更小的封装尺寸3.更好的电气性能4.更好的散热性能5.更稳定的结构特性6.更简单的加工设备虽然优点很多,但是价格也很贵,主要原因是:1.芯片需要在AP层设计RDL用于连接bump,RDL的生产加工需要多一套工艺2.flip chip基板的生产加工,基板的工艺会更加精细,价格自然水涨船高。

flipchip工艺技术

flipchip工艺技术

flipchip工艺技术Flip Chip (反装工艺) 是一种将芯片直接与基板连接的先进封装技术,被广泛用于高性能电子产品的制造中。

Flip Chip 工艺技术具有诸多优点,包括更高的可靠性、更小的封装尺寸、更高的性能和更低的能耗。

本文将对 Flip Chip 工艺技术进行详细介绍。

Flip Chip 工艺技术通过将芯片的电路面朝下,直接与基板上的封装结构相连接,实现电气和热学性能的优化。

相比传统封装技术,Flip Chip 可以将芯片与基板紧密连接,减少了电路板上的电气和热学衰减,并且能够实现更短的信号传输路径,提高信号速度和稳定性。

此外,Flip Chip 还能够减少信号串扰和噪声,提高信号质量。

Flip Chip 工艺技术的另一个关键特点是其小封装尺寸。

由于芯片直接连接到基板上,不需要额外的封装结构,Flip Chip可以显著减小封装尺寸,提高芯片的集成度。

这对于如今越来越小型化的电子设备尤为重要。

Flip Chip 封装可以将多个芯片堆叠在一起,从而在有限的空间中实现更高的集成度,为电子产品的微型化提供了可能。

Flip Chip 工艺技术还具有更高的可靠性。

由于芯片与基板之间的连接是直接的,没有使用线缆或线路板连接器等中间元件,因此减少了信号传输的失真和可靠性问题。

此外,Flip Chip还可以通过提供更好的散热设计来延长芯片的使用寿命,降低过热导致的故障。

除了以上优点,Flip Chip 工艺技术还具有更高的性能和更低的能耗。

由于芯片与基板直接相连,Flip Chip 能够获得更短的信号路径,提高信号传输速度和稳定性。

同时,由于芯片的封装尺寸减小,信号的传输延迟也减小,从而提高整体系统性能。

此外,Flip Chip 能够实现更高的功率密度分布,降低能耗。

综上所述,Flip Chip 工艺技术在电子产品制造中具有重要的地位。

其优点包括更高的可靠性、更小的封装尺寸、更高的性能和更低的能耗。

倒装芯片的原理范文

倒装芯片的原理范文

倒装芯片的原理范文倒装芯片,也被称为倒装芯片封装(Flip Chip)或顶针封装(CUP),是一种将芯片颠倒连接到基板的封装技术。

传统的芯片封装通常是通过焊接或电路板引脚连接芯片和基板,而倒装芯片则通过直接连接芯片的外部焊盘和基板上的引脚。

1.倒转芯片:倒转芯片是指将芯片倒置放置,使其焊盘位于芯片的顶部,而芯片的电路区域朝向基板。

这种倒装的方式可以减小芯片的表面积,提高电气性能,降低芯片间的电感和电阻,提高信号传输速度。

2.衬底基板:倒装芯片通常使用衬底基板,也称为载体基板,用于连接芯片和外部引脚。

衬底基板可以作为电流传输和传感器的平台,提供足够的电气和热学性能,以保证芯片正常工作。

常见的衬底基板材料有有机玻璃(FR-4)、陶瓷、热可塑性高分子材料(如聚酰亚胺)等。

3. 链接技术:倒装芯片使用各种链接技术,如焊接、球焊接(Ball Bump)、微引线(Wire Bonding)等。

其中,焊接是最常用的链接技术之一,通过锡球或焊锡糊连接芯片和基板。

焊接技术可以提供可靠的电性连接,并提供良好的机械支撑性,以抵御热应力和机械应力。

4.热管理:倒装芯片在高功率应用中,容易产生较高的热量。

因此,热管理是倒装芯片封装过程中的关键问题之一、为了有效降低芯片的工作温度,可以采用散热片、热塑性薄膜(TPF)等热传导材料来提高整个芯片的散热性能。

5.焊接参数控制:倒装芯片封装过程中,焊接参数的控制非常关键。

焊接参数包括焊接温度、时间、压力等。

正确的焊接参数可以确保焊点的可靠性和一致性,避免焊点开裂和短路等问题。

倒装芯片封装技术具有许多优点,如高可靠性、良好的电性和机械性能、低电感和电阻、小尺寸等。

因此,在现代微电子封装中得到广泛应用。

倒装芯片封装可以应用于各种领域,包括计算机、通信、消费电子、汽车电子等。

总之,倒装芯片的原理主要涉及倒转芯片、衬底基板、链接技术、热管理和焊接参数控制等方面。

这种封装技术以其小型化、高可靠性和良好的性能,在现代微电子领域发挥着重要的作用。

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摘要:倒装芯片在产品成本,性能及满足高密度封装等方面体现出优势,它的应用也渐渐成为主流。

由于倒装芯片的尺寸小,要保证高精度高产量高重复性,这给我们传统的设备及工艺带来了挑战。

器件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM )、系统封装(SiP )、倒装芯片(FC ,Flip-Chip )等应用得越来越多。

这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。

毋庸置疑,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键,相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。

由于倒装芯片比BGA 或CSP 具有更小的外形尺寸、更小的球径和球间距、它对植球工艺、基板技术、材料的兼容性、制造工艺,以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。

倒装芯片的发展历史倒装芯片的定义什么器件被称为倒装芯片?一般来说,这类器件具备以下特点:1. 基材是硅;2. 电气面及焊凸在器件下表面;3. 球间距一般为4-14mil 、球径为2.5-8mil 、外形尺寸为1 -27mm ;4. 组装在基板上后需要做底部填充。

其实,倒装芯片之所以被称为“倒装”,是相对于传统的金属线键合连接方式(Wire Bonding)与植球后的工艺而言的。

传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝上(图1),而倒装芯片的电气面朝下(图2),相当于将前者翻转过来,故称其为“倒装芯片”。

在圆片(Wafer)上芯片植完球后(图3),需要将其翻转,送入贴片机,便于贴装,也由于这一翻转过程,而被称为“倒装芯片”。

图1图2图3倒装芯片的历史及其应用倒装芯片在1964年开始出现,1969年由IBM发明了倒装芯片的C4工艺(Controlled Collap se Chip Connection,可控坍塌芯片联接)。

过去只是比较少量的特殊应用,近几年倒装芯片已经成为高性能封装的互连方法,它的应用得到比较广泛快速的发展。

目前倒装芯片主要应用在Wi- Fi、SiP、M CM、图像传感器、微处理器、硬盘驱动器、医用传感器,以及RFID等方面(图5)。

图4图5与此同时,它已经成为小型I/O应用有效的互连解决方案。

随着微型化及人们已接受SiP,倒装芯片被视为各种针脚数量低的应用的首选方法。

从整体上看,其在低端应用和高端应用中的采用,根据TechSearch International Inc对市场容量的预计,焊球凸点倒装芯片的年复合增长率(CAGR)将达到31%。

倒装芯片应用的直接驱动力来自于其优良的电气性能,以及市场对终端产品尺寸和成本的要求。

在功率及电信号的分配,降低信号噪音方面表现出色,同时又能满足高密度封装或装配的要求。

可以预见,其应用会越来越广泛。

倒装芯片的组装工艺流程一般的混合组装工艺流程在半导体后端组装工厂中,现在有两种模块组装方法。

在两次回流焊工艺中,先在单独的SMT 生产线上组装SMT器件,该生产线由丝网印刷机、贴片机和第一个回流焊炉组成。

然后再通过第二条生产线处理部分组装的模块,该生产线由倒装芯片贴片机和回流焊炉组成。

底部填充工艺在专用底部填充生产线中完成,或与倒装芯片生产线结合完成。

图6倒装芯片的装配工艺流程介绍相对于其它的IC器件,如BGA、CSP等,倒装芯片装配工艺有其特殊性,该工艺引入了助焊剂工艺和底部填充工艺。

因为助焊剂残留物(对可靠性的影响)及桥连的危险,将倒装芯片贴装于锡膏上不是一种可采用的装配方法。

业内推出了无需清洁的助焊剂,芯片浸蘸助焊剂工艺成为广泛使用的助焊技术。

目前主要的替代方法是使用免洗助焊剂,将器件浸蘸在助焊剂薄膜里让器件焊球蘸取一定量的助焊剂,再将器件贴装在基板上,然后回流焊接;或者将助焊剂预先施加在基板上,再贴装器件与回流焊接。

助焊剂在回流之前起到固定器件的作用,回流过程中起到润湿焊接表面增强可焊性的作用。

倒装芯片焊接完成后,需要在器件底部和基板之间填充一种胶(一般为环氧树酯材料)。

底部填充分为于“毛细流动原理”的流动性和非流动性(No-follow)底部填充。

上述倒装芯片组装工艺是针对C4器件(器件焊凸材料为SnPb、SnAg、SnCu或SnAgCu)而言。

另外一种工艺是利用各向异性导电胶(ACF)来装配倒装芯片。

预先在基板上施加异性导电胶,贴片头用较高压力将器件贴装在基板上,同时对器件加热,使导电胶固化。

该工艺要求贴片机具有非常高的精度,同时贴片头具有大压力及加热功能。

对于非C4器件(其焊凸材料为Au或其它)的装配,趋向采用此工艺。

这里,我们主要讨论C4工艺,下表列出的是倒装芯片植球(Bumping)和在基板上连接的几种方式。

倒装倒装芯片几何尺寸可以用一个“小”字来形容:焊球直径小(小到0.05mm),焊球间距小(小到0.1mm),外形尺寸小(1mm2)。

要获得满意的装配良率,给贴装设备及其工艺带来了挑战,随着焊球直径的缩小,贴装精度要求越来越高,目前12μm甚至10μm的精度越来越常见。

贴片设备照像机图形处理能力也十分关键,小的球径小的球间距需要更高像素的像机来处理。

随着时间推移,高性能芯片的尺寸不断增大,焊凸(Solder Bump)数量不断提高,基板变得越来越薄,为了提高产品可靠性底部填充成为必须。

图7图8对贴装压力控制的要求考虑到倒装芯片基材是比较脆的硅,若在取料、助焊剂浸蘸过程中施以较大的压力容易将其压裂,同时细小的焊凸在此过程中也容易压变形,所以尽量使用比较低的贴装压力。

一般要求在150g左右。

对于超薄形芯片,如0.3mm,有时甚至要求贴装压力控制在35g。

对贴装精度及稳定性的要求对于球间距小到0.1mm的器件,需要怎样的贴装精度才能达到较高的良率?基板的翘曲变形,阻焊膜窗口的尺寸和位置偏差,以及机器的精度等,都会影响到最终的贴装精度。

关于基板设计和制造的情况对于贴装的影响,我们在此不作讨论,这里我们只是来讨论机器的贴装精度。

芯片装配工艺对贴装设备的要求为了回答上面的问题,我们来建立一个简单的假设模型:1.假设倒装芯片的焊凸为球形,基板上对应的焊盘为圆形,且具有相同的直径;2.假设无基板翘曲变形及制造缺陷方面的影响;3.不考虑Theta和冲击的影响;4.在回流焊接过程中,器件具有自对中性,焊球与润湿面50%的接触在焊接过程中可以被“拉正”。

那么,基于以上的假设,直径25μm的焊球如果其对应的圆形焊盘的直径为50μm时,左右位置偏差(X轴)或前后位置偏差(Y轴)在焊盘尺寸的50%,焊球都始终在焊盘上(图9)。

对于焊球直径为25μm的倒装芯片,工艺能力Cpk要达到1.33的话,要求机器的最小精度必须达到12μm@3sigma。

图9对照像机和影像处理技术的要求要处理细小焊球间距的倒装芯片的影像,需要百万像素的数码像机。

较高像素的数码像机有较高的放大倍率,但是,像素越高视像区域(FOV)越小,这意味着大的器件可能需要多次“拍照”。

照像机的光源一般为发光二极管,分为侧光源、前光源和轴向光源,并可以单独控制。

倒装芯片的的成像光源采用侧光、前光,或两者结合。

那么,对于给定器件如何选择像机呢?这主要依赖图像的算法。

譬如,区分一个焊球需要N个像素,则区分球间距需要2N个像素。

以环球仪器的贴片机上Magellan数码像机为例,其区分一个焊球需要4个像素,我们用来看不同的焊球间隙所要求的最大的像素应该是多大,这便于我们根据不同的器件来选择相机,假设所有的影像是实际物体尺寸的75%。

倒装芯片基准点(Fiducial)的影像处理与普通基准点相似。

倒装芯片的贴装往往除整板基准点外(Global fiducial)会使用局部基准点(Local fiducial),此时的基准点会较小(0.15-1.0mm),像机的选择参照上面的方法。

对于光源的选择需要斟酌,一般贴片头上的相机光源都是红光,在处理柔性电路板上的基准点时效果很差,甚至找不到基准点,其原因是基准点表面(铜)的颜色和基板颜色非常接近,色差不明显。

如果使用环球仪器的蓝色光源专利技术就很好的解决了此问题。

图10吸嘴的选择由于倒装芯片基材是硅,上表面非常平整光滑,最好选择头部是硬质塑料材料具多孔的ESD吸嘴。

如果选择头部为橡胶的吸嘴,随着橡胶的老化,在贴片过程中可能会粘连器件,造成贴片偏移或带走器件。

对助焊剂应用单元的要求助焊剂应用单元是控制助焊剂浸蘸工艺的重要部分,其工作的基本原理就是要获得设定厚度的稳定的助焊剂薄膜,以便于器件各焊球蘸取的助焊剂的量一致。

要精确稳定的控制助焊剂薄膜的厚度,同时满足高速浸蘸的要求,该助焊剂应用单元必须满足以下要求:1.可以满足多枚器件同时浸蘸助焊剂(如同时浸蘸4或7枚)提高产量;2.助焊剂用单元应该简单、易操作、易控制、易清洁;3.可以处理很广泛的助焊剂或锡膏,适合浸蘸工艺的助焊剂粘度范围较宽,对于较稀和较粘的助焊剂都要能处理,而且获得的膜厚要均匀;4.蘸取工艺可以精确控制,浸蘸的工艺参数因材料的不同而会有差异,所以浸蘸过程工艺参数必须可以单独控制,如往下的加速度、压力、停留时间、向上的加速度等。

图11对供料器的要求要满足批量高速高良率的生产,供料技术也相当关键。

倒装芯片的包装方式主要有这么几种:2×2或4×4英JEDEC盘、200mm或300mm圆片盘(Wafer)、还有卷带料盘(Reel)。

对应的供料器有:固定式料盘供料器(Stationary tray feeder),自动堆叠式送料器(Automated stackable feeder),圆片供料器(Wafer feeder),以及带式供料器。

所有这些供料技术必须具有精确高速供料的能力,对于圆片供料器还要求其能处理多种器件包装方式,譬如:器件包装可以是JEDEC盘、或裸片,甚至完成芯片在机器内完成翻转动作。

我们来举例说明几种供料器. Unovis的裸晶供料器(DDF Direct Die Feeder)特点:·可用于混合电路或感应器、多芯片模组、系统封装、RFID和3D装配·圆片盘可以竖着进料、节省空间,一台机器可以安装多台DDF·芯片可以在DDF内完成翻转·可以安装在多种贴片平台上,如:环球仪器、西门子、安必昂、富士对板支撑及定位系统的要求有些倒装芯片是应用在柔性电路板或薄型电路板上,这时候对基板的平整支撑非常关键。

解决方案往往会用到载板和真空吸附系统,以形成一个平整的支撑及精确的定位系统,满足以下要求:1.基板Z方向的精确支撑控制,支撑高度编程调节;2.提供客户化的板支撑界面;3.完整的真空发生器;4.可应用非标准及标准载板。

回流焊接及填料固化后的检查对完成底部填充以后产品的检查有非破坏性检查和破坏性检查,非破坏性的检查有:·利用光学显微镜进行外观检查,譬如检查填料在器件侧面爬升的情况,是否形成良好的边缘圆角,器件表面是否有脏污等·利用X射线检查仪检查焊点是否短路,开路,偏移,润湿情况,焊点内空洞等·电气测试(导通测试),可以测试电气联结是否有问题。

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