hspice_Chinese Hspice avant中文手册系列(二)

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第二讲HSPICE

第二讲HSPICE
8
信号与系统
数值及比例因子
数字表示:
数字可以用整数,如12,-5; 浮点数,如2.3845,5.98601; 整数或浮点数后面跟整数指数,如6E-14,3.743E+3; 在整数或浮点数后面跟比例因子,如10.18k
比例因子:为了使用方便,它们用特殊符号表示 不同的数量级:
T=1E+12,G=1E+9,MEG=1E+6,K=1E+3,M=1E-3, U=1E-6,N=1E-9,P=1E-12,F=1E-15,DB=20lg10 , MIL=25.4E-6(千分之一英寸)
+
CT势垒电容 CD扩散电容 gD增量电导 g1漏电导
-
rs寄生电阻
二极管交流小信 号等效电路
26
信号与系统
晶体二极管(2)
nplus nminus mname <area=value, area>
一般形式:
DXXX
+<PJ=value> <WP=value> <LP=value> <WM=value> +<LM=value> <OFF> <IC=vd> <M=value> <DTEMP=value> 注释: DXXX:二极管元件名,必须以D开头,后面最多跟15个字符。 nplus/nminus: 二极管的正端(阳极)和负端(阴极) mname: 二极管模型名
14
信号与系统

3 1

ห้องสมุดไป่ตู้
基本语法 标题、结束及注释语句
2
3
电路描述语句
命令语句

hspice 实战手册

hspice 实战手册

Hspice实战手册Perface最初写作本文的目的是希望提供一份中文版的Hspice手册从而方便初学者的使用,本文的缘起是几位曾经一起工作过的同事分别进入不同的新公司,而公司主要是使用Hspice,对于已经熟悉了Cadence的GUI界面的使用者转而面对Hspice的文本格式,其难度是不言而喻的,而Hspice冗长的manual(长达2000页以上)更让人在短时间内理不出头绪。

鉴于我曾经使用过相当一段时间的Hspice,于是我向他们提供了一份简单而明了的handbook来帮助他们学习,本来是准备借助一个具体运放的设计例子,逐步完善成为一份case by case的教程,但由于工作比较浩大,加之时间的关系,一直难以完成,愈拖愈久,在几个朋友的劝说下,与其等其日臻完善后再发布,不如先行发布在逐步完善,以便可以让更多的朋友及早使用收益。

本文虽通过网络发表,但作者保留全部的著作权,转载时务请通知本人。

由于水平的有限,讨论范围的局限及错误不可避免,恳请读者指正。

联系方式为e-mail: nkchenliy@。

一、HSPICE基础知识Avant! Start-Hspice(现在属于Synopsys公司)是IC设计中最常使用的电路仿真工具,是目前业界使用最为广泛的IC设计工具,甚至可以说是事实上的标准。

目前,一般书籍都采用Level 2的MOS Mo del进行计算和估算,与Foundry经常提供的Level 49和Mos 9、EKV等Library不同,而以上Mod el要比Level 2的Model复杂的多,因此Designer除利用Level 2的Model进行电路的估算以外,还一定要使用电路仿真软件Hspice、Spectre等进行仿真,以便得到精确的结果。

本文将从最基本的设计和使用开始,逐步带领读者熟悉Hspice的使用,并对仿真结果加以讨论,并以一个运算放大器为例,以便建立IC设计的基本概念。

在文章的最后还将对Hspice的收敛性做深入细致的讨论。

hspice_Chinese Hspice avant中文手册(一)

hspice_Chinese Hspice  avant中文手册(一)
用电源和激励”中有说明。 2.输入如下字符去运行 Star-Hspice。 hspice quickTRAN.sp > quickTRAN.lis 3.使用编辑器去看.lis文件和st0文件以检查仿真的结果和状态。 4.运行AvantWaves并且打开.sp文件。从结果浏览器窗口中选择quickTRAN.tr0文件以 观察波形。在x轴显示节点1和2的电压。 波形如图2-3所示:ob.
图 2-3:RC 网络节点 1 和节点 2 电压 反相器的瞬态分析 作为最后一个例子,如图 2-4 所示分析简单的 MOS 反相器的行为:
图 2-4:MOS 反相器电路 1. 输入如下网表数据到一个名叫 quickINV.sp 的文件中。 Inverter Circuit .OPTIONS LIST NODE POST .TRAN 200P 20N .PRINT TRAN V(IN) V(OUT) M1 OUT IN VCC VCC PCH L=1U W=20U M2 OUT IN 0 0 NCH L=1U W=20U VCC VCC 0 5 VIN IN 0 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20N CLOAD OUT 0 .75P .MODEL PCH PMOS LEVEL=1 .MODEL NCH NMOS LEVEL=1 .END 2.输入如下命令运行 StarHspice。 hspice quickINV.sp > quickINV.lis 使用 AvanWaves 去检查反相器 IN 和 OUT 节点的电压波形。波形如图 2-5 所示:
quickAC.st0. 3.使用一个编辑器去看.lst 和.st0 文件以检查仿真的结果和状态。 4.运行 AvantWaves 并且打开.sp 文件。从结果浏览器窗口中选择 quickAC.ac0 文件以观察

HSPICE的基本使用方法

HSPICE的基本使用方法

双参数扫描格式2
• .DC 参数1 起始1 结束1 步长1
+ SWEEP 参数2 起始2 结束2 步长2
例: .DC VG 0 5 0.1 SWEEP WX 1.5U 3U 0.5U
参数2是使用 .PARA 语句自定义的参数
双参数直流扫描格式3
• 格式
.DC 参数1 起始1 结束1 步长1 + SWEEP 参数2 POI 点数 值1 值2 值3
基本格式: .DC 变量 起始值 结束值 步长 例1: MOS管的转移特性
MOS管的描述方法
• 格式
MX ND NG NS NB 模型名 W=W1 L=L1 例如: M1 1 2 0 0 AMI06N W=1.5U L=0.6U
例1的.SP文件
• ************************式4
• .DC 参数1 起始1 结束1 步长1
+ SWEEP TEMP 起始2 结束2 步长2 .DC 参数1 起始1 结束1 步长1 + SWEEP TEMP POI 点数 值1 值2 值3
常用分析语句
• .TRAN • .DC • .AC • .OP
瞬态分析 直流扫描分析 频率特性分析 工作点分析
借助PSPICE生成电路网表
• 在PSPICE环境下绘制原理图 • 添加节点名称 • 生成网表 • 在UltrEdit下修改编辑网表
例1:一个MOS管电路
HSPICE的直流扫描分析
• 语句.DC • 单参数扫描
.INC /路径/AMI06N.M M1 ND NG GND GND AMI06N W=1.5U + L=0.6U VG NG GND 0 VD ND GND 5 .DC VG 0 5 0.1 .END

HSPICE介绍

HSPICE介绍

HSPICE介绍HSPICE介绍1、为什么要使⽤Hspice进⾏电路仿真Avant! Star_Hspice(Synopsys公司)是IC设计中最长⽤的仿真⼯具,是⽬前业界使⽤最为⼴泛的IC设计⼯具,甚⾄可以说是事实上的标准。

⽬前,⼀般的书籍中都采⽤⽐较简单的MODEL对MOS 电路进⾏计算和估算。

⽽⼯艺⼚商提供的MODEL往往要⾼级的多、复杂的多。

因此设计者除了利⽤书本上的公式对电路进⾏估算外,还需要使⽤更⾼级的MODEL对电路进⾏精确的仿真,这就有赖于仿真⼯具的使⽤,如Hspice,Spectre。

2、Hspice仿真的流程3、Hspice所使⽤的单位(不区分⼤⼩写)4、输⼊⽂件格式(.net /.sp)5、电路元器件在Hspice⽂件中的表⽰⽅法在器件名字前⾯加上前缀字符,即可被Hspice程序识别,如:MOS器件前缀为:M BJT器件前缀为:QDiode器件前缀为:D⼦电路的前缀为:X电阻、电容、电感的前缀分别为R、C、L下⾯表⽰⼀个器件名为M1的MOS管MM1 ND NG NS NB MNAME L=VAL W=VAL M=VAL下⾯表⽰⼀个器件名为C1的电容CC1 net1 net2 1pf定义字电路的语句如下:.SUBCKT SUBNAM(⼦电路的名字) 1 2 3 4(字电路外部节点)例⼦:.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4(描述电路结构).ENDS OPAMP调⽤⼦电路时,使⽤X前缀加实例名,将SUBCKT实例化,如:.XOPAMP1 1 2 3 4 OPAMP6、信号源描述(激励描述):电压源-V,电流源-IVxxx/Ixxx n+ n- < dcval> >+直流:V1 1 0 DC=5V 或V1 1 0 5VI1 1 0 DC=5mA 或I1 1 0 5mA交流模式:V1 1 0 AC=10V,90 幅度为10v,相位为90度交直流模式:V1 1 0 0.5v AC=10V,90 直流分量是0.5vVxxx/ Iyyy n+ n-+tranfun:EXP, PULSE, PWL…。

Hspice中文简明手册

Hspice中文简明手册

第一章概 论§1.1 HSPICE简介随着微电子技术的迅速发展以及集成电路规模不断提高,对电路性能的设计要求越来越严格,这势必对用于大规模集成电路设计的EDA工具提出越来越高的要求。

自1972年美国加利福尼亚大学柏克莱分校电机工程和计算机科学系开发的用于集成电路性能分析的电路模拟程序SPICE (Simulation Program with ICEmphasis)诞生以来,为适应现代微电子工业的发展,各种用于集成电路设计的电路模拟分析工具不断涌现。

HSPICE是MetaSoftware公司为集成电路设计中的稳态分析,瞬态分析和频域分析等电路性能的模拟分析而开发的一个商业化通用电路模拟程序,它在柏克莱的SPICE(1972年推出),MicroSim公司的PSPICE(1984年推出)以及其它电路分析软件的基础上,又加入了一些新的功能,经过不断的改进,目前已被许多公司、大学和研究开发机构广泛应用。

HSPICE可与许多主要的EDA设计工具,诸如Candence,Workview等兼容,能提供许多重要的针对集成电路性能的电路仿真和设计结果。

采用HSPICE软件可以在直流到高于100MHz的微波频率范围内对电路作精确的仿真、分析和优化。

在实际应用中,HSPICE能提供关键性的电路模拟和设计方案,并且应用HSPICE进行电路模拟时,其电路规模仅取决于用户计算机的实际存储器容量。

§1.2 HSPICE的特点与结构HSPICE除了具备绝大多数SPICE特性外,还具有许多新的特点,主要有:优越的收敛性精确的模型参数,包括许多Foundry模型参数层次式节点命名和参考基于模型和库单元的电路优化,逐项或同时进行AC,DC和瞬态分析中的优化具备蒙特卡罗(Monte Carlo)和最坏情况(worst-case)分析对于参数化单元的输入、出和行为代数化具备较高级逻辑模拟标准库的单元特性描述工具对于PCB、多芯片系统、封装以及IC技术中连线间的几何损耗加以模拟在HSPICE中电路的分析类型及其内部建模情况如图1.2.1和图1.2.2所示:图1.2.1HSPICE的电路分析类型图1.2.2 HSPICE的内部建模技术集成电路设计中的分析和验证是一种典型的围绕一系列结构的试验和数据管理。

Hspice中文简要手册

Hspice中文简要手册

Hspice中⽂简要⼿册Hspice语法⼿册天津⼤学电信学院陈⼒颖Preface最初写作本⽂的⽬的是希望提供⼀份中⽂版的Hspice⼿册从⽽⽅便初学者的使⽤,本⽂的缘起是⼏位曾经⼀起⼯作过的同事分别进⼊不同的新公司,⽽公司主要是使⽤Hspice,对于已经熟悉了Cadence的GUI界⾯的使⽤者转⽽⾯对Hspice的⽂本格式,其难度是不⾔⽽喻的,⽽Hspice冗长的manual(长达2000页以上)更让⼈在短时间内理不出头绪。

鉴于我曾经使⽤过相当⼀段时间的Hspice,于是我向他们提供了⼀份简单⽽明了的handbook来帮助他们学习,本来是准备借助⼀个具体运放的设计例⼦,逐步完善成为⼀份case by case的教程,但由于⼯作⽐较浩⼤,加之时间的关系,⼀直难以完成,愈拖愈久,在⼏个朋友的劝说下,与其等其⽇臻完善后再发布,不如先⾏发布在逐步完善,以便可以让更多的朋友及早使⽤收益。

本⽂虽通过⽹络发表,但作者保留全部的著作权,转载时务请通知本⼈。

由于⽔平的有限,讨论范围的局限及错误不可避免,恳请读者指正。

联系⽅式为e-mail: nkchenliy@/doc/8c25e913f18583d049645911.html 。

⽬录⼀、HSPICE基础知识 (2)⼆、有源器件和分析类型 (3)三、输出格式和⼦电路 (4)四、控制语句和OPTION语句 (6)五、仿真控制和收敛 (7)六、输⼊语句 (8)七、统计分析仿真 (9)天津⼤学电信学院陈⼒颖2006年2⽉⼀、HSPICE基础知识Avant! Start-Hspice(现在属于Synopsys公司)是IC设计中最常使⽤的电路仿真⼯具,是⽬前业界使⽤最为⼴泛的IC设计⼯具,甚⾄可以说是事实上的标准。

⽬前,⼀般书籍都采⽤Level 2的MOS Model进⾏计算和估算,与Foundry经常提供的Level 49和Mos 9、EKV等Library不同,⽽以上Model要⽐Level 2的Model复杂的多,因此Designer除利⽤Level 2的Model进⾏电路的估算以外,还⼀定要使⽤电路仿真软件Hspice、Spectre等进⾏仿真,以便得到精确的结果。

HSpice简明手册

HSpice简明手册

Hspice简明手册Hspice是一个模拟电路仿真软件,在给定电路结构和元器件参数的条件下,它可以模拟和计算电路的各种性能。

用Hspice分析一个电路,首先要做到以下三点:(1)给定电路的结构(也就是电路连接关系)和元器件参数(指定元器件的参数库);(2)确定分析电路特性所需的分析内容和分析类型(也就是加入激励源和设置分析类型);(3)定义电路的输出信息和变量。

Hspice规定了一系列输入,输出语句,用这些语句对电路仿真的标题,电路连接方式,组成电路元器件的名称,参数,模型,以及分析类型,以及输出变量等进行描述。

一Hspice 输入文件的语句和格式Hspice输入文件包括电路标题语句,电路描述语句,分析类型描述语句,输出描述语句,注释语句,结束语句等六部分构成,以下逐一介绍:1电路的标题语句电路的标题语句是输入文件的第一行,也成为标题行,必须设置。

它是由任意字母和字符串组成的说明语句,它在Hspice的title框中显示。

2电路描述语句电路描述语句由定义电路拓扑结构和元器件参数的元器件描述语句,模型描述语句和电源语句等组成,其位置可以在标题语句和结束语句之间的任何地方。

(1)电路元器件Hspice要求电路元器件名称必须以规定的字母开头,其后可以是任意数字或字母。

除了名称之外,还应指定该元器件所接节点编号和元件值。

电阻,电容,电感等无源元件描述方式如下:R1 1 2 10k (表示节点1与2间有电阻R1,阻值为10k欧)C1 1 2 1pf (表示节点1与2间有电容C1,电容值为1pf)L1 1 2 1mh (表示节点1与2间有电感L1,电感值为1mh)半导体器件包括二极管,双极性晶体管,结形场效应晶体管,MOS场效应晶体管等,这些半导体器件的特性方程通常是非线性的,故也成为非线性有源元件。

在电路CAD工具进行电路仿真时,需要用等效的数学模型来描述这些器件。

(a)二极管描述语句如下:DXXXX N+ N- MNAME <AREA> <OFF> <IC=VD>D为元件名称,N+和N-分别为二极管的正负节点,MNAME是模型名,后面为可选项:AREA是面积因子,OFF时直流分析所加的初始条件,IC=VD时瞬态分析的初始条件。

Hspice handbook

Hspice handbook

第一章概 论§1.1 HSPICE简介随着微电子技术的迅速发展以及集成电路规模不断提高,对电路性能的设计要求越来越严格,这势必对用于大规模集成电路设计的EDA工具提出越来越高的要求。

自1972年美国加利福尼亚大学柏克莱分校电机工程和计算机科学系开发的用于集成电路性能分析的电路模拟程序SPICE (Simulation Program with ICEmphasis)诞生以来,为适应现代微电子工业的发展,各种用于集成电路设计的电路模拟分析工具不断涌现。

HSPICE是MetaSoftware公司为集成电路设计中的稳态分析,瞬态分析和频域分析等电路性能的模拟分析而开发的一个商业化通用电路模拟程序,它在柏克莱的SPICE(1972年推出),MicroSim公司的PSPICE(1984年推出)以及其它电路分析软件的基础上,又加入了一些新的功能,经过不断的改进,目前已被许多公司、大学和研究开发机构广泛应用。

HSPICE可与许多主要的EDA设计工具,诸如Candence,Workview等兼容,能提供许多重要的针对集成电路性能的电路仿真和设计结果。

采用HSPICE软件可以在直流到高于100MHz的微波频率范围内对电路作精确的仿真、分析和优化。

在实际应用中,HSPICE能提供关键性的电路模拟和设计方案,并且应用HSPICE进行电路模拟时,其电路规模仅取决于用户计算机的实际存储器容量。

§1.2 HSPICE的特点与结构HSPICE除了具备绝大多数SPICE特性外,还具有许多新的特点,主要有:优越的收敛性精确的模型参数,包括许多Foundry模型参数层次式节点命名和参考基于模型和库单元的电路优化,逐项或同时进行AC,DC和瞬态分析中的优化具备蒙特卡罗(Monte Carlo)和最坏情况(worst-case)分析对于参数化单元的输入、出和行为代数化具备较高级逻辑模拟标准库的单元特性描述工具对于PCB、多芯片系统、封装以及IC技术中连线间的几何损耗加以模拟在HSPICE中电路的分析类型及其内部建模情况如图1.2.1和图1.2.2所示:图1.2.1HSPICE的电路分析类型图1.2.2 HSPICE的内部建模技术集成电路设计中的分析和验证是一种典型的围绕一系列结构的试验和数据管理。

Hspice使用指南

Hspice使用指南

2. 独立电压源和独立电流源
Vxxxxxxx
+
n
-
n
<<DC>直流值>
<AC<交流振幅<交流相位>>>
<瞬态值>
+-
Ixxxxxxx n n <<DC>直流值> <AC<交流振幅<交流相位>>> <瞬态值>
+
-
V和I分别是独立电压源和独立电流源的关键字,n 和n 是电源的正负节点。第一个选项为电
源的直流值(字母DC可以省略),第二个选项为交流数据,第三个选项为瞬态数据。这三 组数据可以在一次仿真中同时给出。若作直流分析,取直流常数值;若作交流分析,独立源 被视为是由振幅和相位所描述的正选小信号(频率即为交流分析频率);作瞬态分析时,则 用随时间变化的瞬时数据(也可为常数);支流和瞬态分析可用同一值描写,如果随时间变 化,则取t=0的值作直流分析。 瞬态数据随时间变化可以有如下五种形式:
可以看到,这是一个运放的输入直流扫描结果 再选择 AC(交流)仿真,我选择 vout 用 db 来显示.则
出现这样一个幅频曲线图,纵坐标是 db(分贝),横坐标是 Hz(赫兹), {这里 20x 代表 20M, 其余单位均与实际中相同,如 10 千就是 10k},
懂模拟电路的人可以发现,运放的幅频特性曲线不应该是这样的.的确,运放的幅频特性 曲线应该是缓降的.这是因为总坐标虽然以对数坐标来显示,但横坐标还是线性坐标.这时可 以用鼠标右击横坐标,会出现一个 set logarithmic scale 选项,这就是把坐标设置成对数坐标.
c) 结型场效应管

hspice简明使用手册

hspice简明使用手册

HSPICE简明使用手册水平有限,如有错误请予以改正。

还有很多的功能不太了解,希望大家都来补充完善。

谢谢!大家也可以把一些自己在调试过程中的bug 汇总到一起,给大家作参考。

方便以后少犯这种错误,最好加上为什么错了,如何改正。

我会建立一个名字为our_bugs_go_away的文件夹来放大家调试过程中的bug。

如果你认真看了正文中的红字部分,应该就可以使用hspice的基本功能来实现电路模拟。

附录中会有基本的语法,供大家查阅,不一定很全。

1. 常用文件类型.sp 网表文件输入文件该文件是hspice唯一的输入文件,用网表形式描述电路。

下面会专门讲解该文件的几个基本构成。

.mt0 中存放测试数据输出文件.lis 中存放仿真的过程以及仿真时的错误输出文件2. hspui按钮的作用Open 打开.sp文件Simulate 仿真开始Edit LL 观察.lis文件,debugEdit NL 修改.sp 文件Avanwaves 观察模拟波形Explore 找到模拟中所用文件的文件夹3.AvanWaves 使用用来观察模拟得到的波形3.1 results brower 对话框用来选择要看的是那种分析(tran,dc,ac)的那种波形,双击你要看的波形就可以了。

3.2主面板3.2.1窗口panel# 用来看波形wave list 观察波形的列表3.2.2按钮panels 观察窗口个数控制window 观察窗口显示控制measure 测量控制,有对某点的测量和点到点的测量configuration 不明tools 不明3.3快捷按钮3.3.1 results brower 的开关按钮3.3.2变量运算函数编辑器3.3.3打印3.3.4测量某点坐标3.3.5两点间坐标检测3.3.6窗口显示控制4..sp 文件介绍对于一个用hspice模拟的电路,一般可以分为两个部分来描述:1 电路单元的.sp文件。

名字多为:unit.sp 比如:nand2g.sp它一种子电路的形式,就像我们电路中的一些小单元或者Verilog中的module,用来调用,。

HSPICE介绍

HSPICE介绍

HSPICE介绍1、为什么要使用Hspice进行电路仿真Avant! Star_Hspice(Synopsys公司)是IC设计中最长用的仿真工具,是目前业界使用最为广泛的IC设计工具,甚至可以说是事实上的标准。

目前,一般的书籍中都采用比较简单的MODEL对MOS 电路进行计算和估算。

而工艺厂商提供的MODEL往往要高级的多、复杂的多。

因此设计者除了利用书本上的公式对电路进行估算外,还需要使用更高级的MODEL对电路进行精确的仿真,这就有赖于仿真工具的使用,如Hspice,Spectre。

2、Hspice仿真的流程3、Hspice所使用的单位(不区分大小写)4、输入文件格式(.net /.sp)5、电路元器件在Hspice文件中的表示方法在器件名字前面加上前缀字符,即可被Hspice程序识别,如:MOS器件前缀为:MBJT器件前缀为:QDiode器件前缀为:D子电路的前缀为:X电阻、电容、电感的前缀分别为R、C、L下面表示一个器件名为M1的MOS管MM1 ND NG NS NB MNAME L=VAL W=VAL M=VAL下面表示一个器件名为C1的电容CC1 net1 net2 1pf定义字电路的语句如下:.SUBCKT SUBNAM(子电路的名字) 1 2 3 4(字电路外部节点)例子:.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4(描述电路结构).ENDS OPAMP调用子电路时,使用X前缀加实例名,将SUBCKT实例化,如:.XOPAMP1 1 2 3 4 OPAMP6、信号源描述(激励描述):电压源-V,电流源-IVxxx/Ixxx n+ n- <<DC=> dcval> <AC=acmag, <acphase>>+ <M=val>直流:V1 1 0 DC=5V 或V1 1 0 5VI1 1 0 DC=5mA 或I1 1 0 5mA交流模式:V1 1 0 AC=10V,90 幅度为10v,相位为90度交直流模式:V1 1 0 0.5v AC=10V,90 直流分量是0.5vVxxx/ Iyyy n+ n- <tranfun>+ <M=val>tranfun:EXP, PULSE, PWL…。

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1。
PROBE
限制后分析输出到变量――这些变量被指定
在.PROBE, .PRINT, .PLOT, 和 .GRAPH语句中。缺省情况下Star-
Hspice输出所有的电压和功率电流到另外的变量,这些变量列
在.PROBE/.PRINT/.PLOT/.GRAPH中。使用PROBE大大地减少了仿真
输出文件的大小。
选项关键字总结
表2-4:列出的是.OPTION语句的关键字,按他们典型的使用分组。 一般的控制选项的说明如下表。对所列的每种分析类型的选项的说明,参看那一章,分析 类型。
在本章结尾“控制选项缺省值比较”中,提供一个列表的选项的缺省值。
一般控制.OPTION关键字的说明
一般控制选项的说明如下。说明按照关键字的字母顺序排列。参看瞬态分析,DC分析,
量。
2 开启SPICE-type绘图,在其中一个不同的刻度和坐标轴在每次绘制
变量的时候被创建。
此选项在图像数据POST处理时无效。
POST=x
开启仿真结果存储,为使用AvanWaves图形接口和其他方法分析。
POST=2以ASCII格式保存结果。POST=1以二进制保存结果。设置
POST选项并使用.PROBE语句以规定那个数据你想要保存。缺省值=
(CPTIME=x)产生终止。缺省值=2(秒)。此缺省值正常情况下足够
短的打印输出和绘图。
LIST,VERIFY 产生一个将要被打印的输出数据的元件摘要列表。计算元件的有效的字节
和关键的值。LIST被BRIEF所禁止。VERIFY是LIST的一个别名。
MEASDGT=x 在列表文件和.MEASURE输出文件(.ma0,.ma0,.ms0,等等)中,用
一般,当没有赋予一个值时选项的缺省值为0(关),要么使 用.OPTIONS<opt>=<val>或简单地语句选项不赋值:.OPTIONS<opt>。Option缺省值在此 节选项说明中被语句。
语法
.OPTIONS opt1 <opt2 opt3 ...> opt1… 任何输入控制选项。许多选项在表中<opt>=x,此处<opt>是选项名,“x”是
digits)。x的典型值在1至7之间。尽管它可以设置到高至10。缺省值是
4.0。此选项不影响仿真的准确。
NXX
与BRIEF相同。参看BRIEF.
OPTLST=x 输出附加的最佳化信息:
0
无信息(缺省)
1
打印参数,Broyden更新,和对分(bisection)结果信息。
2
打印梯度(gradient),错误,Hessian,和反复信息。
EPSMIN=x 规定一个计算机上能加减的最小数,一个常数值。缺省值=1e-28。
EXPMAX=x 规定在一个对数溢出之前你所能使用的最大指数。IBM平台的最大值是
H9007
350。 设置一般的控制选项的缺省值到相应的Star-Hspice版本H9007D的值。当此
参数被使用的时候EXPLI模型参数不被使用。
是:
LOCAL 在子电路分析期间,一个在子电路中规定的参数名胜过相同的在高
层 次级规定的参数名。
GLOBAL 一个在子高层次级规定的参数名胜过相同的在低层次级规定的参数
名。
PATHNUM
打印子电路的路径数而不是路径名。
PLAM=x
规定绘图的大小限制以让打印机绘出当前的电压和电流。
1 寻找一个普通的绘图限制并在同一刻度上一副图上绘出所有的变
between 0.1 and 999
在列表(.lis),文件,所有的.MEASURE输出值都用科学计数法表示。因
此.OPTIONS MEASDGT=5导致了五位十进制数字。
使用MEASDGT联合.OPTIONS INGOLD=x以控制输出数据格式。
MEASOUT 输出.MEASURE语句值和扫描参数到一个二进制文件,为了AvanWave或其
AC分析以及模型几章,在表2-4中有在列于这些标题下的选项的说明
ACCT
在输出列表的最后报告工作的计量和运行时间的统计。仿真的效率取
决于输出点对整个重复次数的比率。报告自动完成,如果你不禁止它。
ACCT的选择是:
0 禁止报告
1 开启报告(缺省)
2 开启MATRIX报告的统计
ARTIST=x
ARTIST=2开启Cadence Analog Artist 接口。此选项需要允许授权。
候。也可以参看LIMTIM。缺省值=1e7(400天)。
CSDF
选择普通仿真数据格式(Common Simulation Data Format)(可视逻辑
(Viewlogiccompatible)兼容图形数据文件格式)
DIAGNOSTIC 记录negative model conductances的发生。
INGOLD=x 规定打印输出的数据格式。使用INGOLD=2以兼容SPICE。缺省值=0。
来自Star-Hspice的数字的输出以一下三个办法之一打印出来。
INGOLD=0 工程格式,指数用一个单个的字母表示:
1G=1e9 1X=1e6 1K=1e3 1M=1e-3
1U=1e-61N=1e-9 1P=1e-12 1F=1e-15
NODE
产生一个跨越将要打印的参考表的节点。.NODE被BRIEF所禁止。此表列出
了每个节点并且所有的元件都连接到它。每个元件的端点被一个代码所表
示,与元件名用冒号(:)表示不同。代码如下: + Diode anode
- Diode cathode
B BJT base
B MOSFET or JFET bulk
(carrage)打印输出)。你也可以靠使用.WIDTH语句设置输出的宽度。
CPTIME=x
缺省值=80。 设置最大的CPU时间,以秒计算,分配给此工作。当为此工作预留的时间
超过CPTIME,到此点的结果被打印出或绘出并且工作结束。当不确定仿
真需要用到多少时间的时候用到此选项,尤其在调试新的数据文件的时
INGOLD=1 组合固定和指数格式(G格式)。数字的固定格式在0.1-999
之间。指数数字的格式可以大到999小到0.1。
INGOLD=2 独有的指数格式(SPICE2G样式)。
指数格式产生一个常数值,大小适合post-analysis tools。使用.OPTIONS
MESSDGT并联合INGOLD去控制.MEASURE结果的输出数据格式。
作.MEASURE语句输出的格式。
x的值典型的应该在1-7之间,尽管它可以被设置高到10。它的缺省值=
4.0。
例如,如果MEASDGT=5,被.MEASURE所显示的数字显示如下:
five decimal digits for numbers in scientific notation
five digits to the right of the decimal for numbers
变。
Diode模型:
TLEV=1影响PB的温度补偿。
MOSFET模型 TELV=1影响PB,PHB,VTO,和PHI 。
SCALM,SCALE 为长度尺寸设置模型刻度因子到微米
WL
颠倒MOSFET元件隐含的长和宽的顺序。
BADCHR
当在输入文件中发现一个非打印的字符产生一个警告。
BRIEF NXX 停止数据文件的printback,直到一个.OPTIONS BRIEF=0或碰到了一
赋给选.OPTIONS <opt>=0)重设选项。你也可以靠输入一个新 的.OPTION语句为它重新定一个选项。最后的定义将会被使用到。例如,设置BRIEF选项 至1以抑制打印输出,重设BRIEF到0可以在以后的输入文件中重新打印输出。 .OPTIONS BRIEF $ Sets BRIEF to 1 (turns it on) * Netlist, models, .OPTIONS BRIEF=0 $ Turns BRIEF off
3
打印所有以上的信息和Jacobian(雅可比行列式)信息
OPTS
打印当前所有控制选项的设置。如果任何选项的缺省值被改变,OPTS选项
准确地打印此值用以仿真。它被BRIEF所禁止。
PARHIER 选择参数经过的规则(passing rules),这些规则控制着子电路参数的验算顺
序。他们仅仅应用到有相同的名字不同级别的电路层次的参数。这些选项
他的分析工具以后分析处理。输出文件被命名为<design>.mt#,此处,#每次
对.TEMP和.ALTER块递增1。例如,对于一个输出负载的一个参数扫描,测
量时延,.mt#文件包含延迟对fanout绘图的数据。缺省值=1,你可以在
hspice.ini中设置此选项到0(off)。
MENTOR=x MENTOR=2开启MENTOR MSPICE兼容ASII接口。需要允许授权。
PSF=x
规定当Star-Hspice运行来自Cadence Analog Artist 的文件的时候Star-
Hspice时候输出二进制或者ASCII。X的值可以是1或二。如果x是2,
Star-Hspice产生ASCII输出。如果.OPTION ARTIST PSF=1,Star-
C BJT collector
D MOSFET or JFET drain
E BJT emitter
G MOSFET or JFET gate
S BJT substrate
S MOSFET or JFET source 例如,一部分跨越参考可能看起来如:
1 M1:B D2:+ Q4:B
此行表示M1的栅极,D2的anode以及Q4的基极都连接到节点1。
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