晶闸管(SCR)原理

晶闸管(thyristor)是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅（SCR），其正式名称应是反向阻断三端晶闸管。

除此之外，在普通晶闸管的基础上还派生出许多新型器件，它们是工作频率较高的快速晶闸管(fast switching thyristor，FST)、反向导通的逆导晶闸管(reverse conducting thyristor，RCT)、两个方向都具有开关特性的双向晶闸管(TRIAC)、门极可以自行关断的门极可关断晶闸管（gate turn off thyristor，GTO）、门极辅助关断晶闸管(gate assisted turn off thytistor，GATO)及用光信号触发导通的光控晶闸管(light controlled thyristor，LTT)等。

一、结构与工作原理晶闸管是三端四层半导体开关器件，共有3个PN结，J1、J2、J3，如图1(a)所示。

其电路符号为图1(b)，A(anode)为阳极，K(cathode)为阴极，G(gate)为门极或控制极。

若把晶闸管看成由两个三极管T1(P1N1P2)和T2(N1P2N2)构成，如图1(c)所示，则其等值电路可表示成图1(d)中虚线框内的两个三极管T1和T2。

对三极管T1来说，P1N1为发射结J1，N1P2为集电结J2；对于三极管T2，P2N2为发射结J3，N1P2仍为集电结J2；因此J2（N1P2）为公共的集电结。

当A、K两端加正电压时，J1、J3结为正偏置，中间结J2为反偏置。

当A、K两端加反电压时，J1、J3结为反偏置，中间结J2为正偏置。

晶闸管未导通时，加正压时的外加电压由反偏值的J2结承担，而加反压时的外加电压则由J1、J3结承担。

如果晶闸管接入图1(d)所示外电路，外电源U S正端经负载电阻R引至晶闸管阳极A，电源U S的负端接晶闸管阴极K，一个正值触发控制电压U G经电阻R G后接至晶闸管的门极G，如果T1（P1N1P2）的共基极电流放大系数为α1，T2（N1P2N2）的共基极电流放大系数为α2，那么对T1而言，T1的发射极电流I A的一部分α1I A将穿过集电结J2，此外，J2受反偏电压作用，要流过共基极漏电流i CBO1，因此图1(d)中的I C1可表示为I C1=α1I A+i CBO1。

（1）同理对T2而言，T2的发射极电流I C的一部分α2I C将穿过集电结J2，此外，J2受反偏置电压作用，要流过共基极漏电流i CBO2，因此，图1(d)中的I可表示为C2I C2=α2I C+i CBO2。

（2）由图1(d)中可以看出I A=I C1+I C2=α1I A+α2I C+ i CBO1+ i CBO2=α1I A+α2I C+I O，（3）式中，I O= i CBO1+ i CBO2为J2结的反向饱和电流之和，或称为漏电流。

再从整个晶闸管外部电路来看，应有I A+I G=I C。

（4）由式（3）和式（4），可得到阳极电流为I A=（I O+α2I G）/［1-（α1+α2）］（5）晶闸管外加正向电压U AK；但门极断开，I G=0时，中间结J2承受反偏电压，阻断阳极电流，这时I A=I C很小，由式（5）得I A=I C=I O/［1-（α1+α2）］≈0 （6）{{分页}}在I A、I C很小时晶闸管中共基极电流放大系数α1、α2也很小，α1、α2都随电流I A、I C的增大而增大。

如果门极电流I G=0，在正常情况下，由于I O 很小，I A=I C仅为很小的漏电流，α1+α2不大，这时的晶闸管处于阻断状态。

一旦引入了门极电流I G，将使I A增大，I C增大，这将使共基极电流放在系数α1、α2变大，α1、α2变大后，I A、I C进一步变大，又使α1、α2变得更大。

在这种正反馈作用下使用α1+α2接近于1，晶闸管立即从断态转为通态。

内部的两个等效三极管都进入饱和导电状态，晶闸管的等效电阻变得很小，其通态压降仅为1~2V，这时的电流I A≈I C；则由外电路电源电压U S和负载电阻R 限定，即I A≈I C≈U S/R。

一旦晶闸管从断态转为通态后，因I A、I C已经很大，即使撤除门极电流I G，由于α1+α2≈1，由式（5）可知I A=I C仍然会很大，晶闸管仍然继续处于通态，并保持由外部电路所决定的阳极电流I A=I C=U S/R。

二、晶闸管的基本特性晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关第，称晶闸管的伏安特性。

晶闸管的伏安特性位于第一象限的是正向伏安特性，位于第三象限的是反向伏安特性（如图2所示）。

其主要特性表现如下。

（1）在正向偏置下，开始器件处于正向阻断状态，当U AK=U A时，发生转折，经过负阻区由阻断状态进入导通状态（OA—正向阻断状态，AB—转折态，BL—负阻态，LD—导通状态，A—转折点，U A—转折电压）。

从图2中可以看到，这种状态的转换，可以由电压引起，也可以由门极电流引起（门极触发导通）。

（2）当I G2>I G1>I G时，U A2< SPAN>A1< SPAN>A，且一旦触发导通后，即使去掉门极信号，器件仍能维持导通状态不变。

这是二极管、三极管所没有，晶闸管所特有的性质，称为自锁或擎住特性（L—擎住点，I L—擎住电流）。

可见，晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。

因此，触发电流常采用脉冲电流，而无需采用直流电流。

（3）导通之后，只要流过器件的电流逐渐减小到某值，器件又可恢复已知正弦半波的有效值（均方根值）为由式（1）和式（2）得到有效值为即产品手册中的额定电流为I R=I AV=100A的晶闸管可以通过任意波形、有效值为157A的电流，其发热温升正好是允许值。

在实际应用中由于电路波形可能既非直流（直流电的平均值与有效值相等），又非半波正弦；因此应按照实际电流波形计算其有效值，再将此有效值除以1.57作为选择晶闸管额定电流的依据。

当然，由于晶闸管等电力电子半导体开关器件热容量很小，实际电路中的过电流又不可能避免，故在设计应用中通常留有1.5~2.0倍的电流安全裕量。

{{分页}}（2）浪涌电流I TSM。

系指晶闸管在规定的极短时间内所允许通过的冲击性电流值，通常I TSM比额定电流I R大4л倍。

例如，100A的元件，其值为(1.3~1.9)kA；1000A元件，其值为(13~19)kA。

（3）维持电流I H。

使晶闸管维持导通所必须的最小阳极电流。

当通过晶闸管的实际电流小于维持电流I H值时，晶闸管转为断态，大于此值时晶闸管还能维持其原有的通态。

（4）擎住电流I L。

晶闸管在触发电流作用下被触发导通后，只要管子中的电流达到某一临界值时，就可以把触发电流撤除，这时晶闸管仍然自动维持通态，这个临界电流值称为擎住电流I L。

擎住电流I L和维持电流I H都随结温快速晶闸管通常是指那些关断时间t off≤50μs、速度响应特性优良的晶闸管。

它的基本结构和特性与普通晶闸管完全一样；但是由于快速晶闸管的工作频率（f≥400Hz）比普通晶闸管的工作频率高，所以仅要求其关断时间短是不全面的。

因此，在关断时间的基础上，还要求快速晶闸管的通态压降低、开关损耗小、通态电流临界上升率di /dt及断态电压临界上升率du/dt高。

只有这样，它才能在较高的工作频率下安全可靠地工作。

这种快速晶闸管主要应用于直流电源供电的逆变器的斩波器，在这种电路中，它的关断时间通常只有（20~50）μs，比普通晶闸管快一个数量级。

2、逆导型晶闸管（RCT）普通晶闸管表现为正向可控闸流特性，反向高阻特性，称为逆阻型器件。

逆导晶闸管是一个反向导通的晶闸管，是将一个晶闸管与一个续流二极管反并联集成在同一硅片上构成的新器件，如图3（a）所示。

逆导晶闸管的工作原理与普通晶闸管相同，其伏安特性如图3（b）所示。

正向表现为晶闸管正向伏安特性，反向表现为二极管特性。

与普通晶闸管相比，逆导晶闸管有如下特点：正向转折电压比普通晶闸管高，电流容量大，易于提高开关速度，高温特性好（允许结温可达150℃以上），减小了接线电感，缩小了装置体积。

3、双向晶闸管（TRIAC）图4所示双向晶闸管TRIAC也是一个三端器件，它有两个主电极T1、T2和一个门极G，触发信号加在T2极和门极G之间，它在正反两个方向电压下均可用同一门极控制触发导通。

双向晶闸管在结构上可以看做是一对普通逆阻型晶闸管的反并联。

其符号、等效电路和阳极伏安特性如图4所示。

其特性也反映了反并联晶闸管的组合效果，即在第一和第三象限具有对称的阳极伏安特性。

这个特征与图1所示逆阻型晶闸管正向导通特性是相同的。

对双向晶闸管在门极G和主电极T2之间送入正触发脉冲电流（I G从G流入，从T2流出）或负脉冲电流（I G从T2流入，从G流出）均能使双向晶闸管导通。

根据T1、T2间电压极性的不同及门极信号极性的不同，双向晶闸管有4种触发和开通方式：{{分页}}（1）主电极T1相对T2电位为正的情况下，门极G和T2之间加正触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通工作在第一象限，称为I+触发方式。

（2）主电极T1相对T2电位为正的情况下，门极G和T2之间加负触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通也工作在第一象限，称为I-触发方式。

（3）主电极T2相对T1电位为正的情况下，门极G和T2之间加正触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通工作在第三象限，称为Ⅲ+触发方式。

（4）主电极T2相对T1电位为正的情况下，门极G和T2之间加负触发脉冲电压、电流，这时双向晶闸管导通也工作在第三象限，称为Ⅲ-触发方式。

I-、Ⅲ-两种触发方式灵敏度很高，在实用中常被采用，如图2（c）所示。

双向晶闸管多在交流电路中采用，正、负半波都工作；因此要特别注意如下两个参数的意义。

（1）额定电流或额定通态电流：双向晶闸管的额定电流不像二极管和晶闸管那样按正弦半波电流平均值定义，而是用有效值来定义，即额定值为100A 的双向晶闸管只能通过100A的有效值电流。

而额定电流为100A的二极管、逆阻晶闸管则可通过157A的有效值电流。

由额定电流的定义可知：在交流电流中一只有效值为I T的双向晶闸管能承载全波负载电流有效值为I T，半波负载电流为；若用晶闸管，其额定电流应为。

因此，电流为I T 的双向晶闸管可代替两只并联的电流额定值为0.45I T的逆阻型晶闸管。

（2）如果负载电流是电感性滞后的，双向晶闸管在正向电流下降为0时电源电压早已反向，故相当于在电流刚刚降为0的晶闸管两端瞬时施加一阶跃反压。

双向晶闸管在某个方向导通时管芯内各半导体层中分布一定的载流子电荷。

电流下降为0时，内部载流子不可能瞬间消失；因此它必须在电流为0瞬间具有承受一定的du/dt反方向电压的能力。